JPH0749558A - 位相シフトマスクの作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】光透過領域や位相シフト領域を所望のパターン
形状に正確に形成することができる位相シフトマスクの
作製方法を提供する。 【構成】位相シフトマスクの作製方法は、（イ）基板表
面に位相シフト材料層、遮光層、及び二酸化シリコン層
を順に形成する工程と、（ロ）二酸化シリコン層を所望
のパターン形状にドライエッチングする工程と、（ハ）
二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、遮
光層をドライエッチングする工程と、（ニ）遮光層をエ
ッチングマスクとして用いて、位相シフト材料層をドラ
イエッチングする工程、から成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ハーフトーン方式位相
シフトマスクを含む位相シフトマスクの作製方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造におけるパターン転写
工程、所謂リソグラフィ工程で使用されるフォトマスク
は、フォトマスク上のパターン形状をウエハ上に形成さ
れたレジスト材料に転写するために用いられる。半導体
装置等におけるパターン加工の寸法は年々微細化してい
る。そして、遮光領域と光透過領域とから構成されたパ
ターン領域のみを備えた従来型のフォトマスクでは、リ
ソグラフィ工程で使用する露光装置の露光光の波長程度
の解像度を得ることができず、半導体装置等の製造にお
いて要求される解像度を得ることが困難になりつつあ
る。そこで、近年、このような従来型のフォトマスクに
替わって、光の位相を異ならせる位相シフト領域を具備
した、所謂位相シフトマスクが用いられるようになって
きている。位相シフトマスクを用いることによって、従
来型のフォトマスクでは形成不可能な微細パターンの形
成が可能である。

【０００３】従来の位相シフトマスクの作製方法を、図
１５乃至図１８を参照して、以下に説明する。尚、以下
に説明する従来の位相シフトマスクの作製方法において
は、レジストとしてポジ型レジストを使用する場合を例
にとり説明する。

【０００４】先ず、遮光層と透明基板との間に光の位相
をシフトさせる機能を有する位相シフト材料層が形成さ
れた構造を有する従来の位相シフトマスクの製造方法
を、図１５及び図１６を参照して説明する。

【０００５】［工程−１０Ａ］例えば、石英から成る透
明基板２０上に、例えばＳＯＧ（スピンオングラス）を
塗布することによって、位相シフト材料層２６を形成す
る。次いで、位相シフト材料層２６の上に、例えばクロ
ムから成る遮光層２２をスパッタ法にて形成し、更に、
遮光層２２の上に、レジスト層３０を形成する。これに
よって、図１５の（Ａ）に示す構造を得る。

【０００６】［工程−２０Ａ］次に、描画装置からの電
子線ビームによる描画工程、レジスト層３０の現像工程
（図１５の（Ｂ）参照）、遮光層２２のエッチング工程
（図１５の（Ｃ）参照）、レジスト層３０の剥離工程を
経て、図１５の（Ｄ）に示す構造を得る。

【０００７】［工程−３０Ａ］その後、全面にレジスト
層３２を形成し、更に、その上に帯電防止層３４を塗布
する（図１６の（Ａ）参照）。次いで、描画装置からの
電子線ビームによる描画工程、レジスト層３２の現像工
程を経て、図１６の（Ｂ）に示す構造を得る。

【０００８】［工程−４０Ａ］次に、遮光層２２をエッ
チング用マスクとして用いて、位相シフト材料層２６を
エッチングし（図１６の（Ｃ）参照）、レジスト層３２
を剥離して、最終的に図１６の（Ｄ）に示す構造を得
る。位相シフト層２６が除去された部分は光透過領域１
０に相当する。また、遮光層２２が除去され位相シフト
材料層２６が残された部分は、位相シフト領域１４に相
当する。更に、遮光層２２及び位相シフト材料層２６が
残された部分は遮光領域１２に相当する。

【０００９】次に、透明基板をエッチング加工すること
により凹部を形成する従来の位相シフトマスクの製造方
法を、図１７及び図１８を参照して、以下、説明する。

【００１０】［工程−１０Ｂ］例えば、石英から成る透
明基板２０上に、例えばクロムから成る遮光層２２をス
パッタ法によって形成し、更に、遮光層２２上にレジス
ト層３０を塗布する（図１７の（Ａ）参照）。

【００１１】［工程−２０Ｂ］次に、描画装置からの電
子線ビームによる描画工程、レジスト層３０の現像工程
（図１７の（Ｂ）参照）、更に、遮光層２２のエッチン
グ工程（図１７の（Ｃ）参照）、レジスト層３０の剥離
工程を経て、図１７の（Ｄ）に示す構造を得る。

【００１２】［工程−３０Ｂ］その後、レジスト層３２
を形成し、更に、その上に帯電防止層３４を塗布する
（図１８の（Ａ）参照）。そして、描画装置からの電子
線ビームによる描画工程、レジスト層３２の現像工程を
行う（図１８の（Ｂ）参照）。

【００１３】［工程−４０Ｂ］次いで、遮光層２２をエ
ッチング用マスクとして用いて、基板２０をエッチング
し、レジスト層３２を剥離して、最終的に図１８の
（Ｄ）に示す構造を得る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の位相
シフトマスクの製造方法には、次に述べる種々の問題が
ある。先ず、クロム等から成る遮光層２２をエッチング
加工する工程（［工程−２０Ａ］あるいは［工程−２０
Ｂ］参照）において、ウェットエッチング法にて遮光層
２２をエッチングすると、エッチングが等方的に進行
し、遮光層２２の側壁２２Ａにテーパーが形成される。
また、クロム等から成る遮光層２２をドライエッチング
法にてエッチングする場合においても、遮光層２２のエ
ッチング速度と、レジスト層３０のエッチング速度との
間に充分な選択比が取れない場合、遮光層２２の側壁２
２Ａにテーパーが形成される。

【００１５】このように遮光層２２の側壁にテーパーが
形成された場合、形成された位相シフト領域１４のパタ
ーン寸法が設計寸法からずれてしまうという問題がある
（図１６の（Ｄ）あるいは図１８の（Ｄ）の点線部を参
照）。

【００１６】また、［工程−４０Ａ］あるいは［工程−
４０Ｂ］において、このような側壁にテーパーの形成さ
れた遮光層２２をエッチング用マスクとして用いて、位
相シフト材料層２６あるいは基板２０をエッチングする
と、形成された光透過領域１０のパターン寸法が設計寸
法からずれてしまうという問題もある（図１６の（Ｄ）
あるいは図１８の（Ｄ）の点線部を参照）。

