JPH074907A - 絶縁体の表面粗さ測定方法 - Google Patents
絶縁体の表面粗さ測定方法Info
- Publication number
- JPH074907A JPH074907A JP14356393A JP14356393A JPH074907A JP H074907 A JPH074907 A JP H074907A JP 14356393 A JP14356393 A JP 14356393A JP 14356393 A JP14356393 A JP 14356393A JP H074907 A JPH074907 A JP H074907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- glass substrate
- sheet resistance
- resistance value
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板等の絶縁体の表面の全体の巨視的
な粗さを簡単な手段で測定して評価することができる絶
縁体の表面粗さ測定方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１の表面にスパッタリング法また
は蒸着法により１５〜５０ｎｍの膜厚で導電性の薄膜２
を成膜し、この薄膜２のシート抵抗値を測定し、このシ
ート抵抗値に基づいてガラス基板１の表面粗さを評価す
る。
な粗さを簡単な手段で測定して評価することができる絶
縁体の表面粗さ測定方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１の表面にスパッタリング法また
は蒸着法により１５〜５０ｎｍの膜厚で導電性の薄膜２
を成膜し、この薄膜２のシート抵抗値を測定し、このシ
ート抵抗値に基づいてガラス基板１の表面粗さを評価す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス基板等の絶縁体の
表面粗さを測定する絶縁体の表面粗さ測定方法に関す
る。
表面粗さを測定する絶縁体の表面粗さ測定方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば液晶表示素子に用いられるガラス
基板の表面に、波長が 300〜1000ｎｍのレーザ光を照射
し、その光の干渉を利用してガラス基板の表面のピンホ
ールや傷等を検出してその表面の粗さを評価する方法が
知られている。
基板の表面に、波長が 300〜1000ｎｍのレーザ光を照射
し、その光の干渉を利用してガラス基板の表面のピンホ
ールや傷等を検出してその表面の粗さを評価する方法が
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このレ
ーザ光を用いる方法においては、ガラス基板の表面のピ
ンホールや傷等を微視的に検出してその有無を判断する
ことができるだけで、ガラス基板の表面の全体の巨視的
な粗さを評価することができないという難点がある。
ーザ光を用いる方法においては、ガラス基板の表面のピ
ンホールや傷等を微視的に検出してその有無を判断する
ことができるだけで、ガラス基板の表面の全体の巨視的
な粗さを評価することができないという難点がある。
【０００４】本発明はこのような点に着目してなされた
もので、その目的とするところは、ガラス基板等の絶縁
体の表面の全体の巨視的な粗さを簡単な手段で測定して
評価することができる絶縁体の表面粗さ測定方法を提供
することにある。
もので、その目的とするところは、ガラス基板等の絶縁
体の表面の全体の巨視的な粗さを簡単な手段で測定して
評価することができる絶縁体の表面粗さ測定方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、絶縁体の表面にスパッタリング法
または蒸着法により１５〜５０ｎｍの膜厚で導電性の薄
膜を成膜し、この薄膜のシート抵抗値を測定し、このシ
ート抵抗値に基づいて前記絶縁体の表面粗さを評価する
ようにしたものである。
的を達成するために、絶縁体の表面にスパッタリング法
または蒸着法により１５〜５０ｎｍの膜厚で導電性の薄
膜を成膜し、この薄膜のシート抵抗値を測定し、このシ
ート抵抗値に基づいて前記絶縁体の表面粗さを評価する
ようにしたものである。
【０００６】
【作用】絶縁体の表面に成膜された導電性の薄膜の膜厚
が５０ｎｍ以下のごく薄い状態にあるときには、絶縁体
の表面の粗さ、つまりその表面の凹凸の度合に応じて薄
膜の膜厚に部分的な差が生じ、この部分的な厚さの違い
によって薄膜の全体のシート抵抗値が変る。したがって
その薄膜のシート抵抗値を測定することにより絶縁体の
表面の粗さを把握して評価することができる。
が５０ｎｍ以下のごく薄い状態にあるときには、絶縁体
の表面の粗さ、つまりその表面の凹凸の度合に応じて薄
膜の膜厚に部分的な差が生じ、この部分的な厚さの違い
によって薄膜の全体のシート抵抗値が変る。したがって
その薄膜のシート抵抗値を測定することにより絶縁体の
表面の粗さを把握して評価することができる。
【０００７】ただ、薄膜のシート抵抗値を適正に測定す
ることができるためには、薄膜が絶縁体の表面の全体に
連続して拡がっていることが必要であり、この条件を満
たすためには薄膜の膜厚を１５ｎｍ以上とすることが必
要となる。
ることができるためには、薄膜が絶縁体の表面の全体に
連続して拡がっていることが必要であり、この条件を満
