JPH0435752B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な電子写真感光材料を利用した電
子写真感光体に関するものであり、更に詳しくは
特定の分子構造を有するペンタキスアゾ顔料を光
導電層中に含有する電子写真感光体に関するもの
である。 〔従来の技術〕 従来より、光導電性を示す顔料や染料について
は、数多くの文献等で発表されている。 例えば、“RCA Review”Vol.23，P.413〜
P.419（1962.9）ではフタロシアニン顔料の光導電
性についての発表がなされており、又このフタロ
シアニン顔料を用いた電子写真感光体が米国特許
第3397086号公報や米国特許第381611：号公報等
に示されている。その他に、電子写真感光体に用
いる有機半導体としては、例えば米国特許第
4315983号公報、米国特許第4327169号公報や
“Reseach Disclosure”2′0517（1981.5）に示され
ているピリリウム系染料、米国特許第3824099号
公報に示されているスクエアリツク酸メチン染
料、米国特許第3898084号公報、米国特許第
4251613号公報等に示されたジスアゾ顔料などが
挙げられる。 この様な有機半導体は、無機半導体に較べて合
成が容易で、しかも要求する波長域の光に対して
光導電性をもつ様な化合物として合成することが
でき、この様な有機半導体の被膜を導電性支持体
に形成した電子写真感光体は、感色性が良くなる
という利点を有しているが、感度および耐久性に
おいて実用できるものは、ごく僅かである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は新規な光導電性材料を提供する
ことにある。 本発明の別な目的は現存するすべての電子写真
プロセスにおいても使用可能であり、実用的な高
感度特性と繰り返し使用における安定な電位特性
を有する電子写真感光体を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明に従つて導電性基体上に感光層を設けた
電子写真感光体において、該感光層が次の一般式
(1) （式中Ar₁，Ar₂，Ar₃，Ar₄，Ar₅及びAr₆はそ
れぞれ置換基を有してもよいアリーレン基、２価
の縮合多環芳香族基又は複素環基を含む２価の有
機基を示し、Ａはフエノール性OH基を有するカ
ツプラー残基を示す） で表わされるペンタキスアゾ顔料を含有すること
を特徴とする電子写真感光体が提供される。 式中、Ar₁，Ar₂，Ar₃，Ar₄，Ar₅，Ar₆はフエ
ニレン、ナフチレン、ヒ−フエニレン、アントリ
レン等のアリーレン基、インデン、アセナフチ
ン、フルオレン、ペリレン、フルオレノン、アン
トロン、アントラキノン、ベンゾアントロン等の
２価の縮合多環芳香環基、又はピリジン、キノリ
ン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベ
ンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、フエニ
ルベンゾオキサゾール、フエニルベンゾチアゾー
ル、フエニルベンゾイミダゾール、ジベンゾフラ
ン、カルバゾール、キサンテン、アクソジン、フ
エノチアジン、ジフエニルオキサジアゾール等の
複素環を含み２価の有機基を示す。これらアリー
レン基、２価の縮合多環芳香環基、２価の複素環
を含む有機基はメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ等のアルコキシ基、ベンジル、フエネチル、
ナフチルメチル等のアラルキル基、フエニル、ジ
フエニル、ナフチル等のアリール基、塩素、臭
素、ヨウ素等のハロゲン原子、アセチル、ベンゾ
イル等のアシル基、ニトロ基、トリフルオロメチ
ル基又はシアノ基を置換基として有していても構
わない。 また、一般式(1)におけるＡのフエノール性OH
基を有するカツプラー残基としては、例えば下記
の一般式(2)〜(8)で示される： （式中Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環あ
るいは複素環を形成する残基；R₁及びR₂は水素、
置換基を有してもよいアルキル、アラルキル、ア
リールあるいは複素環基または互いに結合して窒
素原子と共に環状アミノ基を形成する残基；R₃
及びR₄はそれぞれ置換基を有してもよいアルキ
ル、アラルキル、アリール基；Ｙは芳香族炭化水
素の２価の基あるいは窒素原子を有する複素環の
２価の基を形成する残基；R₅及びR₆は水素原子、
置換基を有してもよいアルキル、アラルキル、ア
リールあるいは複素環基かあるいは互いに結合し
て５〜６員環を形成する残基を示す；R₇及びR₈
はそれぞれ水素原子、置換基を有してもよいアル
キル、アラルキル、アリールあるいは複素環基を
示す）。 上記Ｘの多環芳香環及び複素環形成残基として
は例えばナフタレン、アントラセン、カルバゾー
ル、ベンズカルバゾール、ジベンゾフラン、ベン
ゾナフトフラン、ジフエニレンサルフアイドなど
が示される。 またR₁，R₂の場合アルキルは例えばメチル、
エチル、プロピル、ブチンなどが示され、アラル
キルは例えばベンジル、フエネチル、ナフチルメ
チルなどであり、アリールは例えばフエニル、ジ
フエニル、ナフチル、アンスリルなどである。と
くにR₁が水素でありR₂がｏ−位にハロゲン、ニ
トロ、シアノ、トリフルオロメチルなどの電子吸
引性基及びメチル、エチル、ブチルなどのアルキ
ル基を有するフエニル基である構造を有する化合
物が好ましい。 複素環としてはカルバゾール、ジベンゾフラ
ン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾール、チ
アゾール、ピリジンなどが例示される。 R₃及びR₄の具体例は前記R₁，R₂で例示された
ものと同じものが挙げられる。 また上記のR₁，R₂，R₃及びR₄のアルキル基、
アラルキル基、アリール基、複素環基は更に他の
置換基、例えば前述のアルキル基、アスコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、あるい
はジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジル
アミノ、ジフエニルアミノ、モルホリノ、ピペリ
ジノ、ピロリジノなどの置換アミノ基などにより
置換されてもよい。 Ｙは定義において２価の芳香族炭化水素基とし
ては例えばＯ−フエニレンの如き単環式芳香族炭
化水素基、Ｏ−ナフチレン、ペリナフチレン、
１，２−アンスリレン、９，10−フエナンスリレ
ンなどの縮合多環式芳香族炭化水素基が挙げられ
る。 また窒素原子を有する２価の複素環を形成する
例としては、３，４−ピラゾールジイル基、２，
２−ピリジンジイル基、４，５−ピリミジンジイ
ル基、６，７−インダゾールジイル基、５，６−
ベンズイミダゾールジイル基、６，７−キノリン
ジイル基等の５〜６員複素環の２価の基が挙げら
れる。 R₅，R₆のアリール基、アラルキル基又は複素
環基としてはフエニル、ナフチル、アンスリル、
ピレニルなど：ベンジル、フエネチル、ナフチル
メチルなどのアラルキル：ピリジル、チエニル、
フリル、カルバゾリルなどの複素環基が例示され
る。これらは前記の如き置換基で置換されてもよ
い。またR₅とR₆は互いに結合して５〜６員環を
形成する残基を示す。この５〜６員環は縮合芳香
族環を有してもよい。 かかる例としてはシクロペンチリデン、シクロ
ヘキシリデン、９−フルオレニリデン、９−キサ
ンテニリデンなどの基が挙げられる。 R₇及びR₈におけるアルキル、アリール、アラ
ルキルの具体例は前記の例示と同じものが挙げら
れる。複素環としてはカルバゾール、ジベンゾフ
ラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾール、
チアゾール、ピリジンなどが例示される。これら
は前記の如き置換基で置換されてもよい。 式(7)及び(8)におけるＸは前記式(2)におけるＸと
同一の具体例が示される。とくにＸの結合した環
としてアントラセン環、ベンズカルバゾール環、
カルバゾール環であることが好ましい。とくにベ
ンズカルバゾール環は分光感度域を長波長域にま
で広げる効果が大きく、半導体レーザー領域に高
感度を有する感光体の作成は好適である。 本発明による感光体においては、２価の有機基
を両側に有するアゾ基を中心として対称に、かつ
Ｎを介して４つのアゾカツプラー成分を結合させ
た構造を特徴とするペンタキスアゾ顔料を光導電
性物質として使用するものであり、その構造から
容易に推察されるようにπ電子共役系が長くスム
ースであり、キヤリヤーの生成効率及びキヤリヤ
ーの搬送効率のいづれか一方あるいは両方が著し
く向上する。そのため本発明の感光体は高感度で
あり、分光感度域は長波長に及んでおり又耐久使
用時における電位の安定性も良好である。従つて
高速の複写機やレーザービームプリンター、
LEDプリンター、液晶プリンターなどへの適用
が可能であり、更に感光体の前歴によらず安定し
た電位が確保されるので安定した画像が得られ
る。 本発明に用いられるペンタキスアゾ顔料の代表
例を以下に列挙する。 これらのペンタキスアゾ顔料は、１種または２
種以上組合せて用いることができる。また、これ
らの顔料は、例えば 一般式 （式中のAr₁，Ar₂，Ar₃，Ar₄，Ar₅，Ar₆は一
般式(1)中の記号と同じ意味を表す） で示されるテトラアミンを常法によりオクタゾ化
し、次いで対応するカプラーをアルカリの存在下
に水系カツプリングするか、または前記のジアミ
ンのテトラゾニウム塩をホウフツ化塩あるいは塩
化亜鉛複塩等の形で一旦単離した後、適当な溶媒
例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の溶媒中でアルカリの存在下にカ
ツプラーとカツプリングすることにより容易に製
造することができる。 次に、本発明で用いるペンタキスアゾ顔料の代
表的な合成例を下記に示す。 合成例１ （前記例示のペンタキスアゾ顔料No.１
の合成）： 500mlビーカーに水80ml、濃塩酸33.2ml（0.38
モル）を入れ、氷水浴で冷却しながら、下記構造
のアミン（アミンはフランス特許1398240記載の
方法により合成した）16.72g（0.029モル） を入れ氷水浴で冷却しながら攪拌し液温を３℃と
した。次に亜硝酸ソーダ8.2g（0.122モル）を水７
mlに溶かした液を液温を３〜10℃の範囲にコント
ロールしながら10分間で滴下し、滴下終了後同温
度で更に30分攪拌した。反応液にカーボンを加え
過してオクタゾ化液を得た。 次に、２ビーカーにジメチルホルムアミド
700mlを入れトリエチルアミン53.6g（0.53モル）
を加え、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸アニリ
ド32.12g（0.122モル）を添加して溶解した。 このカツプラー溶液を６℃に冷却し液温を６〜
10℃にコントロールしながら前述のオクタゾ化液
を30分かけて攪拌下滴下して、その後室温で２時
間攪拌し更に１晩放置した。反応液を過後水洗
過し固型分換算で粗製顔料40.7gの水ペースト
を得た。 次に400mlのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを
用い室温で攪拌過を４回繰り返した。その後
400mlのメチルエチルケトンでそれぞれ２回攪拌
過を繰り返した後室温で減圧乾燥し精製顔料
38.83gを得た。収率は80.0％であつた。融点＞
250° 元素分析 計算値(%) 実験値(%) Ｃ 74.63 74.49 Ｈ 4.34 4.40 Ｎ 13.39 13.50 以上代表的な顔料の合成法について述べたが一
般式(1)で示される他のペンタキスアゾ顔料も同様
にして合成される。 前述のペンタキスアゾ顔料を有する被膜は光導
電性を示し、従つて下述する電子写真感光体の感
光層に用いることができる。 すなわち、本発明の具体例では導電性基体の上
に前述のペンタキスアゾ顔料を真空蒸着法により
被膜形成するか、あるいは適当なバインダー中に
分散含有させて被膜形成することにより電子写真
感光体を調製することができる。 本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体
の感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離し
た電子写真感光体における電荷発生層として、前
述の光導電性被膜を適用することができる。 電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、で
きる限り多くの前述の光導電性を示す化合物を含
有し、且つ発生した電荷キヤリアの飛程を短かく
するために薄膜層、例えば5μ以下、好ましくは
0.01〜1μの膜厚をもつ薄膜層とすることが好まし
い。このことは、入射光量の大部分が電荷発生層
で吸収されて、多くの電荷キヤリアを生成するこ
と、さらに発生した電荷キヤリアを再結合や捕獲
（トラツプ）により失活することなく電荷輸送層
に注入する必要があることに帰因している。 電荷発生層は、前述の化合物を適当なバインダ
ーに分散させ、これを基体の上に塗工することに
よつて形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜
を形成することによつて得ることができる。電荷
発生層を塗工によつて形成する際に用いうるバイ
ンダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、
またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニル
アントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリ
ビニルプチラール、ポリアリレート（ビスフエノ
ールＡとフタル酸の縮重合体など。）ポリカーボ
ネート、ポリエステル、フエノキシ樹脂、ポリ酢
酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹
脂、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロー
ス系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷
発生層中に含有する樹脂は、80重量％以下、好ま
しくは40重量％以下が適してしる。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類に
よつて異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を
溶解しないものから選択することが好ましい。具
体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパーノールなどのアルコール類、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
などのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、
クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレ
ン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪
族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トル
エン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用い
ることができる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピナーコーテイング法、ビードコー
テイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブレ
ードコーテイング法、ローラーコーテイング法、
カーチンコーテイング法などのコーテイング法を
用いて行なうことができる。乾燥は、室温におけ
る指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい。加
熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２時間の
範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよくまたその下に積層
されていてもよい。 電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合
電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物質
（以下、単に電荷輸送物質という）は、前述の電
荷発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に非
感応性であることが好ましい。ここで言う「電磁
波」とは、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近赤
外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバ
ーラツプする時には、両者で発生した電荷キヤリ
アが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。 電荷輸送物質としては電子輸送物質と正孔輸送
性物質があり、電子輸送性物質としては、クロル
アニル、プロモアニル、テトラシアノエチレン、
テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニ
トロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テト
ラニトロ−９−フルオレノン、２，４，７−トリ
ニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノン、
２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン等の電子吸引
性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化したも
のである。 正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチル
カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、
Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフ
エニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−
３−メチリデン−10−エチルフエノチアジン、
Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリデン
−10−エチルフエノキサジン、Ｐ−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラ
ゾン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ
−α−ナフチル−Ｎ−フエニルヒドラゾン、Ｐ−
ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニ
ルヒドラゾン、１，３，３−トリメチルインドレ
ニン−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒド
ラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メ
チルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒ
ドラゾン類、２，５−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）−１，３，４−アキサジアゾール、１
−フエニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ン、１−〔キノリル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミ
ノスチル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）
ピラゾリン、１−〔ピリジン(2)〕−３−（Ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）ピラゾリン、１−〔６−メトキシ−ピ
リジル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ン、１−〔ピリジン(3)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、１−〔レピジル(2)〕−３−（Ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルア
ミノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−
３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル−４−メチル
−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ン、１−〔ピリジン(2)〕−３−（α−メチル−Ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルア
ミノフエニル）ピラゾリン、１−フエニル−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５
−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、
１−フエニル−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピ
ラゾリン類、２−（Ｐ−ジエリルアミノスチリル）
−６−ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−
（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）−４−（Ｐ−ジメ
チルアミノフエニル）−５−（２−クロロフエニ
ル）オキサゾール等のオキサゾール系化合物、２
−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチル
アミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエ
ニル）−フエニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、１、１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチル
アミノ−２−メチルフエニル）ヘプタン、１，
１，２，２−テトラキス（４−Ｎ，Ｎ−ジメチア
ルアミノ−２−メチルフエニル）エタン等のポリ
アリールアルカン類、トリフエニルアミン、ポリ
−Ｎ−ビニルカルパゾール、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリ−９−ビニルフエニルアントラセン、ピ
レン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾー
ルホルムアルデヒド樹脂等がある。 これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セ
レン−テルルアモルフアスシリコン、硫化カドミ
ウムなどの無機材料も用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、１種または２
種以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質が成膜性を有していない時には、
適当なバインダーを選択することによつて被膜形
成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、
例えばアクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエス
テル、ポリカ−ボネート、ポリスチレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマー、アクリルニト
リル−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマーを挙げることが
