JPH07507774A - リボヌクレオチド還元酵素阻害剤の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称　リボヌクレオチド還元酵素阻害剤の製法発明の背景 本Ｍ　４１９９２年５月１２０（Ｄ米国比ｍ　７ａ０７／８８１９７８号の一部 継続出願である。

本発明はりポスクレオチド還元酵素阻害剤の新規な製法に間する０本出願に記載 された新規な製法の目標化合物類は、１９８９年１２月４日公開された欧州特許 出願公開第０３１０６７３号でマツカーシー（ＭｃＣａｒｔｈｙ）らが明らかに している。これらの化合物類の先行の合成は、７段階の反応段階を伴い、ウリジ ン誘導体が必要な出発材料であった。一般的に、労力集約的で複数のクロマトグ ラフィを伴った４段階プロセスの、マツダ（Ｍａｔｓｕｄａ）ら（Ｃｈｅ−。

Ｐｈａｒｍ、　Ｂｕｌｌ、　１９８８年、３６巻く３号）９４５頁コの手順に従 って、ウリジン誘導体は構造（Ａ）の既知ケトン中間体へ転化された。この場合 、■はオキシ又はメチレンであり、Ｙは水素、Ｃｌ−Ｃａアルキル、又はＣｌ− Ｃａアルコキシであった。イ欠に、この中間体を２′−カルボニルのすレフイン 化にかけると、エキソ環式フルオロビニルスルホンを生じ、続いてスタニル化に より、エキソ環式（フルオロビニル）スタナンを生ずる。最終段階で、この化合 物を脱スタニル（ヒし、３’、５’−ヒドロキシルを脱保護すると、所望のりポ スクレオチド還元酵素阻害剤を低収率で生ずる。

本発明の新規な方法は、シチジン訴導体を必要な出発材料として利用し、リボヌ クレオチド還元酵素阻害剤をもっと効率的な５段階反応順序で提供する。この方 法は、クロマトグラフィの回数が少なく、５段階で全体として２５％より高い収 率をもたらす点で、マツカーシーらの方法より効率的である。

発明のまとめ 本発明は式 の化合物の新規な製法を提供している０式中、■はオキシ又はメチレンてあり、 Ａは式 の基てあり、式中Ｙは水素、Ｃ，−Ｃ４アルキル、又はＣ，−Ｃ。

アルコキシである。この方法は以下の段階を含む。

［式中へ〇は式 の基てあり、Ｂは式ＣＲ，ＮＲ２Ｒ３の適当な窒素封鎖基てあり、ここてＲ１は 水素又はＣ，−Ｃ４アルキル、Ｒ２とＲ３は独立にＣ，−Ｃ，アルキルである］ の化合物を、式（Ｘ）２０Ｐ　＝　ＣＦ　（Ｓ　Ｏ２Ａ　ｒ）　Ｃ式中Ａ「はア リール基、Ｘはフェノキシ又はＣ，−Ｃ，アルコキシである］の適当なホスホネ ートイリドと反応させて、エキソ環式フルオロビニルスルホンをつくり； （ｂ）　エキソ環式フルオロビニルスルホンを適当な塩基又は適当な弱酸と反応 させ、脱保護化アミンを造り；（Ｃ）　脱保護化アミンを式（Ｒ）ｓｓ　＋＋Ｈ Ｃ式中Ｒはアリール又はＣ，−Ｃ４アルキル］のスタニル化試薬と反応させて、 エキソ環式（フルオロビニル）スタナンをっくり；（ｄ）　エキソ環式（フルオ ロビニル）スタナンをプロトリシス剤と反応させ、そして同時又は順次に、シリ ル保護基を適当な酸又はフッ化物イオン給源と反応させる。

本発明は、更に式 〔式中Ｖはオキシ又はメチレンであり、　Ａは式の基であって、式中）′は水素 、Ｃ１−Ｃａアルキル、又はｃ、−Ｃ４アルコキシである。〕の化合物を製造す る新規な方法をｔ１供する。この方法は以下の段階を含む。

（ａ）式 の基てあり、Ｂは式ＣＲ１ＮＲ２Ｒ，の適当な窒素封鎖基であり、ここでＲ１は 水素又はＣ１−Ｃ４アルキル、Ｒ２とＲ３は独立にＣ１−Ｃ，アルキルである］ の化合物を、適当な塩基又は適当な弱酸と反応させて、脱保護化アミンを造り、 （ｂ）脱保護化アミンヲ式（Ｘ　）２０　Ｐ　＝　ＣＦ　（Ｓ　Ｏ２Ａ　ｒ）［ 式中Ａ「はアリール基、Ｘはフェノキシ又はＣ，−Ｃ，アルコキシである］の適 当なホスホネートイリドと反応させて、エキソ環式フルオロビニルスルホンをつ くり、（Ｃ）　エキソ環式フルオロビニルスルホンを式（Ｒ）３ｓｎＨ［式中Ｒ はアリール又はＣ１−Ｃ４アルキルである］のスタニル化試薬と反応させて、エ キソ環式（フルオロビニル）スタナンを造り、 （ｄ）　エキソ環式（フルオロビニル）スタナンをプロトリシス剤と反応させ、 そして、同時又は順次に、シリル保護基を適当な酸又はフッ化物イオン給源と反 応させる。

更に−ｕ様で本発明は次式の新規化合ｖ！Ｊ藷を提供する。

発明の詳細な説明 ４個の炭素原子の飽和直鎖又は分枝鎖炭化水素基を指す。

この用語の範囲に含まれるものはメチル、エチル、ｎーブロピル、イソプロピル 、ｎ−ブチル、イソブチル等である．用ａ　ｒｃ．−ｃ．アルコキシ」は、１４ 個の炭素原子の飽和直鎖又は分枝鎖炭化水素基をもった酸素基からなるアルコキ シ基を指し、特定的にはメトキシ、エトキシ、プロビロキシ、イソプロビロキシ 、ｎ−ブチロキシ、イソブチロキシ、第二ブチロキシ、第三ブチロキシ等を包含 する．用語「ハロゲン」又は「ハロ」はフッ素、塩素、臭素、又はヨウ素原子を 指す．用ｌｒＡｒＪ又は『アリール」は、約６−１２１１の炭素原子の芳香族基 、例えばフェニル、ナフチル、又はフェニル（Ｃｔ−Ｃ４）アルキル基を指し、 その場合に上記の基は任意付加的にＣｔ−Ｃａアルキル、ハロ装置１ｔｋｃ．− Ｃａアルキル、ハロゲン、又はＣ，−Ｃ．アルコキシからなる群から選ばれる１ ．２、又は３個の置換基て置換されることも出来る．用語「フェニル（ＣＩ−Ｃ ４）アルキル」は、フェニルメチル、フェニルエチル等を含め、ＣＩ−Ｃａアル キルて置換されたフェニル基を指す．用１　ｒＡ「」又は「アリール」の範囲に 特定的に含まれるものは、フェニル、ｐ−｝ルイル、ｐ−メトキシフェニル、ｐ −クロロフェニル、ナフチル等である。

