JPH0754914Y2 - 電界放射エミッタ発光素子 - Google Patents
電界放射エミッタ発光素子Info
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- JPH0754914Y2 JPH0754914Y2 JP1992000058U JP5892U JPH0754914Y2 JP H0754914 Y2 JPH0754914 Y2 JP H0754914Y2 JP 1992000058 U JP1992000058 U JP 1992000058U JP 5892 U JP5892 U JP 5892U JP H0754914 Y2 JPH0754914 Y2 JP H0754914Y2
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Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は電界放射エミッタ発光素
子に係り、特にコーン形状のエミッタと該エミッタの近
傍に設けたゲートを有する電界放出素子を電子源として
利用した電界放射エミッタ発光素子（以下ＦＥＤと略称
する。）に関するものである。
子に係り、特にコーン形状のエミッタと該エミッタの近
傍に設けたゲートを有する電界放出素子を電子源として
利用した電界放射エミッタ発光素子（以下ＦＥＤと略称
する。）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、電界放出素子を用いた従来の蛍
光表示管１００の一例を示す断面図である。この蛍光表
示管１００の外囲器１０１は、対面するカソード基板１
０２とアノード基板１０３をスペーサ１０４を介して封
着した構造となっている。カソード基板１０２の内面に
は電界放出素子が設けられ、これに対面するようにアノ
ード基板１０３の内面には蛍光体層を備えた表示部とし
てのアノード電極が設けられている。上記の構造におい
て、電界放出素子とアノード電極は可能な限り接近させ
てあり、その間隔は例えば０．２ｍｍ程度となってい
る。このため、スペーサ１０４の厚さは一般に１ｍｍ以
下に設定され、この蛍光表示管１００は薄形の表示素子
となっている。ところが、従来のゲッター１０５は、図
中に示すように環状の開口した金属容器内にＢａ−Ａｌ
等のゲッター材料を充填した飛散形のゲッターで、その
厚さは数ｍｍ程度になっている。このため、従来はゲッ
ター１０５を外囲器１０１内に配設することができず、
図６に示すように外囲器１０１のカソード基板１０２の
裏面に箱形のゲッター室１０６を設けて外囲器１０１内
と排気孔１０７で導通させ、このゲッター室１０６内に
ゲッター１０５を設けていた。そして、外囲器１０１及
びゲッター室１０６内の空気は、ゲッター室１０６に設
けられた排気孔１０８及び排気管１０９を介して排気さ
れ、その後排気管１０９を封止することによって外囲器
１０１内は高真空雰囲気に保持される。そして、前記ゲ
ッター１０５はボンバーターで高周波加熱され、ゲッタ
ー材料はゲッター室１０６の内面に蒸着してゲッター膜
１１０を形成する。
光表示管１００の一例を示す断面図である。この蛍光表
示管１００の外囲器１０１は、対面するカソード基板１
０２とアノード基板１０３をスペーサ１０４を介して封
着した構造となっている。カソード基板１０２の内面に
は電界放出素子が設けられ、これに対面するようにアノ
ード基板１０３の内面には蛍光体層を備えた表示部とし
てのアノード電極が設けられている。上記の構造におい
て、電界放出素子とアノード電極は可能な限り接近させ
てあり、その間隔は例えば０．２ｍｍ程度となってい
る。このため、スペーサ１０４の厚さは一般に１ｍｍ以
下に設定され、この蛍光表示管１００は薄形の表示素子
となっている。ところが、従来のゲッター１０５は、図
中に示すように環状の開口した金属容器内にＢａ−Ａｌ
等のゲッター材料を充填した飛散形のゲッターで、その
厚さは数ｍｍ程度になっている。このため、従来はゲッ
ター１０５を外囲器１０１内に配設することができず、
図６に示すように外囲器１０１のカソード基板１０２の
裏面に箱形のゲッター室１０６を設けて外囲器１０１内
と排気孔１０７で導通させ、このゲッター室１０６内に
ゲッター１０５を設けていた。そして、外囲器１０１及
びゲッター室１０６内の空気は、ゲッター室１０６に設
けられた排気孔１０８及び排気管１０９を介して排気さ
れ、その後排気管１０９を封止することによって外囲器
１０１内は高真空雰囲気に保持される。そして、前記ゲ
