JPH0750663B2 - 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
有機半導体固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0750663B2 JPH0750663B2 JP3078738A JP7873891A JPH0750663B2 JP H0750663 B2 JPH0750663 B2 JP H0750663B2 JP 3078738 A JP3078738 A JP 3078738A JP 7873891 A JP7873891 A JP 7873891A JP H0750663 B2 JPH0750663 B2 JP H0750663B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/02—Diaphragms; Separators
-
- H—ELECTRICITY
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- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
- H01G9/151—Solid electrolytic capacitors with wound foil electrodes
-
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機半導体固体電解コン
デンサの製造方法に関するものであり、更に詳説する
と、電解質として７・７・８・８−テトラシアノキノジ
メタンの錯塩（以下ＴＣＮＱ錯塩と略す）を使用する有
機半導体固体電解コンデンサの製造方法に関するもので
ある。
デンサの製造方法に関するものであり、更に詳説する
と、電解質として７・７・８・８−テトラシアノキノジ
メタンの錯塩（以下ＴＣＮＱ錯塩と略す）を使用する有
機半導体固体電解コンデンサの製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体電解コンデンサの固体電解質
として有機半導体、特にＴＣＮＱ錯塩を用いることが提
案されている（例えば特公昭６２−５２９３９号公報
（Ｈ０１Ｇ ９／０２）参照）。このような従来技術に
おいては、図３に示す如く、ＴＣＮＱ錯塩からなる有機
半導体（６）の粉末を適量取り出して熱伝導性のケース
（アルミニウムケース等）（５）に適度に加圧して収納
し、これを２５０〜３００℃の温度で融解液化し、あら
かじめ予熱しておいたコンデンサ素子（１）を含浸す
る。更にコンデンサ素子（１）をケースと共に急冷却
後、ケース開口部に熱硬化性の非可撓性樹脂（例えばエ
ポキシ樹脂）（７）を充填し、８５〜１０５℃の温度で
長時間放置して硬化させていた。尚、ここでコンデンサ
素子（１）とはアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁
作用を有する金属の化成箔を陽極とし、これら金属の化
成処理を施していない箔を陰極とし、これら陽極箔と陰
極箔の間にスペーサ紙を挟んで巻回したものである。ま
た、（２）（３）はそれぞれ陽極及び陰極リード線、
（４）はリードボスである。
として有機半導体、特にＴＣＮＱ錯塩を用いることが提
案されている（例えば特公昭６２−５２９３９号公報
（Ｈ０１Ｇ ９／０２）参照）。このような従来技術に
おいては、図３に示す如く、ＴＣＮＱ錯塩からなる有機
半導体（６）の粉末を適量取り出して熱伝導性のケース
（アルミニウムケース等）（５）に適度に加圧して収納
し、これを２５０〜３００℃の温度で融解液化し、あら
かじめ予熱しておいたコンデンサ素子（１）を含浸す
る。更にコンデンサ素子（１）をケースと共に急冷却
後、ケース開口部に熱硬化性の非可撓性樹脂（例えばエ
ポキシ樹脂）（７）を充填し、８５〜１０５℃の温度で
長時間放置して硬化させていた。尚、ここでコンデンサ
素子（１）とはアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁
作用を有する金属の化成箔を陽極とし、これら金属の化
成処理を施していない箔を陰極とし、これら陽極箔と陰
極箔の間にスペーサ紙を挟んで巻回したものである。ま
た、（２）（３）はそれぞれ陽極及び陰極リード線、
（４）はリードボスである。
【０００３】しかして、このようなＴＣＮＱ錯塩を用い
た固体電解コンデンサは、従来の乾式コンデンサに比べ
