JPH07507821A - シリコンとジルコニウムをベースとするラッカー，基体コーティングとしてのその使用方法，及び，このようにして得られた基体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 シリコンとジルコニウムをベースとするラッカー、基体コーティングとしてのそ の使用方法、及び、このようにして得られた基体技術分野 本発明は、シリコンとジルコニウムをベースとする新規なラッカー、基体コーテ ィングとしてのその使用、及び、このようにして得られた基体に関する。

背景技術 従来、典型的には極端に過酷な環境中で（重用される基体のコーティングとして 使用される、改良された技術的性質が＋５えられたラッカーを得るための研究及 び努力がなされている。コーティングされた基体が、前記の過酷な環境中で、使 用されるのを許容するコーティングの例は、耐１５染性、耐スクラッチ性、熱抵 抗性及び耐火性、低水分透過性、化学薬品に対する抵抗性、絶縁性、酸素防御性 、高体積抵抗率、低抵抗係数、基体に対する高付る力等のような性質を持つコー ティングである。

前記コーティングが使用される分野は、（パ４々てあり、多数存ｒ［する。例え ば、コーティングが、能動的及び受動的な電気、電ｒ・、光学部品及びその組立 物のために、環境のストレスに対して保護をｌ’Ｊえる分野を挙げることができ る。

過去１１□ＩＩ年間か、マイクロエｌ／りＩ・ロニクスの分野にお＋Ｊる研究は 、高い生産性と装置の小型化に向けられてきている。従って、高速−この部品配 置を１ｉＪ能とする表面装着部品（ｓｕｒｆａｃｅ−ｍｏｕｎＬｃｘｌ　ｄｅｖ ｉｃｅ　：　Ｓ　ＭＤ）の使用は、生産性を大きく高めており、プリント回路上 の前記表面Ｗ４ｆｆ部品（ＳＭＤ）の半ｌｌ付けは、今や、部品がおか第１た回 路の表面上で実行されている。現（Ｌ使用されている２つの十ｍ付け処理は、流 動ソルダリンクとリフローソルダリングである。これらの２つの処理の最初の、 いわゆる流動ソルダリング処理は、表面に取イ・ｊけられたＳＭＤを有するプリ ント回路を、溶融〕１用１浴中に１１ニ成された定在波と接触させるステップを ｒｉ″し、動作条件は、用いられる丁−１１１の要因によって変化するが、従来 のすず／鉛゛ｌ用（にχ１して、４１度及び時間のパラメータは、それぞれ、約 ２６０℃及び約１０秒である。リフローソルダリングと呼ばれる２番］１の処理 は、プリント回路基体上に取イー１けられたＳＭＤの接続ピンのところに固体の 半［口を配置し、その後、赤外照射又は気相転位を用いて、前記組立物を、約２ ２０℃の温度で、約３０秒間、加熱するステップを含む。従って、部品と基体は 、かなり強烈な温度条件にさらされるが、もちろん、それらはその性質、特に電 子的な性質を維持しなければならない。即ち、熱処理による変化は、数パーセン トより少なく、典型的には３％より少なくなければならない。

現在、部品自体を小型化することに努力が注がれており、新しいコンデンサのよ うな新部品が開発されている。薄膜コンデンサとして知られる、これらの新しい コンデンサは、金属、例えばアルミニウムの薄い層と、かさばる誘電体６料の薄 い層を積層することによって得られ、このＳＭＤの電極ピンは、金属、例えばア ルミニウムの蒸着によって得られる。ポリエステル、例えばポリエチレン・テレ フタレーｈ　（ＰＥＴ）又はポリエチレン・ナフタレート（ＰＥＮ）によって作 られ、金属て被覆されたフィルムからｉＨられるようなコンデンサによって、良 好な、旧つ、期待できる結果か得られる。このような新しいコンデンサのための 製造工程の例は、Ｉ　ｎＬｅｒｌｅａｒ（登録商標）として知られる工程である 。薄膜コンデンサを作成するための工程は、例えば、次の米国特許４７４１８７ ６．４７４４４６２．４５３３８１Ｂ、４５３５３８１．４５３１２６８．４５ ３４４８８及び４５３１３４０に記載されている。

しかしながら、上記薄膜コンデンザのような、これらの新しい部品は、いくつか の問題点に悩まされていた。その１つは、ポリエステル箔が水を吸収することで 知られていることである。このｌｋは、アルミニウム電極（金属箔）の腐食及び 浸食を発生させ、更に、水分含有量の変化によって生じる容態変化を発生させる 。

これは、前記’Ｆ［ＩＩト１け処理中に、水の急激な蒸発か、層の剥離を発生さ せる傾向にあることを意味する。

水に関連するこれらの問題は、ポリエステルの低融点と相乗作用する。従って、 半［口付は処理に耐えることが可能なマイクロエレクトロニクスＳＭＤとして薄 膜コンデンサを用いるには、これらの薄膜をカプセルに包む必要がある。ＳＭＤ を保護するため、カプセル化ケーシングには、絶縁性がり、えられなければなら ない。

しかしながら、絶縁ケーシングの大きさのために、コンデンサの小型化のおかげ てｉすられたＩＩ益が失われてしまう。

このような絶縁ケーシングの使用を避けるために、他のｉｌ策が提案されている 。

それは、ＳＭＤ部品、例えばコンデンサを、バリアとして作用し、従ってＳＭＤ の劣化を防１１−１する材料てコーティングすることを基本としている。しかし ながら、飲水される性質は、数多くある。取分＋１、ｉ’ｒｌ脱コンデンサのよ うな前記ＳＭＤの場へ、主要な性質は、薄い１５ｊみての効率、アルミニウム及 びポリエステルのような基体に対する高い付賃性、水分にλ・Ｉする低い透過性 、強烈な半［Ｆｌ付は条件に耐えるのに十分な温度特性、（５，＋１い表面及び 体積抵抗率及び高い破壊電圧のような電気的性質、溶剤やせっけんに対する抵抗 性のような化学的性質、基体上への塗布容易性、環境（做・ｌする無害性′、ｑ −Ｃある。Ｓ　Ｍ　Ｉ）や他のもののためのコーチインクとし、で、ポリ塩化ビ ニル（ＰＶＣ）　、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）等のような様々な１事１が （眉ＩＩ、されているが、これらによって得られる結果は満足できるものではな い。水１ｉ／７ｉｔｆｌｌ＋４として知られるこれらの材料は、例えばポリエス テル、シリコン、セラミック、金属等で作られた基体に付着せず、しかも、高温 に耐えることかできない。

光学部品、プリント回路基板等と同様に、ＳＭＤの広い多様な範囲について、同 （１の及び他の問題か牛している。本発明のｋｌｊ囲内に入ると考えられる基体 の例は、例えば、抵抗器、集積回路、先導波管及びスイッチ、マルチチップ・モ ジュール（ＭＣＭ）　、シリコン・ウェハ、銅及び金導体線を備えたＦＲ−４積 層体又はＡＬ２０３−セラミック基板をベースとした印刷回路基板（Ｐ　ＣＢ） のようなＰＣＢ、及びハイブリッド回路かある。