ッター１０５はボンバーターで高周波加熱され、ゲッタ
ー材料はゲッター室１０６の内面に蒸着してゲッター膜
１１０を形成する。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】前述した従来のＦＥＤ
によれば次のような問題点があった。 （１）薄形の外囲器の外側にゲッター室を設けなければ
ならない。しかもゲッターとゲッター室の内面との間に
ある程度の距離がないと、ゲッター膜の蒸着面積が小さ
くなって吸着効率が悪化する。このため、ゲッター室の
寸法を大きくとらなけらばならない。 （２）飛散形のＢａ−Ａｌゲッターは、高周波加熱装置
で８５０℃位の高温に加熱されてＢａ金属のみを飛散さ
せる。従って、ゲッターと基板が接近していると外囲器
に熱が伝わり、部分的熱膨張が起って外囲器にクラック
が生じてしまう。
によれば次のような問題点があった。 （１）薄形の外囲器の外側にゲッター室を設けなければ
ならない。しかもゲッターとゲッター室の内面との間に
ある程度の距離がないと、ゲッター膜の蒸着面積が小さ
くなって吸着効率が悪化する。このため、ゲッター室の
寸法を大きくとらなけらばならない。 （２）飛散形のＢａ−Ａｌゲッターは、高周波加熱装置
で８５０℃位の高温に加熱されてＢａ金属のみを飛散さ
せる。従って、ゲッターと基板が接近していると外囲器
に熱が伝わり、部分的熱膨張が起って外囲器にクラック
が生じてしまう。
【０００４】本考案は、ゲッター室を不要として薄形で
あるというＦＥＤの特長を生かすことができ、従来ゲッ
ター膜を形成するために行なわれていた高温加熱による
悪影響をとりのぞいた蛍光表示管を提供することを目的
としている。
あるというＦＥＤの特長を生かすことができ、従来ゲッ
ター膜を形成するために行なわれていた高温加熱による
悪影響をとりのぞいた蛍光表示管を提供することを目的
としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本考案の電界放射エミッ
タ発光素子は、所定間隔をおいて対面するバックプレー
トとフェイスプレートの周囲が封着されてなる方形の外
囲器と、前記バックプレートの内面に設けられたコーン
形状のエミッタとゲートを有する電界放出素子と、前記
フェイスプレートの内面に設けられた蛍光体層を有する
アノードとを備えた電界放射エミッタ発光素子におい
て、前記外囲器の隅部に、前記電界放出素子と前記アノ
ードが収納された空間に連通する凹部を設け、該凹部の
内部に表面活性形のバルクゲッターを保持させたことを
特徴としている。
タ発光素子は、所定間隔をおいて対面するバックプレー
トとフェイスプレートの周囲が封着されてなる方形の外
囲器と、前記バックプレートの内面に設けられたコーン
形状のエミッタとゲートを有する電界放出素子と、前記
フェイスプレートの内面に設けられた蛍光体層を有する
アノードとを備えた電界放射エミッタ発光素子におい
て、前記外囲器の隅部に、前記電界放出素子と前記アノ
ードが収納された空間に連通する凹部を設け、該凹部の
内部に表面活性形のバルクゲッターを保持させたことを
特徴としている。
【０００６】また、本考案によれば、前記電界放射エミ
ッタ発光素子において、前記表面活性形のバルクゲッタ
ーをＺｒ−Ｎｉ粉末を主体としたものとしてもよい。
ッタ発光素子において、前記表面活性形のバルクゲッタ
ーをＺｒ−Ｎｉ粉末を主体としたものとしてもよい。
【０００７】
【０００８】
【作用】外囲器の内部に固定された表面活性形のバルク
ゲッターは比較的低温の加熱で表面が活性化してゲッタ
ー作用を有する。このバルクゲッターは外囲器内の表示
部に接近しているため、ゲッター効果は有効に働く。
ゲッターは比較的低温の加熱で表面が活性化してゲッタ
ー作用を有する。このバルクゲッターは外囲器内の表示
部に接近しているため、ゲッター効果は有効に働く。
【０００９】
【実施例】図１〜図３によって第１実施例を説明する。
本実施例で用いられるゲッターは、従来の飛散形のゲッ
ターではなく、表面活性形のバルク形のゲッター（バル
クゲッター）である。本実施例による表面活性形のバル
クゲッター１（以下、単にバルクゲッター１と略称す
る。）は、Ｚｒ−Ｎｉの粉末を材厚０．１〜０．２ｍｍ
の正方形又はリボン状に成形したものである。このバル
クゲッター１は、真空に引いた状態で２００〜４００℃
程度に加熱することによって表面が活性化されてゲッタ
ー機能が得られる。
本実施例で用いられるゲッターは、従来の飛散形のゲッ
ターではなく、表面活性形のバルク形のゲッター（バル
