JPH07507035A - 光伝送デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

光伝送デバイスおよびその製造方法

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JPH07507035A JP6500037A JP50003794A JPH07507035A JP H07507035 A JPH07507035 A JP H07507035A JP 6500037 A JP6500037 A JP 6500037A JP 50003794 A JP50003794 A JP 50003794A JP H07507035 A JPH07507035 A JP H07507035A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光伝送デバイスおよびその製造方法 技術分野 本発明は、光伝送デバイスおよび光伝送デバイスの製造方法に関する。本発明に おいて、「光伝送デバイス」との表現は、プレーナー型光学構造体（ｐｌａｎａ ｒｏｐｔｉｃａｌ　５ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）　、光ファイバーおよび光ファイバ ーの母材を包含するものとする。
背景技術 ガラスの光学的特性は当該ガラスの組成に強く影響され、０ＶＰＯ（ｏｕｔｓｉ ｄｅｖａｐｏｕｒ　ｐｈａｓｅ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　；外付は気相酸化法）　 、ＭＣＶＤ　（ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓ ｉｔｉｏｎ　；肉付は化学気相堆積法）、二重坩堝法等の、ライトガイドの製造 に用いる多種の方法や溶液ドーピング法が提案されている。
上記ＭＣＶＤにおいては、気体材料を高温で酸化させ、回転させているガラス管 の内面に堆積させる。当該管は一般的には酸水素トーチ（ｏｘｙｈｙｄｒｏｇｅ ｎ　ｔｏｒｃｈ）を用いて外部から加熱し、０２、ＡｒもしくはＨｅのようなキ ャリアガスを液体のドーパント供給源に通したり、あるいは気体のドーパントを 用いることによって、量を制御しなから気体材料をガスの流れに乗せる。室温に おいて適度な蒸気圧を存することから、５ｔＣＩ＊　、ＳｉＦ４、ＧｅＣｌ５　 、ＢＣＩｓ　、ＢＢｒｓ、Ｐｃ’ｓ、ｐｏｃｔｓ、ｓＦｓ、ＣＦ４およびＣＣ１ １Ｆ、のようナハロゲン化物か一般的に用いられる。
上記気体材料は、高純度のものであり、一般的には酸水素トーチによって加熱す ると、酸素と反応してガラス質の粒子を形成し、ＭＣＶＤの場合にはガラス管内 面にガラス質の膜状として堆積する。通常、堆積の際の温度は、基材管の歪みを 生じることなく、堆積した物質を焼結するのに十分な温度とする。酸水素トーチ を繰り返しあてることにより、ガラス物質が積層される。その組成は、用いる材 料の種類および量により決定される。
一般的には、数層のクラッド層を堆積させ、ついで、最終的には光コアイノくの コアとなる単層または多層を堆積させる。堆積についで、酸水素トーチの温度を 上昇させることによって、管および堆積層を潰して中実の母材を形成する。この 後、該母材を光ファイバに引き落とす。
溶液ドーピング法においては、光ファイバのコア層をＭＣＶＤの場合と同様の方 法により堆積させるが、温度かＭＣＶＤの場合より低温であるため、その結果焼 結したガラスよりもフリット（ｆｒｉｔ；焼結していない多孔質のスス）か堆積 する。フリットは焼結したガラスよりも著しく大きな表面積を有する。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　Ｖｏｌ　２３．　Ｎｏ、　７．第３２ ９〜３３１頁には、希土類元素をドープした光ファイバの製造に用いられる溶液 ドーピング法が開示されている。
当該文献は、１時間までの間、０．１Ｍオーダーの濃度で必要なドーパント前駆 物質を溶解した水性溶液に焼結していない多孔質のススを浸漬することを開示し ている。浸漬に続いて、未焼結のススをアセトンで洗浄して余分な水分を除去し 、この後塩素ガスの流れの存在下に概ね６００°Ｃに加熱している。乾燥した未 焼結のススをこの後焼結し、公知の方法でこれを潰すことにより、光フアイバ母 材を形成している。Ｎｄ”、Ｈｏ人Ｅｕ代Ｅｒ人Ｙｂ”ｋよびＤｙ２１をドープ したことか報告されている。
ＥＣ０Ｃ，＋９８８　第４３３〜４３６頁には、溶液ドーピング法によりＡＩｔ Ｏ−を併せてドープした光ファイバの製造が開示されている。ＡｌＣｌ＋を水に 溶解して濃度３Ｍに及ぶ水性溶液を調製し、この中にフリットを浸漬している。
水性溶液への浸漬の後、管をとりだし、ついて、アセトンによる洗浄ではＡｌＣ ｌ５か除去されるため酸素および塩素ガスの混合ガスを流すことによって骸骨を 乾燥している。８．５モル％に達するＡＬＯｚ　ドーパントの濃度か得られたこ とか報告されている。
欧州出願第８９１２２５６１．７号（公開第０３７２５５０号）には、ドーパン ト前駆物質を無水有機溶媒に溶解する溶液ドーピング法を用いる光ファイバの製 造方法か開示されている。当該特許出願は、エタノールに溶解したＡＩＣＬおよ びＥｒＣ１５を用いることを例示している。
発明の要約 本願の第一発明は、以下の工程を有する光電送デバイスの製造方法を提供するも のである。
（ａ）ガラス基材上に多孔質のフリットを堆積させ、（ｂ）酸性のガラス網目修 飾成分前駆体で上記フリットを濡らし、（Ｃ）該酸性のガラス網目修飾成分前駆 体を縮合反応させ、さらに（ｄ）上記フリットを焼結する。