更に、高集積化、信号伝達の高速化は、ＳＭＤのサイス縮少と同様に、新しいパ ターンｆ′ｌ成ｉｉＪ能な＋１−１を要求している。ＲＡＭ及びＲＯＭチップ、 特にブロセノザの新１１）代のｉｉＪ能性は、高集積化及び多層化技術無しには 十分に用いることができない。従って、マイクロエレクトロニクスは、特別製の 材料及び）（１互接続のための新しい技術を必要としている。多層化技術は、高 破壊電圧、低誘電定数、高体積抵抗率、高腐食抵抗性、様々なタイプの基体にχ 、１する高い付着性等のような、特別の性質を待つパターン作成可能な誘電体＋ （料を要求している。前記性質かＬｊえられ、コーチインクとして用いられ、更 に処理される、そのような材料は、超人規模集積回路（ＶＬＳＩ）技術のための 新しい進歩を始めさせるであろう。

これまでの例は、改良された性質が与えられた様々なコーティングの必要性を示 している。しかしながら、はとんど全ての場合にコーティングとして用いるため の単一のコーティングがあれば、最もａ益である。これは、例えば、全てのＳＭ Ｄが配置されたＰＣＢに対する１段階処理を可能とするであろう。数多くの性質 を持つ、そのようなコーティングを得るための試みかなされているが、これまで に得られた結果は見込みのあるものではない。

ＥＰ−Ａ−０１７１４９３は、スクラッチに耐えるラッカーを記載（、ている。

このラッカーは、ａ）ジルコニウム化合物Ｚ　ｒ　Ｒ４と、ｂ）Ｙが重合可能基 てあ重合させることによってｉすられる。本発明による特別なラッカーについて の記載や、電子又は光学部品のためのコーティングとしてのその使用は述べられ ていない。

ＥＰ−Ａ、−００７８５４８は、レンス材料、特にコンタクトレンズとして使用 するための縮合重合体を記載している。この縮合重合体は、ａ）ジルコニウム化 重合することによって得られる。本発明による特別なラッカーについての記載や 、電子又は光学部品のためのコーティングとしてのその使用については述べられ ていない。

本発明の目的は、塗布される新しいラッカーのおかげで、前記の「普遍的な」コ ーティングを提供することにある。

図面の簡単な説明 図１は、９０℃、１００％ＲＨの寿命試験における、コートした、及びコートし ないＰＥＮコンデンサ上の相対容量変化を示す。

発明の開示 従って、本発明は、次のステップを実行することを含むプロセスによって得られ るラッカーを与える。

（ｉ） ａ）式■て表わされる、少なくとも１つのジルコニウム化合物を１〜１０モル％ ： ＺｒＲ・・・（１） ここで、Ｒは、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アシルオキシ又はキレート 配位子、 ｂ）式■で表わされる、少なくとも１つの有機シランを２０〜９４モル％ニール アルキル、アルケニルアリール、アリールアルケニル、Ｒは、アルキレン、アル ケニレン、アリーレン、アルキル−アリーレン、アリール−アルキレン、アルケ ニル−アリーレン、アリール−アルケニレン、 Ｒ′゛及びＲ″′は、選択により酸素、硫黄、又は−ＮＨ−が途中に介在、 Ｘは、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アシルオキシ、−ＮＲ′２ ここでＲ′は、Ｈ又はアルキル Ｙは重合可能基、 ｍ及びｎは、０〜３の整数で、ｍ−４−ｎは１〜３、Ｃ）式■で表４フされる、 少なくとも１つの有機シランを５〜３０モル％：Ｒ”　ＳｉＸ　・・・（ＩＩＩ ） Ｐ　４−Ｐ ここで、ＲＩＩ及びＸは、上記の意味を有し、ｐは１．２又は３、及び、選択に より ｄ）ＩａからＶａまての主属元素或いはＩＶｂ又はｖｂの亜属元素の、反応媒体 中で可溶な、少なくとも１つの低揮発性金属酸化物、又は、反応媒体中で可溶な 、低揮発性酸化物を形成する、前記元素の一つの化合物を０〜１０モル％：を、 望ましくは水が存在せず、選択により有機溶媒の存（■二重で、１０〜８０’Ｃ の間の温度で、０．５〜７２時間の間、予備縮合するステップと、（ｉｉ）ステ ップ（ｉ）の予備縮合体を、化学量論的な量の０〜５０％の水の存在下て、２０ 〜９０℃の間の温度で、０．５〜７２時間の間、加水分解・縮合するステップ。

好ましくは、式■の成分ａ）は、２〜６モル％とされ、式■の成分ｂ）は、６９ 〜８３モル％とされ、弐■の成分Ｃ）は、］−５〜２５モル％とされ、成分ｄ） は無しとされる。

前記式Ｉ、■及び■において、１以上の化合物中に数回表われる基Ｒ，Ｒ’、Ｒ ＩＩ、Ｘ又はＹは、同じ物を表わしたり、又は、異なる物を表わすことができる 。

従って、例えば、式■及び■の基Ｘは、両方の式においてメトキシ基であったり 、式■てはメトキン基て、式■ではヒドロキシ基（水酸基）であってよい。更に 、式Ｉの基Ｒは、４つの異なる物を表わしたり、１つの同じ物を表わすことがで きる。

ここで使われている「アルキル」という用語は、１〜２０、好ま（、＜は１〜１ ０、更に好ましくは１〜６の炭素原子を持つ、直鎖状、分岐状、又は環状の、飽 和基を、これに限定されることなく、表わすことを意図されており、最も好まし い基は、１〜４の炭素原子を含む低級アルキル基である。そのような基の例は、 例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、５ｅａ− ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル及びシク ロヘキシルを含む。

ここて使イっれている「アリール」という用語は、６〜２５、好ましくは６〜］ ４、最も好ましくは６〜１０の炭素原子を持つ芳香族の基を表わすことを意図さ れている。例えばフェニルとナフチルがあり、フェニルが好ましいアリール基で ある。

ここでｆ吏イつれている「アルケニル」という用語は、２〜２０、好ましくは２ 〜１０、更に好ましくは２〜６の炭素原子を有する、直鎖状、分岐状又は環状の 、−価又は多価不飽和基を表わすことを意図されている。そのような基の例は、 アリル、２−ブテニル及びビニルである。

アルキルアリール基、アリールアルキル基、アルケニルアリール基、アリールア ルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、アルキレン−アリ ーレン基、アリーレン−アルキレン基、アルケニレン−アリーレン基、アリーレ ン−アルケニレン基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルアミノ基、ジア ルキルアミノ基、アミド、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基等が 、当業者に周知の用語辞典によれば、前記アルキル基、アリール基及びアルケニ ル基から導き出される。そのような基の例は、メトキシ、エポキシ、ｎ−及びｉ −プロポキシ、ｎ−５ｅｅ＝及びｔａｒｔ−ブトキシ、イソブトキシ、β−メト キシエトキシ、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、モノメチルアミノ、モノ エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミ人工チレン、プロピレン、ブチレ ン、フェニレン、トルイレン、ベンジル、スチリル、メチルカルボニル、エチル カルボニル、メトキシカルボニル及びエトキシカルボニルがある。

