JPH0750794B2 - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
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- JPH0750794B2 JPH0750794B2 JP2171525A JP17152590A JPH0750794B2 JP H0750794 B2 JPH0750794 B2 JP H0750794B2 JP 2171525 A JP2171525 A JP 2171525A JP 17152590 A JP17152590 A JP 17152590A JP H0750794 B2 JPH0750794 B2 JP H0750794B2
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- Japan
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- film
- electrode film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、光電変換素子の製造方法に関し、詳細には、
テクスチャー構造を備えた光電変換素子の製造方法に係
る。
テクスチャー構造を備えた光電変換素子の製造方法に係
る。
（ロ）従来の技術 光起電力装置、光センサ等の光電変換素子において、そ
の光電変換効率を向上させるために、半導体膜中への入
射光を散乱させる方法が取られている。具体的には、透
明基板上に、透明電極膜、半導体膜及び金属電極膜をこ
の順に形成した構造の光電変換素子にあっては、特開昭
59-123283号公報等に示された如く、基板表面またはこ
の基板上に形成される透明電極表面を、エッチング等の
手法を施すことによって、テクスチャー構造（凹凸状）
としている。
の光電変換効率を向上させるために、半導体膜中への入
射光を散乱させる方法が取られている。具体的には、透
明基板上に、透明電極膜、半導体膜及び金属電極膜をこ
の順に形成した構造の光電変換素子にあっては、特開昭
59-123283号公報等に示された如く、基板表面またはこ
の基板上に形成される透明電極表面を、エッチング等の
手法を施すことによって、テクスチャー構造（凹凸状）
としている。
一方、可撓性を有する光電変換素子を形成すべく、表面
に絶縁膜を形成したステンレス等の可撓性基板を用いた
ものが、特開昭59-124175号公報等に記載されている。
このような光電変換素子においては、基板の絶縁膜上
に、金属電極膜、半導体膜及び透明電極膜をこの順に形
成するために、基板側と反対側から光入射が行われる構
成となる。この場合、上述の如く、半導体膜への入射光
の散乱を行わしめるには、最後に形成される透明電極膜
の表面をテクスチャー構造とする必要がある。
に絶縁膜を形成したステンレス等の可撓性基板を用いた
ものが、特開昭59-124175号公報等に記載されている。
このような光電変換素子においては、基板の絶縁膜上
に、金属電極膜、半導体膜及び透明電極膜をこの順に形
成するために、基板側と反対側から光入射が行われる構
成となる。この場合、上述の如く、半導体膜への入射光
の散乱を行わしめるには、最後に形成される透明電極膜
の表面をテクスチャー構造とする必要がある。
（ハ）発明が解決しようとする課題 基板の反対側から光入射が行われる構造の光電変換素子
においては、透明電極膜の表面をテクスチャー構造とす
るに当って、既に形成されている金属電極膜や半導体膜
にダメージを与える可能性があり、従って、透明電極膜
表面をテクスチャー構造とするのは好ましくない。
においては、透明電極膜の表面をテクスチャー構造とす
るに当って、既に形成されている金属電極膜や半導体膜
にダメージを与える可能性があり、従って、透明電極膜
表面をテクスチャー構造とするのは好ましくない。
また、透明基板側から光入射を行う構造の光電変換素子
にあっても、この表面に形成される透明電極膜の表面を
テクスチャー構造とするには、従来、基板表面または透
明電極膜表面をエッチング処理しており、作業的に繁雑
である。
にあっても、この表面に形成される透明電極膜の表面を
テクスチャー構造とするには、従来、基板表面または透
明電極膜表面をエッチング処理しており、作業的に繁雑
である。
そこで、本発明の目的は、光電変換素子の構造に関係な
く、簡単に透明電極膜表面をテクスチャー構造とするこ
とにある。
く、簡単に透明電極膜表面をテクスチャー構造とするこ
とにある。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明の光電変換素子の製造方法は、基板上に、ポリイ
ミド膜及び第１電極膜をこの順に積層形成した後に、上
記ポリイミド膜からの脱ガスに因り、上記第１電極膜の
表面をテクスチャー構造とすべく、低圧状態で加熱処理
し、該第１電極膜上に、半導体膜及び第２電極膜を積層
形成することを特徴とする。
ミド膜及び第１電極膜をこの順に積層形成した後に、上