【００１７】光透過領域１０のパターン寸法が設計寸法
となるように、予め遮光層２２のパターン寸法を精密に
制御したとしても、遮光層２２の縁部２２Ｂは非常に薄
くなっている。そのため、光透過領域１０をウェットエ
ッチング法にて形成した場合、等方的なエッチングによ
って、光透過領域１０のパターン側壁が垂直に形成され
ないことに加えて、遮光層２２の端部２２Ｂが洗浄工程
において容易に剥離し、ダストが発生するといった著し
い問題がある。

【００１８】光透過領域１０をドライエッチング法にて
形成した場合、ドライエッチングによって遮光層２２の
端部２２Ｂが後退することに伴い、プラズマ等によって
発生するイオンやラジカルの影響を受けて、光透過領域
１０の端部１０Ａにだれが生じたり、甚だしい場合には
光透過領域１０の側壁が垂直に形成されないという問題
もある（図１６の（Ｄ）あるいは図１８の（Ｄ）参
照）。

【００１９】側壁が基板表面に垂直でない光透過領域１
０が形成された位相シフトマスク、若しくは光透過領域
１０の端部１０Ａにだれが生じた位相シフトマスクを用
いて露光した場合、光の干渉効果が減少し、位相シフト
マスクに形成されたパターンが、ウエハ上に形成された
レジスト材料に正確に転写できないという著しい問題が
ある。

【００２０】従って、本発明の目的は、光透過領域や位
相シフト領域を所望のパターン形状に正確に形成するこ
とができる、ハーフトーン方式位相シフトマスクを含む
位相シフトマスクの作製方法を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の第１の態様に係る位相シフトマスクの作製
方法は、（イ）基板表面に位相シフト材料層、遮光層、
及び二酸化シリコン層を順に形成する工程と、（ロ）二
酸化シリコン層を所望のパターン形状にドライエッチン
グする工程と、（ハ）二酸化シリコン層をエッチングマ
スクとして用いて、遮光層をドライエッチングする工程
と、（ニ）遮光層をエッチングマスクとして用いて、位
相シフト材料層をドライエッチングする工程、から成る
ことを特徴とする。

【００２２】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る位相シフトマスクの作製方法は、（イ）基
板表面に遮光層、及び二酸化シリコン層を順に形成する
工程と、（ロ）二酸化シリコン層を所望のパターン形状
にドライエッチングする工程と、（ハ）二酸化シリコン
層をエッチングマスクとして用いて、遮光層をドライエ
ッチングする工程と、（ニ）遮光層をエッチングマスク
として用いて、基板をドライエッチングする工程、から
成ることを特徴とする。

【００２３】用いられる遮光層の振幅透過率は、０％以
上５５％以下である。尚、本明細書においては、遮光層
という用語には、光を若干透過する、所謂半遮光層も包
含する。

【００２４】また、本明細書中、「位相シフト領域」と
は、位相シフトマスク中の着目する領域（例えば、光透
過領域）と光の位相を異ならせて露光光を透過する領域
を意味し、着目する領域との相対的な位相差関係で規定
される領域である。また、ウエハ上に形成されたレジス
ト材料に対して露光光により転写パターン形状等を形成
するとき、縮小投影に使用されるものをレティクル、一
対一投影に使用されるものをマスクと称したり、あるい
は原盤に相当するものをレティクル、それを複製したも
のをマスクと称したりすることがあるが、本明細書にお
いては、このような種々の意味におけるレティクルやマ
スクを総称してマスクと呼ぶ。

【００２５】

【作用】本発明においては、従来の技術とは異なり、二
酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、遮光
層をドライエッチングする。遮光層をドライエッチング
し得る条件であって二酸化シリコン層をエッチングしな
い条件を選択することができる。従って、ドライエッチ
ングされた遮光層の側壁を確実に垂直にすることができ
る。

【００２６】本発明においては、更に、遮光層をエッチ
ングマスクとして用いて、位相シフト材料層あるいは基
板をドライエッチングする。位相シフト材料層あるいは
基板をドライエッチングし得る条件であって遮光層をエ
ッチングしない条件を選択することができる。遮光層の
側壁は確実に垂直に形成されているので、ドライエッチ
ング後に得られるパターニングされた位相シフト材料層
あるいは基板の側壁も、確実に垂直になる。

【００２７】

【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。実施例１から実施例４は、本発明の第１
の態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関する。ま
た、実施例５から実施例８は、本発明の第２の態様に係
る位相シフトマスクの作製方法に関する。尚、図面にお
いて、同一参照番号は同一要素を意味する。

【００２８】（実施例１）実施例１は、本発明の第１の
態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関し、より具
体的には、レベンソン方式位相シフトマスクの作製方法
に関する。実施例１の位相シフトマスクの模式的な断面
を図２の（Ｄ）に示す。実施例１の位相シフトマスク
は、光透過領域１０、遮光領域１２及び位相シフト領域
１４から構成されている。実施例１の位相シフトマスク
においては、遮光領域１２、位相シフト領域１４、遮光
領域１２、光透過領域１０、遮光領域１２・・・のよう
に各領域が配置されている。

【００２９】遮光領域１２は、基板２０上に形成された
位相シフト材料層２６及びその上に形成された遮光層２
２から構成されている。遮光層２２の一部の上には、二
酸化シリコン層２４が存在する。位相シフト領域１４
は、例えば基板２０上に形成されたＳＯＧから成る位相
シフト材料層２６から構成されている。位相シフト材料
層の厚さｄは、ｄ＝λ／（２（ｎ−１））を満足する値
である。ここで、λは露光光の波長、ｎはＳＯＧの屈折
率である。位相シフト材料層の厚さｄをこのような値に
設定することによって、光透過領域１０を透過した光
と、位相シフト領域１４を透過した光の位相は１８０度
変化する。

【００３０】以下、実施例１のレベンソン方式位相シフ
トマスクの作製方法を、図１及び図２を参照して説明す
る。尚、以下の各実施例においては、レジストはポジ型
レジストを使用した。また、エッチング工程は全てドラ
イエッチング法を採用した。