各種の酸化物（Ｓ　ｉＯｘ　、Ｇｅ０ｚ　、Ｂｔ　ＯｓおよびＰ、０．を含む） が、一般的にガラスと称される非結晶質の網目を形成することができる。このよ うな酸化物はガラス形成体（ｇｌａｓｓ　ｆｏｒｍｅｒｓ）と総称される。さら に、酸化物の各種の組み合わせがガラスを形成することができ（例えば、ゲルマ ニウム・ケイ酸ガラス（ｇｅｒｍａｎｏｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ））　、 この場合第一の酸化物（ゲルマニウム・ケイ酸ガラスの場合は５ｉｆｔ）の非結 晶質の網目が第二の酸化物（ゲルマニウム・ケイ酸ガラスの場合はＧｅ０ｚ）に より修飾される。第二の酸化物が第一の酸化物の構造特性を変える場合は、これ ら第二の酸化物はガラス網目修飾成分（ｇｌａｓｓｎｅｔｗｏｒｋ　ｍｏｄｉｆ ｉｅｒ）と称される。全てのガラス形成体はガラス網目修飾成分であるか、酸化 物には、「純粋な」ガラスを形成し得なくてもガラス網目を修飾することかでき るものもある。ガラス網目修飾成分には、Ｐ！　Ｏ８、Ｂｔ　Ｏｘ　、ＳｎＯ２ 、Ａｓｔ　Ｏｓ、５ｅａｔ、Ｇｅ０ｚ、ＳｉＯｘ、Ａｌｚ　ｏｌ、ＭｇＯおよび ＰｂＯか含まれる。ガラス形成体およびガラス網目修飾成分に加え、ガラス中で 蛍光特性を示す金属酸化物もあり、本明細書においてはこのような金属酸化物を ドーパント金属酸化物と称す。ドーパント金属酸化物には、クロム、チタンおよ び銅のような遷移金属、ならびにプラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロ ピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム 、ツリウムおよびイッテルビウムのような希土類金属の酸化物が含まれる。
酸素の供給源を含有する各種の酸は、水の脱離を伴う縮合反応を経るとガラス網 目修飾酸化物を生成し、このガラス網目修飾酸化物が非結晶質のガラス網目と調 和して機能し得る。このような酸を本明細書では酸性ガラス網目修飾成分前駆体 （ａｃｉｄｉｃ　ｇｌａｓｓ　ｎｅｔｗｏｒｋ　ｍｏｄｉｆｉｅｒ　ｐｒｅｃｕ ｒｓｏｒ）と称す。酸性ガラス網目修飾成分前駆体には、亜リン酸、リン酸、ホ ウ酸、スズ酸、ヒ酸、セレン酸、亜セレン酸、ゲルマニウム酸（ｇｅｒｍａｎｉ ｃ　ａｃｉｄ）、ケイ酸およびこれらの混合物か含まれる。
好ましくは、酸性ガラス網目修飾成分前駆体は、０−リン酸よりなるか、または これを含有する。リン酸は、商業的に多くの形態で入手することができるが、光 電送デバイスにおいて汚染物質となる物質の含有濃度が最小であるものを用いる ことが好ましい。好ましい形態のリン酸は、９９．９９９６の０−リン酸の８５ 重量％水溶液である。
ガラス網目修飾酸化物か専ら気体のハロゲン化物から誘導されるＭＣＶＤとは異 なり、本発明のガラス網目修飾成分には少なくとも液体から誘導されるものも存 在する。ドーパントか水性または無水有機溶媒に溶解した金属／％ロゲン化物か ら誘導される溶液ドーピング法に対し、本発明は、縮合反応を受ける酸素含有酸 を用いるものである。
ガラス網目修飾成分の前駆物質には、リン酸のように、大気温度下で極めて高粘 度のものもある。例えば、９９％のリン酸は、大気温度下では半結晶質となるこ ともある。フリットの濡れを促進するため、加熱または機械的攪拌によって酸性 ガラス網目修飾成分前駆体の粘度を低下させることか望ましい。
縮合反応を生じさせるため、酸性ガラス網目修飾成分前駆体で濡らしたフリット は低温の火炎（一般的には１０００°Ｃ未満）でフラッシュ加熱することか好ま しい。縮合反応で脱離した水は、上記加熱により蒸発する。
光ファイバにおいてはケイ酸塩ガラスおよびケイ酸ゲルマニウムガラスか最も一 般的に使用されるか、このような光ファイバの光学的特性は、ガラスにドーパン ト金属酸化物をドープすることによって実質的に変えることかできる。ただし、 ガラス中てのドーパント金属のイオンの溶解度は比較的低く、ケイ酸ゲルマニウ ムガラス中での溶解度は１００　ｐｐｍオーダーである。この溶解度を越えると 、一般に、ドープした金属イオンのクラスタが生じ、その結果急速なイオン−イ オンインターアクションによって光ファイバの性能が低下する。ガラス中でのド ーパント金属イオンの溶解度は、一般にガラス中にガラス網目修飾成分をとりこ むことによって向上させることができる。
好ましくは、本発明のフリットは、酸性ガラス網目修飾成分前駆体に加え、ドー パント金属酸化物の供給源によっても濡らすようにする。溶液ドーピング法によ るドーパント金属酸化物の供給源によるドーピングは前述の通りである。ただし 、前述の方法では、ドーピングにおいて、酸性ガラス網目修飾成分前駆体を縮合 反応に付することによってガラス網目修飾成分の濃度を向上させることは意図さ れていない。
好ましくは、ドーパント金属酸化物の供給源は、これに対応する金属の塩化物と する。好ましくは、該金属塩化物は、酸性ガラス網目修飾成分前駆体に溶解して 、フリットを濡らすのに用いる溶液とする。このような溶液でフリットを濡らす ことは、フリット中に酸性ガラス網目修飾成分前駆体およびドーパント金属酸化 物の供給源を均一に分布させることができるという利点を有する。本発明の一実 施慈様においては、当該溶液は、加熱した酸性ガラス網目修飾成分前駆体に金属 塩化物を加えることにより調製したメルトの形態となっている。