記ポリイミド膜からの脱ガスに因り、上記第１電極膜の
表面をテクスチャー構造とすべく、低圧状態で加熱処理
し、該第１電極膜上に、半導体膜及び第２電極膜を積層
形成することを特徴とする。
（ホ）作用 本発明によれば、基板上に、ポリイミド膜及び第１電極
膜をこの順に積層形成して低圧状態で加熱処理すること
により、ポリイミド膜中から水素、酸素等の脱ガスが生
じ、そして、この脱ガスは、ポリイミド膜内に閉じ込め
られたままとなる。よって、第１電極膜の表面がテクス
チャー状態となり、その後、上記第１電極膜上に形成さ
れる半導体膜及び第２電極膜の表面もテクスチャー状態
となる。
膜をこの順に積層形成して低圧状態で加熱処理すること
により、ポリイミド膜中から水素、酸素等の脱ガスが生
じ、そして、この脱ガスは、ポリイミド膜内に閉じ込め
られたままとなる。よって、第１電極膜の表面がテクス
チャー状態となり、その後、上記第１電極膜上に形成さ
れる半導体膜及び第２電極膜の表面もテクスチャー状態
となる。
（ヘ）実施例 第１図（Ａ）乃至第１図（Ｄ）は本発明の光電変換素子
の製造方法を工程順に示す断面図である。
の製造方法を工程順に示す断面図である。
同図（Ａ）の工程において、ステンレス等の可撓性基板
１上に、スピンコート法等によりポリイミド膜２が形成
され、更に、第１電極膜３として、Al、Ti等の金属膜が
積層形成される。
１上に、スピンコート法等によりポリイミド膜２が形成
され、更に、第１電極膜３として、Al、Ti等の金属膜が
積層形成される。
同図（Ｂ）の工程において、上述のようにしてポリイミ
ド膜２及び第１電極膜３が積層形成された基板１を、１
×10-2Torr以下の圧力のチャンバー内に導入し、ランプ
ヒータ等を用いて基板１を300〜350℃に加熱する。この
ような、所謂真空アニールを行うことにより、ポリイミ
ド膜２中から水素、酸素等の脱ガスが生じるが、この脱
ガスは、第１電極膜３の存在によって外部に逃げられ
ず、ポリイミド膜２内に閉じ込められたままとなる。よ
って、第１電極膜３の表面は、同図（Ｂ）に示すよう
に、テクスチャー状態となる。
ド膜２及び第１電極膜３が積層形成された基板１を、１
×10-2Torr以下の圧力のチャンバー内に導入し、ランプ
ヒータ等を用いて基板１を300〜350℃に加熱する。この
ような、所謂真空アニールを行うことにより、ポリイミ
ド膜２中から水素、酸素等の脱ガスが生じるが、この脱
ガスは、第１電極膜３の存在によって外部に逃げられ
ず、ポリイミド膜２内に閉じ込められたままとなる。よ
って、第１電極膜３の表面は、同図（Ｂ）に示すよう
に、テクスチャー状態となる。
尚、基板１の温度が300℃より低い場合には、ポリイミ
ド膜２からの脱ガス量が少なく、第１電極膜３の表面は
テクスチャー構造とならず、また、逆に350℃より高い
場合には、ポリイミド膜２からの脱ガス量が多すぎて、
適切なテクスチャー構造とならない。従って、真空アニ
ールにおける基板１の温度は、上述のように、300〜350
℃の範囲とする。
ド膜２からの脱ガス量が少なく、第１電極膜３の表面は
テクスチャー構造とならず、また、逆に350℃より高い
場合には、ポリイミド膜２からの脱ガス量が多すぎて、
適切なテクスチャー構造とならない。従って、真空アニ
ールにおける基板１の温度は、上述のように、300〜350
℃の範囲とする。
次に、同図（Ｃ）の工程において、第１電極膜３上に、
半導体膜４を形成する。この半導体膜４は、原料ガスと
してSiH4、SiF4等のシリコン化合物ガスを用いたプラズ
マCVD法や光CVD法等により形成されるアモルファスシリ
コン（a-Si）、アモルファスシリコンカーバイド（a-Si
C）等のアモルファス半導体からなり、光電変換動作を
行うべく、膜面と平行にpn、pin等の半導体接合を有す
る。
半導体膜４を形成する。この半導体膜４は、原料ガスと
してSiH4、SiF4等のシリコン化合物ガスを用いたプラズ
マCVD法や光CVD法等により形成されるアモルファスシリ
コン（a-Si）、アモルファスシリコンカーバイド（a-Si
C）等のアモルファス半導体からなり、光電変換動作を
行うべく、膜面と平行にpn、pin等の半導体接合を有す
る。
最後に、同図（Ｄ）の工程において、半導体膜４上に、
第２電極膜５として、ITO、SnO2等の透光性導電酸化物
（TCO）からなる透明電極膜が形成される。
第２電極膜５として、ITO、SnO2等の透光性導電酸化物
（TCO）からなる透明電極膜が形成される。
以上の方法により製造された光電変換素子は、第１電極
膜３の表面がテクスチャー構造となっているため、この
影響を受けて、この第１電極膜３上に順に積層形成され
る半導体膜４及び第２電極膜５の表面もテクスチャー構
造となる。よって、第２電極膜５側から照射される光
は、第２電極膜５にて散乱されて半導体膜４中に入射さ
れる。
膜３の表面がテクスチャー構造となっているため、この
影響を受けて、この第１電極膜３上に順に積層形成され
る半導体膜４及び第２電極膜５の表面もテクスチャー構
造となる。よって、第２電極膜５側から照射される光
は、第２電極膜５にて散乱されて半導体膜４中に入射さ
