JPH0752706B2 - 電子ビ−ム装置 - Google Patents

電子ビ−ム装置

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JPH0752706B2
JPH0752706B2 JP62103024A JP10302487A JPH0752706B2 JP H0752706 B2 JPH0752706 B2 JP H0752706B2 JP 62103024 A JP62103024 A JP 62103024A JP 10302487 A JP10302487 A JP 10302487A JP H0752706 B2 JPH0752706 B2 JP H0752706B2
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electron beam
electron
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子ビーム装置に関し、特に複数の電子ビーム
発生源を基板に一体化・小型化して設け、これらを選択
的に複数用途に使い分けできるようにした高精度な電子
ビーム装置に関する。
[従来の技術] 従来、半導体露光装置等に使用される電子ビーム装置と
しては、例えば特開昭54−111272号公報(USP 425967
8)、特開昭56−15529号公報(USP 4303930)等で開示
されているように、PN接合の両側に逆方向電圧を印加し
てアバランシエ増倍作用により半導体体内に電子を発生
させそれらを陰極により飛び出させる形式のものが知ら
れている。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、このような従来例においては、例えば半
導体露光用として用いる場合には、アライメントのため
の光源を特別に準備する必要があり、装置の大型化や複
雑化は免れ得ず、また、個々の部品が離れていることに
起因して精度向上は望めなかった。
さらにまた、ウエハ上のチップサイズを変更した場合に
はアライメントマーク検出器を移動させる必要があり、
この移動時に微小なごみが発生するという問題があっ
た。
本発明の目的は、このような問題点に鑑み、簡単な構成
ながら単一の装置により複数の用途、例えば多種チップ
サイズの半導体の露光、において高精度処理可能な電子
ビーム装置の提供にある。
[問題点を解決するための手段および作用] この目的を達成するため本発明の電子ビーム装置は、単
一の基板上に複数の電子ビーム発生源が設けられた電子
ビーム照射手段と、該複数の電子ビーム発生源を複数用
途のために選択して駆動する選択的駆動手段とを具備
し、前記基板上には、電子レンズ、偏向電極およびブラ
ンキング電極のうち1つ以上が形成されていることを特
徴とする。
これによれば、複数の電子ビーム発生源が設けられたの
と同一基板上に、電子レンズ、偏向電極およびブランキ
ング電極のうち1つ以上を形成するようにしたため、複
数の電子ビーム発生源および電子レンズ等が一基板上に
一体的に形成され、高精度な電子ビーム装置が小型に構
成される。また、電子ビーム発生源を複数用途のために
選択して駆動する選択的駆動手段を設けるようにしたた
め、用途ごとの基板移動や基板交換が不要となり、装置
構成や装置動作が効率的なものとなる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第1図は本発明の実施例に係る電子ビーム装置を半導体
ウエハの露光に適用した場合を示す概略図である。
同図において、WFは半導体を含むウエハである。MBは複
数の電子ビームEB1〜EB7のそれぞれの発生源BG1〜BG7が
備えられた単一の基板で、例えば特開昭54−111272号公
報や特開昭56−15529号公報に記載のガラス、半導体等
の基板を用いることができる。電子ビーム発生源BG1〜B
G7としても、また、これらの公報に記載の、電子なだれ
降伏現象を生ぜして電子を放出するものを用いることが
できる。BSは電子ビーム発生源BG1〜BG7の選択駆動回
路、CCは全体の制御部、ADはウエハWF上のアライメント
マークWM1〜WM7を検出する電子ビームの吸収電流検出回
路である。また、必要に応じて電子レンズ、偏向電極あ
るいはブランキング電極(図示せず)を備える。
この構成において、今、ウエハWF上のアライメントマー
クが実線WM2,WM6の位置のとき、実回路素子パターンは
その内部となる。したがってこの場合、まず、実回路素
子パターン描画用として電子ビームEB3,EB4,EB5が、ア
ライメントマーク検出用として電子ビームEB2,EB6が選
択回路BSにより選択される。次に電子ビームEB2,EB6を
異なるタイミングで出射してウエハWFで吸収させそれぞ
れの電流の大きさを周知の手法で検出することにより、
マークWM2,WM6の位置検出を行なう。そして、これに基
づきウエハWFをアライメントし、次いで電子ビームEB3,
EB4,EB5により回路パターンの露光を行う。
一方、アライメントマークが破線WM3,WM5のときは、ア
ライメント用として電子ビームEB3,EB5が用いられ、電
子ビームEB4及び/又はEB1,EB2,EB6,EB7が露光用に使わ
れる。また、破線WM1,WM7がアライメントマークのとき
は、電子ビームEB1,EB7がアライメント用、電子ビームE
B2〜EB6が露光用となる。
[実施例の変形例] 第2図は第1図の装置の変形例を示す部分図である。こ
の装置はでは、ウエハマークの検出をウエハ側ではなく
ヘッド基板MBの側で行なうようにしている。
同図において、電子ビーム発生源からウエハマークWMに
向け電子ビームBEを照射すると、ウエハWFから二次電子
や反射電子2Eが発生する。そして、これを基板MB側に一
体的に形成したセンサ例えばP/NジャンクションPNで受
信することにより、ウエハマークWMを検出する。ただし
ここでは、効率良く電子を検出するため、円環状の電極
D1及びD2を基板MB側に取り付けてある。また、電極D1と
EB発生源BG間には電圧Vex、電極D2には電圧Vd、EB発生
源BGとウエハWF間には電圧Vcが図示の如く接続されてい
る。
したがって、例えばVex=10〜100V、Vc=1〜10KV及びV
d=100Vをそれぞれ印加すれば、二次電子や反射電子2E
はP/Nジャンクション部PNに効率良く集合させて検出す
ることができる。
[発明の適用範囲] なお、本発明は、以上の実施例で説明した電子線による
半導体回路パターンの露光(描画)のみならず、電子ビ
ーム感応媒体を用いた記録媒体に対してのデータ書込み
や、荷電粒子センサとの組合せによりそのようなデータ
の読取りにも適用することが可能である。
具体的には例えば、光ディスクや光カード等の光磁気記
録媒体あるいはマイクロフィルムの記録とトラッキング
等において、書込み用と読出し用の用途に使い分けて用
いることができる。
また半導体機能検査用としての電子ビームプローブテス
タとしてもチップサイズや測定点に応じて電子ビーム発
生源を選択するようにして用いることができる。このと
きは、測定用の電子ビーム発生源の他は出力を禁止して
おけばよい。
また、複数の用途に用いる場合、各用途で、さらには各
電子ビーム源で、各々出力エネルギーを異るようにする
ことも容易であり、先の実施例に採用して好適である。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、複数の電子ビーム
発生源ならびに電子レンズ、偏向電極およびブランキン
グ電極のうち1つ以上が1つの基板に設けられているた
め装置を極めて単純で小型かつ高精度に構成できる。
また、複数の電子ビーム発生源を用途に応じて使い分け
ることにより、アライメント用の光源なども必要なくさ
らに効率的な構成および動作を実現しており、用途ごと
の基板移動、交換等も不要かあるいは少ないためごみ発
生の問題もない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る電子ビーム装置を半
導体ウエハの露光に適用した場合を示す概略図、そして 第2図は、本発明の他の実施例に係る電子ビーム装置を
示す概略図である。 WF:ウエハ、MB:基板、 EB,EB1〜EB7:電子ビーム、 BG1〜BG7:電子ビーム発生源、 BS:選択駆動回路、CC:制御部、 AD:吸収電流検出回路、 WM,WM1〜WM7:アライメントマーク、 2E:反射電子、 PN:P/Nジャンクション、 D1,D2:円環状の電極。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】単一の基板上に複数の電子ビーム発生源が
    設けられた電子ビーム照射手段と、該複数の電子ビーム
    発生源を複数用途のために選択して駆動する選択的駆動
    手段とを具備し、前記基板上には、電子レンズ、偏向電
    極およびブランキング電極のうち1つ以上が形成されて
    いることを特徴とする電子ビーム装置。
  2. 【請求項2】さらに、前記電子ビーム発生源による電子
    ビーム照射により被照射物体に吸収される電流を検出す
    る吸収電流検出回路を備える特許請求の範囲第1項記載
    の電子ビーム装置。
  3. 【請求項3】前記電子ビーム発生源からの電子ビームを
    検出する手段を有し、該電子ビーム検出手段は前記複数
    の電子ビーム発生源とともに前記基板に一体的に設けら
    れたものである特許請求の範囲第1項記載の電子ビーム
    装置。
  4. 【請求項4】前記用途が物体上に電子ビームを照射して
    情報を記録またはパターンを描画するものである特許請
    求の範囲第2または3項記載の電子ビーム装置。
  5. 【請求項5】前記用途が前記物体上の複数のマークに時
    系列的に電子ビームを照射してマーク位置を検出するも
    のである特許請求の範囲第4項記載の電子ビーム装置。
  6. 【請求項6】前記電子ビーム検出手段がP/Nジャンクシ
    ョンを有する特許請求の範囲第3項記載の電子ビーム装
    置。
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