ドーパント金属酸化物の供給源に加えて、あるいはこれに代えて、フリットをガ ラス網目修飾成分の供給源で濡らすこともできる。即ち、本発明においては、酸 性ガラス網目修飾成分前駆体から誘導されるものに加え、ガラス網目修飾成分を フリットに導入することもできる。例えば、Ｐ、０．およびＡＩｔｏ、を、酸性 ガラス網目修飾成分前駆体およびガラス網目修飾成分によりそれぞれ導入するこ ともできる。ドーパント金属酸化物の供給源を用いる場合と同様に、ガラス網目 修飾成分の供給源はこれに対応する塩化物とし、該塩化物を、好ましくは酸性ガ ラス網目修飾成分前駆体に溶解して、フリットを濡らすのに用いる溶液とするこ とが望ましい。好ましいガラス網目修飾成分の供給源は、Ａ　Ｉ　Ｃ１ｓ　、Ｍ ｇＣ１ｚおよびＰｂＣ１，である。
本願の第二発明は、本願の第一発明の方法によって製造される光電送デバイスを 提供するものである。
本願の第一発明の方法は、平板状のガラス基材より得られる光電送デバイスの製 造および管状の基材より得られるものの製造の両方に適用することができる。
管状の基材の場合、フリットは通常管の内表面上に堆積させる。焼結後、当該管 および焼結されたフリットは通常、常套の方法によって潰されて中実の母材とさ れ、この母材が光ファイバに引き落とされる。この場合、焼結されたフリットが 光フーｒイバのコアとなる。あるいは、焼結された後項されるまでに、焼結され たフリット上にガラス層を堆積させてもよい。この場合も、当該管、焼結された フリットおよび堆積したガラス層はこの後項されて中実の母材とされ、この母材 か光ファイバに引き落とされる。この場合、焼結されたフリットは光ファイバの クラッド層、またはコア中で外側に存在する層となり、該フリット上に堆積した ガラス層が該光ファイバのコア、またはクラッド層中で内側に存在する層となる 。
したがって、本願の第一発明の方法によって、光ファイバのコア、光ファイバの クラッド層、光ファイバのコアおよびクラッド層の両者、あるいは光ファイバの コアおよびクラッド層の両者もしくは一方の一部の非結晶質の網目を修飾するこ とか容易となる。平板状のガラス基材の場合、焼結されたフリットは通常はプレ ーナー型光学構造体の層または層の一部となる。
前記したように、ガラス中でのドーパント金属イオンの溶解度は、ガラス中にガ ラス網目修飾成分をとりこむことによって向上させることができるが、この目的 のためには、五酸化第ニリン（Ｐｚ　ｏｓ　’）か好適である。ドーパント金属 イオンの溶解度を向上させる以外にも、光ファイバにリン酸塩ガラスをとりこむ ことで、当該光ファイバの光学的特性を大きく変えることもできる。例えば、リ ン酸塩ガラスのとりこみにより、ドーパント金属イオンの蛍光バンドの形状およ び／または寿命を変えることかできる。したがって、ｐ、ｏ、のモル％により測 定されるリン酸塩ガラス含有度の高い光ファイバとすることが好ましい。
光ファイバのコアへのリンのドーピングは化学気相堆積法によりなされており、 この方法では、ＰＣＢ、および／またはＰＯＣｌ、を気化させ、ガラス作製用の 旋盤上に載置して回転させている管の内部に注入する。当該管には、通常ガスの 流れと同方向に酸水素トーチを移動させる。当該蒸気は高温で反応してリン酸ガ ラス（Ｐ、ｏｓ　）の粒子を形成し、骸骨の表面に堆積する。その際の熱により 堆積物か融解して透明のリン酸ガラス膜を形成する。この膜か形成された管は、 この後項されて光ファイバの母材とされ、この母材が光ファイバに引き落とされ る。
管が潰されて母材とされる間の温度は２０００″Ｃオーダーに及ぶ。ＰｚＯｓは 約３００℃で昇華するため、この方法でとりこむことのできるリン酸塩ガラスの 量は、Ｐ、０．の揮発度によって制限される。
本願の第一発明の方法は、リン酸塩ガラス含有率の高い光ファイバの製造に特に 有用である。本願の第二発明の特に好ましい態様においては、８．５モル％を越 えるＰ、Ｏ，を含有するコアを存する光ファイバか提供される。好ましくは、上 記リン酸塩ガラス含有コアの周囲には高シリカ含有度のクラッド部を配設する。
さらに好ましくは、該クラッド部には、９５モル％を越える５ｉｏｔを含有させ る。
本願の第二発明のさらに好ましい態様においては、コアの周囲に、リン酸塩ガラ スを含有するクラッド部を有する光ファイバが提供される。好ましくは、該クラ ット部のＰ、０．含有率は８．５モル％より大とする。
別の光フアイバ構成用のガラスにリン酸塩ガラスをとりこむことによって、当該 ガラスの屈折率を変えることができる。光ファイバの製造においては、コアを構 成する材料と、その周囲のクラッド部を構成する材料の屈折率が異なることが重 要である。本発明はコアおよび周囲のクラッド部の両者がリン酸塩ガラスを含有 する光ファイバを包含するものであるが、上記のことがら、当該構成要素の一方 （コアおよび周囲のクラッド部のいずれが）が、他方の構成要素よりもリン酸塩 ガラスの含有度が大幅に高くなっていることが好ましい。好ましくは、コアおよ び周囲のクラッド部のいずれかのＰ２Ｏ，含有度が１０モル％より大、さらに好 ましくは１５モル％より大となるようにする。
望ましくは、本願の第二発明の光ファイバにはドーパント金属酸化物をドープす ることもできる。Ｐ、０．含有度の高い光ファイバの場合、高ＰｔＯｓ含有度の コアまたはクラッド部に対し、該コアおよびクラッド部のいずれかにおいて、ド ーパント金属酸化物を２モル％を越える含を率で含有させてもよい。
本願の第三発明は、リン酸塩ガラスを含有するコアの周囲に高シリカ含有度のク ラット部が配設され、該コアが８．５モル％、好ましくは１０モル％、さらに好 ましくは１５モル％を越えるＰ、０．を含有する光ファイバを提供するものであ る。好ましくは、該高シリカ含有度のクラッド部は、９５モル％を越える５ｉＯ ７を含有する。また好ましくは、該リン酸塩ガラス含有コアは、２モル％を越え る含有度でドーパント金属酸化物を含有する。本願の第三発明の好ましい態様に おいては、光ファイバは、８０〜９０モル％のＳ　ｉ　Ｏ＊、１０〜２０モル％ のＰ、０３．０〜３モル％のＹｂ、Ｏ，、Ｏ〜０．３モル％のＥｒｚＯｓ、０〜 ０．３モル％のＮｄ、Ｏ，および０〜０．３モル％のＴｂ２０．を含有するコア を有する。