れる。
（ト）発明の効果 本発明によれば、基板上に、ポリイミド膜及び第１電極
膜をこの順に積層形成した後、低圧状態で加熱すること
によってポリイミド膜から脱ガスが生じ、その結果第１
電極膜表面がテクスチャー構造となり、よって、その後
に上記第１電極膜上に積層形成される半導体膜及び第２
電極膜の表面を、容易にテクスチャー構造とすることが
できる。従って、半導体膜中に光が散乱して入射して光
の吸収効率が増大し、出力特性が向上する。
膜をこの順に積層形成した後、低圧状態で加熱すること
によってポリイミド膜から脱ガスが生じ、その結果第１
電極膜表面がテクスチャー構造となり、よって、その後
に上記第１電極膜上に積層形成される半導体膜及び第２
電極膜の表面を、容易にテクスチャー構造とすることが
できる。従って、半導体膜中に光が散乱して入射して光
の吸収効率が増大し、出力特性が向上する。
第１図（Ａ）乃至（Ｄ）は、本発明の製造方法を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、ポリイミド膜及び第１電極膜を
この順に積層形成した後に、 上記ポリイミド膜からの脱ガスに因り、上記第１電極膜
の表面をテクスチャー構造とすべく、低圧状態で加熱処
理し、 該第１電極膜上に、半導体膜及び第２電極膜を積層形成
することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171525A JPH0750794B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171525A JPH0750794B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461285A JPH0461285A (ja) | 1992-02-27 |
| JPH0750794B2 true JPH0750794B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=15924737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2171525A Expired - Fee Related JPH0750794B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750794B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146896A1 (ja) | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Teijin Dupont Films Japan Limited | 太陽電池基材用多層フィルム |
| WO2009096610A1 (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Teijin Dupont Films Japan Limited | 太陽電池用基材 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2652089B2 (ja) * | 1991-06-14 | 1997-09-10 | シャープ株式会社 | 光起電力装置 |
| TW201025647A (en) | 2008-10-03 | 2010-07-01 | Toppan Printing Co Ltd | Photovoltaic module |
| WO2010129163A2 (en) * | 2009-05-06 | 2010-11-11 | Thinsilicon Corporation | Photovoltaic cells and methods to enhance light trapping in semiconductor layer stacks |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP2171525A patent/JPH0750794B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146896A1 (ja) | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Teijin Dupont Films Japan Limited | 太陽電池基材用多層フィルム |
| WO2009096610A1 (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Teijin Dupont Films Japan Limited | 太陽電池用基材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0461285A (ja) | 1992-02-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |