JPH0750332B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH0750332B2 JPH0750332B2 JP60194297A JP19429785A JPH0750332B2 JP H0750332 B2 JPH0750332 B2 JP H0750332B2 JP 60194297 A JP60194297 A JP 60194297A JP 19429785 A JP19429785 A JP 19429785A JP H0750332 B2 JPH0750332 B2 JP H0750332B2
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- JP
- Japan
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- layer
- charge
- charge generation
- charge transport
- gas
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は電荷発生層にアモルフアスSi〜Ge系電荷発生材
料を用いた機能分離型電子写真感光体に関する。
料を用いた機能分離型電子写真感光体に関する。
従来技術 導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を設けたい
わゆる機能分離型電子写真感光体として特公昭56-1943
号公報、特公昭56-24352号公報等には電荷発生層にａ−
Si（ａはアモルフアスを表わす。以下同様）、ａ−SiN,
a−SiC等のａ−Si系電荷発生材料を用いたものが知られ
ている。この種の感光体は無公害であり、広い分光感度
領域を有し、またきわめて長寿命であるという特長を持
つことで知られているが、感光体の全層をａ−Siで構成
すると製造コストが高く、また波長700nm以上の光感度
が低い上、450〜700nmの光に対しても充分な感度がある
とは云えない。
わゆる機能分離型電子写真感光体として特公昭56-1943
号公報、特公昭56-24352号公報等には電荷発生層にａ−
Si（ａはアモルフアスを表わす。以下同様）、ａ−SiN,
a−SiC等のａ−Si系電荷発生材料を用いたものが知られ
ている。この種の感光体は無公害であり、広い分光感度
領域を有し、またきわめて長寿命であるという特長を持
つことで知られているが、感光体の全層をａ−Siで構成
すると製造コストが高く、また波長700nm以上の光感度
が低い上、450〜700nmの光に対しても充分な感度がある
とは云えない。
目的 本発明の目的は安価なアモルフアスSi〜Ge系電荷発生材
料を用いることにより製造コストを低下せしめ、しかも
低波長域から高波長域に亘つて光感度を向上させた機能
分離型の電子写真感光体を提供することである。
料を用いることにより製造コストを低下せしめ、しかも
低波長域から高波長域に亘つて光感度を向上させた機能
分離型の電子写真感光体を提供することである。
構成 本発明の電子写真感光体は導電性支持体上に電荷発生層
及び電荷輸送層を順次設けた電子写真感光体において、
電荷発生層が、シリコン及びゲルマニウムを母体とし、
更にこれらの電荷発生層が水素及び／又はハロゲン原子
を含む、下記一般式で示されるアモルフアスSi-Ge系電
荷発生材料からなると共に、電荷発生層が空乏層を中間
に配した前記電荷発生材料のＰ型層、Ｎ型層の３層構造
であることを特徴とするものである。
及び電荷輸送層を順次設けた電子写真感光体において、
電荷発生層が、シリコン及びゲルマニウムを母体とし、
更にこれらの電荷発生層が水素及び／又はハロゲン原子
を含む、下記一般式で示されるアモルフアスSi-Ge系電
荷発生材料からなると共に、電荷発生層が空乏層を中間
に配した前記電荷発生材料のＰ型層、Ｎ型層の３層構造
であることを特徴とするものである。
ａ−（Si1-xGex）1-y（H,X）y （但し０＜ｘ＜1,0.05＜ｙ＜0.6で、ａはアモルフア
ス、Ｘはハロゲン原子を表わす。） 前記式で示される本発明のａ−Si〜Ge系電荷発生材料か
らなる電荷発生層は電磁波により移動可能なキヤリアを
発生し、このうち易動度の大きいキヤリアが電荷輸送層
に効率よく注入輸送されるように、電荷輸送層が積層さ
れている。このため本発明では例えば電荷輸送材料の電
子の易動度が大きい場合、電荷輸送材料の電子輸送準位
を電荷発生層の伝導帯に近付けてこれらの異種材料のマ
ツチングをとり、注入効率及び輸送の容易性を計ること
ができる。またホールを光減衰キヤリアに使用する場合
も同様に異種材料とのマツチングが可能である。
ス、Ｘはハロゲン原子を表わす。） 前記式で示される本発明のａ−Si〜Ge系電荷発生材料か
らなる電荷発生層は電磁波により移動可能なキヤリアを
発生し、このうち易動度の大きいキヤリアが電荷輸送層
に効率よく注入輸送されるように、電荷輸送層が積層さ
れている。このため本発明では例えば電荷輸送材料の電
子の易動度が大きい場合、電荷輸送材料の電子輸送準位
を電荷発生層の伝導帯に近付けてこれらの異種材料のマ
ツチングをとり、注入効率及び輸送の容易性を計ること
ができる。またホールを光減衰キヤリアに使用する場合
も同様に異種材料とのマツチングが可能である。
本発明を図面によって説明すると、第1,2,4図は本発明
の基本的感光体及びその変形を示す参考図である。第１
図は基本的感光体の構成図で、この感光体は導電性支持
体１と電荷発生層２と電荷輸送層３とからなっている。
第２図の感光体は第１図の感光体において支持体１と電
荷発生層２との間に更にブロッキング層４を設けたもの
である。第４図の感光体は第１図の感光体において支持
体１に対する電荷発生層２及び電荷輸送層３の配置を逆
にした上、支持体１と電荷輸送層３との間にブロッキン
グ層４を設けたものである。第３図は本発明の感光体で
あり、第１図の感光体において電荷発生層２とＰ型層２
−１と空乏層２−２とＮ型層２−３とに分けたものであ
る。
の基本的感光体及びその変形を示す参考図である。第１
図は基本的感光体の構成図で、この感光体は導電性支持
体１と電荷発生層２と電荷輸送層３とからなっている。
第２図の感光体は第１図の感光体において支持体１と電
荷発生層２との間に更にブロッキング層４を設けたもの
である。第４図の感光体は第１図の感光体において支持
体１に対する電荷発生層２及び電荷輸送層３の配置を逆
にした上、支持体１と電荷輸送層３との間にブロッキン
グ層４を設けたものである。第３図は本発明の感光体で
あり、第１図の感光体において電荷発生層２とＰ型層２
−１と空乏層２−２とＮ型層２−３とに分けたものであ
る。
以上のような本発明の感光体において電荷発生層２は暗
導電度が10-10〜10-6Ω-1cm-1と低いが、光エネルギー
1.5eVにおける吸収係数が約105cm-1と800nm近くの光に
対して大きい。このため本発明の電荷発生層はａ−Si単
独の電荷発生層に比べて長波長に分光増感されるという
特長を持つている。このような特長を発揮させるには適
切なSiとGeとの組成比（実用的にはGe/（Ge＋Si）比を
用いる。）及び膜厚が必要である。例えば前記一般式
中、ｘ＝0.5の組成の場合、膜厚は0.1〜３μが最適であ
る。しかし一般には０＜ｘ＜１の範囲において膜厚は通
常の場合（第１〜２図及び第４図）0.05〜10μの範囲で
変化し得る。このように本発明の電荷発生層は、露光
時、この層内に発生したホールと電子とを効果的に分離
して量子効率を向上するために第３図に示すようにＰ型
層２−１と空乏層２−２とＮ型層２−３との３層構成に
する。ここでＰ型層２−１の構成材料としては前記一般
式の電荷発生材料にB,Al,Ga,In,Tl等をドープしたもの
が、またＮ型層２−３の構成材料としては同じく前記一
般式の電荷発生材料にN,P,As,Sb,Bi等をドープしたもの
が使用される。なお第３図のようなＰ型層２−１及びＮ
型層２−３の支持体に対する配置は前記発生した電子を
電荷輸送層３に注入する場合であるが、発生したホール
を電荷輸送層３に注入する場合はＰ型層２−１及びＮ型
層２−３は逆の配置（支持体側からＮ型層、Ｐ型層の
順）にする必要がある。いずれにしてもＰ型層２−１、
空乏層２−２、Ｎ型層２−３の厚さは前記一般式中で０
＜ｘ＜１の範囲では夫々0.01〜1.0μ、0.2〜2.0μ、0.0
2〜1.0μが適当である。
導電度が10-10〜10-6Ω-1cm-1と低いが、光エネルギー
1.5eVにおける吸収係数が約105cm-1と800nm近くの光に
対して大きい。このため本発明の電荷発生層はａ−Si単
独の電荷発生層に比べて長波長に分光増感されるという
特長を持つている。このような特長を発揮させるには適
切なSiとGeとの組成比（実用的にはGe/（Ge＋Si）比を
用いる。）及び膜厚が必要である。例えば前記一般式
中、ｘ＝0.5の組成の場合、膜厚は0.1〜３μが最適であ
る。しかし一般には０＜ｘ＜１の範囲において膜厚は通
常の場合（第１〜２図及び第４図）0.05〜10μの範囲で
変化し得る。このように本発明の電荷発生層は、露光
時、この層内に発生したホールと電子とを効果的に分離
して量子効率を向上するために第３図に示すようにＰ型
層２−１と空乏層２−２とＮ型層２−３との３層構成に
する。ここでＰ型層２−１の構成材料としては前記一般
式の電荷発生材料にB,Al,Ga,In,Tl等をドープしたもの
が、またＮ型層２−３の構成材料としては同じく前記一
般式の電荷発生材料にN,P,As,Sb,Bi等をドープしたもの
が使用される。なお第３図のようなＰ型層２−１及びＮ
型層２−３の支持体に対する配置は前記発生した電子を
電荷輸送層３に注入する場合であるが、発生したホール
を電荷輸送層３に注入する場合はＰ型層２−１及びＮ型
層２−３は逆の配置（支持体側からＮ型層、Ｐ型層の
順）にする必要がある。いずれにしてもＰ型層２−１、
空乏層２−２、Ｎ型層２−３の厚さは前記一般式中で０
＜ｘ＜１の範囲では夫々0.01〜1.0μ、0.2〜2.0μ、0.0
2〜1.0μが適当である。
電荷輸送層３は従来と同じく電荷輸送材料を主成分とし
て構成される。電荷輸送材料には高分子のものと低分子
のものとがあり、高分子のものではＶ2Ｏ5を含むガラス
半導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘導体
（例えばハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール）、
ポリビニルピレン及びその誘導体、ポリビニルインドロ
キノキサリン、ポリビニルジベンゾチオフエン、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルアクリジンなどのビニル
重合体やピレン〜ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン
〜ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール〜ホルム
アルデヒド樹脂、クロロエチルカルバゾール〜ホルムア
ルデヒド樹脂などの縮合樹脂がある。また低分子のもの
はトリアリールメタン類、トリアリールアルカン類およ
びテトラアリールメタン類、ジアリールアルカン類、N,
N−ジベンジルアニリン誘導体、アニリン誘導体、ジス
チリル含有芳香族化合物、ポリアリール炭化水素、トリ
トリルアミン、アリールアミン類、４−ジアリールアミ
ノ置換カルコン類、フルオレノン類、ピラゾリン類、オ
キサジアゾール類、チアジアゾール類、トリアゾール
類、イミダゾロン類、オキサゾール類、チアゾール類、
イミダゾール類、ビスイミダゾリジン類、ピラジン類、
1,2,4−トリアジン類、アリリデンオキサゾロン類、ベ
ンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾ
ール類、キナゾリン類、ベンゾフラン類、アクリジン及
びフエナジン類、カルバゾール類、エチレン誘導体、ベ
ンジリデンアニリン類、ポリエン類、アミノスチルベン
類、アリールケトン類などであり、更に具体的にはフル
オレノン、２−ニトロ−９−フルオレノン、2,7−ジニ
トロ−９−フルオレノン、2,4,7−トリニトロ−９−フ
ルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−９−フルオレノ
ン、4H−インデノ〔1,2,−ｂ〕チオフエン−４−オン、
２−ニトロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕チオフエン−４
−オン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕
チオフエン−４−オン、8H−インデノ〔2,1−ｂ〕チオ
フエン−８−オン、２−ニトロ−8H−インデノ〔2,1−
ｂ〕チオフエン−８−オン、２−ブロム−6,8−ジニト
ロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕チオフエン、6,8−ジニト
ロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕チオフエン、２−ニトロ
ジベンゾチオフエン、2,8−ジニトロジベンゾチオフエ
ン、３−ニトロ−ジベンゾチオフエン−５−オキサイ
ド、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオフエン−５−オキサ
イド、1,3,7−トリニトロ−ジベンゾチオフエン−5,5−
ジオキサイド、３−ニトロ−ジベンゾチオフエン−5,5
−ジオキサイド、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオフエン
−5,5−ジオキサイド、４−ジシアノメチレン−4H−イ
ンデノ〔1,2−ｂ〕チオフエン、6,8−ジニトロ−４−ジ
シアノメチレン−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕チオフエ
ン、1,3,7,9−テトラニトロベンゾ〔ｃ〕シンノリン−
５−オキサイド、2,4,10−トリニトロベンゾ〔ｃ〕シン
ノリン−６−オキサイド、2,4,8−トリニトロベンゾ
〔ｃ〕シンノリン−６−オキサイド、2,4,8−トリニト
ロチオキサントン、2,4,7−トリニトロ−9,10−フエナ
ンスレンキノン、1,4−ナフトキノンベンゾ〔ａ〕アン
スラセン−7,12−ジオン、2,4,7−トリニトロ−９−ジ
シアノメチレンフルオレン、テトラクロル無水フタル
酸、１−ブロムピレン、１−メチルピレン、１−エチル
ピレン、１−アセチルピレン、カルバゾール、Ｎ−エチ
ルカルバゾール、Ｎ−β−クロロエチルカルバゾール、
Ｎ−β−ヒドロキシエチルカルバゾール、２−フエニル
インドール、２−フエニルナフタレン、2,5−ビス（４
−ジエチルアミノフエニル）−1,3,4−オキサジアゾー
ル、2,5−ビス（４−ジエチルアミノフエニル）−1,3,4
−トリアゾール、１−フエニル−３−（４−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフエニル）
ピラゾリン、２−フエニル−４−（４−ジエチルアミノ
フエニル）−５−フエニルオキサゾール、トリフエニル
アミン、トリス（４−ジエチルアミノフエニル）メタ
ン、8,6−ビス（ジベンジルアミノ）−９−エチルカル
バゾール、4,4′−ビス（ジベンゾルアミノ）ジフエニ
ルメタン、4,4′−ビス（ジベンジルアミノ）ジフエニ
ルエーテル、1,1−ビス（４−ジベンジルアミノフエニ
ル）プロパン、２−（ａ−ナフチル）−５−（４−ジエ
チルアモノフエニル）−1,3,4−キオサジアゾール、２
−スチリル−５−（３−Ｎ−エチルカルバノゾリル）−
1,3,4−オキサジアゾール、２−（４−メトキシフエニ
ル）−５−（３−Ｎ−エチルカルバゾリル）−1,3,4−
オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフエニ
ル）−５−（３−Ｎ−エチルカルバゾリル）−1,3,4−
オキサジアゾール、９−（４−ジエチルアミノスチリ
ル）アントラセン、９−（４−ジメチルアミノスチリ
ル）アントラセン、ａ−（９−アニトリル）−β−（３
−Ｎ−エチルカルバゾリル）エチレン、５−メチル−２
−（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゾオキサゾー
ル、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレ
ン、Ｎ−エチル−３−（９−フルオレニリデン）カルバ
ゾール、2,6−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ピ
リジン、メチルフエニルヒドラゾノ−３−メチリデン−
９−エチルカルバゾール、メチルフエニルヒドラゾノ−
４−メチリデン−N,N−ジエチルアニリン、４−N,N−ジ
フエニルアミノスチルベン、α−フエニル−４−N,N−
ジフエニルアミノスチルベンなどが挙げられる。
て構成される。電荷輸送材料には高分子のものと低分子
のものとがあり、高分子のものではＶ2Ｏ5を含むガラス
半導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘導体
（例えばハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール）、
ポリビニルピレン及びその誘導体、ポリビニルインドロ
キノキサリン、ポリビニルジベンゾチオフエン、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルアクリジンなどのビニル
重合体やピレン〜ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン
〜ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール〜ホルム
アルデヒド樹脂、クロロエチルカルバゾール〜ホルムア
ルデヒド樹脂などの縮合樹脂がある。また低分子のもの
はトリアリールメタン類、トリアリールアルカン類およ
びテトラアリールメタン類、ジアリールアルカン類、N,
N−ジベンジルアニリン誘導体、アニリン誘導体、ジス
チリル含有芳香族化合物、ポリアリール炭化水素、トリ
トリルアミン、アリールアミン類、４−ジアリールアミ
ノ置換カルコン類、フルオレノン類、ピラゾリン類、オ
キサジアゾール類、チアジアゾール類、トリアゾール
類、イミダゾロン類、オキサゾール類、チアゾール類、
イミダゾール類、ビスイミダゾリジン類、ピラジン類、
1,2,4−トリアジン類、アリリデンオキサゾロン類、ベ
ンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾ
ール類、キナゾリン類、ベンゾフラン類、アクリジン及
びフエナジン類、カルバゾール類、エチレン誘導体、ベ
ンジリデンアニリン類、ポリエン類、アミノスチルベン
類、アリールケトン類などであり、更に具体的にはフル
オレノン、２−ニトロ−９−フルオレノン、2,7−ジニ
トロ−９−フルオレノン、2,4,7−トリニトロ−９−フ
ルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−９−フルオレノ
ン、4H−インデノ〔1,2,−ｂ〕チオフエン−４−オン、
２−ニトロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕チオフエン−４
−オン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕
チオフエン−４−オン、8H−インデノ〔2,1−ｂ〕チオ
フエン−８−オン、２−ニトロ−8H−インデノ〔2,1−
ｂ〕チオフエン−８−オン、２−ブロム−6,8−ジニト
ロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕チオフエン、6,8−ジニト
ロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕チオフエン、２−ニトロ
ジベンゾチオフエン、2,8−ジニトロジベンゾチオフエ
ン、３−ニトロ−ジベンゾチオフエン−５−オキサイ
ド、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオフエン−５−オキサ
イド、1,3,7−トリニトロ−ジベンゾチオフエン−5,5−
ジオキサイド、３−ニトロ−ジベンゾチオフエン−5,5
−ジオキサイド、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオフエン
−5,5−ジオキサイド、４−ジシアノメチレン−4H−イ
ンデノ〔1,2−ｂ〕チオフエン、6,8−ジニトロ−４−ジ
シアノメチレン−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕チオフエ
ン、1,3,7,9−テトラニトロベンゾ〔ｃ〕シンノリン−
５−オキサイド、2,4,10−トリニトロベンゾ〔ｃ〕シン
ノリン−６−オキサイド、2,4,8−トリニトロベンゾ
〔ｃ〕シンノリン−６−オキサイド、2,4,8−トリニト
ロチオキサントン、2,4,7−トリニトロ−9,10−フエナ
ンスレンキノン、1,4−ナフトキノンベンゾ〔ａ〕アン
スラセン−7,12−ジオン、2,4,7−トリニトロ−９−ジ
シアノメチレンフルオレン、テトラクロル無水フタル
酸、１−ブロムピレン、１−メチルピレン、１−エチル
ピレン、１−アセチルピレン、カルバゾール、Ｎ−エチ
ルカルバゾール、Ｎ−β−クロロエチルカルバゾール、
Ｎ−β−ヒドロキシエチルカルバゾール、２−フエニル
インドール、２−フエニルナフタレン、2,5−ビス（４
−ジエチルアミノフエニル）−1,3,4−オキサジアゾー
ル、2,5−ビス（４−ジエチルアミノフエニル）−1,3,4
−トリアゾール、１−フエニル−３−（４−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフエニル）
ピラゾリン、２−フエニル−４−（４−ジエチルアミノ
フエニル）−５−フエニルオキサゾール、トリフエニル
アミン、トリス（４−ジエチルアミノフエニル）メタ
ン、8,6−ビス（ジベンジルアミノ）−９−エチルカル
バゾール、4,4′−ビス（ジベンゾルアミノ）ジフエニ
ルメタン、4,4′−ビス（ジベンジルアミノ）ジフエニ
ルエーテル、1,1−ビス（４−ジベンジルアミノフエニ
ル）プロパン、２−（ａ−ナフチル）−５−（４−ジエ
チルアモノフエニル）−1,3,4−キオサジアゾール、２
−スチリル−５−（３−Ｎ−エチルカルバノゾリル）−
1,3,4−オキサジアゾール、２−（４−メトキシフエニ
ル）−５−（３−Ｎ−エチルカルバゾリル）−1,3,4−
オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフエニ
ル）−５−（３−Ｎ−エチルカルバゾリル）−1,3,4−
オキサジアゾール、９−（４−ジエチルアミノスチリ
ル）アントラセン、９−（４−ジメチルアミノスチリ
ル）アントラセン、ａ−（９−アニトリル）−β−（３
−Ｎ−エチルカルバゾリル）エチレン、５−メチル−２
−（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゾオキサゾー
ル、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレ
ン、Ｎ−エチル−３−（９−フルオレニリデン）カルバ
ゾール、2,6−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ピ
リジン、メチルフエニルヒドラゾノ−３−メチリデン−
９−エチルカルバゾール、メチルフエニルヒドラゾノ−
４−メチリデン−N,N−ジエチルアニリン、４−N,N−ジ
フエニルアミノスチルベン、α−フエニル−４−N,N−
ジフエニルアミノスチルベンなどが挙げられる。
また高分子電荷輸送材料の場合は電子受容性化合物と混
合して電荷輸送錯体として使用することができる。更に
電荷輸送材料、特に低分子電荷輸送材料には結着剤を併
用することができる。
合して電荷輸送錯体として使用することができる。更に
電荷輸送材料、特に低分子電荷輸送材料には結着剤を併
用することができる。
ここで電子受容性化合物としてはカルボン酸無水物、オ
ルソー又はパラーキノイド構造など、電子受容性の母核
構造を有する化合物、ニトロ基、シアノ基など電子受容
性の置換基を有する脂肪環式化合物、芳香族化合物、複
素環式化合物などがあり、更に具体的には無水マレイン
酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、無水ナフタル酸、無水ピロメリツ
ト酸、クロル−ｐ−ベンゾキノン、2,5−ジクロルベン
ゾキノン、2,6−ジクロルベンゾキノン、5,8−ジクロル
ナフトキノン、ｏ−クロルアニル、ｏ−ブロムアニル、
ｐ−クロルアニル、ｐ−ブロムアニル、ｐ−ヨードアニ
ル、テトラシアノキノジメタン、5,6−キノリンジオ
ン、クマリン−2,2−ジオン、オキシインジルビン、オ
キシインジコ、1,2−ジニトロエタン、2,2−ジニトロプ
ロパン、２−ニトロ−２−ニトロソプロパン、イミノジ
アセトニトリル、スクシノニトリル、テトラシアノエチ
レン、1,1,3,3−テトラシアノプロペニド、ｏ−,m−又
はｐ−ジニトロベンゼン、1,2,3−トリニトロベンゼ
ン、1,2,4−トリニトロベンゼン、1,3,5−トリニトロベ
ンゼン、ジニトロジベンジン、2,4−ジニトロアセトフ
エノン、2,4−ジニトロトルエン、1,3,5−トリニトロベ
ンゾフエノン、1,2,3−トリニトロアニソール、α，β
−ジニトロナフタレン、1,4,5,6−テトラニトロナフタ
レン、3,4,5−トリニトロ−1,2−ジメチルベンゼン、３
−ニトロソ−２−ニトロトルエン、２−ニトロソ−3,5
−ジニトロトルエン、ｏ−,m−又はｐ−ニトロニトロソ
