JPH0754957B2 - 記録装置の光量制御装置 - Google Patents
記録装置の光量制御装置Info
- Publication number
- JPH0754957B2 JPH0754957B2 JP61198990A JP19899086A JPH0754957B2 JP H0754957 B2 JPH0754957 B2 JP H0754957B2 JP 61198990 A JP61198990 A JP 61198990A JP 19899086 A JP19899086 A JP 19899086A JP H0754957 B2 JPH0754957 B2 JP H0754957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- laser
- bias
- digital value
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、情報記録のためのビームを発生するビーム発
生手段を有する記録装置の光量制御装置に関する。
生手段を有する記録装置の光量制御装置に関する。
［従来の技術］ 従来、この種のレーザ記録装置としてはレーザビームプ
リンタが一般に知られている。このプリンタは入力した
情報に応じて変調されたレーザ光を用いて感光体を露光
走査することにより、静電潜像を形成し、この静電潜像
をトナーと呼ばれる磁性現像剤で顕画化して紙等の被記
録材に像転写している。
リンタが一般に知られている。このプリンタは入力した
情報に応じて変調されたレーザ光を用いて感光体を露光
走査することにより、静電潜像を形成し、この静電潜像
をトナーと呼ばれる磁性現像剤で顕画化して紙等の被記
録材に像転写している。
第10図は上述の従来のレーザビームプリンタの一例を示
す。本図において、１はハウジングＨ内に回転可能に支
持されたセレン、もしくは硫化カドミウム等の半導体層
を表面に有する感光ドラムであり、本図矢印Ａの方向に
定速に回転している。２はレーザ光Ｌを射出する半導体
レーザ、2Aはその半導体レーザ２のレーザ光量および点
灯消灯を入力情報に応じて制御する制御回路である。
す。本図において、１はハウジングＨ内に回転可能に支
持されたセレン、もしくは硫化カドミウム等の半導体層
を表面に有する感光ドラムであり、本図矢印Ａの方向に
定速に回転している。２はレーザ光Ｌを射出する半導体
レーザ、2Aはその半導体レーザ２のレーザ光量および点
灯消灯を入力情報に応じて制御する制御回路である。
半導体レーザ２から射出されたレーザ光Ｌはビームエキ
スパンダ３に入射されて、所定のビーム径をもったレー
ザ光となる。このレーザ光は鏡面を複数個有する多面体
ミラー４に入射される。この多面体ミラー４は低速回転
モータ（スキャナモータ）５により所定速度で回転する
ので、ビームエキスパンダ３から射出されたレーザ光は
この定速回転する多面体ミラー４で反射されて実質的に
水平方向に走査される。次に、レーザ光はｆ−θ特性を
有する結像レンズ６により、帯電器13により所定の極性
に帯電されている感光ドラム１上にスポット光として結
像される。
スパンダ３に入射されて、所定のビーム径をもったレー
ザ光となる。このレーザ光は鏡面を複数個有する多面体
ミラー４に入射される。この多面体ミラー４は低速回転
モータ（スキャナモータ）５により所定速度で回転する
ので、ビームエキスパンダ３から射出されたレーザ光は
この定速回転する多面体ミラー４で反射されて実質的に
水平方向に走査される。次に、レーザ光はｆ−θ特性を
有する結像レンズ６により、帯電器13により所定の極性
に帯電されている感光ドラム１上にスポット光として結
像される。
７は反射ミラー８によって反射されたレーザ光を検知す
るビーム検出器である。感光ドラム１上に所望の光情報
を得るための半導体レーザ２の変調動作のタイミング
は、上述のビーム検出器７の検出信号により決定され
る。一方、感光ドラム１上には上述の入力情報に応じて
結像走査されたレーザ光により静電潜像が形成される。
この潜像は現像器９においてトナーにより顕画化された
後、カセット10,11のいずれかから給送された被記録材
（一般的には用紙）上に転写される。その後、この被記
録材が定着器12を通過することにより、像は記録材に定
着され、図示しない排出部（排出トレイ）に排出され
る。
るビーム検出器である。感光ドラム１上に所望の光情報
を得るための半導体レーザ２の変調動作のタイミング
は、上述のビーム検出器７の検出信号により決定され
る。一方、感光ドラム１上には上述の入力情報に応じて
結像走査されたレーザ光により静電潜像が形成される。
この潜像は現像器９においてトナーにより顕画化された
後、カセット10,11のいずれかから給送された被記録材
（一般的には用紙）上に転写される。その後、この被記
録材が定着器12を通過することにより、像は記録材に定
着され、図示しない排出部（排出トレイ）に排出され
る。
ところで、このようなレーザビームプリンタにおいて、
一般的に用いられている半導体レーザのレーザ電流（駆
動電流）に対するレーザ光量の特性（Ｉ−ｌ特性）は、
第11図に示すようになっている。すなわち、第11図に示
すように、半導体レーザはレーザ電流Ｉがある閾値（I
th）まではレーザ発光は行なわないが、その閾値を越え
た時点でレーザ発光を行ない、そのレーザ発光状態にお
いてはレーザ電流Ｉに対するレーザ光量ｌがある一定の
傾きαを持っている。このαをスロープ効率と称してい
る。
一般的に用いられている半導体レーザのレーザ電流（駆
動電流）に対するレーザ光量の特性（Ｉ−ｌ特性）は、
第11図に示すようになっている。すなわち、第11図に示
すように、半導体レーザはレーザ電流Ｉがある閾値（I
th）まではレーザ発光は行なわないが、その閾値を越え
た時点でレーザ発光を行ない、そのレーザ発光状態にお
いてはレーザ電流Ｉに対するレーザ光量ｌがある一定の
傾きαを持っている。このαをスロープ効率と称してい
る。
レーザビームプリンタでは制御回路2Aにより半導体レー
ザ２の光量制御を行なって、規定光量lTになるようにレ
ーザ電流ITを決めている。その際、レーザ電流ITを定電
流駆動することにより、ルーザ光量lTを一定に保つよう
にしている。
ザ２の光量制御を行なって、規定光量lTになるようにレ
ーザ電流ITを決めている。その際、レーザ電流ITを定電
流駆動することにより、ルーザ光量lTを一定に保つよう
にしている。
しかしながら、半導体レーザはＩ−ｌ特性において第12
図に示すように、当初Ａという特性を有しており、所定
の規定光量lTAに規定するためにレーザ電流をITAで定電