前記基は、ハロゲン、低級アルキル、ヒドロキシ、ニトロ、アミノ等のような、 通常使用される１以上の置換基によって置換されることができる。ここで使われ ている「ハロゲン」という用語は、フッ素、塩素又は臭素を表わすことを意図さ れ、塩素が好ましい。

式Ｉのジルコニウム化合物ａ）は、 Ｚ　ｒ　Ｒｉ、　・・・（１） てあり、ここで、Ｒは、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アシルオキシ又は キレート配位子で、 「無機網口形成成分」とも呼ばれる。

無機網目形成成分であるジルコニウム化合物の例は、例えば、ＺｒＣｌ４、Ｚｒ （０−Ｃ３Ｈ７）４、Ｚｒ（０−Ｃ４Ｈ９）４、Ｚ「（アセチルアセトナト）（ ０−ＣＨ）Ｚｒ（アセチルアセトナト）４、好ましくは酸素又は窒２　３　７　 ４ゝ 素によって配位されたキレート配位子を持つＺｒ化合物である。好ましいグルー プは、Ｚｒ（０−イソＣ３Ｈ７）４、即ち、テトライソプロポキシ・ジルコネー トであり、以下、ラッカーのだめの式中のＺｒと呼ばれる。

式■のシランｂ）は、 Ｒ”　（Ｒ″’　Ｙ）　Ｓ　ＩＸ　（４−Ｉｌｌ−１）　・・（ＩＩ）Ｍ　ｎ てあり、ここで、 ＲＩＴは、アルキル、アルケニル、アリール、アルキルアリール、アリールアル キル、アルケニルアリール、アリールアルケニル、好ましくはメチル、Ｒ″′は 、アルキレン、アルケニレン、アリーレン、アルキル−アリーレン、アリール− アルキレン、アルケニル−アリーレン、アリール−アルケニレン、好ましくはＣ １−４アルキレンで、ＲＩＩ及びＲ″′は、選択により酸素、硫黄又は−ＮＨ− が途中に介在、Ｘは、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アシルオキシ 、−ＮＲ２′、ここでＲ′は、■又はアルキル、好ましくはＣｌ−４アルコキシ であり、Ｙは、重合可能基、好ましくは、メタクリルオキシ、アクリルオキシ、 エポキシ、ビニル、アリル、 ｍ及びｎは、０〜３の整数、好ましくは、それぞれ０と１で、ｍ＋ｎは１〜３で あり、 「有機網目形成成分」とも呼ばれる。

架橋基Ｒ″′の途中には、選択により、酸素、硫黄及び、−ＮＨ−の如き窒素の ようなヘテロ原子を介在させることができる。従って、ポリエーテルのような、 ２〜１０の反復単位が、有効に得られる。

機能性有機網目形成成分の例は、 （ＣＨ３０）３−５ｔ−（ＣＨ２）ｘ−ＣＨ−ＣＨ２ｘ−１，２（ＣＨ３０）３ −８ｉ−（ＣＨ２）２−Ｃｌ−４アルキレンであり、Ｙは、アクリルオキシ、メ タクリルオキシ、グリシジルオキシ、ビニル、アリル、エボキシンクロヘキシル であり、Ｘは、Ｃｌ−４アルコキシである。

最も好ましいグループは、３−グリシジルオキシプロピルトリメ］・キシシラン 及び３−メタクリルオキシブロピルトリメトキシシランであり、それぞれ、以後 ｇｌｙｍｏ　（Ｇ）及びｍｅｍｏ　（Ｍ）と短縮する。

式■のシランＣ）は、 ＲＩＩＰＳｉＸ４．、□ｐ てあり、ここて、ＲＴｌ、Ｘ及びｐは上記意味をＨし、「網［］修飾成分ｊとも 呼ばれる。

その例は、例えば、 ＣＨ−５ｉ−Ｃ１３、ＣＨ３−３ｉ−（ＯＣ２Ｈ５）　３、ＣＨ−ＣＨ−３ｉ− （ＯＣ２Ｈ５）　３、ＣＨ富ＣＨ−５１−（ＱＣ，、Ｈ４０ＣＩＩ３）　３、Ｃ Ｈ２−ＣＨ−５ｉ−（ＯＯＣＣＨ３）　３、（ＣＨ）　ＳＩ　Ｃ１２、（ＣＨ３ ）２−８ｌ−（ＯＣ２Ｈ５）２、（ＣＨ）　（Ｓｉ−（ＱＣ，、Ｈ５）２、（Ｃ Ｈ）　（ＣＨ２−ＣＨ）　Ｓ　ｓ　Ｃｌ　２、（ＣＨ３）　３−３　ｉ　−ＣＬ （Ｃ２Ｈ５）　３−５　ｉ　−ＣＬ Ｄ−ＣＨ）（ＣＨ３）２−３ｉ−ＣＩ。

（ＣＨ３）　２（ＣＨ，、−ＣＨ−ＣＨ２）−３ｉ−ＣＬ（ＣＨ）　Ｓ　ｉ　（ ＯＣＨａ　）　２、（ＣＨ３）２−８Ｌ−（ＯＣＨ３）２、（Ｃ６Ｈ５）２−５ ｉ−Ｃ１２、 （Ｃ６Ｈ５）、、−５ｉ−（ＯＣ２Ｈ５）２、ＣＨ２＝ＣＨ−５ｉ−Ｃ１３、Ｃ Ｈ−ＣＨ−ＣＨ，、−５１−（ＯＣ２Ｈ５）　３、ＣＨ２−ＣＨ−ＣＨ２−３ｉ −（ＣＨ３ＣＯＯ）　３、（ｉ−Ｃ３Ｈ７）　３−５１−ＯＨ，及び（ＣＨ）　 Ｓｉ　（ＯＨ）２ である。

好ましくは、ｐは２てあり、ＲＩ＋はアリールであり、Ｘはヒドロキシ又はＣｌ −４アルコキシである。

最も好ましい網目修飾成分は、（ＣＨ）　Ｓｉ　（ＯＨ）２、ジフエニルシラン ジオールであり、以後、縮めてＰ２とする。

シラン及びジルコニウム化合物は、商業的に入手可能であるか、又は、当業者に 周知の方法によって容易に作成される。例えば、Ｗ、Ｎｏ１ｌ　“Ｃｔ１ｃａ＋ ｉｃ　ｕｎｄＴｃｃｈｎｏｌｏｇｉａ　ｄｃｒ　５ｉｌｉｃｏｎｅ　−、Ｖｅｒ ｌａｇ　Ｃｈｃｍｉｃ　ＧＩｌｌｂＨ，Ｗｅｉｎｈｃｉａ、Ｂｅｒｇｓｔｒａｓ ｓｅ　（１９６８）参Ｈ抱　シラン及びジルコネ−１・は、純粋であることに注 意する必要がある。ＣＩ、Ｂ５Ｃａ、Ｔｉ等のような微量の電解質は、反応条件 、及び、このようにして得られるラッカーの性質に悪影響を与える。

