JPH0750007A - 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび記録再生分離型ヘッドおよび磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 狭トラック化できる磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドを提供する。 【構成】 磁気抵抗効果型再生ヘッド１００は、磁気抵
抗効果膜１と，交換結合膜２と，非磁性金属膜３とを順
に積層形成し、その上に被せるように軟磁性膜４を積層
形成し、その軟磁性膜４の両端に電極５，５を形成す
る。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜１の露出
部分は、電極５，５の内端面Ａ，Ａ’より内側に収まっ
ており、磁気抵抗効果膜１の全面に交換結合膜２が接触
している。 【効果】 精度良く狭トラック化できる。出力の低下や
バルクハウゼンノイズの発生がない。オフトラック特性
に優れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドおよび記録再生分離型ヘッドおよび磁気記録再生装
置に関し、さらに詳しくは、狭トラック化を可能にする
磁気抵抗効果型再生ヘッドと，これを用いて高密度磁気
記録を可能にする記録再生分離型ヘッドと，これを用い
て大容量化および小型化を可能にする磁気記録再生装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２８は、従来の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの一例の構成図である。この磁気抵抗効果型再生ヘ
ッド１２００は、２つの交換結合膜１２０２，１２０２
を形成し、それら２つの交換結合膜１２０２，１２０２
上に跨がって磁気抵抗効果膜１２０１と，非磁性金属膜
１２０３と，軟磁性膜１２０４とを順に積層し、さら
に、その軟磁性膜１２０４の上面の両端に２つの電極１
２０５，１２０５を形成して構成されている。前記交換
結合膜１２０２，１２０２は、前記磁気抵抗効果膜１２
０１に縦バイアス磁界を印加するものである。前記非磁
性金属膜１２０３および軟磁性膜１２０４は、前記磁気
抵抗効果膜１２０１に横バイアス磁界を印加するもので
ある。電極１２０５，１２０５は、磁気抵抗効果膜１２
０１に一定の直流電流を流し、磁気抵抗効果膜１２０１
の電気抵抗の変化による出力電圧の変化として、信号磁
界の変化を検出する。磁気記録媒体側に露出した前記磁
気抵抗効果膜１２０１の露出部分は前記電極１２０５，
１２０５の下まで延びているが、電極１２０５，１２０
５の下になっている部分は、電極１２０５，１２０５の
内端面Ａ，Ａ’の内側に挟まれている部分に比較して信
号磁界検知能力が落ちるため、電極１２０５，１２０５
の内端面Ａ，Ａ’の間隔が実質的な再生トラック幅とな
る。

【０００３】なお、この種の磁気抵抗効果型再生ヘッド
の他の従来技術としては、例えば特開昭６０−１６３２
２２号公報に記載の技術が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気抵抗効
果型再生ヘッド１２００においては、電極１２０５，１
２０５の内端面Ａ，Ａ’の間隔で実質的な再生トラック
幅が決まるから、高密度磁気記録のために狭トラック化
を図るには、電極１２０５，１２０５の内端面Ａ，Ａ’
の間隔を狭くすればよい。しかし、ホトリソグラフィに
よる薄膜形成加工において狭い間隔で精度よく電極１２
０５，１２０５を形成するのは困難であるため、狭トラ
ック化に限界があり、特に再生トラック幅２μｍ以下で
精度よく狭トラック化を図るのは非常に困難な問題点が
ある。また、電極１２０５，１２０５の下になっている
磁気抵抗効果膜１２０１の部分は電極１２０５，１２０
５からの応力の影響を受けるが、電極１２０５，１２０
５間の距離が狭くなると、電極１２０５，１２０５の内
端面Ａ，Ａ’の内側に挟まれている部分（信号磁界検知
部分）も前記電極１２０５，１２０５からの応力の影響
を受けるようになり、出力が低下したり，バルクハウゼ
ンノイズが発生しやすくなる問題点がある。さらに、信
号磁界検知能力は落ちるが、電極１２０５，１２０５の
下になっている磁気抵抗効果膜１２０１の部分も信号磁
界に反応するから、オフトラック特性が十分でない問題
点がある。

【０００５】また、上記問題点を持つ磁気抵抗効果型再
生ヘッドを用いた従来の記録再生分離型ヘッドでは、高
密度磁気記録が困難な問題点がある。さらに、上記問題
点を持つ記録再生分離型ヘッドを用いた従来の磁気記録
再生装置では、大容量化および小型化が困難な問題点が
ある。

【０００６】そこで、本発明の第１の目的は、精度よく
且つ出力低下やバルクハウゼンノイズの発生なく且つ良
好なオフトラック特性で、狭トラック化を図ることが出
来る磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、高密度磁気記録が可能な
記録再生分離型ヘッドを提供することにある。また、本
発明の第３の目的は、大容量化および小型化が可能な磁
気記録再生装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、磁気記録媒体からの信号磁界を検出する磁気抵抗効
果膜と、その磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加す
る横バイアス磁界印加パターンと、前記磁気抵抗効果膜
に縦バイアス磁界を印加する縦バイアス磁界印加パター
ンと、前記磁気抵抗効果膜の一端から他端に検出電流を
流すと共に出力電圧を読み取る２つの電極とを備えた磁
気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、磁気記録媒体側に露
出した前記磁気抵抗効果膜の露出部分を、前記２つの電
極の内端面より内側に収めたことを特徴とする磁気抵抗
効果型再生ヘッドを提供する。

【０００８】第２の観点では、本発明は、上記構成の磁
気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記縦バイアス磁界
印加パターンの一部または全部が前記磁気抵抗効果膜の
全面と接触することを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドを提供する。

【０００９】第３の観点では、本発明は、上記構成の磁
気抵抗効果型再生ヘッドと、誘導型記録ヘッドとを重ね
合わせてなることを特徴とする記録再生分離型ヘッドを
提供する。

【００１０】第４の観点では、本発明は、磁気記録媒体
と、上記構成の記録再生分離型ヘッドと、前記磁気記録
媒体を前記記録再生分離型ヘッドに対して相対駆動する
駆動手段と、前記記録再生分離型ヘッドに関する記録信
号および再生信号を処理する記録再生信号処理手段とを
具備したことを特徴とする磁気記録再生装置を提供す
る。