図面の簡単な説明 図１は、実施例１で作製した母材の屈折率のプロフィルである。
図２は、実施例１で作製した光ファイバの吸収スペクトルである。
図３および４は、実施例１で作製した光ファイバの蛍光スペクトルである。
図５は、実施例４で作製した光ファイバの蛍光スペクトルである。
図６は、実施例１２で作製した母材の内部における酸化物分布のプロフィルであ る。
図７は、実施例１３で作製した光ファイバの吸収スペクトルである。
発明の最も好ましい実施方法 以下の実施例は本発明の好ましい実施態様を示すものであるが、決して発明の範 囲を限定するものではない。
実施例１ 外径および内径かそれぞれ２０ｍｍ、１６ｍｍて長さ＋００ｃｍの０ＰＴＩＱ− １００（商標）溶融石英チューブ２本を接合し、ＰＹＲＯＮＥＧ　（商標）溶液 中に一晩浸漬した。該チューブを脱塩水およびアセトンでほぼ完全に洗浄し、こ の後窒素を流して乾燥した。この洗浄および乾燥処理を施したチューブをガラス 作製用の旋盤上に載置し、該チューブの外側をアセトンで拭いた。
該チューブを旋盤で回転させ、天然ガストーチを該チューブの外側に沿って移動 させて加温した。該チューブの内部を、ＳＦ、を飽和させたＯ３流にてエツチン グした。０．流はこれに続く堆積工程の間中流しておいた。該トーチの温度は、 パイロメータによる測定で約１７００°Ｃに調整し、ＳｉＯ２、Ｐ２０ｈおよび Ｆの供給源をそれぞれ５ｉＣＩ４、ＰＯＣＩ＝およびＳＦ、として常套のＭＣＶ Ｄ法を用いてＳ　１０ｘ　／Ｐｉ　Ｏｓ　／Ｆクラッド部を堆積させた。該クラ ッド部はトーチを１５回あてる間に堆積させた。
Ｓ　１Ｃ１４、ＰＱＣＩｓおよびＳＦ、の導入を停止し、水素の火炎を用いてト ーチの温度を約２０００℃まで上げた。その結果、チューブが部分的に潰れてそ の径か縮小した。トーチ温度を約１２００°Ｃに下げ、５ｉＣＩ、およびＰＯＣ Ｉ。
を再度導入してＳ　ｔ　０２　／Ｐ２０ｓフリツトを堆積させた。トーチ温度を 約１７００″Ｃに上げて該フリットを焼結し、これにより、先に堆積したクラッ ド層と、この後堆積させるコアのフリットとの間の隔膜となる層か形成された。
トーチ温度を約１４００°Ｃに下げ、Ｓ　ｉＣｌ　４を再度導入してシリカのコ アフリットを堆積させた。チューブの一方の端部を溶融して封止し、該チューブ を旋盤から取り外した。
加温した９９％０−リン酸（Ｈ＝　ＰＯ４）に塩化ネオジム（ＮｄＣ１ｇ）を溶 解して予め調製しておいた溶液を約１５０°Ｃに加熱して該チューブ内に注入し た。
該チューブを約１時間オーブンに載置して、フリットか上記溶液て濡れるように した。当該溶液は、上記０−リン酸８０ｍ１を約＋５０°Ｃに加温し、ＮｄＣｌ ５　・６Ｈ，Ｏを攪拌しながら徐々に溶解することによって調製した。
加熱した空気でチューブの外側を加熱することによって、縮合反応を生じさせた 。この縮合反応で脱離した水は蒸発させ、フリットが不透明から透明に変わった ことが観察された。該チューブをオーブンから取り出し、余剰の溶液をチューブ から排出した。該チューブの封止した端部を切断して除去し、該チューブの外側 をアセトンで洗浄し、この洗浄したチューブを再度旋盤に載置した。
０、およびＰｏｃｋ、の流れて脱離した水を排除しながら、１０００″Ｃ未満の 温度下にて旋盤で該チューブを加熱することによって縮合反応を続行した。この 後０２を流すのを停止し、トーチ温度を約２０００°Ｃに上げて該フリットを焼 結し、母材を潰しｔ：。
母材を旋盤から取り外し、その屈折率を測定した。該母材の屈折率のプロフィル は図１に示す通りである。なお、図１の横軸は５ｉＯｚの屈折率に相当し、縦軸 上の水平方向のダッシュの長い方のそれぞれは屈折率の増分０．００１を示す。
したがって、中心から約０．５ｍｍの両サイドにおけるピークでは、屈折率が５ ｉ０２よりも約０．０１９５大きくなっている。
上記母材のコアの切片を電子顕微鏡検査によって分析し、サンプル数で平均した ５ｉＯｔ、Ｐ、ＯｓおよびＮｄ２０ｉの濃度は表１に示す通りである。
上記母材を常套の方法により光ファイバに引き落とし、該光ファイバの分光特性 を測定した。該光ファイバの吸収スペクトルは図２に示す通りであり、蛍光スペ クトルは図３および４に示す通りである。４Ｆｓ７ｚ→　Ｉ　１１４の蛍光のピ ークにおいてＩＯ３ｌｎｍへのシフトがあるので、図３および４から蛍光の線幅 が狭いことか明らかであり、このことから、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉ ｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、　１９７５．４６゜第１１９１〜１１９６頁で報告され ている五リン酸ネオジムガラスのガラ又網目構造と同様のガラス網目構造か示唆 される。
実施例２ 処理パラメータを若干代えて実施例１と同し操作を繰り返し、ＰｔＯｓにより修 飾しＮｄ２０．をドープしたケイ酸塩ガラスのコアを存する光ファイバを作製し た。得られたコアは、実施例１よりも少量のＰｚＯｓおよび多量の５ｉＯｚを含 有するものであった。電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