て周波数特性及び温度特性が著しく改善されたものであ
る。
た固体電解コンデンサは、従来の乾式コンデンサに比べ
て周波数特性及び温度特性が著しく改善されたものであ
る。
【０００４】ところで、近年、電気機器の小型化に伴
い、ＴＣＮＱ錯塩を用いた固体電解コンデンサにおいて
も表面実装用のものが強く要求されている。
い、ＴＣＮＱ錯塩を用いた固体電解コンデンサにおいて
も表面実装用のものが強く要求されている。
【０００５】しかしながら、ＴＣＮＱ錯塩を用いた固体
電解コンデンサは、表面実装用部品として必須の半田付
け時の熱ストレス（通常２３０℃）に耐えられず、漏れ
電流の増大を招く欠点があった。これは、従来のこの種
のコンデンサが熱硬化性エポキシ樹脂で封止されている
ためにコンデンサ素子の内部にまで該エポキシ樹脂が含
浸され、固体電解質としてのＴＣＮＱ錯塩と前記エポキ
シ樹脂とが反応するために劣化を招いていたものと考え
られる。
電解コンデンサは、表面実装用部品として必須の半田付
け時の熱ストレス（通常２３０℃）に耐えられず、漏れ
電流の増大を招く欠点があった。これは、従来のこの種
のコンデンサが熱硬化性エポキシ樹脂で封止されている
ためにコンデンサ素子の内部にまで該エポキシ樹脂が含
浸され、固体電解質としてのＴＣＮＱ錯塩と前記エポキ
シ樹脂とが反応するために劣化を招いていたものと考え
られる。
【０００６】また、コンデンサ素子内部に入り込んだエ
ポキシ樹脂の硬化時の収縮や半田付等による加熱時の膨
張等により、コンデンサ素子中の電極箔上の酸化被膜に
ストレスがかかり、漏れ電流が増大する場合もあった。
即ち、電圧処理（エージング）時、或は半田付け前後に
おける急激な温度変化（ヒートショック）によりコンデ
ンサ素子中の電極箔上の酸化被膜及び固化したＴＣＮＱ
錯塩に密着したエポキシ樹脂が熱膨張或は収縮するが、
その際、エポキシ樹脂が可撓性を有していないため、電
極箔上の酸化被膜及びＴＣＮＱ錯塩に対してストレスを
与える。このため酸化被膜及び固化したＴＣＮＱ錯塩は
損傷し、漏れ電流の増大を招く場合がある。
ポキシ樹脂の硬化時の収縮や半田付等による加熱時の膨
張等により、コンデンサ素子中の電極箔上の酸化被膜に
ストレスがかかり、漏れ電流が増大する場合もあった。
即ち、電圧処理（エージング）時、或は半田付け前後に
おける急激な温度変化（ヒートショック）によりコンデ
ンサ素子中の電極箔上の酸化被膜及び固化したＴＣＮＱ
錯塩に密着したエポキシ樹脂が熱膨張或は収縮するが、
その際、エポキシ樹脂が可撓性を有していないため、電
極箔上の酸化被膜及びＴＣＮＱ錯塩に対してストレスを
与える。このため酸化被膜及び固化したＴＣＮＱ錯塩は
損傷し、漏れ電流の増大を招く場合がある。
【０００７】この問題を解決するために、例えば図４に
示す如く変性アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の被覆樹脂
（８）でコンデンサ素子（１）を被覆し、更にその上の
ケース開口部に熱硬化性の非可撓性外装樹脂（例えばエ
ポキシ樹脂）（７）を充填し、８５〜１０５℃の温度で
長時間放置して硬化させさせることが既に提案されてい
る。しかしながら、変性アクリル樹脂（８）を用いると
確かに耐熱試験における特性劣化は改善されるものの未
だ不十分であり、更に耐熱性を向上させることが望まれ
る。
示す如く変性アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の被覆樹脂
（８）でコンデンサ素子（１）を被覆し、更にその上の
ケース開口部に熱硬化性の非可撓性外装樹脂（例えばエ
ポキシ樹脂）（７）を充填し、８５〜１０５℃の温度で
長時間放置して硬化させさせることが既に提案されてい
る。しかしながら、変性アクリル樹脂（８）を用いると
確かに耐熱試験における特性劣化は改善されるものの未
だ不十分であり、更に耐熱性を向上させることが望まれ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の如き
半田付け時の熱ストレスに対しても漏れ電流が殆んど変
わることのない耐熱性に優れた有機半導体固体電解コン
デンサを提供するための製造方法を明らかにするもので
ある。
半田付け時の熱ストレスに対しても漏れ電流が殆んど変
わることのない耐熱性に優れた有機半導体固体電解コン
デンサを提供するための製造方法を明らかにするもので
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の製造