【００１１】

【作用】上記第１の観点による磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドでは、磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜の露
出部分が、２つの電極の内端面より内側に収まった構造
になっている。そして、前記磁気抵抗効果膜の露出部分
が信号磁界の感知部分となり、その幅によって実質的に
再生トラック幅が決まる。２つの電極の内端面間距離
は、再生トラック幅に関係しない。そこで、精度よく狭
トラック化を図るには、磁気抵抗効果膜の露出部分の幅
さえ精度よく狭くすればよく、２つの電極の内端面間距
離の精度はそれほど要求されない。これは、磁気抵抗効
果膜の露出部分の幅が１μｍ以下でも、ホトリソグラフ
ィによる薄膜形成加工において十分可能である。従っ
て、精度よく狭トラック化を図ることが出来る。また、
電極の下になる磁気抵抗効果膜の部分がないため、電極
からの応力の影響を受けず、２つの電極間の距離が狭く
なっても、出力の低下やバルクハウゼンノイズの発生が
ない。従って、出力の低下やバルクハウゼンノイズの発
生なく、狭トラック化を図ることが出来る。さらに、再
生トラック幅より広がった磁気抵抗効果膜の露出部分が
ないため、トラック外の磁界に反応せず、良好なオフト
ラック特性が得られる。従って、良好なオフトラック特
性で、狭トラック化を図ることが出来る。

【００１２】上記第２の観点による磁気抵抗効果型再生
ヘッドでは、磁気抵抗効果膜の全面が、縦バイアス磁界
印加パターンと接触している。従来のように磁気抵抗効
果膜の両端に縦バイアス磁界印加パターンがあると、縦
バイアス磁界印加パターンに接触している部分と接触し
ていない部分の両方が磁気抵抗効果膜に存在し、その境
界付近に磁壁を生じて、それがバルクハウゼンノイズの
原因となる場合がある。しかし、磁気抵抗効果膜の全面
が縦バイアス磁界印加パターンと接触しているので、前
記原因によるバルクハウゼンノイズの発生を防止でき
る。

【００１３】なお、前記磁気抵抗効果膜の露出部分の幅
が２．０μｍ以下であると、再生トラック幅２μｍ以下
で精度よく狭トラック化を図ることが出来て、好まし
い。また、前記磁気抵抗効果膜の露出部分の幅が１．０
μｍ以下であると、再生トラック幅１μｍ以下で精度よ
く狭トラック化を図ることが出来て、好ましい。また、
前記磁気抵抗効果膜の露出部分の幅よりも前記電極の内
端面間の距離が０．１μｍ〜５．０μｍだけ大きいと、
全体サイズが無駄に大きくならず，且つ，製造も容易に
なり、好ましい。また、前記磁気抵抗効果膜の露出部分
の幅よりも前記電極の内端面間の距離が０．５μｍ〜
２．０μｍだけ大きいと、特に全体サイズが無駄に大き
くならず，且つ，製造も容易になり、好ましい。

【００１４】上記第３の観点による記録再生分離型ヘッ
ドでは、上記構成の磁気抵抗効果型再生ヘッドを用いた
ことにより、狭トラック化が可能となり、高密度磁気記
録が可能となる。上記第４の観点による磁気記録再生装
置では、上記構成の記録再生分離型ヘッドを用いたこと
により、高密度磁気記録が可能となり、大容量化および
小型化が可能となる。

【００１５】

【実施例】以下、図に示す実施例により本発明をさらに
説明する。なお、これにより本発明が限定されるもので
はない。

【００１６】［実施例１］図１は、本発明の実施例１の
磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部の構成図である。こ
の磁気抵抗効果型再生ヘッド１００は、磁気抵抗効果膜
１と，交換結合膜２と，非磁性金属膜３とを順に積層形
成し、それらの上に被せるように軟磁性膜４を積層形成
し、その軟磁性膜４の両端に電極５，５を形成し、全体
をギャップ層を介して２つのシールド層で挟んで構成さ
れる（図６参照）。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗
効果膜１の露出部分は、２つの電極５，５の内端面Ａ，
Ａ’より内側に収まっている。交換結合膜２は、磁気抵
抗効果膜１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜１に
対して縦バイアス磁界を印加する縦バイアス磁界印加パ
ターンである。非磁性金属膜３および軟磁性膜４は、磁
気抵抗効果膜１に対して横バイアス磁界を印加する横バ
イアス磁界印加パターンである。電極５，５は、バイア
ス電流を供給すると共に、磁気抵抗効果膜１に一定の直
流電流を流し、磁気抵抗効果膜１の電気抵抗の変化によ
る出力電圧の変化として、信号磁界の変化を検出する。

【００１７】磁気抵抗効果膜１は、例えばＮiＦe合金で
ある。交換結合膜２は、反強磁性材料であり、例えばＦ
eＭn，ＦeＮiＭn，ＦeＭnＲuなどの導電性のあるＦeＭn
系合金である。非磁性金属膜３は、例えばＮbや，Ｔaで
ある。なお、非磁性金属膜３の代わりにＡl₂Ｏ₃やＳiＯ
₂ などの絶縁膜を用いてソフトバイアスにしてもよい。
軟磁性膜４は、例えばＦeＮiＮb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲ
u などのＦeＮi系合金である。

【００１８】図２は、磁気抵抗効果型再生ヘッド１００
の製造手順を示すフローチャートである。まず、磁気抵
抗効果膜１と、交換結合膜２と、非磁性金属膜３とを基
体（図示せず）上に蒸着やスパッタリングにより積層形
成する（Ｓ２１）。洗浄およびベークの後、フォトレジ
ストを塗布し、プリベークにより前記フォトレジストを
乾燥させて密着性を良くする（Ｓ２２）。マスクアライ
メントを行って露光する。続いて、現像，剥離，リン
ス，水洗をし、ポストベークによりフォトレジストを硬
化させる（Ｓ２３）。次に、各層ごとに選択エッチング
する。この選択エッチングには、良好な選択比特性とマ
スクパターンに忠実なエッチング特性とをもつ反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）を用いる（Ｓ２４）。なお、
リフトオフ法を用いても良い。次に、加熱してフォトレ
ジストを除去し、洗浄する（Ｓ２５）。

【００１９】次に、磁気抵抗効果膜１と交換結合膜２と
非磁性金属膜３の上に、軟磁性膜４を蒸着やスパッタリ
ングにより積層形成する（Ｓ２６）。そして、前記Ｓ２
２からＳ２５までの手順を繰り返す。次に、磁気抵抗効
果膜１の幅よりも０．１μｍ〜５．０μｍだけ大きい内
端面間距離を空けて、磁気抵抗効果膜１の両側の軟磁性
膜４の上に、電極５，５を蒸着やスパッタリングにより
積層形成する。そして、前記Ｓ２２からＳ２５までの手
順を繰り返す。