モノマー（ａ）、（ｂ）又は（Ｃ）の代わりに、それぞれ、そのオリゴマーを用 いることもてきる。これらのオリゴマーは、反応媒体中に可溶であり、それらは 部分的に予備縮合される。これらの部分的Ｔ−備締縮合体即ち直線状あるいは環 状のポリ有機ンロキサンーボリａ機ジルコン酸塩−は、低い分子量を資し、縮合 率は２〜１００の範囲に亘っている。

選択成分（ｄ）としては、周期率表の主属１ａからＶａ或いは亜属ＩＶｂ又はｖ ｂの元素からなり、反応媒体中で可溶な、低揮発性酸化物か、又は、反応釜（り １下で、既に述べたような低揮発性酸化物を形成する、反応媒体中で可溶な、前 記元素の１つの化合物を用いることができる。好ましくは、成分（ｄ）は、次の 元素、Ｎａ、に、Ｍｇ、Ｃａ５Ｂ、Ａｌ５Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ及び／又 は■、より好ましくは、Ｎａ、に、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂ、ＡＬ　５ｎＳＡｓ及びＰ５ の１つから出発して得られる。

低揮発性酸化物のうち、好ましい酸化物は、Ｎ　ａ　２０、Ｋ２０．Ｃａ　０１ ＳｎＯ，ＡｓＯＰＯＢＯである。Ｂ２Ｏ３が最も好ましい。

２　２　３ゝ　２　５ゝ　２３ 反応媒体中で可溶で、前記低揮発性酸化物を形成する化合物は多数ζｒ／Ｅする 。

ホスホン酸、ホウ酸のような鉱酸ち、それらのエステル、ハロゲン化物及び塩と 同様に適当である。ＮａＯＨ，ＫＯＨ又はＣａ　（ＯＨ）２のような水酸化物、 ５ｎｃ１　及びＰＣｌ５のようなハロゲン化物、及び、ＮａＯＲ，ＫＯＲ，Ｃａ （ＯＲ）　又はＡＩ（ＯＲ）３、基Ｒは、メタノール、エタノール、プロパツー ル及びブタノールのような低級アルコールに由来する基、のようなアルコラード も適ｉ１１である。選択的に用いることができる出発化合物は、酢酸塩、塩基性 ＾１酸塩、塩基性酢酸鉛塩及びギ酸塩のような、揮発性の酸に対応する塩である 。

ラッカーを形成するヘテロポリ縮合体につながる縮合化を達成するために、所望 量及び比に従って、出発成分ａ）、ｂ）、Ｃ）及び選択によりｄ）が、まずに備 縮合ステップの対象となる。このステップは、好ましくは水が存在せず、選択に より、反応条件下で不活性である有機溶媒の存在下で実行される。この１機溶媒 は、例えば、メタノール、工先ノール、プロパツール、ブタノールのようなアル コール、ジメトキシエタンのようなエーテル、ジメチルグリコールアセテートの ようなエステル、アセトン又はメチルエチルケトンのようなケトンである。好ま しくは、予備縮合ステップは、外部ａ機溶奴無しに実行される。このステップは 、（Ｉｒましくは、外部から７Ｋを加えることなく行イつれ、反応媒体中に存４ ニする水は、ジフェニルシランジオール（成分Ｃ）のＯＨ基、及び、アルコキン ｈ（を持つ０Ｈ）１５の縮合反応の結果として生しるものである。この水は、引 き続いて他の成分の縮合を開始させるかもしれないが、その回は少ない。

Ｔ−備縮合は、陽子Ｈ十又は水酸ｈ（イオンＯＨ−を発生ずる化合物や、アミン のような触媒の存ｆ■：下で実行することができる。Ｉ■十を発生する化合物の 例は、塩酸、硫酸、リン酸、酢酸及びギ酸のような有機酸又は鉱酸である。ＯＨ −発生化合物及びアミンの例は、例えばアンモニア、ナトリウム、カリウム及び カルシウム水酸化物のような、アルカリ又はアルカリ土類金属の水酸化物、及び 、反応媒体中に溶けるアミン、例えば低級アルキルアミン及び低級アルカノール アミンである。好ましい触媒は、ギ酸及びアンモニアである。触媒の総量は、例 えば３モル／ρまでの範囲とすることかできる。

Ｔ−６３縮合ステ・ノブは、通常、１０〜８０℃、好ましくは１５〜５０℃の範 囲の温度で実行される。Ｔ−備縮合ステップを完了するのに必要な時間は、０． ５〜７２１１、＋１間、好ましくは１〜４８時間の間である。溶媒が用いられる 場合、溶媒の沸ＥＲ度を含み、同し範囲か通常適用される。しかしなから、反応 は、好ましくは室温で行われる。溶媒は、予備縮合化された媒体から、反応の最 後に取除かれることかできる。

予備縮合は、選択により、まず、１以上の出発成分、又は、１つ、いくつか又は 全ての出発成分の一部の予備縮合を行い、次いて、残る成分又はその部分を追加 して、予備縮合化のプロセス、又は、追加の縮合のプロセスを、最終的に実行す ることによって行うことができる。

予備縮合は、予備縮合体が、未だ、液体の粘調性を示すような進展度合まで実行 される。

予備縮合に続く縮合（ｉｉ）は、選択により溶媒の溶液無しとして、水の化学量 論的な量の０〜５０％の存在下で実行される。この明細書で用いられている化学 量は、最初に用いられる出発６料を基礎として４算される。好ましくは、水の量 は、化学量論的な量の０〜２５％の間とされる。

本発明の好適な実施例によれば、加水分解可能基の加水分解は、無水媒体中で行 われる。即ち、縮合は、水を加えることなく実行される。

縮合ステップ（ｉ　ｉ）は、上記のようなタイプの触媒の存在下で実行すること ができる。縮ｇ　（Ｈ）のための好ましい触媒は、ギ酸及びアンモニアである。

触媒の総量は、例えば５モル／βまての範囲とすることかできる。前記縮合の間 、既に述べた有機溶媒の１つが、予備縮合（ｉ）の完了時に取除かれていなけれ ば前記縮合（ｉｉ）の始めから、又は、前記縮合中に加えることによって、存ζ Ｆシてもよい。縮合ステップ中に溶媒か用いられる場合には、真空を使って除去 することができる。

縮合（ｉ　ｉ）は、２０〜９０℃の間、好ましくは２５〜７０℃の間の温度で、 ０．５〜７２時間の間、好ましくは、２〜４８時間の間の時間実行される。反応 パラメータ、特に反応時間は、出発６料の性質、予備縮合の反応条件、縮合温度 及び得られるラッカーの所望粘度の関数として調整される。典型的には、ラッカ ーの所望固在粘度を得るように縮合か継続される。好ましくは、前記固０粘度は ５〜１０１００Ｏ／ｓの間である。この粘度は、ラッカーが容易に処理されるよ うに、即ち、対象基体に容易に塗布できるように選ばれる。粘度は、毛細管粘度 測定のような公知の方法で測定される。

ラッカーは、コーティングのためのように用いられ、又は、追加の添加剤を含む ことができる。これらの添加剤は、一般的なものであり、有機福釈剤、たれ防止 補助剤、顔料、染料、ＵＶ安定剤、粘度調整剤、酸化防止剤、充填剤を含むが、 これらに限定されない。好ましくは、ラッカーは、粘土、焼成粘土、エアロジル （Ａｅｒｏｓｊｌ　＋登録商標〕、α一方解石、ガラス繊維、ガラス・フレーク 、タルク等のような充填剤を含む。充填剤は、ラッカーの重量を基礎として、１ 〜７０重量％とすることができる。

好ましい充填剤は、Ｌ　ｕｚａｎａｃタルク及びガラスｊｉＩｍ／フレークであ り、これらは、コーティングの前にラッカー中に取入れたり、コートされた後で 、その上に撒かれることができる。

ラッカーが処理されるべき時点に関しては、タイムリミツトが、縮合反応の完了 後、約１５年であるため、特別な要求は存在しないが、好ましくは、縮合後２０ ０口以内に塗布される。この要求は、粘性変化のためである。あるいは、段階的 に、即ち、予備縮合と縮合を２つの異なる時点に行うことによって、ラッカーを ｉすることができる。この場合、予備縮合体を、水無しの環境中で、低温で保存 して、縮合反応か開始しないように注意する必要がある。

他の実施例によれば、ラッカーは、溶媒を例えは蒸留によって除去して、溶媒な して保存されることができる。必要であれば、粘性を調整するために、溶媒及び ／又は反応性稀釈剤を、塗６１前に加えることができる。溶媒は、通常の溶媒（ 例えばプロパツール、ブトキシェタノール、プロポキシアセテート）である。

反応性稀釈剤は、例えば、スチレン・オキシド、フェニル・グリシジル・エーテ ル、ネオペンチルゲルコール・ジグリシジル・エーテルであり、硬化処理中に有 効に有機網１ユ１中に取込まれる。

本発明の他の目的は、本発明によるラッカーを前記基体上に塗布するステップと 、前記ラッカーを硬化させるステップを含む、基体上のコーティングを得るため のプロセスである。

ラッカーは、公知の方法によって塗布される。ラッカーを塗’Ｉ’ｌｉするため の通常の方法の例は、刷毛塗り、印刷、スクリーン印刷、ディップコーティング 及びその後のスビニンクオフ、ソーキング、吹き付は等である。ラッカーを塗／ ｌｉする方法は、ラッカーの粘性及びコーティングされる基体に基づいて決定さ れる。又は、プラント中で使用されている特定のプロセス中で処理されるように するため、ラッカーの粘性が調整される。なお、部品は、その全ての面について コートされる必要はなく、例えば、２面のみコートされる必要がある立方体状の 基体は、最も好適な方法を使って、それらの面についてのみコートすることがで きる。これは、２つの主な酸化可能面を有する薄膜コンデンサのようなＳＭＤの 場合である。このようにして塗布されたラッカーは、それから、その顕著な特性 を得るために硬化される。

縮合に続くステップは、ステップ（１１）の縮合体の硬化である。この硬化は、 有機網目形成成分ｂ）の重合可能基Ｙの重合化である。この重合化は、ラジカル 光重合、熱及び／又は硬化剤重合とすることができる。

この硬化は、温度処理によって、及び／又は、硬化剤、即ち硬化薬剤のいずれか によって開始されることができる。硬化剤は、触媒と共に用いることができる。

適当な硬化剤は、通常使用されているものであり、例えば、ジアシル過酸化物、 例えばベンゾイル及びラウロイル過酸化物；ケトン過酸化物、例えばアセトン及 びシクロヘキサノン過酸化物；炭化水素過酸化物、例えばｔａｒｔ−ブチル、ク ミル（ｃｕｎ＋ｙｌ　）　、デカヒドロナフチル過酸化物；ジヒドロカルビル（ ｄｊｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ　）過酸化物、例えばジーＬｃｒＬ−ブチル及びジ クミル過酸化物；バーセタール（ｐｅｒｃｅＬａｌ）　、例えば１．１−ジーｔ ａｒ　Ｌ−ブチルペルオキシ−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン；過酸エ ステル、例えばＬｅｒｔ−ブチル過安息香酸エステル、ｔｅｒｔ−ブチルペルオ キシイソプロピル−過炭酸エステル、ビス（４−Ｌｃｒｔ−ブチルシクロヘキシ ル）ベルオキシジ炭酸エステル、ブチル及びシクロヘキシル過炭酸エステル、ビ シクロヘキシル・ベルオキシジ炭酸エステル、ｔａｒｔ−ブチル過ビバル酸エス テル、ｔａｒｔ−ブチル過オクタン酸エステル、及びＬｅｒＬ−ブチル過マレイ ン酸エステルや、アセチルシクロへキサン嗜スルホニル過酸化物である。アゾビ スイソブチロニトリルのような通常のアゾイック開始剤や、従来の第１及び第２ 脂肪族又は芳香族アミン、例えばジエチレントリアミンも適当である。３フツ化 ホウ素モノ工チルアミン錯体も、硬化剤として用いることができる。ヘキサヒド ロ無水フタル酸のような無水物も又適当てあり、ヘキサヒドロ無水フタル酸の場 合には、Ｎ−ベンジルジメチルアミンを触媒として有効に用いることができる。

ハロゲン化アンチモン、例えばＳｂＦ６も用いることができる。硬化剤のタイプ は、重合されるべき官能基に依存する。官能基が二重結合Ｃ−Ｃてあれば、硬化 剤は通常、過酸化合物である。官能基がエポキシであれば、硬化剤は、アミン、 ｓｂ水物／アミン及び３フツ化ホウ素である。硬化剤の量は広範囲に亘ることか でき、エポシキ硬化の場合には、エポキシ含有量に基づいて、１〜１００％、好 ましくは５〜５０％の範囲に亘ることかできる。硬化剤と共に触媒が用いられる ときには、それらは、硬化剤の重量を基礎として、０．０１〜１００重量％、好 ましくは５％とすることができる。

硬化剤を用いた又は用いない熱硬化は、２０〜２００℃、好ましくは５０〜１５ ０℃の温度で実行される。硬化時間は、広範囲に変化することができ、通常は、 １０分〜７２時間の間、好ましくは０．　５〜２０時間の間とすることができる 。

熱硬化は、選択により、真空下で実行することができる。

光硬化は、ＩＲ硬化、ＵＶ硬化、又は、任意の適当な光硬化、例えば、光化学線 照射の下で作用する硬化、等とすることができる。好ましくは、光硬化はＵＶ硬 化である。この後者の場合、ＵＶ活性化開始剤が適当である。この開始剤の例は 、１−ヒドロキシ−シクロへキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルアミンル （ｃｅＬａｌ　）　、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパノン、ブチル・ オキシド、ベンゾイン・オキシド、エチル・オキシド、ベンゾフェノン、ベンゾ イン、置換チオキサントン（【旧ｏｘａｎＬｂｏｎｅ）　、及び、トリアリール スルホニウムへキサフルオロ−リン酸塩及び−アンチモン酸塩（例えばユニオン カーバイドのＣｙｒａｃｕｒｅ　ＵＶｌ６７４）のようなイオン性光開始剤であ る。成分ｂ）のＹ基の（メタ）アクリルオキシ官能基を硬化するための、好適な ＵＶ開姶剤は１−ヒドロキシーンクロへキンルーフェニルケトンである。１−ヒ ドロキシ−シクロへキシル−フェニルケトンは、商品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４ 　（チバガイギー社）で商業的に入手可能である。