クゲッター）である。本実施例による表面活性形のバル
クゲッター１（以下、単にバルクゲッター１と略称す
る。）は、Ｚｒ−Ｎｉの粉末を材厚０．１〜０．２ｍｍ
の正方形又はリボン状に成形したものである。このバル
クゲッター１は、真空に引いた状態で２００〜４００℃
程度に加熱することによって表面が活性化されてゲッタ
ー機能が得られる。
【００１０】さて、図１〜３に示すように、本実施例の
蛍光表示管２はＦＥＤであり、所定間隔をおいて対向す
るフェースプレート３とバックプレート４をサイドシー
ル５を介して一体に固着した外囲器６を有している。図
示はしないが、バックプレート４の内面には、カソード
配線・コーン形状のエミッタ・絶縁層・ゲート等からな
る電界放出素子が形成されている。図示はしないが、フ
ェースプレート３の内面には、アノード配線・陽極導体
・蛍光体層等からなるアノードが形成されている。
蛍光表示管２はＦＥＤであり、所定間隔をおいて対向す
るフェースプレート３とバックプレート４をサイドシー
ル５を介して一体に固着した外囲器６を有している。図
示はしないが、バックプレート４の内面には、カソード
配線・コーン形状のエミッタ・絶縁層・ゲート等からな
る電界放出素子が形成されている。図示はしないが、フ
ェースプレート３の内面には、アノード配線・陽極導体
・蛍光体層等からなるアノードが形成されている。
【００１１】前記バックプレート４及びフェースプレー
ト３を封着しているサイドシール５は、低融点ガラスを
主成分とするガラス接着材からなり、所定厚さの枠状の
パターンに形成されている。その四隅には、前記バルク
ゲッター１に合せた形状で外囲器６の内部空間に連通し
たゲッター室７が形成されており、その内部には前述し
た板状のバルクゲッター１が収納・保持されている。バ
ルクゲッター１の厚さは、ゲッター室７の高さよりも小
さく、バルクゲッター１の表面は外囲器６内の空間に露
出している。即ち、本実施例においては、このゲッター
室７が、バルクゲッター１を外囲器６内の所定位置に収
納する凹部となっている。
ト３を封着しているサイドシール５は、低融点ガラスを
主成分とするガラス接着材からなり、所定厚さの枠状の
パターンに形成されている。その四隅には、前記バルク
ゲッター１に合せた形状で外囲器６の内部空間に連通し
たゲッター室７が形成されており、その内部には前述し
た板状のバルクゲッター１が収納・保持されている。バ
ルクゲッター１の厚さは、ゲッター室７の高さよりも小
さく、バルクゲッター１の表面は外囲器６内の空間に露
出している。即ち、本実施例においては、このゲッター
室７が、バルクゲッター１を外囲器６内の所定位置に収
納する凹部となっている。
【００１２】次に、製造工程について説明すると、スク
リーン印刷の手法を用い、バックプレート４に前述した
パターン及び所定の厚さでサイドシール５を印刷する。
ゲッター室７にバルクゲッター１を収め、フェースプレ
ート３を重ねる。そして、これを焼成してバックプレー
ト４とフェイスプレート３を封着し、外囲器６を構成す
る。
リーン印刷の手法を用い、バックプレート４に前述した
パターン及び所定の厚さでサイドシール５を印刷する。
ゲッター室７にバルクゲッター１を収め、フェースプレ
ート３を重ねる。そして、これを焼成してバックプレー
ト４とフェイスプレート３を封着し、外囲器６を構成す
る。
【００１３】次に、バックプレート４に設けた排気孔８
から外囲器６内を排気して真空にし、蓋材９によって排
気孔８を封止する。この排気工程において、排気効率を
良くするために外囲器６を周囲から２５０〜３５０℃の
温度で加熱する。この加熱により、前記バルクゲッター
１の表面が活性化され、ゲッター作用が増大する。
から外囲器６内を排気して真空にし、蓋材９によって排
気孔８を封止する。この排気工程において、排気効率を
良くするために外囲器６を周囲から２５０〜３５０℃の
温度で加熱する。この加熱により、前記バルクゲッター
１の表面が活性化され、ゲッター作用が増大する。
【００１４】なお、ゲッター材料としては、前述したＺ
ｒ−Ｎｉ粉末の他、Ｔａ，Ｔｉ，Ｔｈ，Ｎｂ，Ｃｅ等が
利用でき、これら材料を板状にしたものを用いてもよ
い。
ｒ−Ｎｉ粉末の他、Ｔａ，Ｔｉ，Ｔｈ，Ｎｂ，Ｃｅ等が
利用でき、これら材料を板状にしたものを用いてもよ
い。
【００１５】図４によって第２実施例を説明する。この
実施例では、厚さ０．１ｍｍのバルクゲッター１の取付
けるゲッター室１０を、感光性ガラスからなるスペーサ
１１を用いて構成している。感光性ガラスからなるスペ
ーサ１１は、厚さ０．２ｍｍの四角い枠状の部材であ