実施例３ 予め溶液を調製しておく際に、２．０ｇのＹｂＣｌ、・６Ｈ，ＯおよびＯ，Ｉｇ のＥｒＣｌ５　・６Ｈ２０を７０ｍ１の叶り゛ノ酸に溶解する以外は実施例１と 同し操作を繰り返した。得られた光ファイバのコアは、Ｐ、０．により修飾しＹ ｂ、Ｏ。
およびＥｒｚＯｓの両方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。
電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
実施例４ 実施例３で予め調製した溶液６０ｍ１にさらに６．５ｇのＹｂＣ１，・６Ｈ２０ を溶解して予め溶液を調製しておく以外は実施例１と同し操作を繰り返した。得 られた光ファイバのコアは、ＰｔＯｓにより修飾しＹｂｔＯｚおよびＥｒ２０ｉ の両方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。電子顕微鏡検査の 結果は表１に示す通りである。
該光ファイバの蛍光スペクトルは図５に示す通りであり、これより、蛍光線幅か 極めて狭いことが明らかである。
害裏惧旦 １１５ｇのＹｂＣ１＝　・６Ｈ！　Ｏおよび０．５ｇのＥｒＣｌａ　’６Ｈ＊　 Ｏを９０ｍ１の０−リン酸に溶解して予め溶液を調製しておく以外は実施例１と 同じ操作を繰り返した。得られた光ファイバのコアは、Ｐ２０．により修飾しｙ ｂ、ｏ。
およびＥｒｚＯｚの両方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。
電子ＩＪ１１微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
実施例６ １０、　０ｇ　（ＤＹｂ　Ｃ１＊　・６　Ｈｚ　Ｏおよび１．ＯｇのＴｂＣｌ５ 　’６Ｈｔ　Ｏ’Ｅ：９０ｍ１の０−リン酸に溶解して予め溶液を調製しておく 以外は実施例１と同じ操作を繰り返した。得られた光ファイバのコアは、Ｐｒｏ ｓにより修飾しＹ　ｂ　２０−およびＴｂ、Ｏ，の両方をドープしたケイ酸塩ガ ラスを含有するものであった。
電子ｗｌｌ微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
実施例７ フリットおよび予め調製した溶液の両者を実施例１と異なるものとする以外は実 施例１と同し操作を繰り返した。
フリットの堆積の間、５ｉＣＩｎに加えてＧｅＣｌ４流をチューブに流入させた 。予メ調製シタ溶液は、２．　Ｏｇ　ノＹｂＣＩｓ　・６Ｈ２０，２，Ｏｇ　（ ＤＡＩＣＩａ・６Ｈ２０および０．１ｇのＥ　ｒ　Ｃ］　Ｉ２　・６Ｈ２ｏを７ ０ｍ１の叶リン酸に溶解することによって調製した。得られた光ファイバのコア は、ＰｔＯｓ、ＧｅＯｘおよびＡｌｚＯｚにより修飾しＹｂ、Ｏ，およびＥｒ２ ０ｓをドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。電子顕微鏡検査の結 果は表１に示す通りである。
８０ｍ１のＨ，ＰＯ４をＰｂ　（Ｎｏ、）　２　（約５ｇ）で飽和させて予め溶 液を調製しておく以外は実施例１と同し操作を繰り返した。得られた光ファイバ のコアは、Ｐ２Ｏ，により修飾しＰｂＯをドープしたケイ酸塩ガラスを含有する ものであった。電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
実施例９ 約２８０ｍ１の水を約５０．０ｇのＨ３ＢＯｉで飽和させて予め溶液を調製して おく以外は実施例１と同し操作を繰り返した。ホウ素が軽量すぎて定量できない ので、母材のコアは電子顕微鏡検査によっては分析することがてきなかったか、 得られた光ファイバのコアは、Ｂ２Ｏ３により修飾したケイ酸塩ガラスを含有す ると確信する。
実施例１０ ］１．ＯｇのＹｂＣｌ、−６８２０および１．０ｇのＥｒＣ１，・６Ｈ２０を８ ５ｍ１の０−リン酸に溶解して予め溶液を調製しておく以外は実施例１と同し操 作を繰り返した。得られた光ファイバのコアは、Ｐ２Ｏ５により修飾しｙｂ、ｏ 。
およびＥｒｔＯｓの両方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。
電子１ｆｌＲ鏡検査の結果は表１に示す通りである。
上記光ファイバで構成した光フアイバアンプは、１１０５３ｎにおいて吸収ボン ブカ（ａｂｓｏｒｂｅｄ　ｐｕｍｐ　ｐｏｗｅｒ）　４７５ｍＷで＋２１．２ｄ Ｂｍの飽和出力レベルを示しブこ。
実施例１１ ３．０ｇのＮｄＣＬ　・６Ｈ，Ｏを８０ｍ１の０−リン酸に溶解して予め溶液を 調製しておく以外は実施例１と同じ操作を繰り返した。得られた光ファイバのコ アは、Ｐ、Ｏ，により修飾しＮｄ２Ｏ５をドープしたケイ酸塩ガラスを含有する ものであった。電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
実施例１２ ７．０ｇのＹｂＣ１，・６Ｈ，Ｏおよび０．６５ｇのＥｒＣｌ−・６Ｈｇ　Ｏを ５０ｍ１の０−リン酸に溶解して予め溶液を調製しておく以外は実施例１と同し 操作を繰り返した。得られた光ファイバのコアは、Ｐ、Ｏ，により修飾しＹｂ、 ○。
およびＥｒｔＯ３の両方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。
電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
母材内部における酸化物の分布を電子顕微鏡により測定した。その結果は図６に 示す通りであり、これより、ドーパント金属（イッテルビウムおよびエルビウム ）の分布が、ガラス網目修飾成分（Ｐ２０ｓ）の分布を反映していることが明ら かである。なお、図６の縦軸には、酸化物濃度の２通りのスケールが示されてお り、０〜２０モル％のスケールはＰ、Ｏ，に関するものであり、０〜５モル％の スケールはｙｂ、ｏ、およびＥｒ２Ｃｈに関するものである。
実施例Ｉ３ 実施例１２において予め調製しておいた溶液１０ｍ１を０−リン酸５０ｍ１で希 釈して予め溶液を調製しておく以外は実施例１と同じ操作を繰り返した。得られ た光ファイバのコアは、ＰｔＯｓにより修飾しＹｂ、Ｏ，およびＥｒ２０＊の両 方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。電子顕微鏡検査の結果 は表１に示す通りであり、吸収スペクトルは図７に示す通りである。
実施例１４ ５．５０ｇのＹｂＣ１２−６Ｈ！　Ｏおよび０．５０ｇのＥｒＣｌ−・６Ｈｔ　 Ｏを４５ｍ１の０−リン酸に溶解して予め溶液を調製しておく以外は実施例Ｉと 同じ操作を繰り返した。得られた光ファイバのコアは、Ｐ、０．により修飾しＹ ｂ、Ｏ。
およびＥｒ２Ｃｈの両方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。
電子ｊＪ１微鏡検鏡検査果は表１に示す通りである。
実施例１５ 予め調製しておく溶液および製造工程中の一工程を変える以外は実施例１と同じ 操作を繰り返した。
４．２ｇのＹｂＣ１，・６Ｈ，Ｏおよび０．４２ｇのＥｒＣｌ、　・６Ｈ，Ｏを ５０ｍ１の０−リン酸に溶解して予め溶液を調製した。製造工程で実施例１と異 なるのは、ガラス作製用旋盤での縮合反応中に脱離した水を、０．およびＰＯＣ Ｉｓではなく、０．、ＰＯＣｌ、およびＣＩ２の流れにより除去した点である。
ｃ１□を用いることで水の除去効率が向上することが見出され、これは、ＣＬお よび水が反応してＨＣＩが生成することによると考えられる。得られた光ファイ バのコアは、Ｐ２Ｏ−により修飾しｙｂ、ｏ□およびＥｒｔＯｓをドープしたケ イ酸塩ガラスを含有するものであった。電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通り である。
実施例■６ １０．０ｇのＹｂＣｌ３　・６Ｈ，Ｏおよび１．ＯｇのＥｒＣｌ−・６Ｈｚ　Ｏ を１００ｍ１のＯ−リン酸に溶解して予め溶液を調製しておく以外は実施例１５ と同じ操作を繰り返した。得られた光ファイバのコアは、Ｐ、０１こより修飾し Ｙｂ。
０、およびＥｒｔＯｓの両方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであっ た。電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
実施例１７ 予め調製しておく溶液を変える以外は実施例１５と同じ操作を繰り返した。
加温した９９％０−リン酸（Ｈ２ＰＯ４）てはなく、９９．９９％０−リン酸（ Ｈ。
ＰＯ４）の８５ｆｆｉ量％水溶液を用い、これに３．０ｇのＹｂＣＬ　・６Ｈ， Ｏおよび０．２７ｇのＥｒＣｌ５　・６Ｈ２０を溶解した。希釈した叶リン酸を 用いたことにより、ＹｂＣＩ２　−６Ｈ，ＯおよびＥｒＣ１５−６Ｈ，Ｏを溶解 する間、予め調製しておいた溶液を加温することか不要となった。得られた光フ ァイバのコアは、Ｐ２Ｏ，により修飾しｙｂ２ｏ、およびＥｒ２０ｚの両方をト ープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであった。電子顕微鏡検査の結果は表１ に示す通りである。
上記各実施例において作製した光ファイバのいずれにおいても、冷却時の位相分 離や失透は観察されなかった。本発明により得られる光ファイバは、その全長に わたって組成か均一であることか観察されており、その製造を繰り返し行っても 同一の結果を得ることかできるものとなっている。
表１ １、Ｌｌ　Ｚ８ｐ （ｑノＺ：）、）　１（−ｉ−、ｌｔ　＜（ｑ−＋日）１／−１−，６ど 補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条の８）１．特許出願の表示 ＰＣＴ／ＡＵ　９３１０　Ｏ２６３ ２、発明の名称 光伝送デバイスおよびその製造方法 ３、特許出願人 住所　オーストラリア国、２００６　ニュー　サウスウエールズ州、シトニー、 バラマソタ　ロード（番地なし） 名称　ザ　ユニヴアーシティ　オヴ　シトニー国籍　オーストラリア国 ４代理人■５４１ 住所　大阪府大阪市中央区平野町三丁目３番９号（湯水ビル） １９９４年８月２６日 ６、添付書類の目録 （１１補正書の翻訳文　１通 水か反応してＨＣＩか生成することによると考えられる。得られた光コアイノく のコアは、Ｐ、Ｏ，により修飾しｙｂ、ｏ、およびＥｒ２０．をドープしたケイ 酸塩ガラスを含有するものであった。電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通りで ある。
実施例１６ １０．０ｇのＹｂ　ＣＩ　ｓ　・６　Ｈｚ　Ｏおよび１．０ｇのＥｒＣｌ−・６ Ｈ２０を１００ｍ１の０−リン酸に溶解して予め溶液を調製しておく以外は実施 例１５と同じ操作を繰り返した。得られた光コアイノくのコアは、Ｐ２Ｏ−二よ り修飾しＹｂ。
０、およびｌ：ｒ２０ｓの両方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものであ った。電子顕微鏡検査の結果は表１に示す通りである。
実施例１７ 予め調製しておく溶液を変える以外は実施例１５と同じ操作を繰り返した。
加温した９９％０−リン酸（Ｈｓ　Ｐ　Ｏｓ　）ではなく、９９９９％０−リン 酸（Ｈ。
ｐｏ、＞の８５重量％水溶液を用い、これに３．０ｇのＹｂＣ１，・６Ｉ４２０ および０２７ｇのＥｒＣ１□　・６Ｈ２０を溶解した。希釈した０−リン酸を用 いたことにより、ＹｂＣｌ、−６Ｈ２０およびＥｒＣｌ５　・６Ｈ２０を溶解す る間、予め調製しておいた溶液を加温することが不要となった。得られた光コア イノくのコアは、Ｐ、０．により修飾しＹｂｚＯｚおよびＥ　ｒ　ｚ　Ｏｘの両 方をドープしたケイ酸塩ガラスを含有するものてあった。電子顕微鏡検査の結果 は表１に示す通りである。
上記各実施例において作製した光ファイバのいずれにおいても、冷却時の失透は 観察されなかった。本発明により得られる光コアイノくは、その全長にわＩこっ て組成か均一であることか観察されており、その製造を繰り返し行っても同一の 結果を得ることかできるものとなっている。
１２、希土類金属の酸化物が、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピ ウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、 ツリウムおよびイッテルビウムの酸化物より選ばれるものである請求の範囲第１ １項記載の方法。
１３ｙ１移金属の酸化物が、クロム、チタンおよび銅の酸化物より選ばれるもの である請求の範囲第１１項記載の方法。
１４、ドーパント金属酸化物の供給源が、これに対応する金属の塩化物である請 求の範囲第１０〜１３項のいずれかに記載の方法。
１５、ガラス網目修飾成分の供給源が、ＡｌＣ１，、ＭｇＣｌ、　、ＰｂＣｌ、 およびこれらの混合物より選ばれるものである請求の範囲第１０項記載の方法。
１６、基材が平板状のガラス基材てあり、光可逆デバイスがプレーナー型光デバ イス（ｐｌａｎａｒ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｅｖｉｃｅ）である請求の範囲第１− １５項のいずれかに記載の方法。
１７、基材か管状のガラス基材てあり、光可逆デバイスが光ファイバーまたは光 ファイバーの母材である請求の範囲第１−１５項のいずれかに記載の方法。
１８　請求の範囲第」〜１７項のいずれかに記載の方法によって製造された光可 逆デバイス。
１９、光可逆デバイスが、コアの周囲に、リン酸塩ガラスを含有するクラッド部 を有する光ファイバである請求の範囲第１８項記載の光可逆デバイス。
２０、光可逆デバイスが、リン酸塩ガラスを含有するコアを有する光ファイバで ある請求の範囲第１８項記載の光可逆デバイス。
２１、（補正後）リン酸塩ガラスを含有するコアの周囲に高シリカ含有度のクラ ッド部か配設され、該コアか１２．５モル％を越えるｐ、ｏ、を含有する光ファ イバ。
２２　コアが１５モル％を越えるＰ２Ｏ，を含有する請求の範囲第２１項記載の 光ファイバ。
２３、クラット部か９５モル％を越える３ｉ０ｚを含有する請求の範囲第２１ま たは２２項記載の光ファイバ。
２４、コアがドーパント金属酸化物を含有する請求の範囲第２１〜２３項のいず れかに記載の光ファイバ。
２５、コアが２モル％を越える含有度でドーパント金属酸化物を含有する請求の 範囲第２４項記載の光ファイバ。
２６　コアが、８０〜９０モル％の５ｉＯｚ、１０〜２０モル％のＰ−Ｏｓ、０ 〜３モル％のｙｂ、ｏ、、Ｏ〜０．３モル％のＥｒｇ　Ｏｘ　、０〜０．３モル ％の。
Ｎｄ、Ｏ８および０〜０．３モル％のＴｂ２０．を特徴とする請求の範囲第２１ 項記載の光ファイバ。
２７、請求の範囲第１項記載の方法によって製造された請求の範囲第２１〜２６ 項のいずれかに記載の光ファイバ。
２８、（追加）リン酸塩ガラスを含有するコアの周囲に高シリカ含を度のクラッ ド部か配設され、該コアか１０．０モル％を越えるＰ２Ｏ，を含有し、かつＡ　 Ｉ　２０１を含有しない光ファイバ。
２９（追加）コアが１５モル％を越えるＰ、０．を含有する請求の範囲第２８項 記載の光ファイバ。
３０（追加）クラッド部が９５モル％を越える５ｉｆ２を含有する請求の範囲第 ２８または２９項記載の光ファイバ。
３１、（追加）コアかＡ１ｚＯｚ以外のドーパント金属酸化物を含有する請求の 範囲第２８〜３０項のいずれかに記載の光ファイバ。
３２゜　（追加）コアが２モル％を越える含有度でドーパント金属酸化物を含有 する請求の範囲第３１項記載の光ファイバ。
３３、（追加）コアが、８０〜９０モル％の５ｉＯｚ、１０〜２０モル％のＰ２ Ｏ５，０〜３モル％のＹｂ２０ｘ、ｏ　〜０．３モル％のＥｒｔ　Ｏｘ　、０〜 ０．３モル％のＮｄｔ　Ｏ，および０〜０３モル％のＴｂ、Ｏ，を含有する請求 の範囲第２８項記載の光ファイバ。
３４、（追加）請求の範囲第」項記載の方法によって製造された請求の範囲第２ ８〜３３項のいずれかに記載の光ファイバ。
国際調査報告　−一１−□８・ ＰＣｒ／ＡＵ９３ｍＯ’ｌＮ 国際調査報告　１．、、ｍｎａｌ＠ヤ、７、。
Ｆａｒｍ　ＰＣＴＡＳＡ／２１０　＋ｃｏｎｗｉｗｉｏｏ　ｏｆ　ｗｃｏｒｗｌ 　ａｂｅａＸＩｕｌｙ　Ｉ９９’２１　ｏｌｐｓｈｗフロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，’　識別記号　庁内整理番号Ｇ　Ｏ２Ｂ　６／１２ （８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。
ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＥ、ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、ＰＴ、ＳＥ） 、０Ａ（ＢＦ、ＢＪ、ＣＦ、ＣＧ、　ＣＩ、　ＣＭ、　ＧＡ、　ＧＮ、　ＭＬ、 　ＭＲ，ＮＥ、　ＳＮ。
ＴＤ、　ＴＧ）、　ＡＴ、　ＡＵ、　ＢＢ、　ＢＧ、　ＢＲ，ＣＡ。
ＣＨ，ＣＺ、　ＤＥ、　ＤＫ、　ＥＳ、　ＦＩ、　ＧＢ、　ＨＵ、ＪＰ、ＫＰ、 ＫＲ，ＫＺ、ＬＫ、ＬＵ、ＭＧ、ＭＮ、ＭＷ、　ＮＬ、　Ｎｏ、　ＮＺ、　ＰＬ 、　ＰＴ、　ＲＯ，ＲＵ、　ＳＤ。
ＳＥ、ＳＫ、ＵＡ、ＵＳ、ＶＮ ＦＩ （７２）発明者　プール、サイモン　ブランシェットウェールズ州、エンモア、 ジュリエットストリート、５６ （７２）発明者　シーツ、マーク　ジェフリーオーストラリア国、２０４６　ニ ュー　サウスウェールズ州、ファイブ　ドック、レノア　ストリート　１９

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. １．以下の工程を有する光電送デバイスの製造方法。 （ａ）ガラス基材上に多孔質のフリットを堆積させ、（ｂ）酸性のガラス網目修 飾成分前駆体で上記フリットを濡らし、（ｃ）該酸性のガラス網目修飾成分前駆 体を縮合反応させ、さらに（ｄ）上記フリットを焼結する。
  2. ２．酸性のガラス網目修飾成分前駆体が、亜リン酸、リン酸、ホウ酸、スズ酸、 ヒ酸、セレン酸、亜セレン酸、ゲルマニウム酸、ケイ酸およびこれらの混合物を 含む群より選ばれるものである請求の範囲第１項記載の方法。
  3. ３．酸性のガラス網目修飾成分前駆体が、リン酸よりなるか、またはリン酸を含 有する請求の範囲第１項記載の方法。
  4. ４．フリットを酸性のガラス綱目修飾成分前駆体に浸漬することによって濡らす 請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載の方法。
  5. ５．縮合反応中に生成した水を蒸気化する請求の範囲第１〜４項のいずれかに記 載の方法。
  6. ６．ガス流によってフリットの近傍から蒸気を除去する請求の範囲第５項記載の 方法。
  7. ７．ガスがＯ２、ＰＯＣｌ２およびＣｌ２の混合ガスである請求の範囲第６項記 載の方法。
  8. ８．濡らしたフリットの温度を上昇させることによって縮合反応を生じさせる請 求の範囲第１〜７項のいずれかに記載の方法。
  9. ９．低温の火炎をあてることによって温度を上昇させる請求の範囲第８項記載の 方法。
  10. １０．フリットを濡らす前に、ドーパント金属酸化物の供給源および／またはガ ラス網目修飾成分の供給源を酸性のガラス綱目修飾成分前駆体に溶解する請求の 範囲第１〜９項のいずれかに記載の方法。
  11. １１．ドーパント金属酸化物が、希土類金属の酸化物、遷移金属の酸化物および これらの混合物より選ばれるものである請求の範囲第１０項記載の方法。
  12. １２．希土類金属の酸化物が、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピ ウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、 ツリウムおよびイッテルビウムの酸化物より選ばれるものである請求の範囲第１ １項記載の方法。
  13. １３．遷移金属の酸化物が、クロム、チタンおよび銅の酸化物より選ばれるもの である請求の範囲第１１項記載の方法。
  14. １４．ドーパント金属酸化物の供給源が、これに対応する金属の塩化物である請 求の範囲第１０〜１３項のいずれかに記載の方法。
  15. １５．ガラス網目修飾成分の供給源が、ＡｌＣｌ３、ＭｇＣｌ２、ＰｂＣｌ２お よびこれらの混合物より選ばれるものである請求の範囲策１０項記載の方法。
  16. １６．基材が平板状のガラス基材であり、光電送デバイスがプレーナー型光デバ イス（ｐｌａｎａｒ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｅｖｉｃｅ）である請求の範囲第１〜 １５項のいずれかに記載の方法。
  17. １７．基材が管状のガラス基材であり、光電送デバイスが光ファイバーまたは光 ファイバーの母材である請求の範囲第１〜１５項のいずれかに記載の方法。
  18. １８．請求の範囲第１〜１７項のいずれかに記載の方法によって製造された光電 送デバイス。
  19. １９．光電送デバイスが、コアの周囲に、リン酸塩ガラスを含有するクラッド部 を有する光ファイバである請求の範囲第１８項記載の光電送デバイス。
  20. ２０．光電送デバイスが、リン酸塩ガラスを含有するコアを有する光ファイバで ある請求の範囲第１８項記載の光電送デバイス。
  21. ２１．リン酸塩ガラスを含有するコアの周囲に高シリカ含有度のクラッド部が配 設され、該コアが８．５モル％を越えるＰ２Ｏ５を含有する光ファイバ。
  22. ２２．コアが１０モル％を越えるＰ２Ｏ５を含有する請求の範囲第２１項記載の 光ファイバ。
  23. ２３．コアが１５モル％を越えるＰ２Ｏ５を含有する請求の範囲第２２項記載の 光ファイバ。
  24. ２４．クラッド部が９５モル％を越えるＳｉＯ２を含有する請求の範囲第２１〜 ２３項のいずれかに記載の光ファイバ。
  25. ２５．コアがドーパント金属酸化物を含有する請求の範囲第２１〜２４項のいず れかに記載の光ファイバ。
  26. ２６．コアが２モル％を越える含有度でドーパント金属酸化物を含有する請求の 範囲第２５項記載の光ファイバ。
  27. ２７．コアが、８０〜９０モル％のＳｉＯ２、１０〜２０モル％のＰ２Ｏ５、０ 〜３モル％のＹｂ２Ｏ３、０〜０．３モル％のＥｒ２Ｏ３、０〜０．３モル％の Ｎｄ２Ｏ３および０〜０．３モル％のＴｂ２Ｏ３を含有する請求の範囲第２１項 記載の光ファイバ。
  28. ２８．請求の範囲第１項記載の方法によって製造された請求の範囲第２１〜２７ 項のいずれかに記載の光ファイバ。
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