たすためには薄膜の膜厚を１５ｎｍ以上とすることが必
要となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１（ａ）には、表面粗さを評価すべき
絶縁体としての無アルカリガラス基板１を示してある。
して説明する。図１（ａ）には、表面粗さを評価すべき
絶縁体としての無アルカリガラス基板１を示してある。
【０００９】まず、このガラス基板１の表面の全体に、
図１（ｂ）に示すように１５〜５０ｎｍの膜厚で導電性
の薄膜２を形成する。この導電性の薄膜２は、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ等のうちの一種の金属、または二
種以上を混合した金属をスパッタリング法によりガラス
基板１の表面に付着させて成膜する方法、あるいはＩＴ
Ｏ等の導電性酸化物を蒸着法によりガラス基板１の表面
に付着させて成膜する方法で形成する。
図１（ｂ）に示すように１５〜５０ｎｍの膜厚で導電性
の薄膜２を形成する。この導電性の薄膜２は、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ等のうちの一種の金属、または二
種以上を混合した金属をスパッタリング法によりガラス
基板１の表面に付着させて成膜する方法、あるいはＩＴ
Ｏ等の導電性酸化物を蒸着法によりガラス基板１の表面
に付着させて成膜する方法で形成する。
【００１０】次に、ガラス基板１の上の導電性の薄膜２
のシート抵抗値を測定する。ガラス基板１の表面の粗さ
が粗いほど導電性の薄膜２のシート抵抗値は高くなり、
したがって導電性薄膜２のシート抵抗値を測定すること
によりガラス基板１の表面の粗さの程度を把握すること
ができる。
のシート抵抗値を測定する。ガラス基板１の表面の粗さ
が粗いほど導電性の薄膜２のシート抵抗値は高くなり、
したがって導電性薄膜２のシート抵抗値を測定すること
によりガラス基板１の表面の粗さの程度を把握すること
ができる。
【００１１】すなわち、複数のガラス基板１の表面にそ
れぞれ導電性の薄膜２を形成してその各薄膜２のシート
抵抗値を測定することにより、各ガラス基板１の表面粗
さを評価することができる。
れぞれ導電性の薄膜２を形成してその各薄膜２のシート
抵抗値を測定することにより、各ガラス基板１の表面粗
さを評価することができる。
【００１２】この場合、導電性の薄膜２はその材料の種
類および膜厚によってその固有のシート抵抗値が変動す
るから、各ガラス基板１の表面には同一の条件の薄膜２
を形成して、その各ガラス基板１の表面粗さに基づく薄
膜２のシート抵抗値の違いを測定する。
類および膜厚によってその固有のシート抵抗値が変動す
るから、各ガラス基板１の表面には同一の条件の薄膜２
を形成して、その各ガラス基板１の表面粗さに基づく薄
膜２のシート抵抗値の違いを測定する。
【００１３】図３には、Ａｒガスを用いるスパッタリン
グ法により膜厚２５ｎｍのＣｒ膜を導電性の薄膜２とし
てガラス基板１の表面に成膜した場合におけるその薄膜
２のシート抵抗値とガラス基板１の表面粗さとの関係を
示してある。
グ法により膜厚２５ｎｍのＣｒ膜を導電性の薄膜２とし
てガラス基板１の表面に成膜した場合におけるその薄膜
２のシート抵抗値とガラス基板１の表面粗さとの関係を
示してある。
【００１４】ここで、Ａ〜Ｆのガラス基板１は、予め断
面透過電子顕微鏡観察によりその表面粗さが測定されて
おり、Ａのランクのガラス基板１の表面の粗さが１ｎｍ
以下のうねりで、Ｅのランクのガラス基板１の表面の粗
さが数ｎｍのうねりであり、そのＡのランクのガラス基
板１における導電性の薄膜２のシート抵抗値と、Ｅのラ
ンクのガラス基板１における導電性の薄膜２のシート抵
抗値とでは、約７５Ωの差が生じている。
面透過電子顕微鏡観察によりその表面粗さが測定されて
おり、Ａのランクのガラス基板１の表面の粗さが１ｎｍ
以下のうねりで、Ｅのランクのガラス基板１の表面の粗
さが数ｎｍのうねりであり、そのＡのランクのガラス基
板１における導電性の薄膜２のシート抵抗値と、Ｅのラ
ンクのガラス基板１における導電性の薄膜２のシート抵
抗値とでは、約７５Ωの差が生じている。
【００１５】したがって、ある評価用のガラス基板１の
表面に前記と同一の条件の導電性の薄膜２を成膜し、こ
の導電性の薄膜２のシート抵抗値を測定し、このシート
抵抗値と図３に示されるシート抵抗値とを比較すること
により、その評価用のガラス基板１の表面粗さの程度を
把握して評価することができる。
表面に前記と同一の条件の導電性の薄膜２を成膜し、こ
の導電性の薄膜２のシート抵抗値を測定し、このシート
抵抗値と図３に示されるシート抵抗値とを比較すること
により、その評価用のガラス基板１の表面粗さの程度を
把握して評価することができる。
【００１６】ところで、本来、薄膜のシート抵抗値の測
定は、スパッタリング法や蒸着法により成膜された薄膜
の膜質を検査するときに実施されるものであるが、ガラ
ス基板の上に成膜された薄膜の厚さが５０ｎｍ以下のご
く薄いときには、そのガラス基板の表面の粗さに応じて
薄膜のシート抵抗値が変化する。
定は、スパッタリング法や蒸着法により成膜された薄膜
の膜質を検査するときに実施されるものであるが、ガラ
ス基板の上に成膜された薄膜の厚さが５０ｎｍ以下のご
く薄いときには、そのガラス基板の表面の粗さに応じて
薄膜のシート抵抗値が変化する。
【００１７】図２にはガラス基板１の表面に導電性の薄
膜２を成膜した部分の拡大断面図であり、この図２に示