流駆動していた場合に、半導体レーザに電流を流してい
ることによる半導体レーザのチップ温度の上昇などに伴
ない、Ｉ−ｌ特性がその後にＢまたはＣのように変化し
てしまうことがある。
図に示すように、当初Ａという特性を有しており、所定
の規定光量lTAに規定するためにレーザ電流をITAで定電
流駆動していた場合に、半導体レーザに電流を流してい
ることによる半導体レーザのチップ温度の上昇などに伴
ない、Ｉ−ｌ特性がその後にＢまたはＣのように変化し
てしまうことがある。
従って、必要規定光量lTAが感光ドラム１に走査されて
いる場合は、正常であるが、Ｉ−ｌ特性が第14図のよう
に変化してしまい、レーザ電流がITにもかかわらずレー
ザ光量がＢのようにlTBと少なくなった場合には、上述
の潜像ができないような状態が生ずることがあり、また
ＣのようlTCと多くなった場合にはレーザチップの破壊
になるおそれがある。
いる場合は、正常であるが、Ｉ−ｌ特性が第14図のよう
に変化してしまい、レーザ電流がITにもかかわらずレー
ザ光量がＢのようにlTBと少なくなった場合には、上述
の潜像ができないような状態が生ずることがあり、また
ＣのようlTCと多くなった場合にはレーザチップの破壊
になるおそれがある。
そこで、従来からプリントの紙間などの非プリント期間
において、半導体レーザの発光量を検出し、検出光量が
規定光量lTAになる様に駆動電流を制御する光量制御動
作を実行している。すなわち、デジタル／アナログ変換
器を用いて、出力するデジタル値に対応する駆動電流が
半導体レーザに印加される様に構成し、前記検出光量が
規定光量lTAに達するまでデジタル値を逐次カウントア
ップし、規定光量lTAに達したときのデジタル値を保持
しておく。プリント期間においては、保持されたデジタ
ル値に対応する駆動電流を記録信号に応じて半導体レー
ザに印加している。
において、半導体レーザの発光量を検出し、検出光量が
規定光量lTAになる様に駆動電流を制御する光量制御動
作を実行している。すなわち、デジタル／アナログ変換
器を用いて、出力するデジタル値に対応する駆動電流が
半導体レーザに印加される様に構成し、前記検出光量が
規定光量lTAに達するまでデジタル値を逐次カウントア
ップし、規定光量lTAに達したときのデジタル値を保持
しておく。プリント期間においては、保持されたデジタ
ル値に対応する駆動電流を記録信号に応じて半導体レー
ザに印加している。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来技術では、いわゆる量子化誤差を軽減して高精
度に光量制御を行うために、出力するデジタル値のビッ
ト数を多くすると、多ビット数のデジタル／アナログ変
換器が高価であるため、コストアップを招来するととも
に、１回のカウントアップで変化する駆動電流の変化量
が小さいため、光量制御動作に長時間を要するという問
題点があった。
度に光量制御を行うために、出力するデジタル値のビッ
ト数を多くすると、多ビット数のデジタル／アナログ変
換器が高価であるため、コストアップを招来するととも
に、１回のカウントアップで変化する駆動電流の変化量
が小さいため、光量制御動作に長時間を要するという問
題点があった。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、大幅
なコストアップを招来することなく、短時間で高精度の
光量制御か可能な記録装置の光量制御装置を提供するこ
とを目的とする。
なコストアップを招来することなく、短時間で高精度の
光量制御か可能な記録装置の光量制御装置を提供するこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 斯かる目的を達成するために、本発明に従う記録装置の
光量制御装置は、 情報記録のためのビームを発生するビーム発生手段と、 前記ビーム発生手段から発生されるビームの光量を検出
する検出手段と、 第１、第２デジタル値をそれぞれ出力するデジタル値出
力手段と、 前記第１、第２デジタル値をそれぞれアナログ値に変換
する第１、第2D/A変換手段と、 前記第１、第2D/A変換手段の出力に基づいて前記ビーム
発生手段に印加されるべき電流を発生する電流発生手段
と、 前記デジタル値出力手段から逐次増加する第１デジタル
値を出力させることにより、前記ビーム発生手段への印
加電流を徐々に増加させる第１手段と、前記第１手段に
よる前記ビーム発生手段への印加電流の増加により前記
検出手段からの出力が第１の値に到達したことに応じて
特定の第１デジタル値を決定する第２手段と、前記第２
手段により決定された前記特定の第１デジタル値が出力
されている状態で、前記デジタル値出力手段から逐次増
加する第２デジタル値を出力させることにより、前記ビ
ーム発生手段への印加電流を更に徐々に増加させる第３
手段と、前記第３手段による前記ビーム発生手段への印
加電流の増加により前記検出手段からの出力が第２の値
に到達したことに応じて特定の第２デジタル値を決定す
る第４手段とを有する制御手段とを備え、 前記第１手段による単位時間当たりの電流増加量を、前
記第３手段による単位時間当たりの電流増加量よりも大
きくしたことを特徴とする。
光量制御装置は、 情報記録のためのビームを発生するビーム発生手段と、 前記ビーム発生手段から発生されるビームの光量を検出
する検出手段と、 第１、第２デジタル値をそれぞれ出力するデジタル値出
力手段と、 前記第１、第２デジタル値をそれぞれアナログ値に変換
する第１、第2D/A変換手段と、 前記第１、第2D/A変換手段の出力に基づいて前記ビーム
発生手段に印加されるべき電流を発生する電流発生手段
と、 前記デジタル値出力手段から逐次増加する第１デジタル
値を出力させることにより、前記ビーム発生手段への印
加電流を徐々に増加させる第１手段と、前記第１手段に
よる前記ビーム発生手段への印加電流の増加により前記
検出手段からの出力が第１の値に到達したことに応じて
特定の第１デジタル値を決定する第２手段と、前記第２
手段により決定された前記特定の第１デジタル値が出力
されている状態で、前記デジタル値出力手段から逐次増
加する第２デジタル値を出力させることにより、前記ビ
ーム発生手段への印加電流を更に徐々に増加させる第３
手段と、前記第３手段による前記ビーム発生手段への印
加電流の増加により前記検出手段からの出力が第２の値
に到達したことに応じて特定の第２デジタル値を決定す
る第４手段とを有する制御手段とを備え、 前記第１手段による単位時間当たりの電流増加量を、前
記第３手段による単位時間当たりの電流増加量よりも大
きくしたことを特徴とする。