【００２０】以上の磁気抵抗効果型再生ヘッド１００で
は、磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜１の露出
部分が信号磁界の感知部分となり、その幅によって実質
的に再生トラック幅が決まる。この磁気抵抗効果膜１の
露出部分の幅は、２μｍ以下でも、ホトリソグラフィに
よる薄膜形成加工において精度よく形成できる。一方、
電極５，５の内端面間距離は再生トラック幅に関係しな
いため、精度が多少悪くても支障を生じない。かくし
て、２μｍ以下の狭トラック化を好適に図ることが出来
る。また、電極５，５の下になっている磁気抵抗効果膜
１の部分がないため、電極５，５からの応力の影響を受
けず、電極５，５間の距離が狭くなっても、出力の低下
やバルクハウゼンノイズの発生がない。かくして、この
点でも２μｍ以下の狭トラック化を好適に図ることが出
来る。さらに、再生トラック幅より広がった磁気抵抗効
果膜１の露出部分がないため、トラック外の磁界に反応
せず、良好なオフトラック特性が得られる。かくして、
この点でも２μｍ以下の狭トラック化を好適に図ること
が出来る。

【００２１】製造例１ 磁気抵抗効果膜１を厚さが５ｎｍ〜３０ｎｍのＮiＦe合
金とし、交換結合膜２を厚さが１０ｎｍ〜５０ｎｍのＦ
eＭn系合金とし、非磁性金属膜３を厚さが１０ｎｍ〜４
０ｎｍのＮb とした。また、それらの幅は、０．５μｍ
〜７．８μｍとした。さらに、軟磁性膜４を厚さが１０
ｎｍ〜３０ｎｍのＦeＮi系合金とした。その幅は、１．
５μｍ〜３０μｍとした。さらに、電極５，５を厚さが
３６ｎｍ〜２００ｎｍのＣu とした。その幅は、それぞ
れ０．５μｍ〜５μｍとした。また、内端面間距離は、
０．７μｍ〜１７．８μｍとした。かかる磁気抵抗効果
型再生ヘッド１００を、異なる磁気抵抗効果膜１の幅に
ついて各１００個製造し、所定の設計値の再生トラック
幅が得られた個数を形成歩留として計数した。その結果
を図３に丸印および実線で示す。形成歩留は、再生トラ
ック幅が２μｍ以下でも１００％であった。比較のため
に、図２８の従来構造の磁気抵抗効果型再生ヘッド１２
００を、異なる磁気抵抗効果膜１２０１の幅について各
１００個製造し、所定の設計値の再生トラック幅が得ら
れた個数を形成歩留として計数した。その結果を図３に
四角印および破線で示す。形成歩留は、再生トラック幅
が４μｍ以上では１００％であったが、４μｍより小さ
くなると低下し始め、２μｍ以下になると急激に低下し
た。

【００２２】製造例２ 上記磁気抵抗効果型再生ヘッド１００を、異なる再生ト
ラック幅が得られるものについて各１００個製造し、バ
ルクハウゼンノイズが発生した個数をバルクハウゼンノ
イズ発生率として計数した。その結果を図４に丸印およ
び実線で示す。バルクハウゼンノイズ発生率は、再生ト
ラック幅が２μｍ以下でも０％であった。比較のため
に、図２８の従来構造の磁気抵抗効果型再生ヘッド１２
００を、異なる再生トラック幅が得られるものについて
各１００個製造し、バルクハウゼンノイズが発生した個
数をバルクハウゼンノイズ発生率として計数した。その
結果を図４に四角印および破線で示す。バルクハウゼン
ノイズ発生率は、再生トラック幅が３μｍ以上では０％
であったが、２μｍより小さくなると増加し始め、１μ
ｍ以下になると急激に増加した。

【００２３】製造例３ 上記磁気抵抗効果型再生ヘッド１００を、磁気抵抗効果
膜１の幅０．５μｍで製造した。トラック幅が１μｍの
誘導型記録ヘッドで記録したトラックの信号磁界を、前
記磁気抵抗効果型再生ヘッド１００を用いて位置をずら
せながら検出した。その結果を図５に白丸印で示す。信
号強度が３０ｄＢ減衰する幅は、１．３μｍであった。
比較のために、図２８の従来構造の磁気抵抗効果型再生
ヘッド１２００を、電極１２０５，１２０５の内端面間
距離０．５μｍで製造し、前記トラックの信号磁界を、
位置をずらせながら検出した。その結果を図５に黒丸印
で示す。信号強度が３０ｄＢ減衰する幅は、２．０μｍ
であった。従って、本発明にかかる磁気抵抗効果型再生
ヘッド１００の方がオフトラック特性に優れていること
が判った。また、磁気抵抗効果膜１の幅によって再生ト
ラック幅が決定されることが確かめられた。

【００２４】［実施例２］図６は、本発明の実施例２の
記録再生分離型ヘッドの斜視図である。この記録再生分
離型ヘッド７３は、前記実施例１の磁気抵抗効果型再生
ヘッド１００と、誘導型記録ヘッド６９とを重ね合わせ
た構成である。即ち、ギャップ層を介してシールド層６
４，６５で主要部を挟んだ磁気抵抗効果型再生ヘッド１
００が再生ヘッドとして働き、コイル６６を２つの記録
磁極６７，６８で挟んだ誘導型記録ヘッド６９が記録ヘ
ッドとして働く。この記録再生分離型ヘッド７３は、本
発明の磁気抵抗効果型再生ヘッド１００を用いたことに
より、狭トラック化が可能となり、高密度磁気記録が可
能となる。

【００２５】［実施例３］図７の（ａ）および（ｂ）
は、本発明の実施例３の磁気記録再生装置の平面模式図
およびＡ−Ａ’断面図である。この磁気記録再生装置１
０００は、ディスク状の磁気記録媒体７１と、前記実施
例２の記録再生分離型ヘッド７３と、この記録再生分離
型ヘッド７３を位置決め旋回させるヘッド駆動部７４
と、前記磁気記録媒体７１を回転駆動する磁気記録媒体
駆動部７２と、上記記録再生分離型ヘッド７３に関する
記録信号および再生信号を処理する記録再生信号処理部
７５とを具備して構成される。この磁気記録再生装置１
０００は、本発明の記録再生分離型ヘッド７３を用いた
ことにより、高密度磁気記録が可能となり、大容量化お
よび小型化が可能となる。

【００２６】［実施例４］図８は、本発明の実施例４の
磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部の構成図である。こ
の磁気抵抗効果型再生ヘッド１１０は、磁気抵抗効果膜
８１と，交換結合膜８２とを順に積層形成し、それらの
上に被せるように非磁性金属膜８３と軟磁性膜８４とを
順に積層形成し、その軟磁性膜８４の両端に電極８５，
８５を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して
２つのシールド層（図示省略）で挟んで構成される。磁
気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜８１の露出部分
は、２つの電極８５，８５の内端面より内側に収まって
いる。交換結合膜８２は、磁気抵抗効果膜８１の全面と
接触しており、磁気抵抗効果膜８１に対して縦バイアス
磁界を印加する。非磁性金属膜８３および軟磁性膜８４
は、磁気抵抗効果膜８１に対して横バイアス磁界を印加
する。電極８５，８５は、バイアス電流を供給すると共
に、磁気抵抗効果膜８１に一定の直流電流を流し、磁気
抵抗効果膜８１の電気抵抗の変化による出力電圧の変化
として、信号磁界の変化を検出する。

【００２７】磁気抵抗効果膜８１は、例えばＮiＦe合金
である。交換結合膜８２は、反強磁性材料であり、例え
ば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭn，Ｆe
ＭnＲuなどのＦeＭn系合金や非導電性の反強磁性材料で
あるＮiＯ である。なお、交換結合膜８２を導電性の反
強磁性膜にして、非磁性金属膜８３の代りに使ってもよ
い。非磁性金属膜８３は、例えばＮbや，Ｔaである。軟
磁性膜４は、例えばＦeＮiＮb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu
などのＦeＮi系合金である。

【００２８】この磁気抵抗効果型再生ヘッド１１０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド１１０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００２９】［実施例５］図９は、本発明の実施例５の
磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部の構成図である。こ
の磁気抵抗効果型再生ヘッド１２０は、磁気抵抗効果膜
９１を形成し、その上に被せて交換結合膜９２と非磁性
金属膜９３と軟磁性膜９４とを順に積層形成し、その軟
磁性膜９４の両端に電極９５，９５を形成し、全体をギ
ャップ層（図示省略）を介して２つのシールド層（図示
省略）で挟んで構成される。磁気記録媒体側に露出した
磁気抵抗効果膜９１の露出部分は、２つの電極９５，９
５の内端面より内側に収まっている。その他の構成は、
実施例４と同様である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド
１２０では、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラッ
ク化を好適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効
果型再生ヘッド１２０を用いて前記実施例２の如き記録
再生分離型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能
となる。また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記
実施例３の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量
化および小型化が可能となる。

【００３０】［実施例６］図１０は、本発明の実施例６
の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図であ
る。この磁気抵抗効果型再生ヘッド１３０は、軟磁性膜
１０４と，非磁性金属膜１０３とを順に積層形成し、そ
の上に比較的短い幅で交換結合膜１０２と，磁気抵抗効
果膜１０１とを順に積層形成し、前記非磁性金属膜１０
３の両端に電極１０５，１０５を形成し、全体をギャッ
プ層（図示省略）を介して２つのシールド層（図示省
略）で挟んで構成される。磁気記録媒体側に露出した磁
気抵抗効果膜１０１の露出部分は、２つの電極１０５，
１０５の内端面より内側に収まっている。交換結合膜１
０２は、磁気抵抗効果膜１０１の全面と接触しており、
磁気抵抗効果膜１０１に対して縦バイアス磁界を印加す
る。非磁性金属膜１０３および軟磁性膜１０４は、磁気
抵抗効果膜１０１に対して横バイアス磁界を印加する。
電極１０５，１０５は、バイアス電流を供給すると共
に、磁気抵抗効果膜１０１に一定の直流電流を流し、磁
気抵抗効果膜１０１の電気抵抗の変化による出力電圧の
変化として、信号磁界の変化を検出する。

【００３１】磁気抵抗効果膜１０１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜１０２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金である。非磁性金属膜
１０３は、例えばＮbや，Ｔaである。軟磁性膜１０４
は、例えばＦeＮiＮb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu などのＦ
eＮi系合金である。

【００３２】この磁気抵抗効果型再生ヘッド１３０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド１３０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００３３】［実施例７］図１１は、本発明の実施例７
の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図であ
る。この磁気抵抗効果型再生ヘッド１４０は、軟磁性膜
１１４と，非磁性金属膜１１３と，交換結合膜１１２と
を順に積層形成し、その上に比較的短い幅で磁気抵抗効
果膜１１１を形成し、前記交換結合膜１１２の両端に電
極１１５，１１５を形成し、全体をギャップ層（図示省
略）を介して２つのシールド層（図示省略）で挟んで構
成される。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜１
１１の露出部分は、２つの電極１１５，１１５の内端面
より内側に収まっている。交換結合膜１１２は、磁気抵
抗効果膜１１１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜
１１１に対して縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属
膜１１３および軟磁性膜１１４は、磁気抵抗効果膜１１
１に対して横バイアス磁界を印加する。電極１１５，１
１５は、バイアス電流を供給すると共に、磁気抵抗効果
膜１１１に一定の直流電流を流し、磁気抵抗効果膜１１
１の電気抵抗の変化による出力電圧の変化として、信号
磁界の変化を検出する。

【００３４】磁気抵抗効果膜１１１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜１１２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金である。非磁性金属膜
１１３は、例えばＮbや，Ｔaである。なお、非磁性金属
膜１１３の代わりに、Ａl₂Ｏ₃やＳiＯ₂ などの絶縁膜を
用いてソフトバイアスとしてもよい。軟磁性膜１１４
は、例えばＦeＮiＮb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu などのＦ
eＮi系合金である。