本発明の一船的な合ｆｆｉ法は、反応経ｖ！ＩＡに記載されている．他に注意が なければ、全置換基はすでに定義されている．本方法に使用される試薬と出発材 料は、当業者に容易に入手できる。

反応経路Ａ 段階ａ↓　保護 反応経路Ａ続き 段１ｂ↓　酸化 段１ｉ１ｃ　↓　オレフイン化 反応経路Ａ続き 段ＦＩＩｄ↓　脱保護 段階ｅ↓　スタニル化 応経路Ａ続き 段階ｆ↓　脱スタニル化と脱保護 反応経路Ａ、段階ａで、構造（１）の適当に置換さシチジン誘導体の３′及び５ ′ヒドロキシルを、１１．３．３−テトライソプロピルジシロキサニリデン）誘 として保護し、アミノ官能基を適当な窒素封鎖基ですると、構造（２）で定義さ れる化合物を生ずる。過窒素封鎖基はイミン誘導体として窒素に結合され、ルス ルホキシド／塩化オキサリルのような酸化条件に対して、またリチウムジイソプ ロピルアミドのような強有機塩基に対して安定である０例えば、適当な窒素封鎖 基はＮ−（Ｎ’、Ｎ“−ジメチルアミノメチレン）アミン、ト（メチル−Ｎ’、 Ｎ’−ジメチルアミノメチレン）アミン、ト（メチル−Ｎ’、Ｎ’−ジエチルア ミノメチレン）アミン、Ｎ−（エチル−Ｎ　ｌ。

Ｎｏ−ジエチルアミノメチレン）アミン等であろう、好ましい窒素封鎖基はＮ− （Ｎ’、Ｎ’−ジメチルアミノメチレン）アミンである。

より特定的には、反応経路Ａ、段階ａて、シチジン誘導体（１）をピリジンのよ うな塩基性有機溶媒中で、１．３−フクロロー１．１，３．３−テトライソプロ ピルジシロキサン１当量で処理し、約１０−３０℃で１２−２４時間かきまぜ一 過剰徽のジメチルホルムアミドジメチルアセタールを反応物に加え、これを２− ６時間かきまぜる。溶媒を真空下に除去し、残留物を当業者に周知の手法で精製 すると、構造（２）で定義された化合物を生ずる。

反応経路Ａ、段ＰＩｂて、２′−ヒドロキシル基は、当業者に周知の酸化法によ って、構造（３）で定義されるケトン誘導体に酸化される。

例えば、塩化メチレンのような適当な無水有機溶媒中にＩ’１１．５当量の塩化 オキサリルを溶解し、約−７５℃に冷却する。−５５℃より低温に０￥持しなが ら、このｍＮ１に３当量のメチルスルホキシドを滴加する。構造（２）で定義さ れる生成物１当量を塩化メチレンのような無水有機溶媒の適当量に溶解し、攪拌 しながら反応物に徐々に添加する。添加を終えたら、反応物を約３０分、・７５ ℃でかきまぜ、トリエチルアミンのような適当な有機塩基の過剰量を加え１反応 物を室温に暖める０次に、当業者に周知の手法により、ケトン誘導体（３）を単 離し、精製する０例えば、シリカゲル・クロマトグラフィに続いて適当な有１ｉ １媒又は１０％クロロホルム／ヘキサンのような溶媒混合物からの再結晶化によ り、ケトン誘導体（３）を生ずる。

反応経路Ａ、段１１１ｃて、ケトン誘導体（３）をリンイリドとの反応によって オレフィン化すると、対応するエキソ環式フルオロビニルスルホン（４）を生ず る。リンイリ及び構造　（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔ ｒｙ　：　ＲｅａｃｔｉｏｎｓＭｅｃｈａｎｉｓｍｓ　ａｎｄ　５ｔｒｕｃｔｕ ｒｅ）Ｊ　、マグロ−ヒル出版社、第２版、１９７７年、８６４−８７２頁］に 記載されているように、化学の技術で周知の認められた手順に従ってｔＩ４製で きる。

より特定的には、オレフィン化はワズワース（Ｗａｄｓ顕ｒｔｈ）　ら　［Ｊ、 Ａｓｈ、Ｃｈｅｗ、Ｓｏｃ、１９６１年、８３巻１７３３頁］　に記載されてい るとおり、ウィティヒ反応の変法により、適当に置換されたケトン誘導体（３） を式（Ｘ　）２０　Ｐ　＝　ＣＦ（Ｓ　Ｏ２Ａ　ｒ）の適当なリンイリドと反応 させることによって実施できる０例えば式（Ｘ　）２０　Ｐ　＝　ＣＦ　（Ｓ　 Ｏ２Ａ　ｒ）の適当に置換されたホスホネートを適当な無水有機溶媒に溶解し、 約−７０℃に冷却する。！当な集水有機溶媒は炭化水ＩＥ　ｉ’ｆｆ　Ｗ、ジア ルキルエーテル類、Ｃ，−Ｃ，アルカン類、テトラヒドロフラン等を包含する。

好ましい篇水有機溶媒はテトラヒドロフランである０強塩基１当量を徐々に加え るとイリドを生ずる。アルコキシド類と有機金属類、例えばアルキルリチウム、 リチウムジアルキルアミド。