【００３１】［工程−１００］基板２０の表面に位相シ
フト材料層２６、遮光層２２、及び二酸化シリコン層２
４を順に形成する。そのために、先ず、例えば石英から
成る透明な基板２０上に、例えばＳＯＧから成る位相シ
フト材料層２６をスピン塗布法にて形成する。位相シフ
ト材料層２６の厚さｄは、１８０度の位相差を実現でき
るように、ｄ＝λ／（２（ｎ−１））とした。次いで、
位相シフト材料層２６の上に、例えばクロムから成る遮
光層２２をスパッタ法にて形成し、更に、遮光層２２上
に、例えばＳＯＧから成る二酸化シリコン層２４を塗布
する。更に、その上に、電子線に感光するレジスト層３
０を形成する（図１の（Ａ）参照）。二酸化シリコン層
２４は、後の遮光層２２のドライエッチング工程（［工
程−１３０］参照）において、エッチングされないの
で、二酸化シリコン層２４の形成時に欠陥が生じない程
度に薄く形成することができる。実施例１においては、
二酸化シリコン層２４の膜厚を５０ｎｍとした。

【００３２】［工程−１１０］次に、二酸化シリコン層
２４を所望のパターン形状にドライエッチングする。そ
のために、描画装置からの加速電圧２０ｋＶの電子線ビ
ームによる描画を行い、次いで、レジスト層３０の現像
を行う（図１の（Ｂ）参照）。レジスト層３０が残され
た領域には、後の工程で遮光領域が形成される。現像後
のレジスト層３０の厚さを４００ｎｍとした。

【００３３】［工程−１２０］そして、レジスト層３０
をマスクとして、四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによ
るプラズマ中で反応性イオンエッチング法にて、二酸化
シリコン層２４をドライエッチングし、所望のパターン
形状を形成する（図１の（Ｃ）参照）。四フッ化炭素及
び酸素の混合ガスによるプラズマ中におけるレジスト層
３０のエッチング速度は、毎分約１５０ｎｍであった。
一方、二酸化シリコン層２４のエッチング速度は毎分約
６０ｎｍであった。従って、５０ｎｍの厚さの二酸化シ
リコン層２４をエッチングするために要するエッチング
時間は約５０秒であり、このときレジスト層３０は約１
２５ｎｍだけエッチングされ、残ったレジスト層３０の
厚さは約２７５ｎｍであった。残ったレジスト層３０の
厚さは、従来の通常の位相シフトマスク作製において、
クロムから成る遮光層２２のエッチング後に残るレジス
ト層の厚さと同程度である。それ故、従来の位相シフト
マスク作製方法におけると同様のレジスト層３０の解像
性及び感度を得ることができた。

【００３４】［工程−１３０］次に、パターニングされ
た二酸化シリコン層２４をエッチングマスクとして用い
て、遮光層２２をドライエッチングする。即ち、レジス
ト層３０を除去した後、塩素及び酸素の混合ガスにて、
クロムから成る遮光層２２をドライエッチングして、図
１の（Ｄ）に示す構造を得た。遮光層２２が除去された
領域には、後の工程で光透過領域及び位相シフト領域が
形成される。

【００３５】塩素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中
におけるクロムから成る遮光層２２のエッチング速度
は、毎分約３０ｎｍである。一方、二酸化シリコン層２
４は遮光層２２のエッチング条件においてはエッチング
されないため、ドライエッチングによる二酸化シリコン
層２４のパターン形状の劣化は認められなかった。従っ
て、二酸化シリコン層２４をエッチング用マスクとして
遮光層２２をドライエッチングした場合、パターニング
された遮光層２２の側壁を、確実に垂直に形成すること
ができた。

【００３６】［工程−１４０］次に、電子線に感光する
レジスト層３２を形成し、更にその上にチャージアップ
を防止するための帯電防止層３４を塗布する（図２の
（Ａ）参照）。次いで、描画装置を用いて加速電圧２０
ｋＶの電子線ビームで描画を行い、レジスト層３２を現
像する（図２の（Ｂ）参照）。位相シフト領域を形成す
べき領域、及び遮光領域を形成すべき領域の一部分が、
レジスト層３２で被覆される。

【００３７】［工程−１５０］次いで、遮光層２２をエ
ッチングマスクとして用いて、位相シフト材料層２６を
ドライエッチングする。即ち、三フッ化メタンによるプ
ラズマ中にて、ＳＯＧから成る位相シフト材料層２６を
ドライエッチングし、これによって光透過領域１０を形
成する（図２の（Ｃ）参照）。また、レジスト層３２で
被覆されていない二酸化シリコン層２４もドライエッチ
ングされて除去される。三フッ化メタンによる位相シフ
ト材料層２６のエッチング速度は毎分約６０ｎｍであ
り、一方、クロムから成る遮光層２２は、位相シフト材
料層２６のエッチング条件においてはエッチングされな
かった。従って、位相シフト材料層２６の側壁を、確実
に垂直に形成することができた。最後にレジスト層３２
を剥離して、図２の（Ｄ）に示す構造を有するレベンソ
ン方式位相シフトマスクを得た。尚、この位相シフトマ
スクにおいて、二酸化シリコン層２４の一部が残存して
いるが、遮光層２２の上に存在するので、位相シフトマ
スクとしての性能を何等損なうものではない。

【００３８】（実施例２）実施例２も、本発明の第１の
態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関し、より具
体的には、補助パターン方式位相シフトマスクの作製方
法に関する。実施例２の位相シフトマスクの模式的な断
面を図４の（Ｄ）に示す。実施例２の位相シフトマスク
も、光透過領域１０、遮光領域１２及び位相シフト領域
１４から構成されている。これらの各領域の構造それ自
体は、実施例１にて説明した位相シフトマスクと同様と
することができる。但し、光透過領域１０と位相シフト
領域１４との間に、狭い遮光領域１２Ａが存在する。

【００３９】以下、実施例２の補助パターン方式位相シ
フトマスクの作製方法を、図３及び図４を参照して説明
する。

【００４０】［工程−２００］先ず、例えば石英から成
る透明な基板２０上に、実施例１の［工程−１００］と
同様に、ＳＯＧから成り厚さｄの位相シフト材料層２
６、クロムから成る遮光層２２、ＳＯＧから成り厚さ５
０ｎｍの二酸化シリコン層２４、レジスト層３０を形成
する（図３の（Ａ）参照）。

【００４１】［工程−２１０］次に、実施例１の［工程
−１１０］と同様に、描画装置からの加速電圧２０ｋＶ
の電子線ビームによる描画を行い、次いで、レジスト層
３０の現像を行う（図３の（Ｂ）参照）。レジスト層３
０が残された領域には、後の工程で遮光領域が形成され
る。現像後のレジスト層３０の厚さを４００ｎｍとし
た。