できる。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５〜30μであるが、好まし
い範囲は８〜20μである。塗工によつて電荷輸送
層を形成する際には、前述した様な適当なコーテ
イング法を用いることができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることでき、その
他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イン
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金な
どを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有す
るプラスチツク（例えばポリエチレン、ポリプロ
ピイレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレンな
ど）、導電性粒子（例えば、アルミ粉末、酸化ス
ズ、酸化亜鉛、酸化チタン、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツク又は前記導電性基体の上に被覆した基体、
導電性粒子をプラスチツクや紙に含浸した基体や
導電性ポリマーを有するプラスチツクなどを用い
ることができる。 導電層と感光層の中間に、バイヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1〜5μ、好ましくは0.5〜3μ
が適当である。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の膜に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が
電子輸送性物質からなるとき、電荷輸送層表面を
正に帯電する必要があり、帯電後露光すると露光
部では電荷発生層において生成した電子が電荷輸
送層に注入され、そのあと表面に達して正電荷を
中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に
静電コントラストが生じる。この様にしてできた
静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像
が得られる。これを直接定着するか、あるいはト
ナー像を紙やプラスチツクフイルム等に転写後、
現像し定着することができる。 また、感光体上に静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤
の種類や現像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採用しても良く、特定のものに
限定されるものではない。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場
合、電荷輸送層表面に負に帯電する必要があり、
帯電後、露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した正孔が電荷輸送層に注入され、その後
表面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が
生じ未露出部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは
逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。 導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に積層し
た感光体を使用する場合において、電荷輸送物質
が電子輸送性物質からなるときは、電荷発生層表
面を負に帯電する必要があり帯電後露光すると、
露光部では電荷発生層において生成した電子は電
荷輸送部に注入されそのあと基盤に達する。一方
で電荷発生層において生成した正孔は表面に達し
表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。この様にしてできた静電潜像
を正荷電性のトナーで現像すれば可視像が得られ
る。これを直接定着するか、あるいはトナー像を
紙やプラスチツクフイルム等に転写後現像し定着
することができる。また、感光体上の静電潜像を
転写紙の絶縁層上に転写後現像し、定着する方法
もとれる。現像剤の種類や現像方法、定着方法は
公知のものや公知の方法のいずれを採用してもよ
く、特定のものに限定されるものではない。 一方電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなると
きは、電荷発生層表面を正に帯電する必要があ
り、帯電後露光すると露光部では電荷発生層にお
いて生成した正孔は電荷輸送層に注入されその後
基盤に達する。一方電荷発生層において生成した
電子は表面に達し表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。現像時には
電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性ト
ナーを用いる必要がある。 また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラ
ゾン類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾ
ール類、トリアリ−ルメタン類、ポリアリ−ルア
ルカン類、トリフエニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール類など有機光導電性物質や酸化亜
鉛、酸化カドミウム、セレンなどの無機光導電性
物質の増感剤として前述のペンタキスアゾ顔料を
含有させた感光被膜とすることができる。この感
光被膜は、これらの光導電性物質と前述のペンタ
キスアゾ顔料をバインダーとともに塗工によつて
被膜形成される。 本発明の別の具体例としては前述のペンタキス
アゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有さ
れた電子写真感光体を挙げることができる。この
際前述の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾールとトリニトロフルオレノンからなる電
荷移動錯体化合物を用いることができる。この例
の電子写真感光体は前述のペンタキスアゾ顔料と
電荷移動錯体化合物をテトラヒドロフランに溶解
させたポリエステル溶液中に分散させた後、被膜
形成させて調製できる。 いずれの感光体においても用いる顔料は一般式
(1)で示されるペンタキスアゾ顔料から選ばれる少
なくとも一種類の顔料を含有しその結晶形は非晶
質であつても結晶質であつてもよい。又必要に応
じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し感光体
の感度を高めたり、パンクロマチツクな感光体を
得るなどの目的で一般式(1)で示されるペンタキス
アゾ顔料を２種類以上組合せたり、または公知の
染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて
使用することも可能である。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利
用するのみならず、レーザープリンターやCRT
プリンター、LEDプリンター、液晶プリンター、
レーザー製版等の電子写真応用分野にも広く用い
る事ができる。 以下本発明を実施例によつて説明する。 実施例 １〜60 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カ
ゼイン11.2％アンモニア水1g、水222ml）をマイ
ヤーバーで乾燥後の膜厚が1.0μとなる様に塗布し
乾燥した。 次に前記例示のペンタキスアゾ顔料No.1.5gをエ
タノール9.5mlにブチラール樹脂（ブチラール化
度63モル％）2gを溶かした液に加えサンドミル
で２時間分散した。この分散液をさきに形成した
カゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.5μとなる様に
マイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を形成
した。次いで構造式 のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレ
ート樹脂（数平均分子量100000）5gをベンゼン
70mlに溶解しこれを電荷発生層の上に乾燥後の膜
厚が12μとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷輸送層を形成し実施例１の感光体を作成し
た。ペンタキスアゾ顔料No.1.に代えて第１表に示
す他の例示顔料を用い実施例２〜60に対応する感
光体を全く同様にして作成した。 この様にして作成した電子写真感光体を川口電
機(株)製静電複写紙試験装置Model SP−428を用
いてスタテイツク方式で−5kVでコロナ帯電し暗
所で１秒間保持した後照度２uxで露光し帯電
特性を調べた。帯電特性としては表面電位（V_p）
と１秒間暗減衰させた時の電位を1/2に減衰する
に必要な露光量（E_1/2）を測定したこの結果を第
１表に示す。

【表】

【表】

【表】 実施例 61〜65 実施例１，８，29，40，83に用いた感光体を繰
返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定し
た。測定方法としては次のとおりである。 −5.6kVのコロナ帯電器、露光光学系、現像
器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体
を貼り付けた。この複写機は、シリンダーの駆動
に伴い、転写紙上に画像が得られる構成になつて
いる。この複写機を用いて初期の明部電位（V_L）
と暗部電位（V_D）をそれぞれ−100V及び−600V
付近に設定し5000回使用した後の明部電位（V_L）
暗部電位（V_D）を測定した。この結果を第３表
に示す。

【表】 実施例１〜65のデータから本発明の感光体は電
子写真的感度が著しく良好で繰返し使用時もV_D，
V_Lの安定性が極めて良好であつた。 実施例 66 実施例１で作成した電荷発生層の上に、２，
４，７−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポ
リ−４、４−ジオキシジフエニル−２，2′−プロ
パンカーボネート（分子量300000）5gをテトラ
ヒドロフラン70mlに溶解して作成した塗布液を乾
燥後の塗工量が10g／m²となる様に塗布し、乾燥
した。 こうして作成した電子写真感光体を実施例１と
同様の方法で帯電測定を行なつた。この時、帯電
極性は○＋とした。この結果を第４表に示す。 第４表 V_p：＋550V E_1/2：4.3ux・sec 実施例 67 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚0.5μのポリピニルアルコー
ルの被膜を形成した。 次に、実施例１で用いたペンタキスアゾ顔料の
分散液を先に形成したポリビニルアルコール層の
上に乾燥後の膜厚が0.5μとなる様にマイヤーバー
で塗布し、乾燥し電荷発生層を形成した。 次いで構造式 のピラゾリン化合物5gとポリアリレート樹脂
（ビスフエノールＡとテレフタル酸−イソフタル
酸の縮重合体）5gをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が
10μとなる様に塗布し、乾燥して電荷輸送層を形
成した。 こうして調製した感光体の帯電特性および耐久
特性を実施例１と同様の方法によつて測定した。
この結果を第５表に示す。 第５表 V_p：−585V E_1/2：3.2lux・sec 初 期 5000回耐久後 V_D V_L V_D V_L −600V −100V −625V −130V 第５表の結果より本発明は感度が良好でありか
つ耐久使用時の電位安定性も良好である。 実施例 68 厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインの
アンモニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚0.5ミ
クロンの下引層を形成した。 次に、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン5gとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平
均分子量300000）5gをテトラヒドロフラン70ml
に溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電
荷移動錯化合物と前記例示のペンタキスアゾ顔料
No.74.1gを、ポリエステル樹脂（バイロン：東洋
紡製）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした
液に加え、分散した。この分散液を下引層の上に
乾燥後の膜厚が12ミクロンとなる様に塗布し、乾
燥した。 こうした調製した感光体の帯電特性と耐久特性
を実施例１と同様の方法によつて測定した。この
結果を第６表に示す。但し、帯電極性は○＋とし
た。 第６表 V_p：○＋560V E_1/2：4.2us・sec 実施例 69 実施例１で用いたカゼイン層を施したアルミニ
ウム基板のカゼイン層上に実施例１の電荷輸送層
と電荷発生層とを順次積層し層構成順序を異にす
る以外は実施例１と全く同様にして感光体を作成
し実施例１と同様に帯電測定をした。但し帯電極
性を○＋とした。停電特性を第７表に示す。 第７表 V_p ○＋560V E_1/2 4.1ux・sec 実施例 70 アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモ
ニア水溶液（カゼイン11.2g，28％アンモニア水
1g、水22.2ml）を浸漬コーテイング法で塗工し、
乾燥して塗工量1.0g／m²の下引層を形成した。 次に、前述のペンタキスアゾ顔料No.46の１重量
部、プチラール樹脂（エスレツクBM−２：積水
化学(株)製）１重量部とイソプロピルアルコール30
重量部をボールミル分散機で４時間分散した。こ
の分散液を先に形成した下引層の上に浸漬コーテ
イング法で塗工し、乾燥して電荷発生層を形成し
た。この時の膜厚は0.3ミクロンであつた。 次に、実施例１に用いたヒドラゾン化合物１重
量部、ポリスルホン樹脂（P1700：ユニオンカー
バイド社製）、１重量部とモノクロベンセン６重
量部を混合し、攪拌機で攪拌溶解した。この液を
電荷発生層の上に浸漬コーテイング法で塗工し、
乾燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚
は、12ミクロンであつた。 こうして調製した感光体に−5kVのコロナ放電
を行なつた。この時の表面電位を測定した（初期
電位V_p）。さらに、この感光体を５秒間暗所で放
置した後の表面電位を測定した（暗減衰V_k）。感
度は暗減衰した後の電位V_kを1/2に減衰するに必
要な露光量（E_1/2マイクロジユール／cm²）を測定
することによつて評価した。この際、光源として
ガリウム／アルミニウム／ヒ素の三元系半導体レ
ーザー（出力：5mW，発振波長778nm）を用い
た。これらの結果は、次のとおりであつた。 V_p：−520ボルト V_k：92％ E_1/2：1.4マイクロジユール／cm² 次に同上の半導体レーザーを備えた反転現像方
式の電子写真方式プリンターであるレーザービー
ムプリンター（キヤノン製LBP−CX）に上記感
光体をLBP−CXの感光体に置き換えてセツト
し、実際の画像形成テストを用つた。条件は以下
の通りである。 一次帯電後の表面電位：−700V、像露光後の
表面電位；−150V（露光量2μJ／cm²）、転写電位；
＋700V、現像剤極性；負極性、プロセススピー
ド；50mm／sec、現像条件（現像バイアス）；−
450V、現露光スキヤン方式；イメージスキヤン、
一次帯電前露光；50us・secの赤色全面露光。 画像形成はレーザービームを文字信号及び画像
信号に従つてラインスキアンして行つたが、文
字、画像共に良好なプリントが得られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光
   体において、該感光層が次の一般式(1) （式中Ar₁，Ar₂，Ar₃，Ar₄，Ar₅及びAr₆はそ
   れぞれ置換基を有してもよいアリーレン基、２価
   の縮合多環芳香族基又は複素環基を含む２価の有
   機基を示し、Ａはフエノール性OH基を有するカ
   プラー残基を示す） で表わされるペンタキスアゾ顔料を含有すること
   を特徴とする電子写真感光体。 ２ 上記一般式(1)におけるＡが下記一般式(2)〜(8)
   で示される特許請求の範囲第１項記載の電子写真
   感光体： （式中Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環あ
   るいは複素環を形成する残基；R₁及びR₂はそれ
   ぞれ水素原子、置換基を有してもよいアルキル、
   アラルキル、アリールあるいは複素環基または互
   いに結合して窒素原子と共に環状アミノ基を形成
   する残基；R₃及びR₄はそれぞれ置換基を有して
   もよいアルキル、アラルキル、アリール基；Ｙは
   芳香族炭化水素の２価の基あるいは窒素原子を有
   する複素環の２価の基を形成する残基；R₅及び
   R₆はそれぞれ水素原子、置換基を有してもよい
   アルキル、アラルキル、アリール、複素環基ある
   いは互いに結合して５〜６員環を形成する残基；
   R₇及びR₈はそれぞれ水素原子、置換基を有して
   もよいアルキル、アラルキル、アリールあるいは
   複素環基を示す）。 ３ 上記感光層が電荷発生層と電荷輸送層とより
   なる機能分離型であり該電荷発生層に上記一般式
   (1)で示されるペンタキスアゾ顔料を含有させる特
   許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 ４ 上記一般式(2)におけるR₁が水素原子であり、
   R₂が次の一般式 （式中R₉はハロゲン原子、ニトロ、シアノ、
   トリフルオロメチル及びアシル基より選ばれる置
   換基を示す） で表わされる置換フエニル基である特許請求の範
   囲第２項記載の電子写真感光体。 ５ 上記一般式(2)が下記式 （R₂は前記のものと同じ） で示される特許請求の範囲第２項記載の電子写真
   感光体。