方法は、コンデンサ素子に加熱融解したＴＣＮＱ錯塩を
含浸し、冷却固化させた後、その上に揮発性分散媒を含
まない粉体塗料の層を形成し、該粉体塗料層の加熱融解
前に該粉体塗料層をエポキシ樹脂にて被覆し、該エポキ
シ樹脂を粉体塗料の融解温度より低い温度で加熱硬化さ
せた後、前記粉体塗料を加熱融解硬化させることを特徴
とする。
方法は、コンデンサ素子に加熱融解したＴＣＮＱ錯塩を
含浸し、冷却固化させた後、その上に揮発性分散媒を含
まない粉体塗料の層を形成し、該粉体塗料層の加熱融解
前に該粉体塗料層をエポキシ樹脂にて被覆し、該エポキ
シ樹脂を粉体塗料の融解温度より低い温度で加熱硬化さ
せた後、前記粉体塗料を加熱融解硬化させることを特徴
とする。
【００１０】また、本発明による第２の製造方法は、コ
ンデンサ素子に加熱融解したＴＣＮＱ錯塩を含浸し、冷
却固化させた後、そのコンデンサ素子を揮発性分散媒を
含まない粉体塗料にて被覆し、該粉体塗料を１気圧以上
の水蒸気により融解硬化させることを特徴とする。
ンデンサ素子に加熱融解したＴＣＮＱ錯塩を含浸し、冷
却固化させた後、そのコンデンサ素子を揮発性分散媒を
含まない粉体塗料にて被覆し、該粉体塗料を１気圧以上
の水蒸気により融解硬化させることを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記第１の製造方法によれば、ＴＣＮＱ錯塩を
含浸したコンデンサ素子を直接被覆している粉体塗料層
が加熱等により融解硬化させる前に該粉体塗料をエポキ
シ樹脂にて被覆し、該エポキシ樹脂を前記粉体塗料が融
解硬化する温度より低い温度で硬化させた後、粉体塗料
を加熱融解して硬化させるので、図２に示す如くコンデ
ンサ内部に空間（１０）が生じ、この空間の存在によ
り、従来からの問題であった被覆樹脂の半田付け時の熱
ストレスに起因する収縮或いは膨張といったコンデンサ
素子に対する影響が極めて少なくなり、その結果、熱ス
トレスに基づく漏れ電流の増加が抑制される。
含浸したコンデンサ素子を直接被覆している粉体塗料層
が加熱等により融解硬化させる前に該粉体塗料をエポキ
シ樹脂にて被覆し、該エポキシ樹脂を前記粉体塗料が融
解硬化する温度より低い温度で硬化させた後、粉体塗料
を加熱融解して硬化させるので、図２に示す如くコンデ
ンサ内部に空間（１０）が生じ、この空間の存在によ
り、従来からの問題であった被覆樹脂の半田付け時の熱
ストレスに起因する収縮或いは膨張といったコンデンサ
素子に対する影響が極めて少なくなり、その結果、熱ス
トレスに基づく漏れ電流の増加が抑制される。
【００１２】一方、上記第２の製造方法によれば、コン
デンサ素子に融解液化したＴＣＮＱ錯塩を含浸し、冷却
固化させた後、そのコンデンサ素子を揮発性分散媒を含
まない粉体塗料にて被覆し、該粉体塗料を１気圧以上の
水蒸気により融解硬化させるが、１気圧以上の水蒸気下
では雰囲気温度が１００℃以上となるため、粉体塗料が
温度的に融解するに足る条件となる。而して粉体塗料に
は一般に重合度の高い高分子が使用されているため１気
圧以上の水蒸気の影響を受けると、高分子間に水分子が
入り込んだ状態で粉体塗料が融解硬化する。従ってＴＣ
ＮＱ錯塩に対して当然水分子が作用することが予想さ
れ、例えばＴＣＮＱ錯体中のラジカル部であるＴＣＮＱ
は、ジュール熱等により不均化反応を誘発し、Ｐ−フェ
ニレンジマロノニトリルを生成するに至る。また、コン
デンサ素子側の陽極酸化皮膜上においても高圧の水蒸気
の作用によりγ−Ａｌ2Ｏ3・Ｈ2Ｏ（ベーマイト）等が
生成し、酸化皮膜欠損部等が封孔されて、高温の半田付
け後においても漏れ電流が著しく低減する。
デンサ素子に融解液化したＴＣＮＱ錯塩を含浸し、冷却
固化させた後、そのコンデンサ素子を揮発性分散媒を含
まない粉体塗料にて被覆し、該粉体塗料を１気圧以上の
水蒸気により融解硬化させるが、１気圧以上の水蒸気下
では雰囲気温度が１００℃以上となるため、粉体塗料が
温度的に融解するに足る条件となる。而して粉体塗料に
は一般に重合度の高い高分子が使用されているため１気
圧以上の水蒸気の影響を受けると、高分子間に水分子が
入り込んだ状態で粉体塗料が融解硬化する。従ってＴＣ
ＮＱ錯塩に対して当然水分子が作用することが予想さ
れ、例えばＴＣＮＱ錯体中のラジカル部であるＴＣＮＱ
は、ジュール熱等により不均化反応を誘発し、Ｐ−フェ
ニレンジマロノニトリルを生成するに至る。また、コン
デンサ素子側の陽極酸化皮膜上においても高圧の水蒸気
の作用によりγ−Ａｌ2Ｏ3・Ｈ2Ｏ（ベーマイト）等が
生成し、酸化皮膜欠損部等が封孔されて、高温の半田付