【００４２】［工程−２２０］次に、実施例１の［工程
−１２０］と同様に、レジスト層３０をマスクとして、
四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で反
応性イオンエッチングを用いて二酸化シリコン層２４を
エッチングする（図３の（Ｃ）参照）。

【００４３】［工程−２３０］次に、レジスト層３０を
除去した後、実施例１の［工程−１３０］と同様に、二
酸化シリコン層２４をエッチングマスクとして用いて、
塩素及び酸素の混合ガスにて、クロムから成る遮光層２
２をドライエッチングして、図３の（Ｄ）に示す構造を
得た。遮光層２２が除去された領域には、後の工程で光
透過領域及び位相シフト領域が形成される。

【００４４】［工程−２４０］次に、実施例１の［工程
−１４０］と同様に、レジスト層３２を形成し、更にそ
の上にチャージアップを防止するための帯電防止層３４
を塗布する（図４の（Ａ）参照）。次いで、描画装置を
用いて加速電圧２０ｋＶの電子線ビームで描画を行い、
レジスト層３２を現像する（図４の（Ｂ）参照）。位相
シフト領域を形成すべき領域、及び遮光領域を形成すべ
き領域の大部分が、レジスト層３２で被覆される。

【００４５】［工程−２５０］次いで、実施例１の［工
程−１５０］と同様に、遮光層２２をエッチングマスク
として用いて、三フッ化メタンによるプラズマ中にて、
ＳＯＧから成る位相シフト材料層２６をドライエッチン
グし、これによって光透過領域１０を形成する（図４の
（Ｃ）参照）。また、レジスト層３２で被覆されていな
い二酸化シリコン層２４もドライエッチングされて除去
される。最後にレジスト層３２を剥離して、図４の
（Ｄ）に示す構造を有する補助パターン方式位相シフト
マスクを得た。尚、この位相シフトマスクにおいて、二
酸化シリコン層２４の一部が残存しているが、遮光層２
２の上に存在するので、位相シフトマスクとしての性能
を何等損なうものではない。

【００４６】（実施例３）実施例３も、本発明の第１の
態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関し、より具
体的には、リム方式位相シフトマスクの作製方法に関す
る。実施例３の位相シフトマスクの模式的な断面を図６
の（Ｄ）に示す。実施例３の位相シフトマスクも、光透
過領域１０、遮光領域１２及び位相シフト領域１４から
構成されている。これらの各領域の構造それ自体は、実
施例１にて説明した位相シフトマスクと同様とすること
ができる。但し、光透過領域１０と遮光領域１２との間
に、位相シフト領域１４が存在する。

【００４７】以下、実施例３のリム方式位相シフトマス
クの作製方法を、図５及び図６を参照して説明する。

【００４８】［工程−３００］先ず、例えば石英から成
る透明な基板２０上に、実施例１の［工程−１００］と
同様に、ＳＯＧから成り厚さｄの位相シフト材料層２
６、クロムから成る遮光層２２、ＳＯＧから成り厚さ５
０ｎｍの二酸化シリコン層２４、レジスト層３０を形成
する（図５の（Ａ）参照）。

【００４９】［工程−３１０］次に、実施例１の［工程
−１１０］と同様に、描画装置からの加速電圧２０ｋＶ
の電子線ビームによる描画を行い、次いで、レジスト層
３０の現像を行う（図５の（Ｂ）参照）。レジスト層３
０が残された領域には、後の工程で遮光領域が形成され
る。

【００５０】［工程−３２０］次に、実施例１の［工程
−１２０］と同様に、レジスト層３０をマスクとして、
四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で反
応性イオンエッチングを用いて二酸化シリコン層２４を
エッチングする（図５の（Ｃ）参照）。

【００５１】［工程−３３０］次に、レジスト層３０を
除去した後、実施例１の［工程−１３０］と同様に、二
酸化シリコン層２４をエッチングマスクとして用いて、
塩素及び酸素の混合ガスにて、クロムから成る遮光層２
２をドライエッチングして、図５の（Ｄ）に示す構造を
得た。遮光層２２が除去された領域には、後の工程で光
透過領域が形成される。

【００５２】［工程−３４０］その後、遮光層２２をエ
ッチングマスクとして用いて、四フッ化炭素及び酸素の
混合ガスによるプラズマ中で反応性イオンエッチングを
用いて位相シフト材料層２６をエッチングする（図６の
（Ａ）参照）。このとき、同時に二酸化シリコン層２４
もエッチングされて除去される。四フッ化炭素及び酸素
の混合ガスによる位相シフト材料層２６のエッチング速
度は毎分約６０ｎｍであり、一方、クロムから成る遮光
層２２は、位相シフト材料層２６のエッチング条件にお
いてはエッチングされない。従って、位相シフト材料層
２６の側壁を、確実に垂直に形成することができた。

【００５３】［工程−３５０］次に、実施例１の［工程
−１４０］と同様に、レジスト層３２を形成し、更にそ
の上にチャージアップを防止するための帯電防止層３４
を塗布する（図６の（Ｂ）参照）。次いで、描画装置を
用いて加速電圧２０ｋＶの電子線ビームで描画を行い、
レジスト層３２を現像する（図６の（Ｃ）参照）。位相
シフト領域を形成すべき領域を除いた領域が、レジスト
層３２で被覆される。

【００５４】［工程−３６０］次いで、塩素及び酸素の
混合ガスにて、クロムから成る遮光層２２をドライエッ
チングし、レジスト層３２を除去することによって、図
６の（Ｄ）に示すリム方式位相シフトマスクを得た。

【００５５】（実施例４）実施例４も、本発明の第１の
態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関し、より具
体的には、ハーフトーン方式位相シフトマスクの作製方
法に関する。実施例４のハーフトーン方式位相シフトマ
スクの模式的な断面を図７の（Ｅ）に示す。実施例４の
ハーフトーン方式位相シフトマスクは、光透過領域１０
及び半遮光領域１６から構成されている。

【００５６】半遮光領域１６は、基板２０上に形成され
た位相シフト材料層２６及び半遮光層２８から構成され
ている。半遮光層２８は、例えばクロムから成る。実施
例１〜実施例３における遮光層２２との相違は、クロム
の厚さにある。半遮光層２８の厚さは遮光層２２の厚さ
よりも薄い。半遮光領域１６の振幅透過率が約４％〜約
５５％となるように、半遮光層２８の厚さを設定する。
また、光透過領域１０を透過した光の位相と、半遮光領
域１６を透過した光の位相は、厚さｄの位相シフト材料
層２６が存在するために、１８０度ずれている。尚、半
遮光層２８も、本発明においては遮光層という用語に包
含される。

【００５７】以下、実施例４のハーフトーン方式位相シ
フトマスクの作製方法を、図７を参照して説明する。

【００５８】［工程−４００］先ず、例えば石英から成
る透明な基板２０上に、実施例１の［工程−１００］と
同様に、ＳＯＧから成り厚さｄの位相シフト材料層２
６、クロムから成る半遮光層２８、ＳＯＧから成り厚さ
５０ｎｍの二酸化シリコン層２４、レジスト層３０を形
成する（図７の（Ａ）参照）。

【００５９】［工程−４１０］次に、実施例１の［工程
−１１０］と同様に、描画装置からの加速電圧２０ｋＶ
の電子線ビームによる描画を行い、次いで、レジスト層
３０の現像を行う（図７の（Ｂ）参照）。レジスト層３
０が残された領域には、後の工程で半遮光領域が形成さ
れる。現像後のレジスト層３０の厚さを４００ｎｍとし
た。

【００６０】［工程−４２０］次に、実施例１の［工程
−１２０］と同様に、レジスト層３０をマスクとして、
四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で反
応性イオンエッチングを用いて二酸化シリコン層２４を
エッチングする（図７の（Ｃ）参照）。

【００６１】［工程−４３０］次に、レジスト層３０を
除去した後、実施例１の［工程−１３０］と同様に、二
酸化シリコン層２４をエッチングマスクとして用いて、
塩素及び酸素の混合ガスにて、クロムから成る半遮光層
２８をドライエッチングして、図７の（Ｄ）に示す構造
を得た。半遮光層２８が除去された領域には、後の工程
で光透過領域が形成される。

【００６２】［工程−４４０］次いで、半遮光層２８を
エッチングマスクとして用いて、三フッ化メタンによる
プラズマ中にて、ＳＯＧから成る位相シフト材料層２６
をドライエッチングし、これによって光透過領域を形成
する。このとき、同時に二酸化シリコン層２４もエッチ
ングされて除去される。こうして、図７の（Ｅ）に示す
構造を有するハーフトーン方式位相シフトマスクを得
た。

【００６３】（実施例５）実施例５は、本発明の第２の
態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関し、より具
体的には、レベンソン方式位相シフトマスクの作製方法
に関する。実施例５の位相シフトマスクの模式的な断面
を図９の（Ｄ）に示す。実施例５の位相シフトマスク
は、光透過領域１０、遮光領域１２及び位相シフト領域
１４から構成されている。実施例５の位相シフトマスク
においては、遮光領域１２、位相シフト領域１４、遮光
領域１２、光透過領域１０、遮光領域１２・・・のよう
に各領域が配置されている。実施例５の位相シフトマス
クが実施例１の位相シフトマスクと相違する点は、位相
シフト材料層が存在しない点、及び、光透過領域１０が
基板２０に形成された凹部２０Ａから成る点にある。こ
のような光透過領域１０を形成することによって位相シ
フト領域１４を透過する光と、光透過領域１０を透過す
る光の位相を変えることができる。

【００６４】遮光領域１２は、基板２０上に形成された
遮光層２２から構成されている。遮光層２２の一部の上
には、二酸化シリコン層２４が存在する。位相シフト領
域１４には、遮光層２２は形成されておらず、基板２０
が露出した状態にある。光透過領域１０は、基板２０に
形成された凹部２０Ａから成る。この凹部２０Ａの深さ
ｄ’は、ｄ’＝λ／（２（ｎ’−１））を満足する値で
ある。ここで、λは露光光の波長、ｎ’は基板２０の屈
折率である。基板２０に形成された凹部２０Ａの深さ
ｄ’をこのような値に設定することによって、光透過領
域１０を透過した光と、位相シフト領域１４を透過した
光の位相は１８０度変化する。

【００６５】以下、実施例５のレベンソン方式位相シフ
トマスクの作製方法を、図８及び図９を参照して説明す
る。尚、エッチング工程は全てドライエッチング法を採
用した。

【００６６】［工程−５００］基板２０の表面に、遮光
層２２、及び二酸化シリコン層２４を順に形成する。そ
のために、先ず、例えば石英から成る透明な基板２０上
に、例えばクロムから成る遮光層２２をスパッタ法にて
形成し、更に、遮光層２２上に、例えばＳＯＧから成る
二酸化シリコン層２４を塗布する。更に、その上に、電
子線に感光するレジスト層３０を形成する（図８の
（Ａ）参照）。二酸化シリコン層２４は、後の遮光層２
２のドライエッチング工程（［工程−５３０］参照）に
おいて、エッチングされないので、二酸化シリコン層２
４の形成時に欠陥が生じない程度に薄く形成することが
できる。実施例５においては、二酸化シリコン層２４の
膜厚を５０ｎｍとした。

【００６７】［工程−５１０］次に、二酸化シリコン層
２４を所望のパターン形状にドライエッチングする。そ
のために、描画装置からの加速電圧２０ｋＶの電子線ビ
ームによる描画を行い、次いで、レジスト層３０の現像
を行う（図８の（Ｂ）参照）。レジスト層３０が残され
た領域には、後の工程で遮光領域が形成される。現像後
のレジスト層３０の厚さを４００ｎｍとした。

【００６８】［工程−５２０］そして、レジスト層３０
をマスクとして、四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによ
るプラズマ中で反応性イオンエッチング法にて、二酸化
シリコン層２４をドライエッチングし、所望のパターン
形状を形成する（図８の（Ｃ）参照）。四フッ化炭素及
び酸素の混合ガスによるプラズマ中におけるレジスト層
３０のエッチング速度は、毎分約１５０ｎｍであった。
一方、二酸化シリコン層２４のエッチング速度は毎分約
６０ｎｍであった。従って、５０ｎｍの厚さの二酸化シ
リコン層２４をエッチングするために要するエッチング
時間は約５０秒であり、このときレジスト層３０は約１
２５ｎｍだけエッチングされ、残ったレジスト層３０の
厚さは約２７５ｎｍであった。残ったレジスト層３０の
厚さは、従来の通常の位相シフトマスク作製において、
クロムから成る遮光層２２のエッチング後に残るレジス
ト層の厚さと同程度である。それ故、従来の位相シフト
マスク作製方法におけると同様のレジスト層３０の解像
性及び感度を得ることができた。