【００３５】この磁気抵抗効果型再生ヘッド１４０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド１３０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００３６】［実施例８］図１２は、本発明の実施例８
の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図であ
る。この磁気抵抗効果型再生ヘッド１５０は、軟磁性膜
１２４を形成し、その上に比較的短い幅で非磁性金属膜
１２３と，磁気抵抗効果膜１２１と，交換結合膜１２２
とを順に積層形成し、前記軟磁性膜１２４の両端に電極
１２５，１２５を形成し、全体をギャップ層（図示省
略）を介して２つのシールド層（図示省略）で挟んで構
成される。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜１
２１の露出部分は、２つの電極１２５，１２５の内端面
より内側に収まっている。交換結合膜１２２は、磁気抵
抗効果膜１２１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜
１２１に対して縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属
膜１２３および軟磁性膜１２４は、磁気抵抗効果膜１２
１に対して横バイアス磁界を印加する。電極１２５，１
２５は、バイアス電流を供給すると共に、磁気抵抗効果
膜１２１に一定の直流電流を流し、磁気抵抗効果膜１２
１の電気抵抗の変化による出力電圧の変化として、信号
磁界の変化を検出する。

【００３７】磁気抵抗効果膜１０１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜１０２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金や非導電性の反強磁性
材料であるＮiＯ である。非磁性金属膜１０３は、例え
ばＮbや，Ｔaである。軟磁性膜１０４は、例えばＦeＮi
Ｎb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu などのＦeＮi系合金であ
る。

【００３８】この磁気抵抗効果型再生ヘッド１５０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド１５０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００３９】［実施例９］図１３は、本発明の実施例９
の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図であ
る。この磁気抵抗効果型再生ヘッド１６０は、軟磁性膜
１３４と，非磁性金属膜１３３とを順に積層形成し、そ
の上に比較的短い幅で磁気抵抗効果膜１３１と，交換結
合膜１３２とを順に積層形成し、前記非磁性金属膜１３
３の両端に電極１３５，１３５を形成し、全体をギャッ
プ層（図示省略）を介して２つのシールド層（図示省
略）で挟んで構成される。磁気記録媒体側に露出した磁
気抵抗効果膜１３１の露出部分は、２つの電極１３５，
１３５の内端面より内側に収まっている。交換結合膜１
３２は、磁気抵抗効果膜１３１の全面と接触しており、
磁気抵抗効果膜１３１に対して縦バイアス磁界を印加す
る。非磁性金属膜１３３および軟磁性膜１３４は、磁気
抵抗効果膜１３１に対して横バイアス磁界を印加する。
電極１３５，１３５は、バイアス電流を供給すると共
に、磁気抵抗効果膜１３１に一定の直流電流を流し、磁
気抵抗効果膜１３１の電気抵抗の変化による出力電圧の
変化として、信号磁界の変化を検出する。

【００４０】磁気抵抗効果膜１３１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜１３２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金や非導電性の反強磁性
材料であるＮiＯ である。非磁性金属膜１４３は、例え
ばＮbや，Ｔaである。軟磁性膜１４４は、例えばＦeＮi
Ｎb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu などのＦeＮi系合金であ
る。

【００４１】この磁気抵抗効果型再生ヘッド１６０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド１６０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００４２】［実施例１０］図１４は、本発明の実施例
１０の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド１７０は、軟磁
性膜１４４を形成し、その上に比較的短い幅で非磁性金
属膜１４３と，交換結合膜１４２と，磁気抵抗効果膜１
４１とを積層形成し、前記軟磁性膜１４４の両端に電極
１４５，１４５を形成し、全体をギャップ層（図示省
略）を介して２つのシールド層（図示省略）で挟んで構
成される。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜１
４１の露出部分は、２つの電極１４５，１４５の内端面
より内側に収まっている。交換結合膜１４２は、磁気抵
抗効果膜１４１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜
１４１に対して縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属
膜１４３および軟磁性膜１４４は、磁気抵抗効果膜１４
１に対して横バイアス磁界を印加する。電極１４５，１
４５は、バイアス電流を供給すると共に、磁気抵抗効果
膜１４１に一定の直流電流を流し、磁気抵抗効果膜１４
１の電気抵抗の変化による出力電圧の変化として、信号
磁界の変化を検出する。

【００４３】磁気抵抗効果膜１４１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜１４２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金である。非磁性金属膜
１４３は、例えばＮbや，Ｔaである。軟磁性膜１４４
は、例えばＦeＮiＮb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu などのＦ
eＮi系合金である。

【００４４】この磁気抵抗効果型再生ヘッド１７０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド１７０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００４５】［実施例１１］図１５は、本発明の実施例
１１の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド１８０は、まず
軟磁性膜１５４を形成し、その上に比較的短い幅で非磁
性金属膜１５３と，磁気抵抗効果膜１５１とを順に積層
形成し、それらの上に被せるように交換結合膜１５２を
形成し、その交換結合膜１５２の両端に電極１５５，１
５５を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して
２つのシールド層（図示省略）で挟んで構成される。磁
気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜１５１の露出部
分は、２つの電極１５５，１５５の内端面より内側に収
まっている。交換結合膜１５２は、磁気抵抗効果膜１５
１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜１５１に対し
て縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属膜１５３およ
び軟磁性膜１５４は、磁気抵抗効果膜１５１に対して横
バイアス磁界を印加する。電極１５５，１５５は、バイ
アス電流を供給すると共に、磁気抵抗効果膜１５１に一
定の直流電流を流し、磁気抵抗効果膜１５１の電気抵抗
の変化による出力電圧の変化として、信号磁界の変化を
検出する。

【００４６】磁気抵抗効果膜１５１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜１５２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金や非導電性の反強磁性
材料であるＮiＯ である。非磁性金属膜１５３は、例え
ばＮbや，Ｔaである。なお、非磁性金属膜１５３の代わ
りに、Ａl₂Ｏ₃やＳiＯ₂ などの絶縁膜を用いてソフトバ
イアスとしてもよい。軟磁性膜１５４は、例えばＦeＮi
Ｎb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu などのＦeＮi系合金であ
る。

【００４７】この磁気抵抗効果型再生ヘッド１８０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド１８０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００４８】［実施例１２］図１６は、本発明の実施例
１２の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド１９０は、交換
結合膜１６２を形成し、その上に比較的短い幅で磁気抵
抗効果膜１６１と，非磁性金属膜１６３と，軟磁性膜１
６４とを順に積層形成し、前記交換結合膜１６２の両端
に電極１６５，１６５を形成し、全体をギャップ層（図
示省略）を介して２つのシールド層（図示省略）で挟ん
で構成される。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果
膜１６１の露出部分は、２つの電極１６５，１６５の内
端面より内側に収まっている。交換結合膜１６２は、磁
気抵抗効果膜１６１の全面と接触しており、磁気抵抗効
果膜１６１に対して縦バイアス磁界を印加する。非磁性
金属膜１６３および軟磁性膜１６４は、磁気抵抗効果膜
１６１に対して横バイアス磁界を印加する。電極１６
５，１６５は、バイアス電流を供給すると共に、磁気抵
抗効果膜１６１に一定の直流電流を流し、磁気抵抗効果
膜１６１の電気抵抗の変化による出力電圧の変化とし
て、信号磁界の変化を検出する。

【００４９】磁気抵抗効果膜１６１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜１６２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金である。非磁性金属膜
１６３は、例えばＮbや，Ｔaである。なお、非磁性金属
膜１６３の代わりに、Ａl₂Ｏ₃やＳiＯ₂ などの絶縁膜を
用いてソフトバイアスとしてもよい。軟磁性膜１６４
は、例えばＦeＮiＮb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu などのＦ
eＮi系合金である。

【００５０】この磁気抵抗効果型再生ヘッド１９０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド１９０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００５１】［実施例１３］図１７は、本発明の実施例
１３の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２００は、交換
結合膜１７２を形成し、その上に比較的短い幅で磁気抵
抗効果膜１７１を積層形成し、それらに被せるように非
磁性金属膜１７３と，軟磁性膜１７４とを順に積層形成
し、その軟磁性膜１７４両端に電極１７５，１７５を形
成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して２つのシ
ールド層（図示省略）で挟んで構成される。磁気記録媒
体側に露出した磁気抵抗効果膜１７１の露出部分は、２
つの電極１７５，１７５の内端面より内側に収まってい
る。交換結合膜１７２は、磁気抵抗効果膜１７１の全面
と接触しており、磁気抵抗効果膜１７１に対して縦バイ
アス磁界を印加する。非磁性金属膜１７３および軟磁性
膜１７４は、磁気抵抗効果膜１７１に対して横バイアス
磁界を印加する。電極１７５，１７５は、バイアス電流
を供給すると共に、磁気抵抗効果膜１７１に一定の直流
電流を流し、磁気抵抗効果膜１７１の電気抵抗の変化に
よる出力電圧の変化として、信号磁界の変化を検出す
る。

【００５２】磁気抵抗効果膜１７１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜１７２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金や非導電性の反強磁性
材料であるＮiＯ である。非磁性金属膜１７３は、例え
ばＮbや，Ｔaである。なお、非磁性金属膜１７３の代わ
りに、Ａl₂Ｏ₃やＳiＯ₂ などの絶縁膜を用いてソフトバ
イアスとしてもよい。軟磁性膜１７４は、例えばＦeＮi
Ｎb，ＦeＮiＲh，ＦeＮiＲu などのＦeＮi系合金であ
る。

【００５３】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２００で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２００を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００５４】［実施例１４］図１８は、本発明の実施例
１４の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２１０は、交換
結合膜１８２を形成し、その上に比較的短い幅で磁気抵
抗効果膜１８１と，非磁性金属膜１８３とを順に積層形
成し、それらに被せるように軟磁性膜１８４を積層形成
し、その軟磁性膜１８４の両端に電極１８５，１８５を
形成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して２つの
シールド層（図示省略）で挟んで構成される。磁気記録
媒体側に露出した磁気抵抗効果膜１８１の露出部分は、
２つの電極１８５，１８５の内端面より内側に収まって
いる。交換結合膜１８２は、磁気抵抗効果膜１８１の全
面と接触しており、磁気抵抗効果膜１８１に対して縦バ
イアス磁界を印加する。非磁性金属膜１８３および軟磁
性膜１８４は、磁気抵抗効果膜１８１に対して横バイア
ス磁界を印加する。電極１８５，１８５は、バイアス電
流を供給すると共に、磁気抵抗効果膜１８１に一定の直
流電流を流し、磁気抵抗効果膜１８１の電気抵抗の変化
による出力電圧の変化として、信号磁界の変化を検出す
る。その他の構成は実施例１３と同様である。

【００５５】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２１０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２１０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００５６】［実施例１５］図１９は、本発明の実施例
１５の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２２０は、交換
結合膜１９２と，磁気抵抗効果膜１９１と，非磁性金属
膜１９３とを順に積層形成し、それらに被せるように軟
磁性膜１９４を形成し、その軟磁性膜１９４の両端に電
極１９５，１９５を形成し、全体をギャップ層（図示省
略）を介して２つのシールド層（図示省略）で挟んで構
成される。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜１
９１の露出部分は、２つの電極１９５，１９５の内端面
より内側に収まっている。交換結合膜１９２は、磁気抵
抗効果膜１９１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜
１９１に対して縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属
膜１９３および軟磁性膜１９４は、磁気抵抗効果膜１９
１に対して横バイアス磁界を印加する。電極１９５，１
９５は、バイアス電流を供給すると共に、磁気抵抗効果
膜１９１に一定の直流電流を流し、磁気抵抗効果膜１９
１の電気抵抗の変化による出力電圧の変化として、信号
磁界の変化を検出する。その他の構成は実施例１３と同
様である。

【００５７】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２２０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２２０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００５８】［実施例１６］図２０は、本発明の実施例
１６の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２３０は、非磁
性金属膜２０３を形成し、その上に比較的短い幅で交換
結合膜２０２と，磁気抵抗効果膜２０１とを順に積層形
成し、前記非磁性金属膜２０３の両端に電極２０５，２
０５を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して
２つのシールド層（図示省略）で挟んで構成される。磁
気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜２０１の露出部
分は、２つの電極２０５，２０５の内端面より内側に収
まっている。交換結合膜２０２は、磁気抵抗効果膜２０
１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜２０１に対し
て縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属膜２０３は、
磁気抵抗効果膜２０１に対して横バイアス磁界を印加す
る。電極２０５，２０５は、バイアス電流を供給すると
共に、磁気抵抗効果膜２０１に一定の直流電流を流し、
磁気抵抗効果膜２０１の電気抵抗の変化による出力電圧
の変化として、信号磁界の変化を検出する。

【００５９】磁気抵抗効果膜２０１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜２０２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金である。非磁性金属膜
２０３は、例えばＮbや，Ｔaである。

【００６０】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２３０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２３０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００６１】［実施例１７］図２１は、本発明の実施例
１７の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２４０は、非磁
性金属膜２１３を形成し、その上に比較的短い幅で磁気
抵抗効果膜２１１と，交換結合膜２１２とを順に積層形
成し、前記非磁性金属膜２１３の両端に電極２１５，２
１５を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して
２つのシールド層（図示省略）で挟んで構成される。磁
気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜２１１の露出部
分は、２つの電極２１５，２１５の内端面より内側に収
まっている。交換結合膜２１２は、磁気抵抗効果膜２１
１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜２１１に対し
て縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属膜２１３は、
磁気抵抗効果膜２１１に対して横バイアス磁界を印加す
る。電極２１５，２１５は、バイアス電流を供給すると
共に、磁気抵抗効果膜２１１に一定の直流電流を流し、
磁気抵抗効果膜２１１の電気抵抗の変化による出力電圧
の変化として、信号磁界の変化を検出する。

【００６２】磁気抵抗効果膜２１１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜２１２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金や非導電性の反強磁性
材料であるＮiＯ である。非磁性金属膜２０３は、例え
ばＮbや，Ｔaである。

【００６３】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２４０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２４０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００６４】［実施例１８］図２２は、本発明の実施例
１８の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２５０は、磁気
抵抗効果膜２２１を形成し、その上に被せるように交換
結合膜２２２と，非磁性金属膜２２３とを順に積層形成
し、その非磁性金属膜２２３の両端に電極２２５，２２
５を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して２
つのシールド層（図示省略）で挟んで構成される。磁気
記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜２２１の露出部分
は、２つの電極２２５，２２５の内端面より内側に収ま
っている。交換結合膜２２２は、磁気抵抗効果膜２２１
の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜２２１に対して
縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属膜２２３は、磁
気抵抗効果膜２２１に対して横バイアス磁界を印加す
る。電極２２５，２２５は、バイアス電流を供給すると
共に、磁気抵抗効果膜２２１に一定の直流電流を流し、
磁気抵抗効果膜２２１の電気抵抗の変化による出力電圧
の変化として、信号磁界の変化を検出する。

【００６５】磁気抵抗効果膜２２１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜２２２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金である。非磁性金属膜
２２３は、例えばＮbや，Ｔaである。

【００６６】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２５０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２５０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００６７】［実施例１９］図２３は、本発明の実施例
１９の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２６０は、交換
結合膜２３２を形成し、その上に比較的短い幅で磁気抵
抗効果膜２３１を積層形成し、その磁気抵抗効果膜２３
１に被せるように前記非磁性金属膜２３３とを積層形成
し、その非磁性金属膜２３３の両端に電極２３５，２３
５を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して２
つのシールド層（図示省略）で挟んで構成される。磁気
記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜２３１の露出部分
は、２つの電極２３５，２３５の内端面より内側に収ま
っている。交換結合膜２３２は、磁気抵抗効果膜２３１
の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜２３１に対して
縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属膜２３３は、磁
気抵抗効果膜２３１に対して横バイアス磁界を印加す
る。電極２３５，２３５は、バイアス電流を供給すると
共に、磁気抵抗効果膜２３１に一定の直流電流を流し、
磁気抵抗効果膜２３１の電気抵抗の変化による出力電圧
の変化として、信号磁界の変化を検出する。

【００６８】磁気抵抗効果膜２３１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜２３２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金や非導電性の反強磁性
材料であるＮiＯ である。非磁性金属膜２３３は、例え
ばＮbや，Ｔaである。

【００６９】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２６０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２６０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００７０】［実施例２０］図２４は、本発明の実施例
２０の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２７０は、交換
結合膜２４２と，磁気抵抗効果膜２４１とを順に積層形
成し、それらの上に被せるように非磁性金属膜２４３を
積層形成し、その非磁性金属膜２４３の両端に電極２４
５，２４５を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を
介して２つのシールド層（図示省略）で挟んで構成され
る。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜２４１の
露出部分は、２つの電極２４５，２４５の内端面より内
側に収まっている。その他の構成は実施例１９と同様で
ある。

【００７１】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２７０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２７０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００７２】［実施例２１］図２５は、本発明の実施例
２１の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２８０は、磁気
抵抗効果膜２５１と，交換結合膜２５２とを順に積層形
成し、それらの上に被せるように非磁性金属膜２５３を
積層形成し、その非磁性金属膜２５３の両端に電極２５
５，２５５を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を
介して２つのシールド層（図示省略）で挟んで構成され
る。磁気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜２５１の
露出部分は、２つの電極２５５，２５５の内端面より内
側に収まっている。その他の構成は実施例１９と同様で
ある。

【００７３】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２８０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２８０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００７４】［実施例２２］図２６は、本発明の実施例
２２の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド２９０は、非磁
性金属膜２６３を形成し、その上に比較的短い幅で磁気
抵抗効果膜２６１を積層形成し、その磁気抵抗効果膜２
６１に被せるように交換結合膜２６２を積層形成し、そ
の交換結合膜２６２の両端に電極２６５，２６５を形成
し、全体をギャップ層（図示省略）を介して２つのシー
ルド層（図示省略）で挟んで構成される。磁気記録媒体
側に露出した磁気抵抗効果膜２６１の露出部分は、２つ
の電極２６５，２６５の内端面より内側に収まってい
る。その他の構成は実施例１９と同様である。

【００７５】この磁気抵抗効果型再生ヘッド２９０で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド２９０を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００７６】［実施例２３］図２７は、本発明の実施例
２３の磁気抵抗効果型再生ヘッドの主要部を示す構成図
である。この磁気抵抗効果型再生ヘッド３００は、非磁
性金属膜２７３と，交換結合膜２７２とを積層形成し、
その上に比較的短い幅で磁気抵抗効果膜２７１を形成
し、前記交換結合膜２７２の両端に電極２７５，２７５
を形成し、全体をギャップ層（図示省略）を介して２つ
のシールド層（図示省略）で挟んで構成されている。磁
気記録媒体側に露出した磁気抵抗効果膜２７１の露出部
分は、２つの電極２７５，２７５の内端面より内側に収
まっている。交換結合膜２７２は、磁気抵抗効果膜２７
１の全面と接触しており、磁気抵抗効果膜２７１に対し
て縦バイアス磁界を印加する。非磁性金属膜２７３は、
磁気抵抗効果膜２７１に対して横バイアス磁界を印加す
る。電極２７５，２７５は、バイアス電流を供給すると
共に、磁気抵抗効果膜２７１に一定の直流電流を流し、
磁気抵抗効果膜２７１の電気抵抗の変化による出力電圧
の変化として、信号磁界の変化を検出する。

【００７７】磁気抵抗効果膜２７１は、例えばＮiＦe合
金である。交換結合膜２７２は、反強磁性材料であり、
例えば導電性の反強磁性材料であるＦeＭn，ＦeＮiＭ
n，ＦeＭnＲuなどのＦeＭn系合金である。非磁性金属膜
２７３は、例えばＮbや，Ｔaである。

【００７８】この磁気抵抗効果型再生ヘッド３００で
は、実施例１と同様に、２μｍ以下の狭トラック化を好
適に図ることが出来る。また、この磁気抵抗効果型再生
ヘッド３００を用いて前記実施例２の如き記録再生分離
型ヘッドを構成すれば、高密度磁気記録が可能となる。
また、その記録再生分離型ヘッドを用いて前記実施例３
の如き磁気記録再生装置を構成すれば、大容量化および
小型化が可能となる。

【００７９】

【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドによ
れば、２μｍ以下の狭トラック化を好適に図ることが出
来る。また、本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドによれ
ば、高密度磁気記録が可能となる。また、本発明の磁気
記録再生装置によれば、大容量化および小型化が可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の磁気抵抗効果型再生ヘッド
の主要部の構成図である。

【図２】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの製造手順
のフローチャートである。

【図３】磁気抵抗効果型再生ヘッドの再生トラック幅に
対する形成歩留を示す統計図である。

【図４】磁気抵抗効果型再生ヘッドの再生トラック幅に
対するバルクハウゼンノイズ発生率を示す統計図であ
る。

【図５】磁気抵抗効果型再生ヘッドのオフトラック特性
を示す特性図である。

【図６】本発明の実施例２の記録再生分離型ヘッドの斜
視図である。

【図７】本発明の実施例３の磁気記録再生装置の模式図
である。

【図８】本発明の実施例４の磁気抵抗効果型再生ヘッド
の主要部の構成図である。

【図９】本発明の実施例５の磁気抵抗効果型再生ヘッド
の主要部の構成図である。

【図１０】本発明の実施例６の磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドの主要部の構成図である。

【図１１】本発明の実施例７の磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドの主要部の構成図である。

【図１２】本発明の実施例８の磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドの主要部の構成図である。

【図１３】本発明の実施例９の磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドの主要部の構成図である。

【図１４】本発明の実施例１０の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図１５】本発明の実施例１１の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図１６】本発明の実施例１２の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図１７】本発明の実施例１３の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図１８】本発明の実施例１４の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図１９】本発明の実施例１５の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２０】本発明の実施例１６の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２１】本発明の実施例１７の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２２】本発明の実施例１８の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２３】本発明の実施例１９の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２４】本発明の実施例２０の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２５】本発明の実施例２１の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２６】本発明の実施例２２の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２７】本発明の実施例２３の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの主要部の構成図である。

【図２８】従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドの一例の主
要部の構成図である。

【符号の説明】

１００ 磁気抵抗効果型再生ヘッド １ 磁気抵抗効果膜 ２ 交換結合膜 ３ 非磁性金属膜 ４ 軟磁性膜 ５ 電極 ７３ 記録再生分離型ヘッド ６４，６５ シールド層 ６６ コイル ６７，６８ 記録磁極 ６９ 誘導型記録ヘッド １０００ 気記録再生装置 ７１ 磁気記録媒体 ７２ 駆動部 ７４ 駆動手段 ７５ 記録再生信号処理部

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録媒体からの信号磁界を検出する
   磁気抵抗効果膜と、その磁気抵抗効果膜に横バイアス磁
   界を印加する横バイアス磁界印加パターンと、前記磁気
   抵抗効果膜に縦バイアス磁界を印加する縦バイアス磁界
   印加パターンと、前記磁気抵抗効果膜の一端から他端に
   検出電流を流すと共に出力電圧を読み取る２つの電極と
   を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、 磁気記録媒体側に露出した前記磁気抵抗効果膜の露出部
   分を、前記２つの電極の内端面より内側に収めたことを
   特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗効果型再生ヘ
   ッドにおいて、前記縦バイアス磁界印加パターンの一部
   または全部が、前記磁気抵抗効果膜の全面と接触するこ
   とを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の磁気抵
   抗効果型再生ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜の露
   出部分の幅が、２．０μｍ以下であることを特徴とする
   磁気抵抗効果型再生ヘッド。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の磁気抵抗効果型再生ヘ
   ッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜の露出部分の幅が、
   １．０μｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型
   再生ヘッド。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効
   果膜の露出部分の幅よりも前記電極の内端面間の距離が
   ０．１μｍ〜５．０μｍだけ大きいことを特徴とする磁
   気抵抗効果型再生ヘッド。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の磁気抵抗効果型再生ヘ
   ッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜の露出部分の幅より
   も前記電極の内端面間の距離が０．５μｍ〜２．０μｍ
   だけ大きいことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッ
   ド。
7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
   の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記縦バイアス
   磁界印加パターンとして、反強磁性膜を用いることを特
   徴とする磁気抵効果型再生ヘッド。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の磁気抵抗効果型再生ヘ
   ッドにおいて、前記反強磁性膜が、ＦeＭn系合金である
   ことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
9. 【請求項９】 請求項７に記載の磁気抵抗効果型再生ヘ
   ッドにおいて、前記反強磁性膜が、ＮiＯであることを
   特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
10. 【請求項１０】 請求項１から請求項９のいずれかに記
    載の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記横バイア
    ス磁界印加パターンが、非磁性金属膜および軟磁性膜の
    積層膜であることを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッ
    ド。
11. 【請求項１１】 請求項１から請求項９のいずれかに記
    載の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記横バイア
    ス磁界印加パターンが、絶縁膜および軟磁性膜の積層膜
    であることを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
12. 【請求項１２】 請求項１から請求項９のいずれかに記
    載の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記横バイア
    ス磁界印加パターンが、シャントバイアスのための金属
    膜であることを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
13. 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれかに
    記載の磁気抵抗効果型再生ヘッドと、誘導型記録ヘッド
    とを重ね合わせてなることを特徴とする記録再生分離型
    ヘッド。
14. 【請求項１４】 磁気記録媒体と、請求項１３に記載の
    記録再生分離型ヘッドと、前記磁気記録媒体を前記記録
    再生分離型ヘッドに対して相対駆動する駆動手段と、前
    記記録再生分離型ヘッドに関する記録信号および再生信
    号を処理する記録再生信号処理手段とを具備したことを
    特徴とする磁気記録再生装置。