［作用］ 本発明に従う光量制御装置は、前記第１手段により、前
記第1D/A変換手段に出力すべき第１デジタル値を逐次増
加させるときには、単位時間当たりの電流増加量が大き
いので、高速に前記ビーム発生手段への印加電流の増加
させることができるとともに、第３手段により、前記第
２手段により決定された前記特定の第１デジタル値が出
力されている状態で、前記デジタル値出力手段から逐次
増加する第２デジタル値を出力させるときには、単位時
間当たりの電流増加量が小さいので、前記半導体レーザ
の発光量を高精度に制御することができる。
記第1D/A変換手段に出力すべき第１デジタル値を逐次増
加させるときには、単位時間当たりの電流増加量が大き
いので、高速に前記ビーム発生手段への印加電流の増加
させることができるとともに、第３手段により、前記第
２手段により決定された前記特定の第１デジタル値が出
力されている状態で、前記デジタル値出力手段から逐次
増加する第２デジタル値を出力させるときには、単位時
間当たりの電流増加量が小さいので、前記半導体レーザ
の発光量を高精度に制御することができる。
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明実施例の要部回路構成を示す。
第１図において、101は中央処理装置（CPU）であり、情
報記録処理の全体制御を行う。102はレーザ光量比較制
御回路であり、A/D（アナログデジタル）変換回路を内
蔵したワンチップマイクロコンピュータからなり、後述
の第３図の制御手順に従って、レーザ光量に関する第２
図に示すような制御を行う。103はレーザ光量比較制御
回路102の一方の出力B1〜Bnに接続するD/A（デジタルア
ナログ）変換回路を有するバイアス電流制御回路であ
る。104はその回路103により制御されるバイアス定電流
回路であり、バイアス電流IBが入力する。また、105は
レーザ光量比較制御回路102の他方の出力D1〜Dnに接続
するD/A変換回路を有する発光電流制御回路である。106
はその回路105により制御される発光定電流回路であ
り、発光電流スイッチング回路107を介して発光電流ID
が入力される。
報記録処理の全体制御を行う。102はレーザ光量比較制
御回路であり、A/D（アナログデジタル）変換回路を内
蔵したワンチップマイクロコンピュータからなり、後述
の第３図の制御手順に従って、レーザ光量に関する第２
図に示すような制御を行う。103はレーザ光量比較制御
回路102の一方の出力B1〜Bnに接続するD/A（デジタルア
ナログ）変換回路を有するバイアス電流制御回路であ
る。104はその回路103により制御されるバイアス定電流
回路であり、バイアス電流IBが入力する。また、105は
レーザ光量比較制御回路102の他方の出力D1〜Dnに接続
するD/A変換回路を有する発光電流制御回路である。106
はその回路105により制御される発光定電流回路であ
り、発光電流スイッチング回路107を介して発光電流ID
が入力される。
108は半導体レーザ、109はレーザ108のレーザ光を受光
するフォトダイオードである。110はフォトダイオード1
09からの検出信号を供給されるレーザ光量モニタ回路で
あり、検出した光量に相当する電圧VMがレーザ光量比較
制御回路102に出力される。111はレーザ光量を設定する
レーザ光量設定回路である。121はアンドゲート、122は
オアゲートである。
するフォトダイオードである。110はフォトダイオード1
09からの検出信号を供給されるレーザ光量モニタ回路で
あり、検出した光量に相当する電圧VMがレーザ光量比較
制御回路102に出力される。111はレーザ光量を設定する
レーザ光量設定回路である。121はアンドゲート、122は
オアゲートである。
次に、第３図のフローチャートを参照して上述のレーザ
光量比較制御回路102の動作を説明する。
光量比較制御回路102の動作を説明する。
中央処理装置（CPU）101から自動光量調整開始信号（AP
CST）113が送られると（ステップ201）、レーザ光量比
較制御回路102はステップ202において発光電流制御回路
105およびバイアス電流制御回路103のD/A変換回路の入
力信号D1〜Dn、B1〜Bnを全てクリアし、それにより発光
定電流回路106とバイアス定電流回路104とを通じて、半
導体レーザ108に流れているレーザ電流Il（発光電流ID
＋バイアス電流IB）を十分に小さな値にする（例えば、
レーザ発光領域内にレーザ電流Ilを設定する。）。次の
ステップ203において画像信号であるビデオ信号（Video
（LON）信号）116をTRUE（真）として、半導体レーザ10
8に発光電流が流れるように、スイッチング回路107のゲ
ートを開ける。
CST）113が送られると（ステップ201）、レーザ光量比
較制御回路102はステップ202において発光電流制御回路
105およびバイアス電流制御回路103のD/A変換回路の入
力信号D1〜Dn、B1〜Bnを全てクリアし、それにより発光
定電流回路106とバイアス定電流回路104とを通じて、半
導体レーザ108に流れているレーザ電流Il（発光電流ID
＋バイアス電流IB）を十分に小さな値にする（例えば、
レーザ発光領域内にレーザ電流Ilを設定する。）。次の
ステップ203において画像信号であるビデオ信号（Video
（LON）信号）116をTRUE（真）として、半導体レーザ10
8に発光電流が流れるように、スイッチング回路107のゲ
ートを開ける。
ここで、発光電流制御回路105およびバイアス電流制御
回路103は上述のようにD/Aコンバータ等のディジタル値
をアナログ値に変換する回路を有しており、レーザ光量
比較制御回路102からの出力信号D1〜DnおよびB1〜Bnに
より構成されるディジタル値をカウントアップ又はカウ
ントダウンすることにより、発光定電流回路106又はバ
イアス定電流回路104を介してレーザに流れるレーザ電
流Ilを上述のカウントアップまたはカウントダウンに相
当する電気量（アナログ値）だけ変化させることができ
る回路構成となっている。
回路103は上述のようにD/Aコンバータ等のディジタル値
をアナログ値に変換する回路を有しており、レーザ光量
比較制御回路102からの出力信号D1〜DnおよびB1〜Bnに
より構成されるディジタル値をカウントアップ又はカウ
ントダウンすることにより、発光定電流回路106又はバ
イアス定電流回路104を介してレーザに流れるレーザ電
流Ilを上述のカウントアップまたはカウントダウンに相
当する電気量（アナログ値）だけ変化させることができ
る回路構成となっている。
本実施例においては、第４図（Ａ）に示すように、バイ