ベンゼン、フタロニトリル、テレフタロニトリル、イソ
フタロニトリル、シアン化ベンゾイル、シアン化ブロム
ベンジル、シアン化キノリン、シアン化ｏ−キシリレ
ン、ｏ−,m−又はｐ−シアン化ニトロベンジル、3,5−
ジニトロピリジン、３−ニトロ−２−ピリジン、3,4−
ジシアノピリジン、α−，β−又はγ−シアノピリジ
ン、4,6−ジニトロキノン、４−ニトロキサントン、9,1
0−ジニトロアントラセン、１−ニトロアントラセン、
２−ニトロフエナントレンキノン、2,5−ジニトロフル
オレノン、2,6−ジニトロフルオレノン、3,6−ジニトロ
フルオレノン、2,7−ジニトロフルオレノン、2,4,7−ト
リニトロフルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロフルオ
レノン、3,6−ジニトロフルオレノンマンデノニトリ
ル、３−ニトロロフルオレノンマンデノニトリル、テト
ラシアノピレンなどがある。
ルソー又はパラーキノイド構造など、電子受容性の母核
構造を有する化合物、ニトロ基、シアノ基など電子受容
性の置換基を有する脂肪環式化合物、芳香族化合物、複
素環式化合物などがあり、更に具体的には無水マレイン
酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、無水ナフタル酸、無水ピロメリツ
ト酸、クロル−ｐ−ベンゾキノン、2,5−ジクロルベン
ゾキノン、2,6−ジクロルベンゾキノン、5,8−ジクロル
ナフトキノン、ｏ−クロルアニル、ｏ−ブロムアニル、
ｐ−クロルアニル、ｐ−ブロムアニル、ｐ−ヨードアニ
ル、テトラシアノキノジメタン、5,6−キノリンジオ
ン、クマリン−2,2−ジオン、オキシインジルビン、オ
キシインジコ、1,2−ジニトロエタン、2,2−ジニトロプ
ロパン、２−ニトロ−２−ニトロソプロパン、イミノジ
アセトニトリル、スクシノニトリル、テトラシアノエチ
レン、1,1,3,3−テトラシアノプロペニド、ｏ−,m−又
はｐ−ジニトロベンゼン、1,2,3−トリニトロベンゼ
ン、1,2,4−トリニトロベンゼン、1,3,5−トリニトロベ
ンゼン、ジニトロジベンジン、2,4−ジニトロアセトフ
エノン、2,4−ジニトロトルエン、1,3,5−トリニトロベ
ンゾフエノン、1,2,3−トリニトロアニソール、α，β
−ジニトロナフタレン、1,4,5,6−テトラニトロナフタ
レン、3,4,5−トリニトロ−1,2−ジメチルベンゼン、３
−ニトロソ−２−ニトロトルエン、２−ニトロソ−3,5
−ジニトロトルエン、ｏ−,m−又はｐ−ニトロニトロソ
ベンゼン、フタロニトリル、テレフタロニトリル、イソ
フタロニトリル、シアン化ベンゾイル、シアン化ブロム
ベンジル、シアン化キノリン、シアン化ｏ−キシリレ
ン、ｏ−,m−又はｐ−シアン化ニトロベンジル、3,5−
ジニトロピリジン、３−ニトロ−２−ピリジン、3,4−
ジシアノピリジン、α−，β−又はγ−シアノピリジ
ン、4,6−ジニトロキノン、４−ニトロキサントン、9,1
0−ジニトロアントラセン、１−ニトロアントラセン、
２−ニトロフエナントレンキノン、2,5−ジニトロフル
オレノン、2,6−ジニトロフルオレノン、3,6−ジニトロ
フルオレノン、2,7−ジニトロフルオレノン、2,4,7−ト
リニトロフルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロフルオ
レノン、3,6−ジニトロフルオレノンマンデノニトリ
ル、３−ニトロロフルオレノンマンデノニトリル、テト
ラシアノピレンなどがある。
一方、結着剤としては無機質のセラミクスやゴム、種々
のフイルム形性能のある高分子化合物や樹脂類が使用さ
れる。分子量は約１万以上のものが好適である。具体例
をあげると、水ガラス、低融点ガラス、スミセラム（住
友化学）、シリコンゴム、シリコン樹脂、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリ
ケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリ
レート、ポリブチルアクリレート、ポリ塩化ビニル、塩
化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、塩化ビニリデン−塩
化ビニルコポリマー、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ルコポリマー、ポリビニルケトン、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレ
ン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアク
リルアミド、ポリアクリロニトリル、ジアセチルセルロ
ース、トリアセチルセルローズ、セルロースアセテート
ブチレート、セルロースアセテートフタレート、エチル
セルロース、シアノエチルセルロース、ポリエステル、
ポリアミド、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレ
ン−メチルメタクリレートコポリマー、スチレン−アク
リロニトリルコポリマー、アクリロニトリル−ブタジエ
ン−スチレンコポリマー、塩化ビニリデン−酢酸ビニル
コポリマー、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレ
ン、フエノールホルムアルデヒド樹脂などである。
のフイルム形性能のある高分子化合物や樹脂類が使用さ
れる。分子量は約１万以上のものが好適である。具体例
をあげると、水ガラス、低融点ガラス、スミセラム（住
友化学）、シリコンゴム、シリコン樹脂、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリ
ケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリ
レート、ポリブチルアクリレート、ポリ塩化ビニル、塩
化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、塩化ビニリデン−塩
化ビニルコポリマー、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ルコポリマー、ポリビニルケトン、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレ
ン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアク
リルアミド、ポリアクリロニトリル、ジアセチルセルロ
ース、トリアセチルセルローズ、セルロースアセテート
ブチレート、セルロースアセテートフタレート、エチル
セルロース、シアノエチルセルロース、ポリエステル、
ポリアミド、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレ
ン−メチルメタクリレートコポリマー、スチレン−アク
リロニトリルコポリマー、アクリロニトリル−ブタジエ
ン−スチレンコポリマー、塩化ビニリデン−酢酸ビニル
コポリマー、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレ
ン、フエノールホルムアルデヒド樹脂などである。
なお電荷輸送層３中の電荷輸送材料の割合は10〜95重量
％、好ましくは30〜90重量％が適当である。また電荷輸
送層３の厚さは３〜50μ、好ましくは５〜30μ程度が適
当である。
％、好ましくは30〜90重量％が適当である。また電荷輸
送層３の厚さは３〜50μ、好ましくは５〜30μ程度が適
当である。
第２図及び第４図に示したブロツキング層４は支持体１
側からの電荷注入を阻止して暗減衰を改良するために支
持体１上に設けられる。ブロツキング層４の構成材料と
してはAl2Ｏ3,SiO2,SiC,SiOC,BN,BCN,TiO2,ZrO2,MgF2等
の絶縁性無機物が使用される。ブロツキング層４の厚さ
は300Å〜１μの範囲が適当である。
側からの電荷注入を阻止して暗減衰を改良するために支
持体１上に設けられる。ブロツキング層４の構成材料と
してはAl2Ｏ3,SiO2,SiC,SiOC,BN,BCN,TiO2,ZrO2,MgF2等
の絶縁性無機物が使用される。ブロツキング層４の厚さ
は300Å〜１μの範囲が適当である。
次に第４図に示した保護層５は感光体表面を保護するた
めに設けられる。保護層の構成材料の代表例としてはポ
リエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。保護層５の
厚さは0.5〜50μ程度が適当である。
めに設けられる。保護層の構成材料の代表例としてはポ
リエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。保護層５の
厚さは0.5〜50μ程度が適当である。
以上の各層を支持する導電性支持体１としてはステンレ
ス、Al,Cr,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd等の金属又はそ
れらの合金からなる板；前記金属又は金属の箔をプラス
チツクフイルム（例えばポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリエチレン、セルローストリアセテート、ポリプ
ロピレン、塩化ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、ポ
リスチレン、ポリアミド等のフイルム）、ガラス板、セ
ラミツク板、紙等に蒸着又は積層した複合体；ガラス板
上にIn2Ｏ3,SnO2,ITO等を蒸着した複合体；前述のよう
な樹脂プラスチツクフイルム中にAl,Ag,Pb,Zn,Au,Cr,M
o,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd等の金属を添加したもの等が挙
げられる。
ス、Al,Cr,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd等の金属又はそ
れらの合金からなる板；前記金属又は金属の箔をプラス
チツクフイルム（例えばポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリエチレン、セルローストリアセテート、ポリプ
ロピレン、塩化ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、ポ
リスチレン、ポリアミド等のフイルム）、ガラス板、セ
ラミツク板、紙等に蒸着又は積層した複合体；ガラス板
上にIn2Ｏ3,SnO2,ITO等を蒸着した複合体；前述のよう
な樹脂プラスチツクフイルム中にAl,Ag,Pb,Zn,Au,Cr,M
o,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd等の金属を添加したもの等が挙
げられる。
本発明の感光体を作るには例えば第１図の感光体の場合
は導電性支持体１上に前記一般式の電荷発生材料の原料
ガスをプラズマCVD法により堆積せしめて電荷発生層２
を形成した後、その上に電荷輸送材料を例えば塗布法に
よりコートして電荷輸送層３を形成すればよい。なお第
２図及び第４図の感光体の場合、ブロツキング層４に同
様なプラズマCVD法で、また第３図の感光体の場合、PN
接合を有する電荷発生層２も同様なプラズマCVD法で形
成することができる。
は導電性支持体１上に前記一般式の電荷発生材料の原料
ガスをプラズマCVD法により堆積せしめて電荷発生層２
を形成した後、その上に電荷輸送材料を例えば塗布法に
よりコートして電荷輸送層３を形成すればよい。なお第
２図及び第４図の感光体の場合、ブロツキング層４に同
様なプラズマCVD法で、また第３図の感光体の場合、PN
接合を有する電荷発生層２も同様なプラズマCVD法で形
成することができる。
以下に本発明を実施例によつて説明する。
参考例１ （ａ−Si1-xGex:H層の作成） 清浄化処理したAl基板（60×100mm2）を第５図に示すよ
うなプラズマCVD装置（図中、１は導電性支持体、10は
ベルジャー、11は電極、12はヒーター、13は排気バル
ブ、14はガスバルブ、15は絶縁ガイシ、16は高周波電
源、17〜21はガスフローコントローラー、22〜26はガス
バルブ、27〜31は原料ガス、希釈ガス又はドープガス用
ボンベ）の電極11に１で示すように取付けた後、ベルジ
ャー10を閉じ真空排気した。一方、ガスボンベ27〜31の
いずれか１つには夫々、原料ガスとして各々SiH4及びGe
H4、及び希釈ガスとしてＨ2を充填した。次に所定の操
作に従って下記条件下でAl基板上にａ−Si1-xGex:H（但
しｘ＝0.5）を均一に堆積させることにより、約１μ厚
の電荷発生層を形成した。
うなプラズマCVD装置（図中、１は導電性支持体、10は
ベルジャー、11は電極、12はヒーター、13は排気バル
ブ、14はガスバルブ、15は絶縁ガイシ、16は高周波電
源、17〜21はガスフローコントローラー、22〜26はガス
バルブ、27〜31は原料ガス、希釈ガス又はドープガス用
ボンベ）の電極11に１で示すように取付けた後、ベルジ
ャー10を閉じ真空排気した。一方、ガスボンベ27〜31の
いずれか１つには夫々、原料ガスとして各々SiH4及びGe
H4、及び希釈ガスとしてＨ2を充填した。次に所定の操
作に従って下記条件下でAl基板上にａ−Si1-xGex:H（但
しｘ＝0.5）を均一に堆積させることにより、約１μ厚
の電荷発生層を形成した。
全ガス流量 200SCCH ガス組成比 GeH4／（GeH4＋SiH4）＝0.5 希釈率 （GeH4＋SiH4）Ｈ2＝1/10 基板温度 230〜250℃ 高周波出力 100〜300W（13.56MH2） 堆積時間 ３時間 この電荷発生層内のSiとGeとの組成比はGe/（Ge＋Si）
比で約0.5であり、また光学的バンドギャップEgoptは約
1.4eVであった。別にａ−Si1-xGex:H中の組成比ｘを０
〜１の間で変化させて各種の電荷発生層を作った。この
時の組成比ｘと光学的バンドギャップEgoptとの関係を
第６図に示す。
比で約0.5であり、また光学的バンドギャップEgoptは約
1.4eVであった。別にａ−Si1-xGex:H中の組成比ｘを０
〜１の間で変化させて各種の電荷発生層を作った。この
時の組成比ｘと光学的バンドギャップEgoptとの関係を
第６図に示す。
実施例１ 参考例のａ−Si1-xGex:H層の作成に用いたガスボンベの
残りのガスボンベの１つにＨ2をベースとしたＢ2Ｈ
6を、また他の１つにＨ2をベースとしたPH3を充填し、
Ｈ2ベースPH3とSiH4とGeH4とを混合比Ｂ2Ｈ6／（SiH4＋
GeH4）＝0.03のガスを用いて、参考例と同様の方法でAl
基板上にＰドープａ−Si1-xGex:H（但しｘ≒0.4）を均
一に堆積させて約0.5μ厚のＮ型層を形成した後、Ｂド
ープしないａ−Si1-xGex:H（但しｘ≒0.4）を約0.1μ厚
に堆積させた。
残りのガスボンベの１つにＨ2をベースとしたＢ2Ｈ
6を、また他の１つにＨ2をベースとしたPH3を充填し、
Ｈ2ベースPH3とSiH4とGeH4とを混合比Ｂ2Ｈ6／（SiH4＋
GeH4）＝0.03のガスを用いて、参考例と同様の方法でAl
基板上にＰドープａ−Si1-xGex:H（但しｘ≒0.4）を均
一に堆積させて約0.5μ厚のＮ型層を形成した後、Ｂド
ープしないａ−Si1-xGex:H（但しｘ≒0.4）を約0.1μ厚
に堆積させた。
その上に前記Ｈ2ベースとＢ2Ｈ6とSiH4とGeH4とを混合
比Ｂ2Ｈ6／（SiH4＋GeH4）＝0.01のガスを用いて、Ｂド
ープａ−Si1-xGex:H（但しｘ≒0.4）を均一に堆積させ
て、約0.3μ厚のＰ型層を作成することにより、３層構
成の電荷発生層を設けた。更にその上に電荷輸送層形成
液としてTNF/ブチラール樹脂＝1:2（重量比）の混合物
をテトラヒドロフランに溶解した溶液を用い、厚さ20μ
の電荷輸送層を設けた。
比Ｂ2Ｈ6／（SiH4＋GeH4）＝0.01のガスを用いて、Ｂド
ープａ−Si1-xGex:H（但しｘ≒0.4）を均一に堆積させ
て、約0.3μ厚のＰ型層を作成することにより、３層構
成の電荷発生層を設けた。更にその上に電荷輸送層形成
液としてTNF/ブチラール樹脂＝1:2（重量比）の混合物
をテトラヒドロフランに溶解した溶液を用い、厚さ20μ
の電荷輸送層を設けた。
こうして得られた感光体に暗中で負コロナ放電により表
面電位を約−500Vとし、ついで100luxの白色光で光減衰
させたところ、比較例に比して光感度の向上が見られ
た。その結果を第７図に示す。
面電位を約−500Vとし、ついで100luxの白色光で光減衰
させたところ、比較例に比して光感度の向上が見られ
た。その結果を第７図に示す。
実施例２ 実施例１のボンベの１つにＮ2ガスを充填し、ａ−Si1-x
Gex:Hを堆積させる前にAl基板上に混合比1:1でSiH4とＮ
2とを混合して流すことにより約0.3μ厚のａ−Si3Ｎ4製
ブロッキング層を形成した他は実施例１と同じ方法で感
光体を作成した。
Gex:Hを堆積させる前にAl基板上に混合比1:1でSiH4とＮ
2とを混合して流すことにより約0.3μ厚のａ−Si3Ｎ4製
ブロッキング層を形成した他は実施例１と同じ方法で感
光体を作成した。
比較例 参考例と同様にしてAl基板にａ−Si1-xGex:Hを均一に堆
積させ電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層形成液
として３−メチルヒドラゾンメチルリデン−９−エチル
カルバゾール／ポリカーボネート樹脂＝1:5（重量比）
の混合物をテトラヒドロフランに溶解した溶液を用い、
厚さ20μの電荷輸送層を設け感光体を作成した。この感
光体を実施例１と同様に試験した結果を第７図に示す。
積させ電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層形成液
として３−メチルヒドラゾンメチルリデン−９−エチル
カルバゾール／ポリカーボネート樹脂＝1:5（重量比）
の混合物をテトラヒドロフランに溶解した溶液を用い、
厚さ20μの電荷輸送層を設け感光体を作成した。この感
光体を実施例１と同様に試験した結果を第７図に示す。
効果 以上のように電荷発生材料としてａ−（Si1-xGex）1-y
（H,X）yを用いたので、本発明の感光体は製造コストが
安く、また波長700nm以上、特に800nm以上の光に対して
も実用的な感度を有し、しかも800nm以下の光に対して
高感度である。その他１）耐光疲労やくり返し疲労が少
ない、２）高濃度、高解像度、ハーフトーンの鮮明な高
品質画像が得られる、３）無公害である等の特長を持つ
ている。
（H,X）yを用いたので、本発明の感光体は製造コストが
安く、また波長700nm以上、特に800nm以上の光に対して
も実用的な感度を有し、しかも800nm以下の光に対して
高感度である。その他１）耐光疲労やくり返し疲労が少
ない、２）高濃度、高解像度、ハーフトーンの鮮明な高
品質画像が得られる、３）無公害である等の特長を持つ
ている。
第３図は本発明の感光体の断面図を示し、第1,2,4図は
基本的感光体及びその変形型の感光体の参考断面図、第
５図は実施例で用いたプラズマCVD装置の概略図、第６
図は参考例で作成した電荷発生層の構成材料ａ−Si1-xG
ex:Hの組成比ｘと光学的バンドギヤツプとの関係図、第
７図は実施例１の本発明の感光体と比較例の感光体にお