熱又はＵＶ硬化開始剤の量は、ラッカーの重量を基礎として、０．０１〜５重量 ％の間とすることができ、既に説明したように、重合官能基の含有量に基づいて 計算することもできる。上記のものに、加速剤を加えることもできる。そのよう な加速剤の例は、第３アミン、好ましくはＮ−メチルジェタノールアミンである 。この加速剤の量は、光開始剤の重量を基礎として、１０〜３００重量％の間、 好ましくは５０〜２００重量％の間とすることができる。

本発明の実施例によれば、硬化は、熱硬化及びＵＶ硬化のいずれかとされる。

異なる順序も有効であることが発見されている。例を以下で説明するが、ここで 、ｐは、Ｉ　ｒｇａｃｕｒを用いたＵＶ照射化での光硬化を表わし、ｔは、無水 物／アミン又はフッ化ホウ素を用いた１２０℃で９ハ硬化を表わす。を及びｐの 後の括弧内の数字は、それぞれ時間及び分単位で表わされた硬化時間を表わす。

これらの例は、を及びｐ−硬化の組合せの例として与えられ、ｐ　（１）−ｔ　 （１６）、ｔ（１６）−ｐ　（１）、ｔ　（１）−ｐ　（１）−ｔ　（１６）等 である。

他の実施例によれば、硬化は、２段階硬化であってもよく、この場合、コートさ れた基体の取扱を可能とするために、まず光硬化が実行され、ラッカーを完全に 硬化するために、それから熱硬化が実行される。第１段階は、極めて短時間、例 えば約３０秒であり、コーティングがくっつかなくなるため、このようにコート された基体は容易に取扱える。この時点でのラッカーは、「予備硬化」ラッカー である。第２段階は、より長い時間、例えば１６時間を必要とする。基体がくっ つかないという事実のため、炉中の基体場所間の最小距離の制限はなく、互いに くっつく危険はない。この実施例は、処理の容易化及び迅速化、炉の小型化等を 許容する。

このプロセスで得られたコーティングは、０．１〜２００μｍの間、好ましくは １〜１５０μｍの間の厚みを有する。ラッカーを塗布する前に、基体は、離削（ ｋｅｙｉｎｇ　ａｇｅｎｔ）或いは１次層又は下層によってコートされることが できるが、この予備コーティングは必ずしも必要なものではない。このコーティ ングは、下層が、例えば充填剤を含むラッカーであり、表面層が、純粋なラッカ ーである２重層として得ることもてきる。

本ラッカーによって、任意の基体、特にＳＭＤ及びＰＣＢのような基体が、コー トされることができる。基体は、例えば、薄膜コンデンサ、マルチチップ・モジ ュール、抵抗器、集積回路、シリコン・ウェハ、光部品であることができる。

本ラッカーは、金属、ポリエステル、セラミックス等に付着され、様々な基体上 で非常に高い付着性を示す。

従って、本発明の他の目的は、本プロセスによって肖られるコーティングが、そ のり、ｌ：１ｆｆｉ／ｉされた基体を′ｊ、えること−Ｃある。更に、本コーテ ィング・プロセスは、本ラッカーをコーティングとしご用いる方法として表現す ることもてきる。

以１−″、本発明は、次の実施例によって、より詳細に説明されるが、これらの 実施例は、本発明の範囲を例示したものとして理解されなければならず、添イ且 ７たクレームによって定義された本発明の範囲を限定するものではない。

発明を実施するだめの最良の形態 実施例１−Ｇ　Ｍ　Ｐ　２　Ｚ　ｒの合成０４モルの製剤のためのシステムＧＭ Ｐ　２　Ｚ　ｒの調製は次のとおりである。

０４、４５ｇ　（（’１１．４モル、３８．６モル？６）Ｃ１，、ＹＭＯ（ユニ オンカーバイト社の３＝グリシジルオキシブロピルトリメトキシンラン） ９９、　２４．ｇ　（（１，４モル、３８．６モル％）ＭＩＥＭＯ（フルー力（ Ｆｌｕｋａ）　３１の３−メタクリルオキシプロピノ則・リメトキシシラン） ４１．９７ｇ　（０，２モル、１８．９２モル％）ジフェニルシランジオール（ フルー力１Ｌ）１３．１０ｇ　（ＣＩ、０４モル、３．８６モル％）Ｚｒ（フル ー力′ｆ、Ｉのテ１−ライソブ口ボキシジルコネ−１−）多数巻き凝縮器、温度 ＝１及び滴ドロートを備えた５００１Ｔｌｌの３６ガラスフラス：１中に、前記 モノマーを上記の順序で秤量して入れる。懸＠ｌ（ｌ　Ｇ磁気により攪拌すると 、温度は約１−２℃低下する。懸４１＆は粘性ベーストとなる。約３０分後、反 応温度は？’、’　Ｔ″−上昇するが、５時間後、発熱加水分解反応が開始し、 混合物は透明化する。この時点て、４ｉ度は２５℃を越えて上昇し、混合物は、 それから、水浴を使って２０〜２３℃に冷却される。変換を完了するためには、 反応混合物を、更に１３時間、室温て攪Ｉ′１゛する必要がある。

２０℃に２１１間保存（気候制御室；　ｃｌｉｍａＬｉｍｌ　ｃｈｕｂｅｒ　） 　した後、ＧＭＰ　２Ｔラツカーは塗布に適するようになる。その＋＋　、’、 点での固ｈ゛粘度は、約１−２ｍｊ／　５（２０℃でウベローデ型を細管粘度ｔ １により決定）である。

実施例２ 」−記５のように調製された１０ｇのＧＭ　Ｐ　２　Ｚ　ｒラッカー中に、１． ２２ｇのへキサヒドロ無水フタル酸（エポキシな白″量をｈ（礎として５０モル ％）及び（１，０６１ｇのＮ−ベンジル／メチルアミン（酸無水物を基礎として ５重量％）が加えられた。この溶液中に、薄膜ＰＵＴコンデンテンＣｏ＝４５０ ｎＦ）がディップされた。次いて、スピンオフ・プロセス（６００ｒｐｍで４０ 秒間）がこれに続いた。コーティングの硬化は、１２ｃ１”ｃて１６１１．’ｒ 間加熱することによって行われた。

塗布されたコーティングは、約４μｍの厚みを有１．た。このように＝１−１− されたコンデンサを湿度条件（９０℃、相対湿度ＲＨ１００９６）下で試験した ところ、容量値が５目後に低下し始めたのに対して、コートしていないものは、 低下が、たった１目後に開始した。実用可能なコンデンサは、ＳＭＤとして受入 れ可能であるためには、容量値の低下か開始するまでに、前記湿度条件下で３１ 」間耐えなければならない。ｗＪ剣よ、２０個のコンデンサ２組について行われ た。