アス電流制御回路103でカウントされるバイアスカウン
ト値XBはレーザ光量比較制御回路102の出力B1を最下位
ビット（LSB）とし、Bnを最上位ビット（MSB）とするｎ
ビットの２進数と考え、バイアスカウント値XBをカウン
トアップ，カウントダウンするという表現を用いる。第
４図（Ａ）はバイアスカウント値XBをカウントアップす
る状態を示している。ここで、“0"はLow（ロー）レベ
ル:FALSE（偽）とし、“1"はHigh（ハイ）レベル:TRUE
（真）とする。また上述のバイアスカウント値XBとバイ
アス電流IBの関係は第４図（Ｂ）に示すようにバイアス
カウント値XBの増加に伴ないバイアス電流IBが増加する
ものとする。また、発光カウント値XDと発光電流IDも第
４図（Ｂ）に示すと同様な関係にあるものとする。
アス電流制御回路103でカウントされるバイアスカウン
ト値XBはレーザ光量比較制御回路102の出力B1を最下位
ビット（LSB）とし、Bnを最上位ビット（MSB）とするｎ
ビットの２進数と考え、バイアスカウント値XBをカウン
トアップ，カウントダウンするという表現を用いる。第
４図（Ａ）はバイアスカウント値XBをカウントアップす
る状態を示している。ここで、“0"はLow（ロー）レベ
ル:FALSE（偽）とし、“1"はHigh（ハイ）レベル:TRUE
（真）とする。また上述のバイアスカウント値XBとバイ
アス電流IBの関係は第４図（Ｂ）に示すようにバイアス
カウント値XBの増加に伴ないバイアス電流IBが増加する
ものとする。また、発光カウント値XDと発光電流IDも第
４図（Ｂ）に示すと同様な関係にあるものとする。
また、半導体レーザ108の発光状態はレーザ装置112に内
蔵されているフォトダイオード109により光電変換さ
れ、レーザ光量モニタ回路110により処理されて、第５
図に示すような光量−電圧特性のモニタ電圧VMとして、
レーザ光量比較制御回路102にフォードバックされる。
蔵されているフォトダイオード109により光電変換さ
れ、レーザ光量モニタ回路110により処理されて、第５
図に示すような光量−電圧特性のモニタ電圧VMとして、
レーザ光量比較制御回路102にフォードバックされる。
さて、上述のステップ202においてバイアスカウント値X
Bおよび発光カウント値XDを共に“0"にした後、ステッ
プ203以降のステップでバイアス電流制御を行う。
Bおよび発光カウント値XDを共に“0"にした後、ステッ
プ203以降のステップでバイアス電流制御を行う。
そのバイアス電流制御では第２図（Ａ），（Ｂ）のＡ領
域で示すように、発光電流カウントXDを“0"とした状態
で、バイアス電流カウント値XBを“1"づつカウントアッ
プすることにより（ステップ204）、そのカウントアッ
プされたカウント値XBに相当する電流（レーザ電流）を
バイアス定電流回路104により半導体レーザ108に流す。
そのレーザ電流に伴なうレーザ光量の検出値をレーザ光
量モニタ回路110を通じてレーザ光量比較制御回路102に
フィードバックしている。
域で示すように、発光電流カウントXDを“0"とした状態
で、バイアス電流カウント値XBを“1"づつカウントアッ
プすることにより（ステップ204）、そのカウントアッ
プされたカウント値XBに相当する電流（レーザ電流）を
バイアス定電流回路104により半導体レーザ108に流す。
そのレーザ電流に伴なうレーザ光量の検出値をレーザ光
量モニタ回路110を通じてレーザ光量比較制御回路102に
フィードバックしている。
半導体レーザ108はレーザ電流がしきい値電流Ithを越え
た時点で、レーザ発光を行なう。さらに、バイアス電流
カウント値XBをカウントアップして、半導体レーザ108
に流れる電流を増加させる。その後、モニタ電圧VMがバ
イアス電流規定電圧VBOに達した時点でバイアス電流カ
ウント値XBのカウントアップを終わらせる（ステップ20
5）。
た時点で、レーザ発光を行なう。さらに、バイアス電流
カウント値XBをカウントアップして、半導体レーザ108
に流れる電流を増加させる。その後、モニタ電圧VMがバ
イアス電流規定電圧VBOに達した時点でバイアス電流カ
ウント値XBのカウントアップを終わらせる（ステップ20
5）。
この時のバイアス電流カウント値をXBO（バイアス電流
規定カウント値）とする。XBがXBOである状態では、レ
ーザ108はレーザ発光を行なっており、感光ドラム１上
に潜像を形成するのに十分な光量を出している場合も存
在するので、バイアス電流はバイアス電流規定カウント
値XBOにある一定の場合（例えば80％など）を乗算した
値にし、その値をXBTとする（ステップ206）。
規定カウント値）とする。XBがXBOである状態では、レ
ーザ108はレーザ発光を行なっており、感光ドラム１上
に潜像を形成するのに十分な光量を出している場合も存
在するので、バイアス電流はバイアス電流規定カウント
値XBOにある一定の場合（例えば80％など）を乗算した
値にし、その値をXBTとする（ステップ206）。
レーザ108は上述のXBT（バイアス電流設定カウント値）
に相当する電流が流れているが、この時の電流をバイア
ス設定電流IBTとする。半導体レーザ108にバイアス設定
電流IBTが流れている状態で、モニタ電圧VMの確認を行
ない、モニタ電圧VMをバイアス電流規定電圧VBOから減
算した値の絶対値が電圧VBOにある一定の割合（α）を
かけた値VBO×αを越えていた場合には（ステップ20
7）、ステップ202に戻ってバイアス電流カウント値XBを
“0"クリアにしてレーザ電流を止め、バイアス電流制御
を始めからやりなおす。すなわち、半導体レーザ108に
バイアス設定電流IBTを流した状態で、発光電流制御を
行なう。この時のVideo信号をTRUEとし、発光電流スイ
ッチング回路107のゲートを開けておき、発光電流IDが
半導体レーザ108に流れる状態にしておく。
に相当する電流が流れているが、この時の電流をバイア
ス設定電流IBTとする。半導体レーザ108にバイアス設定
電流IBTが流れている状態で、モニタ電圧VMの確認を行
ない、モニタ電圧VMをバイアス電流規定電圧VBOから減
算した値の絶対値が電圧VBOにある一定の割合（α）を
かけた値VBO×αを越えていた場合には（ステップ20
7）、ステップ202に戻ってバイアス電流カウント値XBを
“0"クリアにしてレーザ電流を止め、バイアス電流制御
を始めからやりなおす。すなわち、半導体レーザ108に
バイアス設定電流IBTを流した状態で、発光電流制御を
行なう。この時のVideo信号をTRUEとし、発光電流スイ
ッチング回路107のゲートを開けておき、発光電流IDが
半導体レーザ108に流れる状態にしておく。
次に、|VBO−VM|≦VB×αの計算式が成立したら、ステ
ップ207からステップ208へ進む。
ップ207からステップ208へ進む。
このときの発光電流制御は第２図（Ａ），（Ｂ）のＢ領
域で示すように、バイアス電流カウント値XBをバイアス
電流設定カウント値XBTとし、半導体レーザ108にバイア
ス設定電流IBTを流した状態で行なう。発光電流カウン
ト値XDを“0"状態から“1"づつカウントアップする（ス
テップ208）。このカウントアップにより得られたその
カウント値XDに相当する電流IDを発光定電流回路106に
よりバイアス規定電流IBTに上乗せする。したがって、
レーザ電流Ilはバイアス規定電流IBTと発光電流IDを加
算したもの（Il＝IBT＋ID）となる。
域で示すように、バイアス電流カウント値XBをバイアス
電流設定カウント値XBTとし、半導体レーザ108にバイア
ス設定電流IBTを流した状態で行なう。発光電流カウン
ト値XDを“0"状態から“1"づつカウントアップする（ス
テップ208）。このカウントアップにより得られたその
カウント値XDに相当する電流IDを発光定電流回路106に
よりバイアス規定電流IBTに上乗せする。したがって、
レーザ電流Ilはバイアス規定電流IBTと発光電流IDを加
算したもの（Il＝IBT＋ID）となる。
レーザ電流Ilに伴なうレーザ光量は半導体レーザ装置11
2の内部に内蔵されているフォトダイオード109により光
電変更され、レーザ光量モニタ回路110により、レーザ
光量比較制御回路102にフォードバックしている。その
ため、発光電流カウント値XDを“1"づつカウントアップ
して行くことにより、発光電流IDが増加し、レーザ光量
が増えることとなる。
2の内部に内蔵されているフォトダイオード109により光
電変更され、レーザ光量モニタ回路110により、レーザ
光量比較制御回路102にフォードバックしている。その
ため、発光電流カウント値XDを“1"づつカウントアップ
して行くことにより、発光電流IDが増加し、レーザ光量
が増えることとなる。
次に、そのレーザ光量が増えたことをモニタ電圧VMが増
加することにより検知する。すなわち、発光電流カウン
ト値XDをカウントアップし、レーザ108に流れる電流を
増加させて、モニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに達し
た時点で、発光電流カウント値XDのカウントアップを終
了させる（ステップ209）。
加することにより検知する。すなわち、発光電流カウン
ト値XDをカウントアップし、レーザ108に流れる電流を
増加させて、モニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに達し
た時点で、発光電流カウント値XDのカウントアップを終
了させる（ステップ209）。
この時の発光電流カウント値をXDT（発光電流設定カウ
ント値）とする。半導体レーザ108にはXDT（発光電流設
定カウント値）に相当する電流が流ているが、この時の
発光電流を発光設定電流IDTとする。半導体レーザ108に
発光設定電流IDTが流れている状態で、モニタ電圧VMの
確認を行なう。すなわち、モニタ電圧VMが発光光量規定
電圧VDに対してある一定の領域（例えば±５％）内に入
っていない場合（ステップ210）には、発光電流カウン
ト値XDをクリアして（ステップ211）、発光電流IDを止
め、ステップ208に戻って発光電流制御をやりなおす。
ント値）とする。半導体レーザ108にはXDT（発光電流設
定カウント値）に相当する電流が流ているが、この時の
発光電流を発光設定電流IDTとする。半導体レーザ108に
発光設定電流IDTが流れている状態で、モニタ電圧VMの
確認を行なう。すなわち、モニタ電圧VMが発光光量規定
電圧VDに対してある一定の領域（例えば±５％）内に入
っていない場合（ステップ210）には、発光電流カウン
ト値XDをクリアして（ステップ211）、発光電流IDを止
め、ステップ208に戻って発光電流制御をやりなおす。
モニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに対してある一定領
域に入っている場合で、中央処理装置101からのAPCST信
号がFALSEである場合は、発光電流設定カウント値XDTお
よびバイアス電流設定カウント値XBTを保持したまま
で、発光電流スイッチング回路107のゲートを閉じて、
半導体レーザ108への電流をバイアス設定電流IBTのみと
する。また、上述のAPCST信号がTRUEの場合には、発光
電流スイッチング回路107のゲートは開けたままにして
おき、APCST信号がFALSEになった時点でゲートを閉じ
る。
域に入っている場合で、中央処理装置101からのAPCST信
号がFALSEである場合は、発光電流設定カウント値XDTお
よびバイアス電流設定カウント値XBTを保持したまま
で、発光電流スイッチング回路107のゲートを閉じて、
半導体レーザ108への電流をバイアス設定電流IBTのみと
する。また、上述のAPCST信号がTRUEの場合には、発光
電流スイッチング回路107のゲートは開けたままにして
おき、APCST信号がFALSEになった時点でゲートを閉じ
る。
上述の発光光量規定電圧VDは次のように求められる。ま
ずレーザ光量設定回路111によりレーザ光量設定電圧VO
が決められる。この電圧VOは、第６図に示すように、抵
抗分割による電圧が考えられる。レーザ光量比較制御回
路102に入力された設定電圧VOは、記録装置内の感光ド
ラム１のレーザ感度の差により補正される。感光ドラム
１の感度は中央処理装置１からCSEN1、CSEN2で示す信号
114で入力される。VOに対する補正値は中心値のVOに対
して例えば＋10％、または−10％等の値となり、VOを補
正した値を発光光量規定電圧VDとする。
ずレーザ光量設定回路111によりレーザ光量設定電圧VO
が決められる。この電圧VOは、第６図に示すように、抵
抗分割による電圧が考えられる。レーザ光量比較制御回
路102に入力された設定電圧VOは、記録装置内の感光ド
ラム１のレーザ感度の差により補正される。感光ドラム
１の感度は中央処理装置１からCSEN1、CSEN2で示す信号
114で入力される。VOに対する補正値は中心値のVOに対
して例えば＋10％、または−10％等の値となり、VOを補
正した値を発光光量規定電圧VDとする。
本実施例では、第２図（Ａ）に示されるように、バイア
スカウント値XBの１ステップずつのカウントアップ（第
３図Ａ）による単位時間当たりの電流増加量は、発光カ
