JPH0750273B2 - 液晶電気光学装置 - Google Patents
液晶電気光学装置Info
- Publication number
- JPH0750273B2 JPH0750273B2 JP60147400A JP14740085A JPH0750273B2 JP H0750273 B2 JPH0750273 B2 JP H0750273B2 JP 60147400 A JP60147400 A JP 60147400A JP 14740085 A JP14740085 A JP 14740085A JP H0750273 B2 JPH0750273 B2 JP H0750273B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- optical device
- thickness
- conductive film
- crystal electro
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶電気光学装置に関し、特にその製造方法に
関する。
関する。
本発明は液晶電気光学装置において、２枚の基板を重ね
合わせた時画素となる部分の液晶層厚が所望の厚さとな
る様に、ギヤツプ剤と電極を兼ねた適当な厚さの導電性
膜を少なくとも一方の基板上の画素部以外に設けたの
で、導電性膜の厚さを所望の液晶層厚とほぼ等しい厚さ
まで厚くすることができる。従つて、所望の液晶層厚が
薄い場合でも配線抵抗低減効果を最大限利用することが
でき、さらにギヤツプ剤散布の工程を省略することがで
きる。
合わせた時画素となる部分の液晶層厚が所望の厚さとな
る様に、ギヤツプ剤と電極を兼ねた適当な厚さの導電性
膜を少なくとも一方の基板上の画素部以外に設けたの
で、導電性膜の厚さを所望の液晶層厚とほぼ等しい厚さ
まで厚くすることができる。従つて、所望の液晶層厚が
薄い場合でも配線抵抗低減効果を最大限利用することが
でき、さらにギヤツプ剤散布の工程を省略することがで
きる。
従来の液晶電気光学装置の構造は、ギヤツプ剤としてグ
ラスフアイバー、ビーズ、高分子フイルムなどを２枚の
基板間に挾んだものであつた。
ラスフアイバー、ビーズ、高分子フイルムなどを２枚の
基板間に挾んだものであつた。
しかし前述の従来技術では液晶層の厚さはギヤツプ剤の
直径と配線抵抗低減のために設けた導電性膜の厚さの和
となる。例として所望の液晶層の厚さが５μｍの場合、
たとえばギヤツプ剤の直径を２μｍ、導電性膜の厚さを
３μｍとすればよく電導性膜の厚さを十分厚くして配線
抵抗を低くすることができる。
直径と配線抵抗低減のために設けた導電性膜の厚さの和
となる。例として所望の液晶層の厚さが５μｍの場合、
たとえばギヤツプ剤の直径を２μｍ、導電性膜の厚さを
３μｍとすればよく電導性膜の厚さを十分厚くして配線
抵抗を低くすることができる。
ところで、強誘電性スメクチツク液晶は液晶層厚を非常
に薄くすることによつて記憶効果、急峻なしきい特性、
高速応答というすぐれた特性を現わし、液晶電気光学装
置用の材料として高い可能性を持つている。これらの特
性が発現する液晶層厚は液晶材料に依存するが、良好な
特性を得るためには約1.5μｍ以下が望ましく、液晶層
厚が厚くなるにしたがつて、記憶効果およびしきい特性
の急峻性が低下する。また、強誘電性スメクチツク液晶
を用いた液晶電気光学装置のコントラスト比は式（１）
で表わされるクロスニコル間の透過光量Ｉから求めるこ
とができ、白色光を光源として用いる場合、△ｎ＝0.2
ならば液晶層厚ｄは1.4μｍ前後が最適となる。（現在
一般に使用されている強誘電性スメクチツク液晶の△ｎ
の値は0.2前後である。） Ｉ＝I0sin24θ・sin2（πｄΔn/λ） （１） θ：液晶の分子軸と偏光子のなす角 △n:複屈折 d:液晶層厚 λ：入射光の波長 I0:入射光量 また、液晶電気光学装置のON,OFF状態をスイツチする周
期を短くするにしたがつて駆動電圧波形の周波数が高く
なり、配線抵抗と静電容量が高ければ駆動電圧波形が歪
んで駆動することができなくなる。そこで、所望の液晶
層の厚さが１μｍの場合、従来の方法によつてギヤツプ
剤を使用すれば導電性膜の厚さは数1000Åとなり配線抵
抗を低減させる効果が小さくなる、という問題がある。
に薄くすることによつて記憶効果、急峻なしきい特性、
高速応答というすぐれた特性を現わし、液晶電気光学装
置用の材料として高い可能性を持つている。これらの特
性が発現する液晶層厚は液晶材料に依存するが、良好な
特性を得るためには約1.5μｍ以下が望ましく、液晶層
厚が厚くなるにしたがつて、記憶効果およびしきい特性
の急峻性が低下する。また、強誘電性スメクチツク液晶
を用いた液晶電気光学装置のコントラスト比は式（１）
で表わされるクロスニコル間の透過光量Ｉから求めるこ
とができ、白色光を光源として用いる場合、△ｎ＝0.2
ならば液晶層厚ｄは1.4μｍ前後が最適となる。（現在
一般に使用されている強誘電性スメクチツク液晶の△ｎ
の値は0.2前後である。） Ｉ＝I0sin24θ・sin2（πｄΔn/λ） （１） θ：液晶の分子軸と偏光子のなす角 △n:複屈折 d:液晶層厚 λ：入射光の波長 I0:入射光量 また、液晶電気光学装置のON,OFF状態をスイツチする周
期を短くするにしたがつて駆動電圧波形の周波数が高く
なり、配線抵抗と静電容量が高ければ駆動電圧波形が歪
んで駆動することができなくなる。そこで、所望の液晶
層の厚さが１μｍの場合、従来の方法によつてギヤツプ
剤を使用すれば導電性膜の厚さは数1000Åとなり配線抵
抗を低減させる効果が小さくなる、という問題がある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、所望の液晶層厚が非常に薄い場
合でも導電性膜による配線抵抗低減効果を最大限利用す
ることができ、ギヤツプ剤を散布する必要のない液晶電
気光学装置を提供するところにある。
の目的とするところは、所望の液晶層厚が非常に薄い場
合でも導電性膜による配線抵抗低減効果を最大限利用す
ることができ、ギヤツプ剤を散布する必要のない液晶電
気光学装置を提供するところにある。
本発明の液晶電気光学装置は、対向する内面に電極を有
する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶電気光学装
置において、少なくとも前記一方の電極上の画素となら
ない部分に、該電極と電気的接続され且つ前記基板間の
ギャップを制御するスペーサーを兼ねた導電性膜を形成
したことを特徴とする。
する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶電気光学装
置において、少なくとも前記一方の電極上の画素となら
ない部分に、該電極と電気的接続され且つ前記基板間の
ギャップを制御するスペーサーを兼ねた導電性膜を形成
したことを特徴とする。
第１図に第１の実施例を示す。第１図（ａ）は本発明を
1/2デユーテイ液晶プリンターヘツドに応用した場合の
液晶光シヤツター部の平面図であり、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のAA′における断面図である。下側基板17上
には走査電極11および絶縁層（SiO2）14を設け、その上
にPI,ナイロン,PVA等の配向処理膜18を設け、一方向に
ラビング処理を施してある。上側基板16上には信号電極
12を設け、さらに画素13以外の部分に導電性膜15を設け
てある。20は偏光板である。第１図（ａ）において二重
の斜線を施した液晶導入部21の導電性膜の厚さは所望の
液晶層厚より薄くなつており、その部分を通つて液晶19
が画素13の部分へ入つていく。
1/2デユーテイ液晶プリンターヘツドに応用した場合の
液晶光シヤツター部の平面図であり、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のAA′における断面図である。下側基板17上
には走査電極11および絶縁層（SiO2）14を設け、その上
にPI,ナイロン,PVA等の配向処理膜18を設け、一方向に
ラビング処理を施してある。上側基板16上には信号電極
12を設け、さらに画素13以外の部分に導電性膜15を設け
てある。20は偏光板である。第１図（ａ）において二重
の斜線を施した液晶導入部21の導電性膜の厚さは所望の
液晶層厚より薄くなつており、その部分を通つて液晶19
が画素13の部分へ入つていく。
透明電極、導電性膜としてそれぞれITOとニツケル（厚
さ0.95μｍ）を使用して第１図に示した構成の液晶プリ
ンターヘツドを作成した。la＝180μm,lb＝220μm,lc＝
80μｍである液晶材料としてMBRA−８を真空封入法によ
つて封入し、液晶の複屈折より求めた液晶層厚は1.01±
0.04μｍであり、均一な液晶層厚の液晶プリンターヘツ
ドが得られた。
さ0.95μｍ）を使用して第１図に示した構成の液晶プリ
ンターヘツドを作成した。la＝180μm,lb＝220μm,lc＝
80μｍである液晶材料としてMBRA−８を真空封入法によ
つて封入し、液晶の複屈折より求めた液晶層厚は1.01±
0.04μｍであり、均一な液晶層厚の液晶プリンターヘツ
ドが得られた。
参考のために、第２図に従来技術による液晶プリンター
ヘツドの断面図を示す。ギヤツプ剤（ビーズ）22の直径
は小さいもので0.8μｍ程度のため、所望の液晶層厚が
１μｍならば高導電性膜の厚さは0.2μｍ程度となる。
その厚さは第１の実施例における厚さの約1/5であり、
配線抵抗低減効果が薄れてしまう。
ヘツドの断面図を示す。ギヤツプ剤（ビーズ）22の直径
は小さいもので0.8μｍ程度のため、所望の液晶層厚が
１μｍならば高導電性膜の厚さは0.2μｍ程度となる。
その厚さは第１の実施例における厚さの約1/5であり、
配線抵抗低減効果が薄れてしまう。
第３図に第２の実施例を示す。本実施例では下側基板17
上の走査電極11の上にも導電性膜15としてニツケル膜を
設けさらに絶縁のためにSiO214を設けてある。走査電極
上および信号電極上のニツケル膜の厚さl3,l4をいずれ
も1.5μｍとし、SiO2,ナイロンの厚さをそれぞれ1000
Å,800Å,la＝180μm,lb＝220μm,lc＝40μｍとして、M
BRA−８を使用して液晶プリンターヘツドを作成した。
本実施例での液晶層厚は3.10±0.03μｍとなつた。
上の走査電極11の上にも導電性膜15としてニツケル膜を
設けさらに絶縁のためにSiO214を設けてある。走査電極
上および信号電極上のニツケル膜の厚さl3,l4をいずれ
も1.5μｍとし、SiO2,ナイロンの厚さをそれぞれ1000
Å,800Å,la＝180μm,lb＝220μm,lc＝40μｍとして、M
BRA−８を使用して液晶プリンターヘツドを作成した。
本実施例での液晶層厚は3.10±0.03μｍとなつた。
第４図に第３の実施例を示す。ここではマトリクス型液
晶デイスプレイへの応用例を示す。導電性膜15はストラ
イプ状信号電極12の端に設けてあり、第４図（ａ）の２
重に斜線を施した円形の部分は第４図（ｂ）に示すよう
に貝柱状になつている。導電性膜として銅を使用し、la
＝430μm,lb＝70μm,lc＝30μm,l5＝0.5μm,l6＝70μm,
lc＝30μm,l5＝0.9μm,l6＝0.6μｍとし、MBRA−８を使
用して100×100マトリクス型液晶デイスプレイを作成し
た。液晶層厚は1.06±0.03μｍとなつた。
晶デイスプレイへの応用例を示す。導電性膜15はストラ
イプ状信号電極12の端に設けてあり、第４図（ａ）の２
重に斜線を施した円形の部分は第４図（ｂ）に示すよう
に貝柱状になつている。導電性膜として銅を使用し、la
＝430μm,lb＝70μm,lc＝30μm,l5＝0.5μm,l6＝70μm,
lc＝30μm,l5＝0.9μm,l6＝0.6μｍとし、MBRA−８を使
用して100×100マトリクス型液晶デイスプレイを作成し
た。液晶層厚は1.06±0.03μｍとなつた。
本発明は液晶プリンターヘツド、マトリクス型液晶デイ
スプレイ以外の液晶電気光学装置へも応用することがで
き、液晶材料は強誘電性スメクチツク液晶に限定され
ず、液晶層厚も限定されない。
スプレイ以外の液晶電気光学装置へも応用することがで
き、液晶材料は強誘電性スメクチツク液晶に限定され
ず、液晶層厚も限定されない。
以上のような構成にすることによって、以下のような効
果が得られる。
果が得られる。
少なくとも一方の電極上にそって導電性膜を形成した
ので、電極の配線抵抗が低減する。又、導電性膜により
基板間のギャップも制御することができる。
ので、電極の配線抵抗が低減する。又、導電性膜により
基板間のギャップも制御することができる。
配線抵抗が低減できるため、電圧パルスの遅延が小さ
くなる。従って、高画質の表示が得られる。
くなる。従って、高画質の表示が得られる。
第１図（ａ）は第１の実施例における液晶プリンターヘ
ツドの平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のAA′にお
ける断面図、第２図は従来技術を示す断面図、第３図は
第２の実施例における液晶プリンターヘツドの断面図、
第４図（ａ）は第３の実施例における液晶デイスプレイ
の平面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のAA′における
断面図である。 11……走査電極 12……信号電極 13……画素 14……絶縁層 15……導電性膜 16……上側基板 17……下側基板 18……配向処理膜 19……液晶 20……偏光板 21……液晶導入部 22……ギヤツプ剤
ツドの平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のAA′にお
ける断面図、第２図は従来技術を示す断面図、第３図は
第２の実施例における液晶プリンターヘツドの断面図、
第４図（ａ）は第３の実施例における液晶デイスプレイ
の平面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のAA′における
断面図である。 11……走査電極 12……信号電極 13……画素 14……絶縁層 15……導電性膜 16……上側基板 17……下側基板 18……配向処理膜 19……液晶 20……偏光板 21……液晶導入部 22……ギヤツプ剤
Claims (1)
- 【請求項１】対向する内面に電極を有する一対の基板間
に液晶を挟持してなる液晶電気光学装置において、少な
くとも前記一方の電極上の画素とならない部分に、該電
極と電気的接続され且つ前記基板間のギャップを制御す
るスペーサーを兼ねた導電性膜を形成したことを特徴と
する液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147400A JPH0750273B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147400A JPH0750273B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 液晶電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628127A JPS628127A (ja) | 1987-01-16 |
| JPH0750273B2 true JPH0750273B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=15429428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147400A Expired - Lifetime JPH0750273B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750273B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2523486B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1996-08-07 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造法 |
| JP2526273B2 (ja) * | 1988-07-04 | 1996-08-21 | スタンレー電気株式会社 | 液晶ディスプレイ装置 |
| US5694188A (en) * | 1994-09-17 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflection type liquid crystal display device having comb-shaped wall electrode |
| US6465268B2 (en) | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| JP2012198544A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP6927052B2 (ja) * | 2018-01-10 | 2021-08-25 | 日本製鉄株式会社 | 金属帯の矯正方法及び金属帯の矯正装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122012A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Keiji Iimura | Tn-type liquid crystal cell |
| JPS5888722A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Keiji Iimura | 積層型電気光学セル |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP60147400A patent/JPH0750273B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS628127A (ja) | 1987-01-16 |
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