実施例３ 」二足のように調製された１０ｇのＧＭＰ２Ｚｒラッカー中に、１．２２ｇのへ キサヒドロ無水フタル酸（エポキシ含有量を基礎として５０モル％）及び０．０ ６１ｇのＮ−ベンジルジメチルアミン（酸無水物を基礎として５重量％）が加え られた。２μｍの薄膜で作られた薄膜ＰＥＮコンデンサ（１００ｎＦ）が、この 溶液中にディップされた。このコーティングの硬化は、１２０℃で１２時間加熱 することによって行われた。塗布されたコーティングは、約５μｍの厚みを有し た。コートした部品とコードンない部品間の相違を迅速に観察するため、９０’ Ｃ及び］００％ＲＨでの加速寿命ム彫が選ばれた。９ＵＩは印加されなかった。

比較のための判定基準は、部品か、５％より小さな正味の相対容量変化で、これ らの条件に耐えた時間である。結果が図１にＩｊえられている。コー１へしない チップは、早くも２０以内に一５％に到達しているか、コートしたチップでは、 試験条件下で３０目後でも、全電極領域の６０％のみか浸食されたたけてあった 。

実施例４−ＧＭＰ２ＺｒＨｙｄｒの合成０、　４モルの製剤のためのンステ弘Ｇ ＭＰ２ＺｒＨｙｄ　ｒの調製は、次のとおりである。

９４．４５ｇ　（０，４モル、３８．６モル％）ＧＬＹＭＯ（ユニオンカーバイ ト且の３−タリンジルオキシブロピルトリメトキシンラン） ９９．２４ｇ　（０，４モル、３８．６モル９６）ＭＥＭＯ（フルーカ社の３− メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン） ４１．９７ｇ　（０，２モル、１８．９２モル％）ジフェニルシランジオール（ フルーカ月）］１う、１０ｇ　（０，０４モル、３．８６モル？６）Ｚｒ（フル ー力？ｌのテトライソプロポキシジルコネート）１０．６５ｇ　（０，５９モル 、化学量論理的な量の２５％）水多数巻き凝縮器、温度５１及び滴下ロートを備 えた５００ｍ１の３首ガラスフラスコ中に、前記モノマーを上記の順序てＭｌ； ｔして入れる。懸濁液を磁気により攪拌すると、温度は約１−２℃低下する。室 温での攪拌は、１８時間後に停止される。その後、約９０分以内に、約７０℃の 温度まで加熱される。組成物は透明になり、水の総量が１段階で加えられる。混 合物の温度は約７０℃に維持される。

水の追加後にラッカーか透明となったとき（約２０−３０分）、組成物は加熱さ れたまま、もう１時間攪１′１゛される。反応完了後、ラッカーは室温まで冷却 される。

性質 この新しいラッカーにＩｊえられた性質のいくつかは、次のとおりである。

ノ□（体への良好な（＝Ｉ首力 本コーチ、インクは、様々なｈ（体に対して良好な（＝Ｉ着力を示す。付着力は 、ＤＩＮ（ドイツ現＋８）５’３１５１の方法に従って、１０μｍの厚みのコー ティングに灼するクロスカントテープ試験で測定された。スケール範囲は０〜５ に亘り、例えは、平１すなガラス、アルミニウム、ステンレス鋼上での付着力は 、それぞれ、ｒ−１，５−１，５，１，５−２，５及び０−１の籟囲内であった 。更に、コーティングは、薄膜コンデンサを構成するポリエステル、ＰＥＴ及び ＰＥＮを、２０度より小さいぬれ角度でぬらした。

熱的安定性： コーティングはＡＩに塗布され、１時間毎のステップで、１５０℃、１８０℃、 ２１０℃、２４０℃、２７０℃及び３００℃に加熱された。最高温度に至るまで 、クラックか形成されたり、色が変化することはなかった。２８０℃の溶融半田 浴中に３０秒間、特別に浸漬しても、材料の性質に影響はなかった。

電気的性質： ニッケル上で７１ＰＩ定した破壊強度は約２００　Ｖ／μｍであり、誘電率（１ ｋＨｚでのε）は、約４であった。

汚染物質 本コーティングは、非常に低いアルカリ含有ｆｆｉ（１０ｐｐｍという低さ）を 含んでいる。汚染物質の存在は、電極浸食や腐食に寄り−する１つの要因である が、本コーティングは腐食に対する感受性が低い。

化学薬品： 本コーティングは、通常使用される］：業的な溶媒や洗浄剤に対して抵抗性かあ る。

水に対する反応。

水の吸収は、０，５％より少なく、１００μｍの厚みのコーティングに対して測 定した水蒸気浸透率（ＷＶＰＲ）は、約１５ｇ／Ｔｎ２ｄである。水は、腐食を 生じさせる重要な因子であり、従って、本コーティングの低いＷＶＰＲは、腐食 を減らす。

長い保存寿命： ２００目より長い保存寿命がｉすられる。これは、反応完了後、短い時間内に処 理される必要がある従来のエポキシンステムに比べて有利である。

粘性。

部品の小型化は、チップに塗布されるコーティングが非常に薄いこと、典型的に は１００μｍより薄いことを要求する。コンデンサに対して適用可能な技術は、 ディップコーティング（最後に過剰＋」ｔ２］かスピニングオフされる）、スク リーン印刷、又は、セラミックチップ上に電極として導電ペーストを塗布するの に使われると同様なディップ処理による切断エツジのコーティングを含む。異な る技術は、出発材料の異なる粘度を要求する。本ラッカーの粘度は、これらの要 求に容易に対応できる。

時間（日数） ＩＧ　１ フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，６識別記号　庁内整理番号ＣＯ９Ｄ　１８５１００ 　ＰＭＶ　９１６７−４Ｊ／／ＨＯＩＧ　４／３３ ＨＯ５Ｋ　３／２８　Ｃ７１２８−４Ｅ（７２）発明者　ポパール・ミヒャエル ドイツ国　ディー８７００．　ビュルツブルグ。

パインガルテンシュトラ−・セ２６ （７２）発明者　シュルツ・ヨッヘン ドイツ国　ディー８７０７．パイツホッホハイム、アム　ジエンケンフェルト４ １ Ｉ （７２）発明者　オルツウスキ・ビル力ドイツ国　ディー８７０７．パイツホッ ホハイム、スペッカーツベーグ７２エイ （７２）発明者　ピルツ・モニカ ドイツ国　ディー８７０２．クラインリンダ−フェルト、フランケンシュトラー セ５エイ

Claims (35)

【特許請求の範囲】
1. １．次のステップを含むプロセスによって得られるラッカーであって、（ｉ）ａ ）式Ｉで表わされる、少なくとも１つのジルコニウム化合物を１〜１０モル％： ＺｒＲ４…（Ｉ） ここで、Ｒは、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アシルオキシ又はキレート 配位子、 ｂ）式ＩＩで表わされる、少なくとも１つの有機シランを２０〜９４モル％：Ｒ ′′ｍ（Ｒ′′′Ｙ）ｎＳｉＸ（４−ｍ−ｎ）…（ＩＩ）ここで、Ｒ′′は、ア ルキル、アルケニル、アリール、アルキルアリール、アリールアルキル、アルケ ニルアリール、アリールアルケニル、Ｒ′′′は、アルキレン、アルケニレン、 アリーレン、アルキル−アリーレン、アリール−アルキレン、アルケニル−アリ ーレン、アリールーアルケニレン、 Ｒ′′及びＲ′′′は、選択により酸素、硫黄、又は−ＮＨ−が途中に介在、 Ｘは、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アシルオキシ、−ＮＲ′２ ここでＲ′は、Ｈ又はアルキル Ｙは重合可能基、 ｍ及びｎは、０〜３の整数で、ｍ＋ｎは１〜３、ｃ）式ＩＩＩで表わされる、少 なくとも１つの有機シランを５〜３０モル％：Ｒ′′ｐＳｉＸ４−Ｐ…（ＩＩＩ ） ここで、Ｒ′′及びＸは、上記の意味を有し、ｐは１、２又は３、及び、選択に より ｄ）ＩａからＶａまでの主属元素或いはＩＶｂ又はＶｂの亜属元素の、反応媒体 中で可溶な、低揮発性金属酸化物、又は、反応媒体中で可溶な、低揮発性酸化物 を形成する、前記元素の一つの化合物の少なくとも１つを０〜１０モル％；を、 望ましくは水が存在せず、選択により有機溶媒の存在下で、１０〜８０℃の間の 温度で、０．５〜７２時間の間、予備縮合するステップと、（ｉｉ）ステップ（ ｉ）の予備縮合体を、化学量論的な量の０〜５０％の水の存在下で、２０〜９０ ℃の間の温度で、０．５〜７２時間の間、加水分解・縮合するステップと、 を含むプロセスによって得られるラッカー。
2. ２．請求項１において、式Ｉの成分ａ）が２〜６モル％、式ＩＩの成分ｂ）が６ ９〜８３モル％、式ＩＩＩの成分。）が１５〜２５モル％であり、成分ｄ）が存 在しないラッカー。
3. ３．請求項１又は２のいずれかにおいて、式Ｉの成分ａ）がＺｒ（Ｏ−イソＣ３ Ｈ３）４であるラッカー。
4. ４．請求項１乃至３のいずれかにおいて、式ＩＩの成分ｂ）が（Ｒ′′′Ｙ）Ｓ ｉＸ３、 ここで、Ｒ′′′は、Ｃ１−４アリキレン、Ｙは、アクリルオキシ、メタクリル オキシ、グリシジルオキシ、アリル、ビニル、エポキシシクロヘキシル、Ｘは、 Ｃ１−４アルコキシ、であるラッカー。
5. ５．請求項４において、式ＩＩの成分ｂ）が、３−グリシジルオキシプロピルト リメトキシシラン（ｇｌｙｍｏ）及び／又は３−メタクリルオキシプロピルトリ メトキシシラン（ｍｅｍｏ）であるラッカー。
6. ６．請求項１乃至５のいずれかにおいて、式ＩＩＩの成分ｃ）がＲ′′２ＳｉＸ ２、ここで、Ｒ′′は、アリール、Ｘは、ヒドロキシ又はＣ１−４アルコキシ、 であるラッカー。
7. ７．請求項６において、成分ｃ）が（Ｃ６Ｈ５）２Ｓｉ（ＯＨ）２であるラッカ
8. ８．請求項１乃至７のいずれかにおいて、前記縮合（ｉｉ）が、水無しで実行さ れるラッカー。
9. ９．請求項１乃至８のいずれかにおいて、前記予備縮合ステップ（ｉ）が、外部 溶媒無しで実行されるラッカー。
10. １０．請求項１乃至９のいずれかにおいて、前記予備縮合（ｉ）及び／又は縮合 （ｉｉ）が、触媒を用いて実行されるラッカー。
11. １１．請求項１乃至１０のいずれかにおいて、前記予備縮合が、１５〜５０℃の 間の温度で、１〜４８時間の間、実行されるラッカー。
12. １２．請求項１乃至１１のいずれかにおいて、前記縮合（ｉｉ）が、２５〜７０ ℃の間の温度で、２〜４８時間の間、実行されるラッカー。
13. １３．請求項１乃至１２のいずれか１つにおいて、前記ラッカーが、５〜１００ ０ｍｍ２／ｓの間の固有粘度を有するラッカー。
14. １４．請求項１乃至１３のいずれか１つにおいて、前記ラッカーが、追加の添加 剤を富むラッカー。
15. １５．請求項１４において、ラッカーの重量を基礎として、前記ラッカーが、１ 〜７０重量％の充填剤を含むラッカー。
16. １６．請求項１乃至１５のいずれか１つにおいて、溶媒を含まないラッカー。
17. １７．基体上のコーティングを得るためのプロセスであって、請求項１乃至１６ のいずれか１つによるラッカーを、前記基体上に塗布するステップと、前記ラッ カーを硬化するステップを含むプロセス。
18. １８．請求項１７において、前記硬化が、２０〜２００℃の間の温度で、１０分 〜７２時間の間、実行される熱硬化であるプロセス。
19. １９．請求項１７又は１８において、前記硬化が、硬化剤の存在下で実行される プロセス。
20. ２０．請求項１７において、前記硬化が、光開始剤の存在下で、２秒〜１０分の 間の時間、実行される光硬化であるプロセス。
21. ２１．請求項１７乃至２０のいずれか１つにおいて、前記硬化が、熱及び光硬化 であるプロセス。
22. ２２．請求項１７乃至２１のいずれか１つにおいて、前記硬化が、光硬化と、次 いで行われる熱硬化を含むプロセス。
23. ２３．請求項１７乃至２２のいずれか１つにおいて、前記ラッカーが、ディップ コーティングと、これに続くスピニングオフからなる方法に従って塗布されるプ ロセス。
24. ２４．請求項１７乃至２３のいずれか１つにおいて、このようにして得られたコ ーティングが、０．１〜２００μｍ、好ましくは１〜１５０μｍの間の厚みを有 するプロセス。
25. ２５．請求項１７乃至２４のいずれか１つによるプロセスによって得られたコー ティングが塗布されている基体。
26. ２６．請求項２５において、表面装着部品である基体。
27. ２７．請求項２５又は２６において、印刷回路基板上に装着されている基体。
28. ２８．請求項２５、２６又は２７において、薄膜コンデンサである基体。
29. ２９．請求項２５、２６又は２７において、マルチチップ・モジュールである基 体。
30. ３０．請求項２５、２６又は２７において、光部品である基体。
31. ３１．請求項２５、２６又は２７において、抵抗器である基体。
32. ３２．請求項２５、２６又は２７において、選択によりカプセル化された、集積 回路である基体。
33. ３３．請求項２５、２６又は２７において、シリコンウエハである基体。
34. ３４．請求項２５において、印刷回路基板である基体。
35. ３５．薄膜コンデンサをコーティングするための、請求項１乃至１６のいずれか １つによるラッカーの使用方法。