JPH0749271A - 接触型温度センサ及びその製造方法 - Google Patents

接触型温度センサ及びその製造方法

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JPH0749271A
JPH0749271A JP5193418A JP19341893A JPH0749271A JP H0749271 A JPH0749271 A JP H0749271A JP 5193418 A JP5193418 A JP 5193418A JP 19341893 A JP19341893 A JP 19341893A JP H0749271 A JPH0749271 A JP H0749271A
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JP
Japan
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thermistor
wall
metal container
flat plate
temperature
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Application number
JP5193418A
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English (en)
Inventor
Takeshi Nagai
彪 長井
Katsumi Sasada
勝視 佐々田
Sadao Nakagawa
貞雄 中川
Shuji Ito
修治 伊藤
Toshiaki Uemura
寿朗 植村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は接触型温度センサに関するもので絶
縁距離が大きく、高速の熱応答性を有する構成と製造法
を提供することを目的とする。 【構成】 平板状支持体19の一方の表面に接触して配
置されたサーミスタ17と、前記サーミスタ17に接続
されたリード線18と、前記サーミスタ17を全面的に
被覆する焼成硝子20とで感温ユニット21を形成し、
前記感温ユニット21の前記平板状支持体19の他の表
面と有底状金属容器4の底面内壁5を、前記焼成硝子2
0の焼成温度より低い融点の銀ろう22・22′ではさ
んだチタン箔23でろう付けして成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は対象物表面と機械的に接
触して、その表面温度を検出する接触型温度センサ及び
その製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の接触型温度センサは、図
3に示すように、薄膜サーミスタ1を銀ろう箔2、2′
ではさまれたチタン箔3により直接有底状金属容器4の
底面内壁5にろう付けした後、リード線6、6′を接続
し、更に、薄膜サーミスタ1を外部環境から保護するた
めに焼成硝子7を形成して構成されている。薄膜サーミ
スタ1は絶縁性基板8の一方の表面に電極膜9・9′を
形成した後、感温抵抗体膜10を形成して構成される。
前記有底状金属容器4の底面外壁11を対象物の表面に
機械的に接触させて、その表面温度を検出していた(例
えば、特開昭57−169202号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の接触型温度セン
サは上記構成により、高速熱応答性を得ていた。しかし
ながら、上記のような構成では、リード線6・6′と有
底状金属容器4の底面内壁5の間の電気的絶縁距離は絶
縁性基板8の板厚(通常、0.5mm程度)で決められ
るので、絶縁距離が短い、即ち、電気的絶縁性が小さい
という問題があった。特に、梅雨どきのように、湿度の
高い環境下では、絶縁性基板8の側面表面に結露水が付
着し易すくなり、絶縁劣化が問題となる。本発明は、高
速熱応答性を保持しつつ、上記従来の問題点を解消する
もので、従来よりも絶縁性能の優れた構成を提供するこ
とを第1の目的としている。なお、大きな表面積の絶縁
性基板8を作りその表面の中央部の小さな表面積部に電
極膜9・9′および感温抵抗体膜10を形成した場合、
絶縁距離を長くできる。しかし、感温抵抗体膜10をス
パッタ法、蒸着法で形成する場合、形成できる面積が限
られるので、このような構成では薄膜サーミスタ1の形
成できる個数が減少するという欠点が生じ実用化できて
いないのが現状である。
【0004】また、従来の接触型温度センサは上記構成
により、薄膜サーミスタ1を有底状金属容器4の底面内
壁5にろう付けした後、リード線6・6′を接続した
り、焼成硝子7を形成していた。しかし、薄膜サーミス
タ1が有底状金属容器4の側壁12の頂点部13よりも
底面内壁5側に位置するので、これら接続作業や形成作
業は、有底状金属容器4の側壁12により妨害される。
この結果、これら作業は、熟練を必要とし、また、作業
の自動化も困難であった。本発明は、これら作業の容易
な構成、自動化の可能な構成を提供することを第2の目
的にしている。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るための第1の技術手段として絶縁性の平板状支持体の
一方の表面に接触して固着されたサーミスタと、前記サ
ーミスタに接続するリード線と前記サーミスタを全面的
に被覆する焼成硝子とで感温ユニットを形成し、前記平
板状支持体の他の表面と前記底面内壁間に前記焼成硝子
の焼成温度よりも低い融点の銀ろうではさまれたチタン
箔でろう付けする構成としている。
【0006】また第2の技術手段として前記平板状支持
体の一方の表面に接触して固着されたサーミスタと、前
記サーミスタに接続するリード線と、前記サーミスタを
全面的に被覆する焼成硝子とで感温ユニットを形成し、
前記金属容器はチタンで形成するとともに前記平板状支
持体の他の表面と前記底面内壁間に前記焼成硝子の焼成
温度よりも低い融点の銀ろうでろう付けする構成として
いる。
【0007】また上記第2の目的を達成するための第3
の技術手段として前記平板状支持体の一方の表面上にリ
ード線を接続したサーミスタを配置するとともに焼成硝
子ペーストを全面的に被覆した状態で乾燥させた後前記
平板状支持体の他の表面と前記底面内壁間に、硝子ペー
ストの焼成温度より低い融点の銀ろう箔とチタン箔と銀
ろう箔を積層し、不活性ガス雰囲気中で硝子ペーストを
焼成する加熱工程でサーミスタを金属容器に固着させる
構成としている。
【0008】また第4の技術手段として前記平板状支持
体の一方の表面上にリード線を接続したサーミスタを配
置するとともに焼成硝子ペーストを全面的に被覆した状
態で乾燥および焼成を経て感温ユニットを形成した後
に、前記平板状支持体の他の表面と前記底面内壁間に、
焼成温度より低い融点の銀ろう箔とチタン箔と銀ろう箔
を積層し、不活性ガス雰囲気中で焼成温度より低い温度
に加熱する加熱工程でサーミスタを金属容器に固着させ
る構成としている。
【0009】
【作用】本発明は上記した第1および第2の技術手段に
より絶縁距離がきわめて大きくなり熱応答性が従来と差
がなくて絶縁性能の優れた接触型温度センサとなる。
【0010】また第3および第4の技術手段により第1
および第2の技術手段を容易に実現でき、感温ユニット
の作成作業は有底状金属容器内でする必要がなくなる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の1実施例について図1および
図2を参照しながら第1および第2の技術手段について
説明する。なお従来例と同一部分には同一符号をつけ説
明は省略する。平板状アルミナ基板14の一方の表面に
一対の電極膜15・15′と感温抵抗体膜16とから成
る薄膜サーミスタ17を準備した。平板状アルミナ基板
14の形状は、幅2mm・長さ4mm・厚さ0.5mm
である。この薄膜サーミスタ17の一対の電極膜15・
15′に一対のリード線18・18′をそれぞれ接続し
た後、平板状アルミナ支持体19に薄膜サーミスタ17
を積層し、次に、薄膜サーミスタ17を全面的に被覆し
て焼成硝子20を形成し、感温ユニット21を構成し
た。感温ユニットの形成作業は、平板状アルミナ支持体
19の表面上でなされるので、作業が容易であり、自動
化も可能である。
【0012】電極膜15・15′は、厚膜用導電性ペー
スト、例えば、Agペースト・Ag−Pdペースト・A
u−Ptペーストなどを印刷した後、800℃以上の高
温で焼成して形成される。感温抵抗体膜16として、複
合金属酸化物・Ge・Si、SiCなどの蒸着膜・スパ
ッタ膜・焼成厚膜など種々用いられるが、なかでもSi
Cスパッタ感温抵抗体膜は500℃の耐熱性を有すると
共に0−500℃の広い温度範囲を検出するのに適した
抵抗温度特性を有する点で優れている。また、焼成硝子
20は、薄膜サーミスタ17の周囲を全面的に厚膜用硝
子ペーストで被覆した後、700℃以上の高温で焼成し
て形成される。焼成硝子20の厚さは1〜3mmであ
る。平板状アルミナ支持体19の形状は平板状アルミナ
基板14よりも大きく選ばれ、ここでは直径10mm、
厚さ0.5mmとした。
【0013】感温ユニット21を形成した後、前記平板
状アルミナ支持体19の他の表面とステンレスで構成さ
れた有底状金属容器4の内底面5を、前記焼成硝子20
の焼成温度より低い融点の銀ろう22・22′ではさま
れたチタン箔23でろう付けした。銀ろう材として、融
点が700℃以下のもの、例えば、銀ろうJIS規格番
号BAg1(液相線温度約620℃)・BAg−2(液
相線温度約700℃)・BAg−3(液相線温度約69
0℃)などが適している。
【0014】本発明はこの構成によって、平板状絶縁性
支持体19の形状を薄膜サーミスタ17より大きく選ぶ
ことができる。直径10mm、厚さ0.5mmの平板状
アルミナ支持体19のほぼ中央部に薄膜サーミスタ17
を配置した場合、リード線18・18′と有底状金属容
器4の底面内壁5の間の電気的絶縁距離は3〜4mmで
あった。このように、絶縁距離は従来のそれ(通常、
0.5mm程度)に比べ5倍以上(2.5mm以上)容
易に大きくできる。この結果、高い絶縁性を容易に得ら
れる。
【0015】本発明の接触型サーミスタの熱応答性を次
のようにして測定した。最初、室温(T0 ℃)に保たれ
た接触型温度センサの有底状金属容器4の外底面11
を、お湯(T℃、約95℃)で満たされたアルミニウム
なべのなべ底に接触させたときを起点にして、サーミス
タ17の温度がT0 +0.9(T−T0 )に到達する時
間(90%応答時間)で熱応答性を評価した。従来の接
触型温度センサの90%熱応答時間は4〜5秒であり、
本発明のそれは5〜6秒であった。本発明の接触型温度
センサの薄膜サーミスタ17から有底状金属容器4の外
底面11に至る素子部熱抵抗は、従来のそれと比べ、主
として、平板状絶縁性支持体19の厚さに起因する熱抵
抗だけ大きくなるので、熱応答性は遅くなる。しかし、
上述した実用的90%熱応答時間は、なべと有底状金属
容器4の外底面11の間の接触熱抵抗の影響を強く受
け、前記素子部熱抵抗による熱応答時間への影響は小さ
い。この結果、本発明の接触型サーミスタの熱応答時間
は、従来のそれに比べ約1秒程度の遅れしか示さないと
考えられる。この遅れは、実用的には問題にならない。
【0016】前述した説明は、ステンレスで構成された
有底状金属容器4を用いた場合についての内容である
が、チタンで構成された有底状金属容器24を用いた場
合、図2に示すように、簡素なろう付け構成でよいとい
う利点が生じる。即ち、平板状絶縁性支持体19とチタ
ンで構成された有底状金属容器24の底面内壁5はろう
材22のみでろう付けできるからである。しかし、チタ
ンはステンレスに比べ、機械的強度において劣るので、
実用的応用はある程度の制限を受ける。
【0017】また、前述した説明は、薄膜サーミスタ1
7を用いた内容であるが、例えば、金属酸化物サーミス
タを用いても同様のことが可能であることは、明らかで
ある。しかし、金属酸化物サーミスタは、通常、円筒形
状やそれと類似の形状であるので、平板状絶縁性支持体
19の表面に配置した場合、両者は線接触する。他方、
薄膜サーミスタ17は、板状の形状があるので、両者は
面接触する。このため、熱伝導は、薄膜サーミスタ17
の方が金属酸化物サーミスタより優れている。
【0018】次に第3および第4の技術手段について説
明する。焼成硝子20は、通常、厚膜用硝子ペーストを
所定の場所に塗布した後、高温で熱処理する硝子焼成工
程を経て製造される。この硝子焼成工程の焼成温度は7
00℃程度が好ましい。これ以上の焼成温度では、サー
ミスタ17の焼成前後における特性変化が著しく大きく
なり、また、これ以下の焼成温度では、焼成硝子20の
耐熱性が、本発明の接触型温度センサに要求される35
0℃の耐熱性を満足できず、クラックが発生し易くなる
からである。他方、ろう付けも不活性ガス雰囲気中で高
温で熱処理するろう付け焼成工程を経てなされる。従っ
て、本発明の接触型温度センサの製造は、平板状絶縁性
支持体19の一方の表面上にサーミスタ17と前記サー
ミスタ17に接続されたリード線18・18′を配置
し、次にサーミスタ17を厚膜用硝子ペーストで全面的
に被覆し、空気中約100℃で乾燥した後、前記平板状
絶縁性支持体19の他の表面と有底状金属容器4の底面
内壁5の間に、融点700℃以下の銀ろう箔22とチタ
ン箔23と銀ろう箔22′を積層した後、この積層物を
不活性ガス雰囲気中で約700℃に加熱することによ
り、前記焼成硝子ペーストの硝子焼成工程および前記感
温ユニットと前記有底状金属容器4の底面内壁5のろう
付け焼成工程を1回の加熱工程で同時に処理することが
好ましい。これにより、製造工程の簡素化ができる。し
かし、この製造工程は、不活性ガス雰囲気中で焼成でき
る厚膜用硝子ペーストを必要とする点で一般的でない。
即ち、一般的厚膜用硝子ペーストは、通常、空気中で焼
成される。不活性ガス雰囲気中で焼成するには、ペース
トに含まれる樹脂成分を適切な樹脂成分に変える必要が
ある。このような特殊なペーストは、種類も限られてお
り、一般的でない。
【0019】このような場合、本発明の接触型温度セン
サの製造は、平板状絶縁性支持体19の一方の表面上に
サーミスタ17と前記サーミスタ17に接続されたリー
ド線18・18′を配置し、次にサーミスタ17を厚膜
用硝子ペーストで全面的に被覆し、空気中約100℃で
乾燥した後、空気中約700℃で焼成して感温ユニット
を作成した後、前記平板状絶縁性支持体19の他の表面
と有底状金属容器4の底面内壁5の間に、融点700℃
以下の銀ろう箔22とチタン箔23と銀ろう箔22′を
積層した後、この積層物を不活性ガス雰囲気中で700
℃以下で加熱して前記感温ユニットと前記有底状金属容
器4の前記底面内壁5をろう付けすることが好ましい。
この製造工程は、特殊なペーストを必要としない。ま
た、従来の接触型温度センサの製造工程、即ち、薄膜サ
ーミスタ1を有底状金属容器4の底面内壁5にろう付け
した後、リード線6・6′を接続し、その後焼成硝子7
を形成するという製造工程に比べ、本発明の製造工程
は、作業の容易な工程であり、また、工程の自動化も可
能である。従来の製造工程では、薄膜サーミスタ1は有
底状金属容器4の側壁12の頂点部13よりも底面内壁
5側に位置するので、これら接続作業や形成作業は、有
底状金属容器4の側壁12により妨害される。この結
果、これら作業は、熟練を必要とし、また、作業の自動
化も困難であった。本発明の製造工程は、感温ユニット
をあらかじめ作成した後にろう付けができる。感温ユニ
ットの作成作業は、平板状絶縁性支持体19の表面でな
されるので、作業の妨害物が無く、リード線の接続作業
や焼成硝子の形成作業は容易になるとともにこれら作業
の自動化も可能になる。
【0020】
【発明の効果】以上述べて来たように、本発明の第1の
技術手段により次に示す効果が得られる。
【0021】(1)平板状絶縁性支持体の形状をサーミ
スタ素子より大きく選ぶことができるので、絶縁距離は
従来のそれ(通常、0.5mm程度)に比べ5倍以上
(2.5mm以上)容易に大きくできる。この結果、高
い絶縁性を容易に得られる。
【0022】接触型温度センサで絶縁劣化が起こると、
例えばガステーブルで鍋底の温度を検出して火力を調節
する場合であれば、早切れを起して調理ができなくなる
欠点が生じたが、本発明によりこのようなことが起らず
品質が安定する。
【0023】(2)サーミスタ素子と有底状金属容器の
内底面は平板状絶縁性支持体を介してろう付け接続され
ているので、両者の間の熱抵抗を小さく保持できる。こ
の結果、高速熱応答性を確保できる。
【0024】次に第2の技術手段により有底状金属容器
がステンレスからチタンとなって材料費が少し高くなる
とともに、機械的精度が少し劣るので応用にある程度制
限を受けるが、銀ろう22′とチタン箔23が不必要と
なり感温ユニットと有底状金属容器との固着がきわめて
容易となる。
【0025】次に第3および第4の技術手段により第1
および第2の技術手段を容易に実現できる。すなわち銀
ろうの融点は焼成硝子の焼成温度より低く選ばれている
ので、ろう付け温度は焼成硝子の焼成温度よりも低い温
度で行うことにより、感温ユニットをあらかじめ作成し
た後にろう付けができる。感温ユニットの作成作業は、
平板状絶縁性支持体の表面でなされるので、作業の妨害
物が無く、リード線の接続作業や焼成硝子の形成作業は
容易になるとともにこれら作業の自動化も可能になる。
【0026】なお第3の技術手段では硝子ペーストが特
殊となるが、1回の焼成工程で作ることができるのでき
わめて経済的であり数量が多い時には極めて有利とな
る。また第4の技術手段では2回の焼成工程が必要であ
るが特殊なペーストを必要とせず数量が少ない時に有利
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例における接触型温度センサの
断面図
【図2】本発明の他の実施例における接触型温度センサ
の断面図
【図3】従来の接触型温度センサを示す断面図
【符号の説明】
4 有底状金属容器 5 底面内壁 11 底面外壁 17 サーミスタ(薄膜サーミスタ) 18 リード線 19 平板状支持体 20 焼成硝子 21 感温ユニット 22、22′ 銀ろう 23 チタン箔
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 修治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 植村 寿朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】底面内壁にサーミスタを固着するとともに
    底面外壁に被測定物に接する接触面を有する有底状金属
    容器と、前記金属容器とサーミスタとを絶縁する平板状
    支持体とを備え、前記平板状支持体の一方の表面に接触
    して固着されたサーミスタと、前記サーミスタに接続す
    るリード線と、前記サーミスタを全面的に被覆する焼成
    硝子とで感温ユニットを形成し、前記平板状支持体の他
    の表面と前記底面内壁間に前記焼成硝子の焼成温度より
    も低い融点の銀ろうではさまれたチタン箔でろう付けす
    る構成とした接触型温度センサ。
  2. 【請求項2】底面内壁にサーミスタを固着するとともに
    底面外壁に被測定物に接する接触面を有する有底状金属
    容器と、前記金属容器とサーミスタとを絶縁する平板状
    支持体とを備え、前記平板状支持体の一方の表面に接触
    して固着されたサーミスタと、前記サーミスタに接続す
    るリード線と、前記サーミスタを全面的に被覆する焼成
    硝子とで感温ユニットを形成し、前記金属容器はチタン
    で形成するとともに前記平板状支持体の他の表面と前記
    底面内壁間に前記焼成硝子の焼成温度よりも低い融点の
    銀ろうでろう付けする構成とした接触型温度センサ。
  3. 【請求項3】サーミスタは薄膜サーミスタで構成した請
    求項1または請求項2記載の接触型温度センサ。
  4. 【請求項4】底面内壁にサーミスタを装着するとともに
    底面外壁に被測定物に接する接触面を有する有底状金属
    容器と、前記金属容器とサーミスタとを絶縁する平板状
    支持体とを備え、前記平板状支持体の一方の表面上にリ
    ード線を接続したサーミスタを配置するとともに焼成硝
    子ペーストを全面的に被覆した状態で乾燥させた後、前
    記平板状支持体の他の表面と前記底面内壁間に、硝子ペ
    ーストの焼成温度より低い融点の銀ろう箔とチタン箔と
    銀ろう箔を積層し、不活性ガス雰囲気中で硝子ペースト
    を焼成する加熱工程でサーミスタを金属容器に固着させ
    る接触型温度センサの製造方法。
  5. 【請求項5】底面内壁にサーミスタを装着するとともに
    底面外壁に被測定物に接する接触面を有する有底状金属
    容器と、前記金属容器とサーミスタとを絶縁する平板状
    支持体とを備え、前記平板状支持体の一方の表面上にリ
    ード線を接続したサーミスタを配置するとともに焼成硝
    子ペーストを全面的に被覆した状態で乾燥および焼成を
    経て感温ユニットを形成した後に、前記平板状支持体の
    他の表面と前記底面内壁間に、前記焼成温度より低い融
    点の銀ろう箔とチタン箔と銀ろう箔を積層し、不活性ガ
    ス雰囲気中で前記焼成温度より低い温度に加熱する加熱
    工程でサーミスタを金属容器に固着させる接触型温度セ
    ンサの製造方法。
JP5193418A 1993-08-04 1993-08-04 接触型温度センサ及びその製造方法 Pending JPH0749271A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200475724Y1 (ko) * 2013-08-07 2014-12-29 금호전자 주식회사 밥솥에 사용되는 온도센서의 구조

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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