け後においても漏れ電流が著しく低減する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の第１実施例について図２を参
照しながら説明する。該第１実施例においては、まず、
アルミケース（５）内にＴＣＮＱ錯塩（例えば、Ｎ，
Ｎ，−ペンタメチレンルチジニウム2・ＴＣＮＱ4とＮ，
−フエネチルルチジニウム・ＴＣＮＱ2の等量混合物）
（６）の粉末を入れて、ケー ス（５）を加熱し、３２
０℃でＴＣＮＱ錯塩を加熱融解し、予熱しておいた化成
・炭化（セパレータ紙）処理済みのコンデンサ素子
（１）にＴＣＮＱ錯塩を含浸させた後、急冷する。その
後、揮発性分散媒を含まない粉体塗料（９）をアルミケ
ース（５）内に入れ、コンデンサ素子（１）を被覆す
る。次にアルミケース内にエポキシ樹脂（７）を注入し
粉体塗料（９）が融解する温度より低い温度、例えば８
５℃の温度で硬化させる。その後１５０℃前後の温度で
粉体塗料（９）を加熱融解硬化させる。このためケース
（５）とコンデンサ素子（１）との間およびコンデンサ
素子（１）の上方に空間（１０）が生じ、この空間の存
在により、従来からの問題であった被覆樹脂の半田付け
時の熱ストレスに起因する収縮或いは膨張といった素子
に対する影響が極めて少なくなり、その結果、熱ストレ
スに基づく漏れ電流の増加が抑制される。
照しながら説明する。該第１実施例においては、まず、
アルミケース（５）内にＴＣＮＱ錯塩（例えば、Ｎ，
Ｎ，−ペンタメチレンルチジニウム2・ＴＣＮＱ4とＮ，
−フエネチルルチジニウム・ＴＣＮＱ2の等量混合物）
（６）の粉末を入れて、ケー ス（５）を加熱し、３２
０℃でＴＣＮＱ錯塩を加熱融解し、予熱しておいた化成
・炭化（セパレータ紙）処理済みのコンデンサ素子
（１）にＴＣＮＱ錯塩を含浸させた後、急冷する。その
後、揮発性分散媒を含まない粉体塗料（９）をアルミケ
ース（５）内に入れ、コンデンサ素子（１）を被覆す
る。次にアルミケース内にエポキシ樹脂（７）を注入し
粉体塗料（９）が融解する温度より低い温度、例えば８
５℃の温度で硬化させる。その後１５０℃前後の温度で
粉体塗料（９）を加熱融解硬化させる。このためケース
（５）とコンデンサ素子（１）との間およびコンデンサ
素子（１）の上方に空間（１０）が生じ、この空間の存
在により、従来からの問題であった被覆樹脂の半田付け
時の熱ストレスに起因する収縮或いは膨張といった素子
に対する影響が極めて少なくなり、その結果、熱ストレ
スに基づく漏れ電流の増加が抑制される。
【００１４】表１は本発明第１実施例に含まれる実施例
（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）と従来例（Ｄ）（Ｅ）と比較例
（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）について、表面実装時のハンダ付け
時の熱を想定したリフロー試験の結果を示すものであ
る。このリフロー試験とはコンデンサをリフロー炉の中
で１６０℃に２分間保持し、それに引き続いて２３０℃
に３０秒間保持した際の特性を調べる実験である。而し
て表１においては定格２５Ｖ、容量１．５μＦのコンデ
ンサについての特性値を示す。
（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）と従来例（Ｄ）（Ｅ）と比較例
（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）について、表面実装時のハンダ付け
時の熱を想定したリフロー試験の結果を示すものであ
る。このリフロー試験とはコンデンサをリフロー炉の中
で１６０℃に２分間保持し、それに引き続いて２３０℃
に３０秒間保持した際の特性を調べる実験である。而し
て表１においては定格２５Ｖ、容量１．５μＦのコンデ
ンサについての特性値を示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表２は表１に示した各コンデンサ素子
（１）の被覆材（８）（９）および外装材（７）を詳細
に示す表である。
（１）の被覆材（８）（９）および外装材（７）を詳細
に示す表である。
【００１７】
【表２】
【００１８】表１から判る如く、実施例（Ａ）（Ｂ）
（Ｃ）においては半田付け後の漏れ電流特性が極めて良
好である。一方、従来例（Ｄ）（Ｅ）や比較例（Ｇ）〜
（Ｈ）においては被覆材の機械的なストレス等によると
思われる漏れ電流特性の劣化が大きい。
（Ｃ）においては半田付け後の漏れ電流特性が極めて良
好である。一方、従来例（Ｄ）（Ｅ）や比較例（Ｇ）〜
（Ｈ）においては被覆材の機械的なストレス等によると
思われる漏れ電流特性の劣化が大きい。
【００１９】次に、本発明の第２実施例について図１を
参照しながら説明する。該第２実施例は高圧且つ大容量
（例えば、定格２５Ｖ、容量３．３μＦ）の有機半導体
固体電解コンデンサに適用して好適な製造方法である。
即ち、前述の第１実施例による製造方法は、定格２５Ｖ
以上でしかも容量３．３μＦ以上のコンデンサ（高ＣＶ
積のコンデンサ）の製造方法としては未だ耐熱的に不十
分なものであり、更にに耐熱性を向上させることが望ま
れていた。この第２実施例はその願望に応えるものであ
る。
参照しながら説明する。該第２実施例は高圧且つ大容量
（例えば、定格２５Ｖ、容量３．３μＦ）の有機半導体
固体電解コンデンサに適用して好適な製造方法である。
即ち、前述の第１実施例による製造方法は、定格２５Ｖ
以上でしかも容量３．３μＦ以上のコンデンサ（高ＣＶ
積のコンデンサ）の製造方法としては未だ耐熱的に不十
分なものであり、更にに耐熱性を向上させることが望ま
れていた。この第２実施例はその願望に応えるものであ
る。
【００２０】該第２実施例においては、まずアルミケー
ス（５）内に入れたＴＣＮＱ錯塩（例えばＮ，Ｎ，−ペ
ンタメチレンルチジニウム2・ＴＣＮＱ4とＮ−フェネチ
ルルチジニウム・ＴＣＮＱ2の等量混合物（６）を３２
０℃で加熱融解し、予熱しておいた化成・炭化（セパレ
ータ紙）処理済のコンデンサ素子（１）を含浸し、急冷
する。その後、揮発性分散媒を含まない粉体塗料（例え
ばポリエステル系粉体塗料）（９）をアルミケース内に
入れ、コンデンサ素子（１）を被覆する。次に表３に示
す如き水蒸気の条件下で粉体塗料（９）を融解硬化した
後、エポキシ樹脂（７）にてアルミケース開口部を封止
する。
ス（５）内に入れたＴＣＮＱ錯塩（例えばＮ，Ｎ，−ペ
ンタメチレンルチジニウム2・ＴＣＮＱ4とＮ−フェネチ
ルルチジニウム・ＴＣＮＱ2の等量混合物（６）を３２
０℃で加熱融解し、予熱しておいた化成・炭化（セパレ
ータ紙）処理済のコンデンサ素子（１）を含浸し、急冷
する。その後、揮発性分散媒を含まない粉体塗料（例え
ばポリエステル系粉体塗料）（９）をアルミケース内に
入れ、コンデンサ素子（１）を被覆する。次に表３に示
す如き水蒸気の条件下で粉体塗料（９）を融解硬化した
後、エポキシ樹脂（７）にてアルミケース開口部を封止
する。
【００２１】
【表３】
【００２２】表４は、前記表３の条件（Ａ）（Ｂ）
（Ｃ）に対応する実施例（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）と、前記第
１実施例に従って外装のエポキシ樹脂を硬化させた後で
粉体塗料を加熱融解硬化させる方法により製造した比較
例（Ｄ）について、表面実装時のハンダ付け時の熱を想
定したリフロー試験の結果を示すものである。このリフ
ロー試験とはコンデンサをリフロー炉の中で１６０℃に
２分間保持し、それに引き続いて２３０℃に３０秒間保
持した際の特性を調べる実験である。而して表４におい
ては定格２５Ｖ、容量３．３μＦのコンデンサについて
の特性値を示す。
（Ｃ）に対応する実施例（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）と、前記第
１実施例に従って外装のエポキシ樹脂を硬化させた後で
粉体塗料を加熱融解硬化させる方法により製造した比較
例（Ｄ）について、表面実装時のハンダ付け時の熱を想
定したリフロー試験の結果を示すものである。このリフ
ロー試験とはコンデンサをリフロー炉の中で１６０℃に
２分間保持し、それに引き続いて２３０℃に３０秒間保
持した際の特性を調べる実験である。而して表４におい
ては定格２５Ｖ、容量３．３μＦのコンデンサについて
の特性値を示す。
【００２３】
【表４】
【００２４】表４から判る如く、実施例（Ａ）（Ｂ）
（Ｃ）においては半田付け後の漏れ電流特性が極めて良
好であるが、比較例（Ｄ）においては半田付け後の漏れ
電流特性の劣化が大きい。
（Ｃ）においては半田付け後の漏れ電流特性が極めて良
好であるが、比較例（Ｄ）においては半田付け後の漏れ
電流特性の劣化が大きい。
【００２５】このように、上記第２実施例の製造方法に
おいては、コンデンサ素子に融解液化したＴＣＮＱ錯塩
を含浸し、冷却固化させた後、そのコンデンサ素子を揮
発性分散媒を含まない粉体塗料にて被覆し、該粉体塗料
を１気圧以上の水蒸気により融解硬化させるが、１気圧
以上の水蒸気下では、雰囲気温度は１００℃以上となる
ため、粉体塗料が温度的に融解するに足る条件となる。
而して粉体塗料には一般に重合度の高い高分子が使用さ
れているため１気圧以上の水蒸気の影響を受けると、高
分子間に水分子が入り込んだ状態で粉体塗料が融解硬化
するものと推測される。従ってＴＣＮＱ錯塩に対して当
然水分子が作用することが予想され、例えばＴＣＮＱ錯
体中のラジカル部であるＴＣＮＱは、ジュール熱等によ
り不均化反応を誘発し、Ｐ−フェニレンジマロノニトリ
ルを生成するに至ることが推測される。またコンデンサ
素子側の陽極酸化皮膜上においても、高圧の水蒸気の作
用によりγ−Ａｌ2Ｏ3・Ｈ2Ｏ（ベーマイト）等が生成
し、酸化皮膜欠損部等が封孔されるということも加えて
考えられることから、高温の半田付け後においても漏れ
電流が著しく低減するものと推測される。
おいては、コンデンサ素子に融解液化したＴＣＮＱ錯塩
を含浸し、冷却固化させた後、そのコンデンサ素子を揮
発性分散媒を含まない粉体塗料にて被覆し、該粉体塗料
を１気圧以上の水蒸気により融解硬化させるが、１気圧
以上の水蒸気下では、雰囲気温度は１００℃以上となる
ため、粉体塗料が温度的に融解するに足る条件となる。
而して粉体塗料には一般に重合度の高い高分子が使用さ
れているため１気圧以上の水蒸気の影響を受けると、高
分子間に水分子が入り込んだ状態で粉体塗料が融解硬化
するものと推測される。従ってＴＣＮＱ錯塩に対して当
然水分子が作用することが予想され、例えばＴＣＮＱ錯
体中のラジカル部であるＴＣＮＱは、ジュール熱等によ
り不均化反応を誘発し、Ｐ−フェニレンジマロノニトリ
ルを生成するに至ることが推測される。またコンデンサ
素子側の陽極酸化皮膜上においても、高圧の水蒸気の作
用によりγ−Ａｌ2Ｏ3・Ｈ2Ｏ（ベーマイト）等が生成
し、酸化皮膜欠損部等が封孔されるということも加えて
考えられることから、高温の半田付け後においても漏れ
電流が著しく低減するものと推測される。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば半田付け
後においても極めて漏れ電流特性の優れた有機半導体固
体電解コンデンサが得られる。
後においても極めて漏れ電流特性の優れた有機半導体固
体電解コンデンサが得られる。
【図１】本発明第２実施例による有機半導体固体電解コ
ンデンサの断面図である。
ンデンサの断面図である。
【図２】本発明第１実施例による有機半導体固体電解コ
ンデンサの断面図である。
ンデンサの断面図である。
【図３】第１従来例による有機半導体固体電解コンデン
サの断面図である。
サの断面図である。
【図４】第２従来例による有機半導体固体電解コンデン
サの断面図である。
サの断面図である。
１ コンデンサ素子 ２ 陽極リード ３ 陰極リード ４ リードボス ５ アルミケース ６ ＴＣＮＱ錯塩 ７ エポキシ樹脂 ８ 変性アクリル樹脂 ９ 粉体塗料 １０ 空間
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁
作用を有する金属の表面に陽極酸化或は陽極化成により
酸化皮膜を設けた陽極箔と該金属の薄箔よりなる陰極箔
との間にセパレータ紙を介して巻回したコンデンサ素子
に、加熱融解可能で且つ冷却固化後コンデンサ用電解質
として使用し得る電導度を有するＴＣＮＱ錯塩を加熱融
解して含浸させ、冷却固化させて固体電解質層を形成
し、該固体電解質層上に揮発性分散媒を含まない粉体塗
料の層を形成し、該粉体塗料層の加熱融解前に該粉体塗
料層を熱硬化性樹脂にて被覆し、該熱硬化性樹脂を前記
粉体塗料の融解温度より低い温度で加熱硬化させた後、
前記粉体塗料を加熱融解硬化させることを特徴とする有
機半導体固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 粉体塗料はエポキシ系粉体塗料、アクリ
ル系粉体塗料、ポリエステル系粉体塗料のうち少なくと
もいずれか一つを含む請求項１に記載の有機半導体固体
電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項３】 アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁
作用を有する金属の表面に陽極酸化或は陽極化成により
酸化皮膜を設けた陽極箔と該金属の薄箔よりなる陰極箔
との間にセパレータ紙を介して巻回したコンデンサ素子
に、加熱融解可能で且つ冷却固化後コンデンサ用電解質