されるように、薄膜２の膜厚が５０ｎｍ以下のごく薄い
状態にあるときには、ガラス基板１の表面の粗さ、つま
りその表面の凹凸の度合に応じて薄膜２の膜厚に部分的
な差が生じる。
膜２を成膜した部分の拡大断面図であり、この図２に示
されるように、薄膜２の膜厚が５０ｎｍ以下のごく薄い
状態にあるときには、ガラス基板１の表面の粗さ、つま
りその表面の凹凸の度合に応じて薄膜２の膜厚に部分的
な差が生じる。
【００１８】すなわちガラス基板１の表面の凹の部分で
は薄く、凸の部分では厚くなる。そしてこの部分的な厚
さの違いによって薄膜２の全体のシート抵抗値が変り、
このシート抵抗値の変化を利用してガラス基板１の表面
の粗さを把握するものである。したがって、薄膜２の厚
さの範囲の上限は５０ｎｍである。
は薄く、凸の部分では厚くなる。そしてこの部分的な厚
さの違いによって薄膜２の全体のシート抵抗値が変り、
このシート抵抗値の変化を利用してガラス基板１の表面
の粗さを把握するものである。したがって、薄膜２の厚
さの範囲の上限は５０ｎｍである。
【００１９】一方、薄膜２のシート抵抗値を適正に測定
することができるためには、薄膜２がガラス基板１の表
面の全体に連続して拡がっていることが必要である。こ
の条件を満たすためには薄膜２が１５ｎｍ以上の膜厚を
有することが必要となる。
することができるためには、薄膜２がガラス基板１の表
面の全体に連続して拡がっていることが必要である。こ
の条件を満たすためには薄膜２が１５ｎｍ以上の膜厚を
有することが必要となる。
【００２０】したがってガラス基板１の表面に形成する
薄膜２の厚さの範囲の下限は１５ｎｍである。なお、本
発明はガラス基板の表面粗さを測定する場合に限らず、
他の絶縁体の表面粗さの測定にも同様に適用することが
できるものである。
薄膜２の厚さの範囲の下限は１５ｎｍである。なお、本
発明はガラス基板の表面粗さを測定する場合に限らず、
他の絶縁体の表面粗さの測定にも同様に適用することが
できるものである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ガ
ラス基板等の絶縁体の表面の全体の巨視的な粗さを、そ
の表面に成膜した導電性の薄膜のシート抵抗値を測定す
るという簡単な手段で把握して評価することができる。
ラス基板等の絶縁体の表面の全体の巨視的な粗さを、そ
の表面に成膜した導電性の薄膜のシート抵抗値を測定す
るという簡単な手段で把握して評価することができる。
【図１】本発明の一実施例を示し、（ａ）は絶縁体とし
てのガラス基板の断面図、（ｂ）はそのガラス基板の表
面に導電性の薄膜を成膜した状態の断面図。
てのガラス基板の断面図、（ｂ）はそのガラス基板の表
面に導電性の薄膜を成膜した状態の断面図。
【図２】ガラス基板の表面に導電性の薄膜を形成した部
分を拡大した断面図。
分を拡大した断面図。
【図３】ガラス基板の表面に成膜した薄膜のシート抵抗
値とガラス基板の表面粗さとの関係を示すグラフ図。
値とガラス基板の表面粗さとの関係を示すグラフ図。
１…ガラス基板（絶縁体） ２…導電性の薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁体の表面にスパッタリング法または蒸
着法により１５〜５０ｎｍの膜厚で導電性の薄膜を成膜
し、この薄膜のシート抵抗値を測定し、このシート抵抗
値に基づいて前記絶縁体の表面粗さを評価することを特
徴とする絶縁体の表面粗さ測定方法。 - 【請求項２】絶縁体が無アルカリガラス基板であること
を特徴とする請求項１に記載の絶縁体の表面粗さ測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14356393A JPH074907A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 絶縁体の表面粗さ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14356393A JPH074907A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 絶縁体の表面粗さ測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH074907A true JPH074907A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15341660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14356393A Pending JPH074907A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 絶縁体の表面粗さ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH074907A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114103A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| CN116344371A (zh) * | 2021-12-24 | 2023-06-27 | 乐金显示有限公司 | 包括用于测试薄膜层的测试部分的显示装置 |
| JP2023101719A (ja) * | 2017-09-29 | 2023-07-21 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP14356393A patent/JPH074907A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114103A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2023101719A (ja) * | 2017-09-29 | 2023-07-21 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| CN116344371A (zh) * | 2021-12-24 | 2023-06-27 | 乐金显示有限公司 | 包括用于测试薄膜层的测试部分的显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7349598B2 (en) | Surface plasmon resonance device | |
| US12345518B2 (en) | Method for measuring thickness and optical properties of multi-layer film | |
| Kim et al. | Titanium nitride thin film as an adhesion layer for surface plasmon resonance sensor chips | |
| US5411890A (en) | Method for measuring atmospheric corrosion | |
| CN111998979B (zh) | 一种薄膜瞬时应力的计算方法 | |
| IE45575L (en) | Scale for calibrating electron beam instruments | |
| JPH074907A (ja) | 絶縁体の表面粗さ測定方法 | |
| KR20030027806A (ko) | 액정 표시판용 대향 기판, 액정 표시판, 및 그 제조 방법 | |
| Lathlaen et al. | Stress in Thin Films of Silane Vapor‐Deposited Silicon Dioxide | |
| US7361963B2 (en) | Optical film | |
| Von Rottkay et al. | Optical indices of tin-doped indium oxide and tungsten oxide electrochromic coatings | |
| EP4242706B1 (en) | Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor | |
| Yilmaz et al. | Silver films on glass with very thin chromium adherence interlayers; reflectance and adherence at film-glass interface | |
| Kostyukevych et al. | Application of surface plasmon resonance for the investigation of ultrathin metal films | |
| JP4478331B2 (ja) | 塗料特性測定方法 | |
| Be’er et al. | Time‐resolved, three‐dimensional quantitative microscopy of a droplet spreading on solid substrates | |
| Beninger et al. | Optical transmission microscopy of thin metal films on ceramic substrates | |
| Mol et al. | Process for low temperature deposition of Strain Gauge materials based on Chromium Nitride Thin Films | |
| JPH05288671A (ja) | 鋼板表面の赤外線分光法による測定法 | |
| JP2008275552A (ja) | 金属膜の埋設深さ測定方法 | |
| SU1599722A2 (ru) | Способ определени неоднородности диэлектрической пленки на диэлектрической подложке | |
| US6487018B1 (en) | Aperture and optical device using the same | |
| FR3110160B1 (fr) | Matériau bas émissif comprenant une couche épaisse à base d'oxyde de silicium | |
| Solovei et al. | Formation and Properties of Multilayer Coatings Based on Zirconium and Silicon Oxides | |
| JPH1167860A (ja) | 半導体装置の評価方法および半導体装置 |