ウント値XDの１ステップずつのカウントアップ（第３図
Ｂ）による単位時間あたりの電流増加量よりも大きくな
るように構成されている。
スカウント値XBの１ステップずつのカウントアップ（第
３図Ａ）による単位時間当たりの電流増加量は、発光カ
ウント値XDの１ステップずつのカウントアップ（第３図
Ｂ）による単位時間あたりの電流増加量よりも大きくな
るように構成されている。
ところで、第２図のフローチャートにおけるＡ域、Ｂ域
に示すように、モニタ電圧VMがバイアス規定電圧VBOま
たは発光光量設定電圧VDになるまで、バイアスカウント
値XBおよび発光カウント値XDを１ステップずつカウント
アップしている（第３図のステップ204およびステップ2
08参照）。
に示すように、モニタ電圧VMがバイアス規定電圧VBOま
たは発光光量設定電圧VDになるまで、バイアスカウント
値XBおよび発光カウント値XDを１ステップずつカウント
アップしている（第３図のステップ204およびステップ2
08参照）。
このように１ステップずつカウントアップすることによ
り精度の高い光量制御が可能であるが、カウント値XBお
よびXDのビット数を多くして、より高精度の光量制御を
行おうとした場合には、より多くの時間が必要となって
来る。通常、プリントの紙間で自動光量調整動作を行な
っているので、あまり時間をかけることはできない。
り精度の高い光量制御が可能であるが、カウント値XBお
よびXDのビット数を多くして、より高精度の光量制御を
行おうとした場合には、より多くの時間が必要となって
来る。通常、プリントの紙間で自動光量調整動作を行な
っているので、あまり時間をかけることはできない。
そこで、第７図および第８図に示すような高速高精度の
光量制御を本実施例では行っている。次に、第８図のフ
ローチャートに従ってこの光量制御動作を説明する。第
３図のフローチャートのＡ域およびＢ域を第８図の手順
に入れ変える。従って、第３図のステップ203および207
の後に第８図のステップ301が実行され、モニタ電圧VM
がVBO（またはVD）の所定割合値ＶBOβ（または
ＶＤβ）になったか否かの判断を行ない、VMがＶ
BOβ（またはＶＤβ）以下の場合は、次のステップ302
においてバイアスカウント値XB（または発光カウント値
XD）のカウント値を３カウントずつ増加させる。
光量制御を本実施例では行っている。次に、第８図のフ
ローチャートに従ってこの光量制御動作を説明する。第
３図のフローチャートのＡ域およびＢ域を第８図の手順
に入れ変える。従って、第３図のステップ203および207
の後に第８図のステップ301が実行され、モニタ電圧VM
がVBO（またはVD）の所定割合値ＶBOβ（または
ＶＤβ）になったか否かの判断を行ない、VMがＶ
BOβ（またはＶＤβ）以下の場合は、次のステップ302
においてバイアスカウント値XB（または発光カウント値
XD）のカウント値を３カウントずつ増加させる。
その後、モニタ電圧VMがＶBOβ（またはＶＤβ）を越え
た場合は、ステップ303に進んでモニタ電圧VMとVBO（ま
たはVD）の別の所定割合値ＶBOα（またはＶＤα）の大
小比較を行ない、モニタ電圧VMの方が小さい場合はステ
ップ304においてXB（またはXD）のカウント値を２カウ
ントずつ増加させる。
た場合は、ステップ303に進んでモニタ電圧VMとVBO（ま
たはVD）の別の所定割合値ＶBOα（またはＶＤα）の大
小比較を行ない、モニタ電圧VMの方が小さい場合はステ
ップ304においてXB（またはXD）のカウント値を２カウ
ントずつ増加させる。
その後、モニタ電圧VMがＶBOα（またはＶDd）を越えた
場合は、ステップ305に進んでモニタ電圧VMとバイアス
規定電圧VBO（または発光光量設定電圧XB）との比較を
行ない、モニタ電圧VMが小さい場合にはモニタ電圧VMが
VBO（またはVD）にまるまで、XB（またはXD）のカウン
ト値を１カウントずつ増加させる。VMがVBO（または
VD）になった後は、第３図のステップ206またはステッ
プ210に進む。このように制御することによって、第７
図に示すように短時間で高精度の自動光量調整機能が実
現できる。なお、上述の（ ）内は、第３図でのＢ域の
処理の場合に該当する。
場合は、ステップ305に進んでモニタ電圧VMとバイアス
規定電圧VBO（または発光光量設定電圧XB）との比較を
行ない、モニタ電圧VMが小さい場合にはモニタ電圧VMが
VBO（またはVD）にまるまで、XB（またはXD）のカウン
ト値を１カウントずつ増加させる。VMがVBO（または
VD）になった後は、第３図のステップ206またはステッ
プ210に進む。このように制御することによって、第７
図に示すように短時間で高精度の自動光量調整機能が実
現できる。なお、上述の（ ）内は、第３図でのＢ域の
処理の場合に該当する。
また、第８図（Ａ），（Ｂ）に示すように、バイアスカ
ウント値XBをカウントアップすることによりレーザ電流
Ｉを増加させ、バイアスカウント値XBが最大値（MAX）
になった時点TBにおいても、モニタ電圧VMがバイアス電
流規定電圧VBOに到達しない場合には、電流IBMAX（バイ
アスカウント値がMAXになった時の電流）または、電流I
BMAXの所定割合値をバイアス電流とする。
ウント値XBをカウントアップすることによりレーザ電流
Ｉを増加させ、バイアスカウント値XBが最大値（MAX）
になった時点TBにおいても、モニタ電圧VMがバイアス電
流規定電圧VBOに到達しない場合には、電流IBMAX（バイ
アスカウント値がMAXになった時の電流）または、電流I
BMAXの所定割合値をバイアス電流とする。
また、発光電流において所定のバイアス電流が流れてい
る状態において、発光電流制御を行なう。発光カウント
値XDをカウントアップすることにより、レーザ電流を増
加させ、発光カウント値XDが最大値になった時点TDにお
いてもモニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに到達しない
場合には、電流IDMAX（発光カウント値がMAXになった時
の発光電流）を流した状態で、発光電流制御を終了させ
る。
る状態において、発光電流制御を行なう。発光カウント
値XDをカウントアップすることにより、レーザ電流を増
加させ、発光カウント値XDが最大値になった時点TDにお
いてもモニタ電圧VMが発光光量規定電圧VDに到達しない
場合には、電流IDMAX（発光カウント値がMAXになった時
の発光電流）を流した状態で、発光電流制御を終了させ
る。
［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明によれば、大幅なコストアッ