【００６９】［工程−５３０］次に、パターニングされ
た二酸化シリコン層２４をエッチングマスクとして用い
て、遮光層２２をドライエッチングする。即ち、レジス
ト層３０を除去した後、塩素及び酸素の混合ガスにて、
クロムから成る遮光層２２をドライエッチングして、図
８の（Ｄ）に示す構造を得た。遮光層２２が除去され基
板２０が露出した領域には、後の工程で光透過領域及び
位相シフト領域が形成される。

【００７０】塩素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中
におけるクロムから成る遮光層２２のエッチング速度
は、毎分約３０ｎｍである。一方、二酸化シリコン層２
４は遮光層２２のエッチング条件においてはエッチング
されないため、ドライエッチングによる二酸化シリコン
層２４のパターン形状の劣化は認められなかった。従っ
て、二酸化シリコン層２４をエッチング用マスクとして
遮光層２２をドライエッチングした場合、パターニング
された遮光層２２の側壁を、確実に垂直に形成すること
ができた。

【００７１】［工程−５４０］次に、電子線に感光する
レジスト層３２を形成し、更にその上にチャージアップ
を防止するための帯電防止層３４を塗布する（図９の
（Ａ）参照）。次いで、描画装置を用いて加速電圧２０
ｋＶの電子線ビームで描画を行い、レジスト層３２を現
像する（図９の（Ｂ）参照）。位相シフト領域を形成す
べき領域、及び遮光領域を形成すべき領域の一部分が、
レジスト層３２で被覆される。

【００７２】［工程−５５０］次いで、遮光層２２をエ
ッチングマスクとして用いて、基板２０をドライエッチ
ングして、基板２０に凹部２０Ａを形成する。即ち、三
フッ化メタンによるプラズマ中にて、基板２０をドライ
エッチングして凹部を形成し、これによって光透過領域
１０を形成する（図９の（Ｃ）参照）。また、レジスト
層３２で被覆されていない二酸化シリコン層２４もドラ
イエッチングされて除去される。三フッ化メタンによる
基板１０のエッチング速度は毎分約３０ｎｍであり、一
方、クロムから成る遮光層２２は、基板２０のエッチン
グ条件においてはエッチングされなかった。従って、基
板２０の凹部２０Ａの側壁を、確実に垂直に形成するこ
とができた。最後にレジスト層３２を剥離して、図９の
（Ｄ）に示す構造を有するレベンソン方式位相シフトマ
スクを得た。尚、この位相シフトマスクにおいて、二酸
化シリコン層２４の一部が残存しているが、遮光層２２
の上に存在するので、位相シフトマスクとしての性能を
何等損なうものではない。

【００７３】（実施例６）実施例６も、本発明の第２の
態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関し、より具
体的には、補助パターン方式位相シフトマスクの作製方
法に関する。実施例６の位相シフトマスクの模式的な断
面を図１１の（Ｄ）に示す。実施例６の位相シフトマス
クも、光透過領域１０、遮光領域１２及び位相シフト領
域１４から構成されている。これらの各領域の構造それ
自体は、実施例５にて説明した位相シフトマスクと同様
とすることができる。但し、光透過領域１０と位相シフ
ト領域１４との間に、狭い遮光領域１２Ａが存在する。
実施例６の位相シフトマスクが実施例２の位相シフトマ
スクと相違する点は、位相シフト材料層が存在しない
点、及び、光透過領域１０が基板２０に形成された凹部
２０Ａから成る点にある。

【００７４】以下、実施例６の補助パターン方式位相シ
フトマスクの作製方法を、図１０及び図１１を参照して
説明する。

【００７５】［工程−６００］先ず、例えば石英から成
る透明な基板２０上に、実施例５の［工程−５００］と
同様に、クロムから成る遮光層２２、ＳＯＧから成り厚
さ５０ｎｍの二酸化シリコン層２４、レジスト層３０を
形成する（図１０の（Ａ）参照）。

【００７６】［工程−６１０］次に、実施例５の［工程
−５１０］と同様に、描画装置からの加速電圧２０ｋＶ
の電子線ビームによる描画を行い、次いで、レジスト層
３０の現像を行う（図１０の（Ｂ）参照）。レジスト層
３０が残された領域には、後の工程で遮光領域が形成さ
れる。現像後のレジスト層３０の厚さを４００ｎｍとし
た。

【００７７】［工程−６２０］次に、実施例５の［工程
−５２０］と同様に、レジスト層３０をマスクとして、
四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で反
応性イオンエッチングを用いて二酸化シリコン層２４を
エッチングする（図１０の（Ｃ）参照）。

【００７８】［工程−６３０］次に、レジスト層３０を
除去した後、実施例５の［工程−５３０］と同様に、二
酸化シリコン層２４をエッチングマスクとして用いて、
塩素及び酸素の混合ガスにて、クロムから成る遮光層２
２をドライエッチングして、図１０の（Ｄ）に示す構造
を得た。遮光層２２が除去され基板２０が露出した領域
には、後の工程で光透過領域及び位相シフト領域が形成
される。

【００７９】［工程−６４０］次に、実施例５の［工程
−５４０］と同様に、レジスト層３２を形成し、更にそ
の上にチャージアップを防止するための帯電防止層３４
を塗布する（図１１の（Ａ）参照）。次いで、描画装置
を用いて加速電圧２０ｋＶの電子線ビームで描画を行
い、レジスト層３２を現像する（図１１の（Ｂ）参
照）。位相シフト領域を形成すべき領域、及び遮光領域
を形成すべき領域の大部分が、レジスト層３２で被覆さ
れる。

【００８０】［工程−６５０］次いで、実施例５の［工
程−５５０］と同様に、遮光層２２をエッチングマスク
として用いて、三フッ化メタンによるプラズマ中にて、
基板２０をドライエッチングして凹部２０Ａを形成し、
これによって光透過領域１０を形成する（図１１の
（Ｃ）参照）。また、レジスト層３２で被覆されていな
い二酸化シリコン層２４もドライエッチングされて除去
される。最後にレジスト層３２を剥離して、図１１の
（Ｄ）に示す構造を有する補助パターン方式位相シフト
マスクを得た。尚、この位相シフトマスクにおいて、二
酸化シリコン層２４の一部が残存しているが、遮光層２
２の上に存在するので、位相シフトマスクとしての性能
を何等損なうものではない。

【００８１】（実施例７）実施例７も、本発明の第２の
態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関し、より具
体的には、リム方式位相シフトマスクの作製方法に関す
る。実施例７の位相シフトマスクの模式的な断面を図１
３の（Ｄ）に示す。実施例７の位相シフトマスクも、光
透過領域１０、遮光領域１２及び位相シフト領域１４か
ら構成されている。これらの各領域の構造それ自体は、
実施例５にて説明した位相シフトマスクと同様とするこ
とができる。但し、光透過領域１０と遮光領域１２との
間に、位相シフト領域１４が存在する。実施例７の位相
シフトマスクが実施例３の位相シフトマスクと相違する
点は、位相シフト材料層が存在しない点、及び、光透過
領域１０が基板２０に形成された凹部２０Ａから成る点
にある。

【００８２】以下、実施例７のリム方式位相シフトマス
クの作製方法を、図１２及び図１３を参照して説明す
る。

【００８３】［工程−７００］先ず、例えば石英から成
る透明な基板２０上に、実施例５の［工程−５００］と
同様に、クロムから成る遮光層２２、ＳＯＧから成り厚
さ５０ｎｍの二酸化シリコン層２４、レジスト層３０を
形成する（図１２の（Ａ）参照）。

【００８４】［工程−７１０］次に、実施例５の［工程
−５１０］と同様に、描画装置からの加速電圧２０ｋＶ
の電子線ビームによる描画を行い、次いで、レジスト層
３０の現像を行う（図１２の（Ｂ）参照）。レジスト層
３０が残された領域には、後の工程で遮光領域が形成さ
れる。

【００８５】［工程−７２０］次に、実施例５の［工程
−５２０］と同様に、レジスト層３０をマスクとして、
四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で反
応性イオンエッチングを用いて二酸化シリコン層２４を
エッチングする（図１２の（Ｃ）参照）。

【００８６】［工程−７３０］次に、レジスト層３０を
除去した後、実施例５の［工程−５３０］と同様に、二
酸化シリコン層２４をエッチングマスクとして用いて、
塩素及び酸素の混合ガスにて、クロムから成る遮光層２
２をドライエッチングして、図１２の（Ｄ）に示す構造
を得た。遮光層２２が除去され基板２０が露出した領域
には、後の工程で光透過領域が形成される。

【００８７】［工程−７４０］その後、遮光層２２をエ
ッチングマスクとして用いて、四フッ化炭素及び酸素の
混合ガスによるプラズマ中で反応性イオンエッチングを
用いて基板２０をエッチングし凹部２０Ａを形成する
（図１３の（Ａ）参照）。このとき、同時に二酸化シリ
コン層２４もエッチングされて除去される。四フッ化炭
素及び酸素の混合ガスによる基板２０のエッチング速度
は毎分約３０ｎｍであり、一方、クロムから成る遮光層
２２は、基板２０のエッチング条件においてはエッチン
グされない。従って、凹部２０Ａの側壁を、確実に垂直
に形成することができた。

【００８８】［工程−７５０］次に、実施例５の［工程
−５４０］と同様に、レジスト層３２を形成し、更にそ
の上にチャージアップを防止するための帯電防止層３４
を塗布する（図１３の（Ｂ）参照）。次いで、描画装置
を用いて加速電圧２０ｋＶの電子線ビームで描画を行
い、レジスト層３２を現像する（図１３の（Ｃ）参
照）。位相シフト領域を形成すべき領域を除いた領域
が、レジスト層３２で被覆される。

【００８９】［工程−７６０］次いで、塩素及び酸素の
混合ガスにて、クロムから成る遮光層２２をドライエッ
チングし、レジスト層３２を除去することによって、図
１３の（Ｄ）に示すリム方式位相シフトマスクを得た。

【００９０】（実施例８）実施例８も、本発明の第２の
態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関し、より具
体的には、ハーフトーン方式位相シフトマスクの作製方
法に関する。実施例８のハーフトーン方式位相シフトマ
スクの模式的な断面を図１４の（Ｅ）に示す。実施例８
のハーフトーン方式位相シフトマスクは、光透過領域１
０及び半遮光領域１６から構成されている。実施例８の
ハーフトーン方式位相シフトマスクが実施例４のハーフ
トーン方式位相シフトマスクと相違する点は、位相シフ
ト材料層が存在しない点、及び、光透過領域１０が基板
２０に形成された凹部２０Ａから成る点にある。

【００９１】半遮光領域１６は、基板２０上に形成され
た半遮光層２８から構成されている。半遮光層２８は、
例えばクロムから成る。実施例５〜実施例７における遮
光層２２との相違は、クロムの厚さにある。半遮光層２
８の厚さは遮光層２２の厚さよりも薄い。半遮光領域１
６の振幅透過率が約４％〜約５５％となるように、半遮
光層２８の厚さを設定する。また、光透過領域１０を透
過した光の位相と、半遮光領域１６を透過した光の位相
は、基板２０に深さｄ’の凹部が形成されているため
に、１８０度ずれている。尚、半遮光層２８も、本発明
においては遮光層という用語に包含される。

【００９２】以下、実施例８のハーフトーン方式位相シ
フトマスクの作製方法を、図１４を参照して説明する。

【００９３】［工程−８００］先ず、例えば石英から成
る透明な基板２０上に、実施例５の［工程−５００］と
同様に、クロムから成る半遮光層２８、ＳＯＧから成り
厚さ５０ｎｍの二酸化シリコン層２４、及びレジスト層
３０を形成する（図１４の（Ａ）参照）。

【００９４】［工程−８１０］次に、実施例５の［工程
−５１０］と同様に、描画装置からの加速電圧２０ｋＶ
の電子線ビームによる描画を行い、次いで、レジスト層
３０の現像を行う（図１４の（Ｂ）参照）。レジスト層
３０が残された領域には、後の工程で半遮光領域が形成
される。現像後のレジスト層３０の厚さを４００ｎｍと
した。

【００９５】［工程−８２０］次に、実施例５の［工程
−５２０］と同様に、レジスト層３０をマスクとして、
四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で反
応性イオンエッチングを用いて二酸化シリコン層２４を
エッチングする（図１４の（Ｃ）参照）。

【００９６】［工程−８３０］次に、レジスト層３０を
除去した後、実施例５の［工程−５３０］と同様に、二
酸化シリコン層２４をエッチングマスクとして用いて、
塩素及び酸素の混合ガスにて、クロムから成る半遮光層
２８をドライエッチングして、図１４の（Ｄ）に示す構
造を得た。半遮光層２８が除去された領域には、後の工
程で光透過領域が形成される。

【００９７】［工程−８４０］次いで、半遮光層２８を
エッチングマスクとして用いて、三フッ化メタンによる
プラズマ中にて、基板２０をドライエッチングして凹部
２０Ａを形成し、これによって光透過領域１０を形成す
る。のとき、同時に二酸化シリコン層２４もエッチング
されて除去される。こうして、図１４の（Ｅ）に示す構
造を有するハーフトーン方式位相シフトマスクを得た。

【００９８】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。実施例にて説明した条件や数値は例示であり、
適宜変更することができる。例えば、各領域における光
の位相や振幅透過率は例示であり、適宜最適な値に変更
することができる。

【００９９】各実施例において、二酸化シリコン層２４
としてＳＯＧを用いたが、ＣＶＤ法、スパッタ法、ある
いはイオンプレーティング法等によって形成された二酸
化シリコンを用いても良く、二酸化シリコン層の形成方
法には何等制約されることはない。また、レジスト層３
０，３２としてポジ型レジスト材料を使用したが、ネガ
型レジスト材料を使用しても何等差し支えない。この場
合、電子線ビーム描画領域はポジ型レジスト材料の場合
と逆になる点のみが異なる。また、位相シフト材料層を
構成する材料は、ＳＯＧに限定されるものではなく、ポ
リメチルメタクリレート、フッ化マグネシウム、二酸化
チタン、ポリイミド樹脂、二酸化珪素、酸化インジウ
ム、ＳｉＮ、各種レジスト等、透明な材料であればよ
い。更には、遮光層もクロムに限定されるものではな
く、例えば、アルミニウム、金属シリサイドのような遮
光特性を有する材料であれば如何なる材料をも使用する
ことができる。

【０１００】

【発明の効果】本発明においては、遮光層の上に二酸化
シリコン層を形成することによって、ドライエッチング
後に得られるパターニングされた位相シフト材料層ある
いは基板の側壁を確実に垂直にすることができ、所望の
パターン形状を得ることができる。

【０１０１】本発明においては、従来の位相シフトマス
ク作製方法と比較して、遮光層上に二酸化シリコン層を
形成する工程が増えるだけであり、位相シフトマスク製
造における生産性の低下及び製造コストの増加は極めて
軽微である。

【０１０２】また、本発明により位相シフトマスク製造
工程の制御性が著しく向上する。更には、垂直な側壁形
状を具備するパターン形状により光露光を行うことがで
き、位相の異なる光の干渉効果が最大限に得られるため
に、位相シフトマスクに形成されたパターン形状をウエ
ハ上に形成されたレジストに転写する際、転写されたパ
ターン形状の劣化を大幅に低減できると共に、高い歩留
まりでパターンを形成することができ、半導体装置の生
産における製造コストを低減させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の位相シフトマスクの作製方法を説明
するための、各工程における基板等の模式的な一部断面
図である。

【図２】図１に引き続き、実施例１の位相シフトマスク
の作製方法を説明するための、各工程における基板等の
模式的な一部断面図である。

【図３】実施例２の位相シフトマスクの作製方法を説明
するための、各工程における基板等の模式的な一部断面
図である。

【図４】図３に引き続き、実施例２の位相シフトマスク
の作製方法を説明するための、各工程における基板等の
模式的な一部断面図である。

【図５】実施例３の位相シフトマスクの作製方法を説明
するための、各工程における基板等の模式的な一部断面
図である。

【図６】図５に引き続き、実施例３の位相シフトマスク
の作製方法を説明するための、各工程における基板等の
模式的な一部断面図である。

【図７】実施例４の位相シフトマスクの作製方法を説明
するための、各工程における基板等の模式的な一部断面
図である。

【図８】実施例５の位相シフトマスクの作製方法を説明
するための、各工程における基板等の模式的な一部断面
図である。

【図９】図８に引き続き、実施例５の位相シフトマスク
の作製方法を説明するための、各工程における基板等の
模式的な一部断面図である。

【図１０】実施例６の位相シフトマスクの作製方法を説
明するための、各工程における基板等の模式的な一部断
面図である。

【図１１】図１０に引き続き、実施例６の位相シフトマ
スクの作製方法を説明するための、各工程における基板
等の模式的な一部断面図である。

【図１２】実施例７の位相シフトマスクの作製方法を説
明するための、各工程における基板等の模式的な一部断
面図である。

【図１３】図１２に引き続き、実施例７の位相シフトマ
スクの作製方法を説明するための、各工程における基板
等の模式的な一部断面図である。

【図１４】実施例８の位相シフトマスクの作製方法を説
明するための、各工程における基板等の模式的な一部断
面図である。

【図１５】従来の位相シフトマスクの作製方法を説明す
るための、各工程における基板等の模式的な一部断面図
である。

【図１６】図１５に引き続き、従来の位相シフトマスク
の作製方法を説明するための、各工程における基板等の
模式的な一部断面図である。

【図１７】従来の別の形式の位相シフトマスクの作製方
法を説明するための、各工程における基板等の模式的な
一部断面図である。

【図１８】図１７に引き続き、従来の位相シフトマスク
の作製方法を説明するための、各工程における基板等の
模式的な一部断面図である。

【符号の説明】

１０ 光透過領域 １２ 遮光領域 １４ 位相シフト領域 １６ 半遮光領域 ２０ 基板 ２２ 遮光層 ２４ 二酸化シリコン層 ２６ 位相シフト材料層 ２８ 半遮光層 ３０，３２ レジスト層 ３４ 帯電防止層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（イ）基板表面に位相シフト材料層、遮光
   層、及び二酸化シリコン層を順に形成する工程と、 （ロ）該二酸化シリコン層を所望のパターン形状にドラ
   イエッチングする工程と、 （ハ）該二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用
   いて、遮光層をドライエッチングする工程と、 （ニ）遮光層をエッチングマスクとして用いて、位相シ
   フト材料層をドライエッチングする工程、から成ること
   を特徴とする位相シフトマスクの作製方法。
2. 【請求項２】（イ）基板表面に遮光層、及び二酸化シリ
   コン層を順に形成する工程と、 （ロ）該二酸化シリコン層を所望のパターン形状にドラ
   イエッチングする工程と、 （ハ）該二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用
   いて、遮光層をドライエッチングする工程と、 （ニ）遮光層をエッチングマスクとして用いて、基板を
   ドライエッチングする工程、から成ることを特徴とする
   位相シフトマスクの作製方法。