る。その四隅には、フォトリソグラフィの手法を用いて
ゲッター室１０となる凹部が形成されている。ゲッター
室１０の形状・構造・寸法等は第１実施例のゲッター室
７とほぼ同じであり、即ちバルクゲッター１よりも一回
り大きいゲッター室１０は外囲器１２内に連通してい
る。
実施例では、厚さ０．１ｍｍのバルクゲッター１の取付
けるゲッター室１０を、感光性ガラスからなるスペーサ
１１を用いて構成している。感光性ガラスからなるスペ
ーサ１１は、厚さ０．２ｍｍの四角い枠状の部材であ
る。その四隅には、フォトリソグラフィの手法を用いて
ゲッター室１０となる凹部が形成されている。ゲッター
室１０の形状・構造・寸法等は第１実施例のゲッター室
７とほぼ同じであり、即ちバルクゲッター１よりも一回
り大きいゲッター室１０は外囲器１２内に連通してい
る。
【００１６】バックプレート１３上に接着ガラスを介し
て固定された前記スペーサ１１のまわりには、シールガ
ラス１４が設けられている。またスペーサ１１の上面に
も固定用の接着ガラス１５が設けられている。そして、
前記ゲッター室１０内にはバルクゲッター１が収納さ
れ、バックプレート１３に対面してフェイスプレートが
封着されて外囲器１２が構成される。外囲器１２の排気
・封止工程と、バルクゲッター１の活性化は第１実施例
と同じである。
て固定された前記スペーサ１１のまわりには、シールガ
ラス１４が設けられている。またスペーサ１１の上面に
も固定用の接着ガラス１５が設けられている。そして、
前記ゲッター室１０内にはバルクゲッター１が収納さ
れ、バックプレート１３に対面してフェイスプレートが
封着されて外囲器１２が構成される。外囲器１２の排気
・封止工程と、バルクゲッター１の活性化は第１実施例
と同じである。
【００１７】以上説明した各実施例では、バルクゲッタ
ー１を収納する凹部として外囲器６，１２内の空間に連
通するゲッター室７，１０を外囲器６，１２内に設け
た。このようなゲッター室を外囲器内に設けた構造とし
ては、以上のほか図５に示すように、外囲器を構成する
基板２０にゲッター室２１となる凹部を設けてバルクゲ
ッター１を収納し、孔付きの蓋２２で該バルクゲッター
１をゲッター室２１内に保持するようにしてもよい。
ー１を収納する凹部として外囲器６，１２内の空間に連
通するゲッター室７，１０を外囲器６，１２内に設け
た。このようなゲッター室を外囲器内に設けた構造とし
ては、以上のほか図５に示すように、外囲器を構成する
基板２０にゲッター室２１となる凹部を設けてバルクゲ
ッター１を収納し、孔付きの蓋２２で該バルクゲッター
１をゲッター室２１内に保持するようにしてもよい。
【００１８】また、例えばガラス接着材を取り付け手段
としてバルクゲッターを外囲器内の要所、即ち凹部内に
直接固定するようにしてもよい。
としてバルクゲッターを外囲器内の要所、即ち凹部内に
直接固定するようにしてもよい。
【００１９】
【考案の効果】本考案の蛍光表示管は、外囲器の内部に
バルクゲッターを直接固定した構造なので、次のような
効果を有している。 （１）真空中で２００〜４００℃程度の温度に加熱する
だけでバルクゲッターを活性化させることができる。こ
のため、従来のような高周波加熱装置が不要になり、ゲ
ッターフラッシュ工程も省略でき、ゲッターの活性化を
排気工程で同時に行うことができる。
バルクゲッターを直接固定した構造なので、次のような
効果を有している。 （１）真空中で２００〜４００℃程度の温度に加熱する
だけでバルクゲッターを活性化させることができる。こ
のため、従来のような高周波加熱装置が不要になり、ゲ
ッターフラッシュ工程も省略でき、ゲッターの活性化を
排気工程で同時に行うことができる。
【００２０】（２）ＦＥＤにおいて独立した外部ゲッタ
ー室を設ける必要がなくなり、薄形の蛍光表示管の作製
が可能となる。
ー室を設ける必要がなくなり、薄形の蛍光表示管の作製
が可能となる。
【００２１】（３）従来のような飛散形のゲッターを支
持するための部材や、高周波加熱が可能な金属容器等が
不要になり、構造が簡略化される。
持するための部材や、高周波加熱が可能な金属容器等が
不要になり、構造が簡略化される。
【００２２】（４）バルクゲッターが表示部に近接して
いるため、ゲッター効果が有効に働く。
いるため、ゲッター効果が有効に働く。
【図１】第１実施例の一部を切欠いた正面図である。
【図２】図１のＡ部を拡大した斜視図である。
【図３】第１実施例の断面図である。
【図４】第２実施例の断面図である。
【図５】他の実施例の要部拡大断面図である。