氷嚢化ナトリウム等を含め、広範囲の塩基を使用できる。

好ましい塩基はカリウム第三ブトキシドとリチウムビス（トリメチルシリル）ア ミドである。約１時前後、１当量の過当に賞攬されたケトン誘導体（３）を約− ６０℃でホスホネートイリドに添加し、続いて約０℃に約３０分暖め、次に室温 に約２．５時間暖める０次に、当業者に周知の手法によって、エキソ環式フルオ ロビニルスルホン（４）を単超し、＃ｌ製する０例えば、反応を飽和塩化アンモ ニウムで停止させ、水相を適当な有ｌｌ溶媒、例λばジエチルエーテルで抽出す る。有機相を集水硫酸マグネシウムのよろな適当な乾燥剤で乾燥し、濾過し、真 空下に１縮する。

■製材料をシリカゲルに通して適当な有機溶媒、例えば酢酸エチルで濾過すると 、エキソ環式フルオロビニルスルホン（４）を生ずる。

反応経路Ａ、段階ｄて、窒素封鎖基の除去によって適当に置換された脱保護化ア ミン誘導体（５）を得るためのエキソ環式フルオロビニルスルホン（４）の脱保 護は、保護化合物をジオキサンのような有機溶媒に溶解し、過剰量の適当な塩基 で処理することによって行なわれる。適当な塩基は、３°、５′−位置のシリル 保護基を除かずに、窒業封鎖基を除去できるような塩基である。適当な塩基の例 は、水酸化アンモニウム、アンモニア、メチルアミン等である。好ましい適当な 塩基は水１ヒアンモニウムである０反応物を室温で約訃２４時閉かきまぜ、当業 者に闇χ口の手法によって、脱５１謹化アミン（５）を単離、精製する０例えば 、エタノールを加えて水を共沸除去しながら、溶媒を真空下に除去し、５％ヘキ サン／酢酸エチルのような適当な溶媒混合物を使用して、Ｗｉ製材料をフラッシ ュ・クロマトグラフィによって精製すると、脱保護化アミン（５）を生ずる。

エキソ環式フルオロビニルスルホン（４）の代わりの製法は、適当に置換された 脱保護化アミン誘導体（５）を酢酸エチルのような有機溶媒に溶解し、１当量の １水酸化アンモニウムによって室温で約２時間処理することにより実施される。

脱保護化アミン（５）は当業者に周知の手法によって単離、精製される０例えば 、エタノールを加えて水を共沸除去しながら、溶媒を真空下に除去し、５％ヘキ サン／酢酸エチルのような適当な溶媒混合物を使用して、１１製材料をフラッシ ュ・クロマトグラフィによって精製すると、脱保護化アミンク５）を生ずる。

反応経路Ａ、段階ｅで、マツカーシーら［Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅｒｅ、　Ｓｏｃ 、、　１９９１年、１１３巻７４３９頁］に記載されたとおりに、当業者に知ら れた手順を利用する脱保護化アミン（５）のスタニル化は、構ｉ！！（６）のエ キソ環式（フルオロビニル）スタナンを生ずる８例えば、脱保護化アミン（５） をベンゼンのような適当な何機溶媒に溶解し、式（Ｒ）３Ｓ　ｎＨの過当なスタ ニル化試薬の過１１ｊＩｉて処理する。！！１当なスタニル化試薬は水素化トリ ブチル錫、水素化トリエチル錫、水素化トリメチル錫、水素化トリフェニル錫等 である。

好ましいスタニル化試薬は水素化トリブチル錫である。

次に、適当な開始剤を用いて、反応を開始させる。適当な開始剤はアゾビスイソ ブチロニトリル（ＡＩＢＮ）　、Ｕ　Ｖ光、加熱等である。好ましい適当な開始 剤はアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）である、触媒量のＡＩＢＮを加え 、反応物を約１８時ｍｉｌ！流させる１次に、当業者に周知の手法によ−）て生 成物を単離、精製すると、構造（６）で定義されるエキソ１式（フルオロビニル ）スタナンを生ずる。

例えば、反応を真空下に濃縮し、４−６％メタノール／塩化メチレンのような適 当な溶媒混合物を使用して、残留物をフラッシュ・クロマトグラフィによって精 製すると、エキソ１式（フルオロビニル）スタナン（６）ｆｔ生ずる。

反に経路Ａ、段階ｆて、エキソ環式（フルオロビニル）スタナン（６）を、始め Ｌこフッ素化物イオン給源の不在下、温）口な条件下にプロトリンス剤で脱スタ ニル化によって、式■のエキソ環式フルオロビニル誘導体に順次転化できる。ａ 当なプロトリシス剤はスタナン置換基用のプロトンを［￥換しよう、プロトリシ ス剤の例は、アンモニア／メタノール、シリカゲル等である０次に、保護された エキソ環式ビニルフッ化物を塩酸水溶液のような適当な酸又はフッ化物イオン給 源での処理によって脱保護化すると、式１のエキソ環式ビニルフッ化物を生ずる 。）・フ化物イオン給源の例はフッ化ナトリウム、フ・フ化カリウム、フッ化セ シウム、フッ化テトラブチルアンモニウム、フッ化アンモニウム等である。好ま しいフッ化物イオン給源はフン化カリウムである。

例えば、反応経路Ａ、段階ｒて、メタノールのような適当な有機溶媒中で、スト ーク（５ｔｏｒｋ）ら［Ｊ、Ａｍ、　ｃｈｅｒａ、　Ｓｏｃ、、１９８７年、１ ０９号２８２９頁］が記載して０るとおりに、エキソ環式（フルオロビニル）ス タナン＜６）を過剰量のシリカゲルと一緒にし、トリブチル錫の除去が完了する までかきまぜる０次に、保護されたエキソ環式ビニルフッ化物をフラッシュ・ク ロマトグラフィのような、当業者に周知の手法によってＩＬＷｌ、精製する０次 ζこ、この生成物をメタノールのような適当な有機溶媒中で、フッ化テトラブチ ルアンモニウムのようなフ・フ化物イオン給源の過剰量で処理し、脱保護が完了 するまでｂ）きまぜる。次に、当業者に周知の手法によって生成物を単離、精製 すると、式■て定義されるエキソ環式フルオロビニル化合物を生ずる０例えば、 反応物を真空下むこ１＃Ｉ縮し、５０％酢酸エチル／ヘキサンに続いて１０−２ ０％メタノール／酢酸エチルのような、適当な溶媒混合物を使用して、フラッシ ュ・クロマトグラフィで＃１１！する。メタノール／酢酸エチルから再結晶化す ると、式夏化合物を生ずる。

反応経路Ａ、段階ｆで、エキソ環式（フルオロビニル）スタナン（６）をプロト リシス剤とフッ化物イオン給源又は適当な酸と反応させることによって、脱スタ ニル化と脱保護を同時に行なうと、式Ｉのエキソ環式ビニルフッ化物を生ずる。

例えば、反応経路Ａ、段Ｆｌｆで、エキソ環式（フルオロビニル）スタナン（６ ）をメタノールのような適当な有機溶媒に溶解し、フッ化物イオンＰＩＲとして も働くフッ化カリウムのようなプロトリシス剤で処理し、反応物を約２４時間加 熱Ｉ！！流させる。冷却後、溶媒を部分的に１縮し、過剰なシリカゲルを添加す る。残りの溶媒を除去し、当業者に周知の手法によって生成物を単離、精製する と、弐■で定義された化合物を生ずる０例えば、反応物を真空下に濃縮し、５０ ％酢酸エチル／ヘキサンに続いて１０−２０％メタノール／酢酸エチルのような 、適当な溶媒混合物を使用して、フラッシュ・クロマトグラフィで精製する。メ タノール／酢酸エチルから再結晶化すると、式■化合物を生ずる。

当然ながら、当業者は、反応経路Ａに提示された段階的な合成が、提示された特 定の順序に制限されないことを理解する。

例えば反応Ｕ路Ａ、段ＰＪｃで、オレフィン化反応は段階ｄて行なわれる脱保護 反応に続いて実施できる＝反応経路Ａ、段ｐｌｃの反応用のホスホネートイリド のＸＵに必要な式（Ｘ　）２０　Ｐ　ＣＨＦ　（Ｓ　Ｏ２Ａ　ｒ）＋７）適当に 置換されたホスホネートは、反応経路Ｂ、Ｃ１及びＤで記載される種々の方法に よって得られる。

反応経路Ｂ 例えば反応経路Ｂ、段階ａで、約ｌ：２の比率のポリ（エチレングリコール）ニ アセトニトリル混合物中に、構造（７）で定義される化合物を溶解する。ポリ（ エチレングリコール）に適した分子量範囲は１００〜４００ｇ／ｍｏｌの間であ る。

フン化セシウムのようなフッ化物イオン給源の過剰量を加え、反応物を約８０℃ に１−２４時間加熱する０次に、反応物を水で希釈し、クロロホルムのような適 当な有機溶媒で生成物を抽出すると、乾燥及び真空下の濃縮後、構造（８）で定 義される生成物を生ずる９次に、これを当業者に周知の手法で酸化する０例えば 、メタノールのような適当な有機溶媒中で化合物（８）をペルオキシモノ硫酸カ リウムで処理すると、構造（９）で定義される適当に置換されたホスホネートを 生ずる。

構造（９）で定義される適当に置換されたホスホネートを反応経路Ｃに記載され た別の方法で得ることができる。

反応経路Ｃ 反応経路Ｃ１段階ａで、構造（ＩＱ）で定義される化合物を、テトラヒドロフラ ンのような適当な有機溶媒に溶解し、過剰量のトリエチルアミン三フフ化水素酸 塩で処理し、溶液を約−７８℃に冷却する０次に、マツエ（Ｍａｔｓｕｅ）ら、 　［Ｊ、Ｃｈｅｗ、Ｓｏｃ、、Ｃｈｅ＠、Ｃｏｍ５ｕｎ、１９９１年、１０２８ 頁コの手順に全般的に従って、溶液を３−１０時間、制御された電位＠　ｅｌｌ 　（ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｓｉｓ）にかけると、陽極モノフ ッ素化が起きる０次に、構造（８）で定義される生成物を単離し、反応経路Ｂに 記載されたとおりに、段階すて酸化すると、構造（９）で定義される適当に置換 されたホスホオートを生ずる。

更に、構造（９）で定義される適当に置換されたホスホネートは、反２経路りに 示すように、式％式％） で定義されるイリドとして現場ｖ４製てきる。

反応経路り 反応経路りて、マツカーシーら［Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔ。

１９９０年、３１１５４４９頁１　（７）通すＣ，：ｒＩ４１！テきるフルオロ メチルフェニルスルホンのような適当に置換されたスルホンを、テトラヒドロフ ランの様な適当な蝿水有機溶媒に溶解し、ｇ’５−７０℃に冷却し、式（Ｘ　） 、Ｐ　ＯＣｌテ定義すレルノエチルク口口ホスフエートの様なジアルキルクロロ ホスフェート１当量で処理する０次に、リチウムビス（トリメチルシリル）アミ ドの様な強塩基２当量で溶液を徐々に処理する。添加終了後、反応物を約−６５ ℃で約１時間かきまぜると、構造（９“）で定義されるイリドを生ずる。

以下の実施例は、反応経路Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤて説明された典を的な合成を提示し ている。これらの実施例は例示的なものとしてのみ理解され、いかなる形でも本 発明の範囲を制限する童図のものではない、以下の実施例で使用される以下の用 語は、指定された意味をもっている。

「ｇ」はダラムを指す、ｒｍｗ＋ｏＮはミリモルを指す。

「麟Ｌ」はミリリットルを指す、１℃」は摂氏の度数を指す、ｒＴＬｃ」は薄層 クロマトグラフィを指す、「蒙８」はミリグラムを指す、「μＬ」はマイクロリ ットルを指す。

また「δ」はテトラメチルシランからダウンフィールドでの巨万分率を指す。

実施例１ オキソ−３’、５’−ｎ−［＋、１，３．３−テトラキス（ｌ−メチルエチル） −１，３−ジシロキサンジイル］シチジン反応経路Ａ、段Ｐｔ　ａ　：　Ｋ加ろ うとを備えた一つ首の２Ｌ九底フラスコ中で、窒素雰囲気下に、簀水ピリジン（ ８００ｍＬ）中のシチジン（１００ｇ、　０．４１ｍｏｌ）のスラリーを１．３ −ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン（１３０ｇ、　 ０．４１蒙０１）で処理する。３０分後、すべて溶解する。

反応物を室温で一夜かきまぜる。混ぜ物のないジメチルホルムアミドジメチルア セタール（１６５ｇ、　１．３８＋＊ｏｌ）を加え、反応物を４時間かきまぜる ０反応物をわずかに暖めると混濁する。高真空下にピリジンを除き、残留ピリジ ンを除くために、トルエン（２ｘ５００ｗＬ）で共沸蒸留する。固体残留物を酢 酸エチルＩＬと一緒に加熱し、５Ｌフラスコに重力濾過する。不溶性物質を水（ ８００■し）と塩水（２００ｗＬ）に溶解し、追加の生成物を酢酸エチル（２χ ６００ｍＬ）中に抽出する。溶２αを簾水硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下に 濃縮すると、「湿った」固体９０ｇを生ずる。この固体を酢酸エチル（２００ｍ Ｌ）に溶解し、前の酢酸エチル濾液と一緒にする。ヘキサン（３Ｌ）を溶液に加 え、加熱し、まだ熱いうちに濾過する。溶液を一夜放置する。濾過によって生ず る白色結晶を集め、暖かい真空炉内で乾燥すると、化合物（１４２，４ｇ、　６ ５％）を生ずる。

上の溶液を１縮し、残留物をシリカゲル１．４Ｌ上のフラッシュ・クロマトグラ フィ（１２，５％エタノール／酢酸エチル）によって精製すると、フラクション ８−１６ｂ）ら追加量の化合物（１７，４ｇ）を生ずる。フラクション２−７は ピリジンで汚染された化合物を含有する。これらのフラクションを真空下に濃縮 し、残留物を再結晶化すると、追加量の化合物（２４，５ｇ）を生し、全量で１ ８４．２ｇ　（収率８３％）のＮ−［＜ジメチルアミノ）メチレン］−３’、５ ’−０・［１，１，３，３−テトラキス（ｌ−メチルエチル）−１，３−ジシロ キサンジイルゴーシチジンを白色結晶として生ずる。融点＋３７−１３８℃。

’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ、）８０．９７・１．１０（＋ｗ、　２８）、　３．１４ （ｓ、　３）、　３゜１６（ｓ、　３）、　３．９８−４．３９（ｍ、　５）、 　５．８２（ｓ、　Ｉ）、　６．０５（ｄ、　Ｉ。

、ｌ＝７．２１１ｚ）、　７．９２（ｄ、　ｌ、　Ｊ＝７．５１１ｚ）、　８． ８５（Ｓ、　ｌ）；　ＭＳ（ＣＩ／ＣＨＡ）　ｍ／ｚ　５４１　（ＭＨ“） 分析”　２４ＨａａＮ　４０　ｅＳＳ２Ｏ計算１１１１　：　Ｃ，５３，３０； 　Ｈ，８゜２０；　Ｎ、　＋０．３６．測定値：　Ｃ，５２，９３；　Ｈ，８， ３３；　Ｎ、　１０．０？。

反応経路Ａ、段階ｂ：冷却器、機械的かきまぜ機、及び温度計を取り付けた２Ｌ の三つ首フラスコに窒素を流し、塩化オキサリル（１３，０８ａ＋Ｌ、　０．１ ５＋＊ｏｌ）と簾水塩化メチレン（７５０ｍＬ）を仕込む、溶液を一７５℃に冷 却し、温度を一５５℃より低温に保ちながら、ジメチルスルホキシド（２１，３ 閘１．、０．３０ｍｏｌ）を加える。かきまぜを５分続け、篭水塩化メチレン（ ２５０ｍＬ）中の上の段階ａて生成した侃謹ンチジン（５４ｇ、　Ｏ，ＩＯｍｏ ｌ）を１０分間に添加する。−７５℃で３０分かぎまぜ、トリエチルアミン（７ ５，５ｍＬ、　０．５４ｍｏｆ）を加える。水浴を除いて、反応物が室温まで暖 まるようにする。室温で１時間後、反応物を同量のジエチルエーテルで希釈し、 更に１時間かきまぜる。フリットろうと内のシリカゲル（５００ｍＬ）上に混合 物を注ぎ、ジエチルエーテル（ＩＬ）に続いて塩化メチレン（ＩＬ）で溶離する 。ジエチルエーテル洗ＩＭをａ縮し、１０％クロロホルム／・＼キサン（３００ ｍＬ）て処理する。固体を１過し、乾燥すると、　］、６ｇを白色粉末とし・で 生ずる。塩化メチレン洗？ｉｌ液を１縮し、残留物を１０％クロロホルム／ヘキ サン（３００ｍし）から再結晶化すると、追加の１２．５ｇを生じ、計４８．６ ３　（収率９０％）の表題化合物となる。この化合物はＣ−２゛位置で容易に水 和化し、ケトン水和物を生ずる。

これを水分への長１１１露出から保護すべきである。

ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ、）８０．９９−１．１６（謂、　２８）、　３．１３（ ｓ、　３）、　３゜１４（ｓ、　３）、　３．９５−４．０３（ｍ、　ｌ）、　 ４．０６−４．２２（ｍ、　２）、　４．９３（ｓ。

１）、　５．２２（ｄ、　１．　Ｊ：８．０１１ｚ）、　６．０２（ｄ、　ｌ、 　Ｊニア、２１１ｚ）、　７゜２９（ｄ、　１．　Ｊ＝７．２　Ｈｚ）、　８． ８２（ｓ、　Ｉ）：　ＭＳ　（ＣＩ／ＣＨａ）　ｍ／ｚ　５３９　（ＭＨ″） 分析’　Ｃ２４Ｈ１１２Ｎ　ａｏ　６Ｓ　＋２・ｌ／１５　ＣＨＣ１３の計算値 ：Ｃ，５２，８５：　Ｈ，７，７５；　Ｎ、　＋０．２４．１ｌ１１定１ｄｉ　 ：　Ｃ，５２，７２；　Ｈ。

７．８６：　Ｎ、　＋０．２４゜ 実施例２ メチレン］−３°、５°−０−［１，１，３，３−テトラキス（ｌ−メチルエチ 反ｚ＆ｌ路Ａ、段ＰＪｃ及びｄ：窒素雰囲気下に、無水テトラヒドロフラン（８ ００ｓＬ）中のフルオロメチルフェニルスルホン（１９，４ｇ、　０．ｌＩ＋＋ ｏｌ）を−７０’Ｃに冷却し、注射器経由でジエチノしりロロホスフエート（１ ６＊Ｌ、　Ｏ，１ｌｓｏｌ）を加える２次に、ａ下ろうとを使用して、１Ｍリチ ウムビス（トリメチルノリル）アミド（２００ｓＬ、　０．２Ｏ−ｏｆ）を徐々 に添加する。添加終了後、反応物を一６５℃に１時閉保持する。上で調製された ケトン溶液（４０ｇ、テトラヒドロフラン２００ｓＬ中０．０７４−０１）を、 添加ろうとを使用して添加し、温度を・６０℃に侃持する。添加終了後、０℃に ３０分、次に室温で２．５時閉暖める０反応を飽和塩化アンモニウム（１００ｓ Ｌ）で停止させ、無機塩類を溶解するためにジエチルエーテル（ＧＯＯ＊Ｌ）と 少量の水で希釈する。

層を分離し、有機相を飽和塩化ナトリウムで洗う、水性洗Ｉｆｆを一緒にし、ジ エチルエーテル（２００ｓＬ）で逆抽出する。この有機相を飽和塩化ナトリウム で洗う、有機相を一緒にし、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、真空下に １縮すると、暗色粘性な油（７１，８ｇ）を生ずる。

１９Ｆ　）ＩＭＲ（ＣＤＣｌ２）は４ビークを示し、２ビークは保護アミノδ− １１５，２１（Ｚ異性体）及び−１１９，７０（Ｅ異性体）から、また２ビーク は遊離アミノ誘導体δ−１１５，８２（Ｚ異性体）及び−１１９，４０（Ｅ異性 体）からである、Ｅ／Ｚ比は１０．４：Ｉである。粗製試料をシリカゲル（ｌシ ）に通して、酢酸エチル（’１２Ｌ）で濾過する。この段階は、アミノ保護基を 除く前に任意である。１ｉｉ＆を真空下に濃縮すると、粘性な淡褐色の油（４６ ，８ｇ）を生ずる。油をジオキサン（２００■し）に溶解し、濃水酸化アンモニ ウム（１０゜ＩＬ）を加える０反応物を一夜かきまぜる０次に、溶媒を真空下に 除去し、残留する水を除くために、残留物をエタノール（２ｘ３００園Ｌ）と共 沸させる。フラ・ンシュ・クロマトグラフィ（シリカゲル１．４Ｌ、５％へキサ ン／酢酸エチル）によって生成物を精製すると、Ｅ異性体（２０ｇ）を生ずる。

フラッシュ・クロマトグラフィからの単離された材料（Ｉ６ｇ）を分取ＨＰＬＣ （酢酸エチル）によって精製すると、追加のＥ異性体（１１，４ｇ）　、全量３ １．４ｇ（収率６６．３％）の表題化合物を生ずる。ヘキサンから再結晶化する と、白色粉末を生ずる。Ｍ点＝１３５℃でろう状、１４５℃で透明。

＋ＨＮＭＲ（ＣＤ（＋、）６０．９７−１．１１（ｍ、２８）、３．９３−４． ０３（ｗ、２）。

４．０９−４．１７（−、ｌ）、５．６８（ｄ、ｌ、Ｊニア、２　Ｈｚ）、５． ７２（ｂｒ　ｓ。

２）、　６．４３（ｔ、　Ｉ、　Ｊ＝２．０　Ｈｚ）、　７．３３（ｄ、　ｌ、 　Ｊニア、５　Ｈｚ）、　？。

４６７．６５（ｍ、　５）：　”Ｆ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ　−１１９，２２ （Ｓ）；　ＭＳ（Ｃ１／ＣＩ＋４）　ｍ／２　６４０　（ＭＨ”）分析：　Ｃ２ ｅＨ４２Ｆ　Ｎ　３０　ｙＳ　Ｓ　１２ＣＤ計算［：　Ｃ，５２，５６；　Ｈ。

６．６１；　Ｎ、　６．５７．測定［：　Ｃ，５２，４０；　Ｈ，６，９６；　 Ｎ、　６．３６゜実施例３ （２’Ｚ）−２’−デオキシ−２゛−［フルオロ（トリブチルスタニル）メチレ ン〕−３′、５°−０−［＋　、　ｌ　、３．３−テトラキス（１−メチルエチ ル）−１，３・ジシロキサンジイルコシチジン反応経路Ａ、段Ｆｌｅ：上で！ｌ ｌ製されたフルオロビニルスルホン（２６ｇ、　０．０４０６ｍｏｌ）をベンゼ ン（３００ｓＬ）に溶解し、冷却器なして１５分還流させる０反応物を冷却し、 水素化トリブチル錫（３２，６ｍＬ、　Ｏ，１２２ｍｏｌ）及びアゾビスイソブ チロニトリル（５００■ｇ）を加える０反応物を１８時間１流させる０反応物を 真空下に濃縮し、フラッシュ・クロマトグラフィ（シリカゲル！、４Ｌ、４％メ タノール／塩化メチレン４Ｌ、続いて６％メタノール／塩化メチレン）によって 残留物を精製すると、表題化合物（２６，５ｇ、収＄　８２．８％）を黄色フオ ームとして生ずる。

’ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ０．８７（ｔ、　９）、　０．９４−１．１７（■ 、　３４）、　１゜２２−１．３５（−、６）、１．３８−１．５０（ｍ、６） 、３．７８−３．８８（園、２）、３゜９６−４．０４（ｓ、Ｉ）、５．１８（ ｂｒ　ｓ、ｌ）、５．８２（ｄ、１．　Ｊニア、５　Ｈｚ）。

６．７６（ｂｒ　ｓ、ｌ）、７．２１（ｄ、１．　Ｊ＝７．７　８２）：　”Ｆ 　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ　−９２，２７（ｓ、８４％）及び（ｄ、１６％、Ｊ ａｎ−ｐ　”　２１９　Ｈｚ）：　ＭＳ　（ＣＩ／ＣＨａ）　■／ｚ　７９０　 （旧じ）。

実施例４ 反応経路Ａ、段ｉｆ：上で調製されたくフルオロビニル）スタナン（２６ｇ、　 ０．０３３ｍｏｌ）とフッ化カリウム（９，６ｇ。

０．１６５ｍｏｌ）をメタノール（３００■し）に溶解し、２４時間還流させる 。冷却後、溶液を真空下に一部濃縮し、シリカゲル（７５ｓＬ）を加え、混合物 を真空下に自由流動性粉末固体まで濃縮する。シリカゲル（ＩＬ）に通して５０ ％酢酸エチル／ヘキサン（２Ｌ）、続いて１０％メタノール／酢酸エチル（２Ｌ ）及び２０％メタノール／酢酸エチル（８Ｌ）で１！遇することによって精製す ると、化合物９．３８を白色固体として生ずる［注：低Ｒ２材料は過マンガン酸 カリウム染色によって見える。後の方のフラクションで溶離する、ジエチルエー テルですり砕くと、一度を低下させるが、痕跡量がまだ残る。水とジエチルエー テルとの間で生成物を分配してから、水相をｔｌｉｌ転結すると精製できる］、 メタノール／酢酸エチル（１２０ｓＬ）から再結晶化させると、表題化合物４． １６ｇと第二収穫物１．６６ｇ　（計６．２６３、６８．７％）を白色結晶とし て生ずる。融点１６６℃（フオーム）　；　ＩＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、）８３ ．４８−３．６２（園、　２）、　３．７３−３゜７８（ｍ、Ｉ）、４．７３− ４．７８（ｓ、Ｉ）、、４．９５（ｔ、Ｉ、Ｊ＝５．６　１１ｚ）、５゜６５（ ｄ、　Ｉ、　Ｊ＝６．９　Ｈｚ）、　５．７３（ｄ、　ｌ、　Ｊ＝７．６１（ｚ ）、　６．６５−６．６８（＋＋、　ｌ）、　６．７７（ｄｔ、　ｌ、　Ｊ＝８ ．１３．２．０　Ｈｚ）、　７．２５（ｂｒ　ｓ、　り。

７．５４（ｄ、　ｌ、Ｊ＝７−３　Ｈｚ）；１９Ｆ　ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｅ） δ　−１３０、０５（ｄ、　Ｊ：８０．９　Ｈｚ）：　ＭＳ　ＮＥＧ　（ＣＩ／ ＣＬ）　２５？　（Ｍ−１）。

分析’　ＣＩＯＨ１２Ｆ　Ｎ　、０４の計算１ａ　：　Ｃ，４６，７０；　Ｉ＋ 、　４．７ｏ：　Ｎ、　＋６．３４．測定値：　Ｃ，４６，８１；　Ｈ，４，７ １；　Ｎ、　＋６．１８゜実施例５ 反応経＃ｉＢ、段階ａ二窒素を流したｌｏＯｍＬの三つ首丸底フラスコに、ジエ チルトクロロー１−クフェニルサルファイト）メタンホスホネート（６２ｗ＋ｗ ｏｌ）　、フッ化セシウム（１２６−−ｏｆ）及びポリ（エチレングリコール） −２００とアセトニトリルとの混合物（１：２の比率、３８ｓＬ）を仕込む。

反応物をかきまぜながら、８０℃に２時閉加熱する０反応物を冷却し、水（１２ ５■し）で希釈し、クロロホルム（２ｘ１２５ｍＬ）で抽出する。有機抽出液を 一緒にし、水（５Ｏ−Ｌ）で洗い、舞水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、真 空下に濃縮すると、ジエチルｌ−フルオロ−１−（フェニルサルファイド）メタ ンホスホネートを生ずる。

反応経ｉ＃Ｂ、段階り：粗製ジエチルｌ−フルオロ−１−（フェニルサルファイ ド）メタンホスホネートをメタノール（８５ｓＬ）に溶解し、０℃に冷却する。

かきまぜながら、ペルオキシモノ硫酸カリウム溶液（水８５−Ｌ中６３■■ｏｆ ）を徐々に加える。温度は約５５℃に上昇する。冷却後、反応物を４時間かきま ぜ、次に反応物を真空下に濃縮する。

残ったスラリーを珪藻土に通して吸引濾過し、クロロホルムですすぐ。層を分離 し、水相をクロロホルムで抽出する。有機抽出液を一緒にし、−水硫酸マグネシ ウムで乾燥し、濾過し、真空下に濃縮する０次に、残留物をフラッシュ・クロマ トグラフィのようなこの技術で周知の手法によって精製すると、表題化合物を生 ずる。

実施例６ ジエチル１−フルオロ−１（フェニルスルホニル）メタンホスホネート 反応経路Ｃ１段階ａ：テトラヒトロフラン（２００＋ｇＬ）中のジエチル１−（ フェニルサルファイド）メタンホスホネート（２０ｇ、　７６．８■ｍｏｌ）と トリエチルアミン三フッ化水票酸塩（３７ｇ、　２３０ｍｍｏｌ）の溶液を一７ ８℃に冷却する。

白金ｔ　Ｆｉ　（３，８ｘ　１２　ｃｍ）において０．５Ａで１５分の電解を行 ない、次いて６．２５時間、１．ＯＡに高めでから、停止させる。−夜枚賞して から、１．ＯＡで更に３時閏、計９．５時間電閘を続ける０反応物をジエチルエ ーテル（２００ｓＬ）で希釈し、２モルの水１ヒアンモニウムですすぐ、水相を ジエチルエーテル＜２００頭し）で洗い、抽出する。有機相を一緒にし、簾水硫 酸マグネシウムで乾燥する。濾過し・、濃縮すると、粗製材料を茶色の油（２７ ，４ｇ）として生ずる。粗製材料をシリカゲル（５００ｇ、　６０−２００メツ シユ）に通して、酢酸エチル／ヘキサン（Ｉ：６．４Ｌ、次に１：３．２Ｌ）で 、更に酢酸エチルてＭＵすると、ジエチルエーテルオｒ′Ｊ−１−（フェニルサ ルファイド）メタンホスホネート（１０，７１Ｂ、　５０％）を生ずる。

反応経路Ｃ１段段階ニジエチル１−フルオロ−１−（フェニルサルファイド）メ タンホスホネー）　（８，４ｇ、純度８６％）を、実施例５、段階すと同様な方 法で、メタノール（２００ｓＬ）に溶解し、ペルオキシモノ硫酸カリウム（３０ ０ｍＬ水中３５ｇ）で処理することによって酸化させると、表題化合物を生ずる 。

実ｌｉＩ！例７ 反応経路Ａ、段階ｆ［逐次法］　：実施例３て調製された（２’Ｚ）−２’−デ オキシ−２′−［フルオロ（トリブチルスタニル）メチレン］−３’、５’−０ −Ｅｌ、　１，３．３−テトラキス（１−メチルエチル）−１，３−ジシロキサ ンジイル］シチジン（８ｇ、　Ｏ，ＯＩｉ＋ｏｌ）を塩化メチレン（２００ｓＬ ）に溶解し、活性化シリカゲル（約５Ｊ、　６０−２００メッシ：１　）を加え 、ＴＬＣがプロトリシスの完了を示すまでかきまぜる０反応物を濾過し、濾液を 真空下に濃縮すると、保護されたエキソ環式ビニルフッ化物を生ずる。８謹され たエキソ環式ビニルフッ化物（０，０１ｍｏｆ）をテトラヒドロフラン（２００ ｓＬ）に溶解し、フン化テトラブチルアンモニウム（０，０２５ａｏｌ）で処理 する　３＋、５＋−保護基の除去が完了したことをＴＬＣが示すまで、反応物を かきまぜる０次に、生成物を単離し、当業者に周知の手法によって精製すると、 表題化合物を生ずる。

補正音の写しくＵ訳文）提出書（特許法第１８４条の８）平成６年１１月ｌ１日

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. １．式 ▲数式、化学式、表等があります▲ ［式中Ｖはオキシ又はメチレンであり、Ａは式 ▲数式、化学式、表等があります▲ の基であって、式中Ｙは水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、又はＣ１−Ｃ４アルコキシ である］の化合物の製法であって、以下の段階、すなわち （ａ）式 ▲数式、化学式、表等があります▲ ［式中ＡＢは式 ▲数式、化学式、表等があります▲ の基であり、式中Ｂは式ＣＲ１ＮＲ２Ｒ３の適当な窒素封鎖基であり、ここでＲ １は水素又はＣ１−Ｃ４アルキル、Ｒ２とＲ３は独立にＣ１−Ｃ４アルキル］の 化合物を、式（Ｘ）２ＯＰ＝ＣＦ（ＳＯ２Ａｒ）［式中Ａｒはアリール基、Ｘは フェノキシ又はＣ１−Ｃ４アルコキシである］の適当なホスホネートイリドと反 応させて、エキソ環式フルオロビニルスルホンをつくり； （ｂ）エキソ環式フルオロビニルスルホンを適当な塩基又は過当な弱酸と反応さ せて、脱保護化アミンをつくり； （ｃ）脱保護化アミンを式（Ｒ）３ＳｎＨ［式中Ｒはアリール又はＣ１−Ｃ４ア ルキルである］のスタニル化試薬と反応させて、エキソ環式（フルオロビニル） スタナンをつくり； （ｄ）エキソ環式（フルオロビニル）スタナンをプロトリシス剤と反応させ、そ して同時又は順次に、シリル保護基を適当な酸又はフッ化物イオン給源と反応さ せる；という段階を含めてなる製法。
2. ２．式 ▲数式、化学式、表等があります▲（Ｉ）〔式中Ｖはオキシ又はメチレンであり 、Ａは式 ▲数式、化学式、表等があります▲ の基であって、式中Ｙは水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、またはＣ１−Ｃ４アルコキ シである］の化合物の製法であって、以下の段階、すなわち （ａ）式 ▲数式、化学式、表等があります▲（３）［式中ＡＢは式 ▲数式、化学式、表等があります▲ の基であり、式中Ｂは式ＣＲ１ＮＲ２Ｒ３の適当な窒素封鎖基であり、ここでＲ １は水素又はＣ１−Ｃ４アルキル、Ｒ２とＲ３は独立にＣ１−Ｃ４アルキルであ る］の化合物を、適当な塩基又は適当な弱酸と反応させて、脱保護化アミンをつ くり； （ｂ）脱保護化アミンを式（Ｘ）２ＯＰ＝ＣＦ（ＳＯ２Ａｒ）［式中Ａｒはアリ ール基、Ｘはフェノキシ又はＣ１−Ｃ４アルコキシである］の適当なホスホネー トイリドと反応させて、エキソ環式フルオロビニルスルホンをつくり；（ｃ）エ キソ環式フルオロビニルスルホンを式（Ｒ）３ＳｎＨ［式中Ｒはアリール又はＣ １−Ｃ４アルキルである］のスタニル化試薬と反応させて、エキソ環式（フルオ ロビニル）スタナンをつくり； （ｄ）エキソ環式（フルオロビニル）スタナンをプロトリシス剤と反応させ、そ して同時又は順次に、シリル保護基を適当な酸又はフッ化物イオン給源と反応さ せる；という段階を含めてなる製法。
3. ３．式 ▲数式、化学式、表等があります▲ 〔式中、Ｖはオキシ又はメチレンであり、ＡＢは式 ▲数式、化学式、表等があります▲ の基であって、式中Ｙは水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、又はＣ１−Ｃ４アルコキシ であり、Ｂは式ＣＲ１ＮＲ２Ｒ３の適当な窒素封鎖基であり、ここでＲ１は水素 又はＣ１−Ｃ４アルキル、Ｒ２とＲ３は独立にＣ１−Ｃ４アルキルである］の化 合物。
4. ４．式 ▲数式、化学式、表等があります▲ ［式中、Ｖはオキシ又はメチレンであり、ＡＢは式 ▲数式、化学式、表等があります▲ の基であって、式中Ｙは水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、又はＣ１−Ｃ４アルコキシ であり、Ｂは式ＣＲ１ＮＲ２Ｒ３の適当な窒素封鎖基であり、ここでＲ１は水素 又はＣ１−Ｃ４アルキル、Ｒ２とＲ２は独立にＣ１−Ｃ４アルキルである］の化 合物。
5. ５．式 ▲数式、化学式、表等があります▲ ［式中Ｖはオキシ又はメチレンであり、Ａｒはアリール基であり、また Ａは式 ▲数式、化学式、表等があります▲ の基であって、式中Ｙは水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、又はＣ１−Ｃ４アルコキシ である］の化合物。
6. ６．式 ▲数式、化学式、表等があります▲ ［式中Ｖはオキシ又はメチレンであり、ＲはＣ１−Ｃ４アルキル又はアリールで あり、またＡは式 ▲数式、化学式、表等があります▲ の基てあって、式中Ｙは水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、又はＣ１−Ｃ４アルコキシ である］の化合物。