として使用し得る電導度を有するＴＣＮＱ錯塩を加熱融
解して含浸させ、冷却固化させて固体電解質層を形成
し、該固体電解質層上に揮発性分散媒を含まない粉体塗
料の層を形成し、１気圧以上の水蒸気により該粉体塗料
の層を融解させることを特徴とする有機半導体固体電解
コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 粉体塗料はポリエステル系粉体塗料であ
る請求項３に記載の有機半導体固体電解コンデンサの製
造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3078738A JPH0750663B2 (ja) | 1990-06-29 | 1991-04-11 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
| EP91110487A EP0464605B1 (en) | 1990-06-29 | 1991-06-25 | Solid electrolytic capacitor with organic semiconductor and method of manufacturing the same |
| DE69115770T DE69115770T2 (de) | 1990-06-29 | 1991-06-25 | Festelektrolytkondensator mit organischem Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US07/722,424 US5117333A (en) | 1990-06-29 | 1991-06-27 | Solid electrolytic capacitor with organic semiconductor and method of manufacturing the same |
| KR1019910010925A KR100199321B1 (ko) | 1990-06-29 | 1991-06-28 | 유기 반도체 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17337190 | 1990-06-29 | ||
| JP3-11337 | 1991-01-31 | ||
| JP2-173371 | 1991-01-31 | ||
| JP1133791 | 1991-01-31 | ||
| JP3078738A JPH0750663B2 (ja) | 1990-06-29 | 1991-04-11 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPH04297012A JPH04297012A (ja) | 1992-10-21 |
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH0750663B2 (ja) |
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| US5766271A (en) * | 1994-11-24 | 1998-06-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process for producing solid electrolyte capacitor |
| US5790368A (en) * | 1995-06-27 | 1998-08-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor and manufacturing method thereof |
| DE69832815T2 (de) * | 1997-11-28 | 2006-09-14 | Nippon Chemi-Con Corp., Ome | Elektrolytkondensator |
| US6477037B1 (en) * | 1998-04-03 | 2002-11-05 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device having flat electrolytic capacitor with miniaturized epoxy connector droplet |
| US6402793B1 (en) * | 1998-04-03 | 2002-06-11 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device having flat electrolytic capacitor with cathode/case electrical connections |
| US6552896B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| TW507228B (en) * | 2000-03-07 | 2002-10-21 | Sanyo Electric Co | Solid phase electrolytic capacitor |
| CA2419291A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body |
| DE10141354C1 (de) * | 2001-08-23 | 2003-04-10 | Epcos Ag | Gehäuse für elektrische Bauelemente, insbesondere Kondensatoren |
| US7297621B2 (en) | 2003-04-15 | 2007-11-20 | California Institute Of Technology | Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors |
| US7085127B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-08-01 | Vishay Sprague, Inc. | Surface mount chip capacitor |
| WO2006022049A1 (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ |
| CN1773640B (zh) * | 2005-09-06 | 2010-05-12 | 万裕三信电子(东莞)有限公司 | 固体电解电容器的制造方法 |
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| EP4113555A4 (en) * | 2020-02-28 | 2024-01-10 | Sun Electronic Industries Corp. | CAPACITOR |
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|---|---|---|---|---|
| US3443164A (en) * | 1967-03-13 | 1969-05-06 | Sprague Electric Co | Rolled aluminum slug capacitor |
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| JPS6252939A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置 |
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| EP0405181B1 (de) * | 1989-06-29 | 1994-10-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrolytkondensator |
-
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- 1991-04-11 JP JP3078738A patent/JPH0750663B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1991-06-25 DE DE69115770T patent/DE69115770T2/de not_active Expired - Fee Related
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- 1991-06-28 KR KR1019910010925A patent/KR100199321B1/ko not_active Expired - Fee Related
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