プを招来することなく、短時間で高精度の光量制御を行
うことが可能になる。
プを招来することなく、短時間で高精度の光量制御を行
うことが可能になる。
第１図は本発明実施例のレーザ駆動電流制御回路の構成
を示すブロック図、 第２図は第１図のレーザ駆動電流制御回路の動作を示す
特性図、 第３図は第１図のレーザ光量比較制御回路の動作を示す
フローチャート、 第４図（Ａ），（Ｂ）は本発明実施例のバイアスカウン
ト値（または発光カウント値）とバイアス電流（または
発光電流）との関係を示す図、 第５図は本発明実施例のレーザ光量とモニタ電圧の関係
を示す特性図、 第６図は第１図のレーザ光量設定回路の構成例を示す回
路図、 第７図（Ａ），（Ｂ）は、本発明実施例の高速高精度制
御動作時の特性図、 第８図は本発明実施例の高速高精度制御動作を示すフロ
ーチャート、 第９図（Ａ），（Ｂ）は第１図のレーザ光量比較制御回
路の動作を示す特性図、 第10図は従来のレーザ記録装置の構成を示す斜視図、 第11図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図、 第12図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図である。 101……中央処理装置、 102……レーザ光量比較制御回路、 103……バイアス電流制御回路、 104……バイアス定電流回路、 105……発光電流制御回路、 106……発光定電流回路、 107……発光電流スイッチング回路、 108……半導体レーザ、 109……フォトダイオード、 110……レーザ光量モニタ回路、 111……レーザ光量設定回路。
を示すブロック図、 第２図は第１図のレーザ駆動電流制御回路の動作を示す
特性図、 第３図は第１図のレーザ光量比較制御回路の動作を示す
フローチャート、 第４図（Ａ），（Ｂ）は本発明実施例のバイアスカウン
ト値（または発光カウント値）とバイアス電流（または
発光電流）との関係を示す図、 第５図は本発明実施例のレーザ光量とモニタ電圧の関係
を示す特性図、 第６図は第１図のレーザ光量設定回路の構成例を示す回
路図、 第７図（Ａ），（Ｂ）は、本発明実施例の高速高精度制
御動作時の特性図、 第８図は本発明実施例の高速高精度制御動作を示すフロ
ーチャート、 第９図（Ａ），（Ｂ）は第１図のレーザ光量比較制御回
路の動作を示す特性図、 第10図は従来のレーザ記録装置の構成を示す斜視図、 第11図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図、 第12図は半導体レーザの電流に対する光量の関係を示す
特性図である。 101……中央処理装置、 102……レーザ光量比較制御回路、 103……バイアス電流制御回路、 104……バイアス定電流回路、 105……発光電流制御回路、 106……発光定電流回路、 107……発光電流スイッチング回路、 108……半導体レーザ、 109……フォトダイオード、 110……レーザ光量モニタ回路、 111……レーザ光量設定回路。
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 馨 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 征矢 隆志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−81329（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−212256（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−17582（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−56060（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−115278（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−32767（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】情報記録のためにビームを発生するビーム
発生手段と、 前記ビーム発生手段から発生されるビームの光量を検出
する検出手段と、 第１、第２デジタル値をそれぞれ出力するデジタル値出
力手段と、 前記第１、第２デジタル値をそれぞれアナログ値に変換
する第１、第2D/A変換手段と、 前記第１、第2D/A変換手段の出力に基づいて前記ビーム
発生手段に印加されるべき電流を発生する電流発生手段
と、 前記デジタル値出力手段から逐次増加する第１デジタル
値を出力させることにより、前記ビーム発生手段への印
加電流を徐々に増加させる第１手段と、前記第１手段に
よる前記ビーム発生手段への印加電流の増加により前記
検出手段からの出力が第１の値に到達したことに応じて
特定の第１デジタル値を決定する第２手段と、前記第２
手段により決定された前記特定の第１デジタル値が出力
されている状態で、前記デジタル値出力手段から逐次増
加する第２デジタル値を出力させることにより、前記ビ
ーム発生手段への印加電流を更に徐々に増加させる第３
手段と、前記第３手段による前記ビーム発生手段への印
加電流の増加により前記検出手段からの出力が第２の値
に到達したことに応じて特定の第２デジタル値を決定す
る第４手段とを有する制御手段とを備え、 前記第１手段による単位時間当たりの電流増加量を、前
記第３手段による単位時間当たりの電流増加量よりも大
きくしたことを特徴とする記録装置の光量制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198990A JPH0754957B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 記録装置の光量制御装置 |
| US07/087,707 US4890288A (en) | 1986-08-27 | 1987-08-21 | Light quantity control device |
| DE3752136T DE3752136T2 (de) | 1986-08-27 | 1987-08-27 | Vorrichtung für die Steuerung der Lichtmenge |