ける露光量と表面電位との関係図である。 １……導電性支持体、２……電荷発生層 ３……電荷輸送層、４……ブロツキング層 ５……保護層、２−１……Ｐ型層 ２−２……空乏層、２−３……Ｎ型層 10……ベルジヤー、11……電極 12……ヒーター、13……排気バルブ 14……ガスバルブ、15……絶縁ガイシ 16……高周波電源、17〜21……ガスフローコントローラ
ー 22〜26……ガスバルブ 27〜31……原料ガス、希釈ガス又はドープガス用ボンベ
基本的感光体及びその変形型の感光体の参考断面図、第
５図は実施例で用いたプラズマCVD装置の概略図、第６
図は参考例で作成した電荷発生層の構成材料ａ−Si1-xG
ex:Hの組成比ｘと光学的バンドギヤツプとの関係図、第
７図は実施例１の本発明の感光体と比較例の感光体にお
ける露光量と表面電位との関係図である。 １……導電性支持体、２……電荷発生層 ３……電荷輸送層、４……ブロツキング層 ５……保護層、２−１……Ｐ型層 ２−２……空乏層、２−３……Ｎ型層 10……ベルジヤー、11……電極 12……ヒーター、13……排気バルブ 14……ガスバルブ、15……絶縁ガイシ 16……高周波電源、17〜21……ガスフローコントローラ
ー 22〜26……ガスバルブ 27〜31……原料ガス、希釈ガス又はドープガス用ボンベ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−121041（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−101849（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−165838（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−105745（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−98588（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−202546（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−142680（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−200244（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−23544（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭55−121239（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送
層を順次設けた電子写真感光体において、電荷発生層が
シリコン及びゲルマニウムを母体とし、更にこれらの電
荷発生層が水素及び／又はハロゲン原子を含む、下記一
般式で示されるアモルファスSi-Ge系電荷発生材料から
なると共に、電荷発生層が空乏層を中間に配した前記電
荷発生材料のＰ型層、Ｎ型層の３層構造であることを特
徴とする電子写真感光体。 ａ−（Si1-xGex）1-y（H,X）y （但し０＜ｘ＜1,0.05＜ｙ＜0.6で、ａはアモルファ
ス、ｘはハロゲン原子を表す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60194297A JPH0750332B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60194297A JPH0750332B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254273A JPS6254273A (ja) | 1987-03-09 |
| JPH0750332B2 true JPH0750332B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=16322250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60194297A Expired - Lifetime JPH0750332B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750332B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147667A (en) * | 1978-01-13 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Photoconductor for GaAs laser addressed devices |
| JPS55121239U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-28 | ||
| JPS56121041A (en) * | 1980-02-27 | 1981-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
| JPS5723544U (ja) * | 1980-07-09 | 1982-02-06 | ||
| JPS57101849A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-24 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor sensitive to near infrared ray |
| JPS57105745A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS57165838A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-13 | Ricoh Co Ltd | Photoconductive receptor |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP60194297A patent/JPH0750332B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6254273A (ja) | 1987-03-09 |
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