【図６】従来の蛍光表示管の断面図である。
１ 表面活性形のバルクゲッター（バルクゲッター） ２ 蛍光表示管 ６，１２ 外囲器 ７，２１ 取付け手段としてのゲッター室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 横山 三喜男 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)考案者 利根川 武 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)考案者 新山 剛宏 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (56)参考文献 特開 昭61−218055（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−95249（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】 所定間隔をおいて対面するバックプレー
トとフェイスプレートの周囲が封着されてなる方形の外
囲器と、前記バックプレートの内面に設けられたコーン
形状のエミッタとゲートを有する電界放出素子と、前記
フェイスプレートの内面に設けられた蛍光体層を有する
アノードとを備えた電界放射エミッタ発光素子におい
て、 前記外囲器の隅部に、前記電界放出素子と前記アノード
が収納された空間に連通する凹部を設け、該凹部の内部
に表面活性形のバルクゲッターを保持させたこと を特徴
とする電界放射エミッタ発光素子。 - 【請求項２】 前記表面活性形の前記バルクゲッターが
Ｚｒ−Ｎｉ粉末を主体としている請求項１記載の電界放
射エミッタ発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992000058U JPH0754914Y2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 電界放射エミッタ発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992000058U JPH0754914Y2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 電界放射エミッタ発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0557753U JPH0557753U (ja) | 1993-07-30 |
| JPH0754914Y2 true JPH0754914Y2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=11463617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992000058U Expired - Fee Related JPH0754914Y2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 電界放射エミッタ発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754914Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006185813A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS552435A (en) * | 1978-06-21 | 1980-01-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ultrasoniccwave diagnosis device |
| JPH063714B2 (ja) * | 1985-03-25 | 1994-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置 |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP1992000058U patent/JPH0754914Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0557753U (ja) | 1993-07-30 |
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