| EP87307608A EP0258060B1 (en) | 1986-08-27 | 1987-08-27 | Light quantity control device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198990A JPH0754957B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 記録装置の光量制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356059A JPS6356059A (ja) | 1988-03-10 |
| JPH0754957B2 true JPH0754957B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=16400275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198990A Expired - Lifetime JPH0754957B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 記録装置の光量制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754957B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02165974A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Brother Ind Ltd | 変調装置 |
| JPH0358065A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-13 | Ricoh Co Ltd | レーザーダイオードの発光出力制御装置 |
| JP2785974B2 (ja) * | 1989-10-19 | 1998-08-13 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置及びバイアス電流の設定方法 |
| JPH0985988A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Nec Off Syst Ltd | 印刷装置 |
| JP4582199B2 (ja) * | 2008-06-02 | 2010-11-17 | ブラザー工業株式会社 | 光出力装置およびその装置を備えた画像形成装置 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP61198990A patent/JPH0754957B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6356059A (ja) | 1988-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4890288A (en) | Light quantity control device | |
| US4663760A (en) | Semiconductor laser output control device | |
| JP3154938B2 (ja) | ビーム光走査装置および画像形成装置 | |
| US6222176B1 (en) | Digital densitometer with lut output summation to yield density value | |
| US5404203A (en) | Image forming apparatus including image forming condition correction arrangement and method for correcting image forming condition in image forming apparatus | |
| US5581326A (en) | Image forming apparatus which supplies toner based on counted signal value | |
| JPH0754957B2 (ja) | 記録装置の光量制御装置 | |
| US5754920A (en) | Image forming apparatus and image forming method | |
| US6037734A (en) | Motor velocity controlling method employing detection of all side edges of phase signals of an encoder to generate control target values for updating a motor control command | |
| JPS60260066A (ja) | 電子写真の制御方法 | |
| JPH07100374B2 (ja) | 記録装置 | |
| JP3097361B2 (ja) | 電子写真式複写機 | |
| US6611279B2 (en) | Light beam scanning apparatus | |
| JPH07111591B2 (ja) | カラ−画像形成装置 | |
| JP3007306B2 (ja) | 情報記録装置 | |
| JPH07100377B2 (ja) | レ−ザ記録装置 | |
| US6927788B2 (en) | Light beam scanning apparatus and image forming apparatus | |
| JPH07115486B2 (ja) | 記録装置 | |
| US5726759A (en) | Image forming apparatus | |
| JP2767592B2 (ja) | 多値光量制御装置 | |
| JP2685799B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP3728090B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP3004118B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP3227822B2 (ja) | 作像装置 | |
| JPS62273863A (ja) | 発光素子アレイの出力制御装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |