JPH0756445B2 - 微小すきまの光学的測定装置 - Google Patents
微小すきまの光学的測定装置Info
- Publication number
- JPH0756445B2 JPH0756445B2 JP59252621A JP25262184A JPH0756445B2 JP H0756445 B2 JPH0756445 B2 JP H0756445B2 JP 59252621 A JP59252621 A JP 59252621A JP 25262184 A JP25262184 A JP 25262184A JP H0756445 B2 JPH0756445 B2 JP H0756445B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- interference
- minute clearance
- distribution
- light intensity
- minute
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、二つの部材間におけるサブミクロンオーダ
ーの微小すきまを光学的に高精度で測定する微小すきま
の光学的測定装置に関し、磁気デイスク装置やVTRの記
録媒体とヘツド間の微小すきまの測定などに利用できる
ものである。
ーの微小すきまを光学的に高精度で測定する微小すきま
の光学的測定装置に関し、磁気デイスク装置やVTRの記
録媒体とヘツド間の微小すきまの測定などに利用できる
ものである。
従来、この種の測定法として、白色光を用い微小すきま
によつて生ずる干渉色を肉眼によりとらえて、干渉色と
間隙の関係を示すカラースケールによつてすきまを換算
する方法が主として用いられていた。
によつて生ずる干渉色を肉眼によりとらえて、干渉色と
間隙の関係を示すカラースケールによつてすきまを換算
する方法が主として用いられていた。
しかし、この方法では色の読取りを肉眼により行なうた
め、色の識別限界のため0.15μm以下のすきまを測定す
ることができない。また精度も悪く、個人差によるが、
±0.5μm程度の誤差は生ずる。
め、色の識別限界のため0.15μm以下のすきまを測定す
ることができない。また精度も悪く、個人差によるが、
±0.5μm程度の誤差は生ずる。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、高精度かつ高分解に微小すきまを自動的に測定す
ることができる微小すきまの光学的測定装置を得ること
を目的とする。
ので、高精度かつ高分解に微小すきまを自動的に測定す
ることができる微小すきまの光学的測定装置を得ること
を目的とする。
この発明に係る微小すきまの光学的測定装置は、少なく
とも二つの異なる波長によって生じる光干渉を干渉光強
度としてそれぞれ独立に検出する光電変換素子と、光電
変換素子で検出された二つの検出信号をディジタル値に
変換し記憶する波形記憶装置と、この波形記憶装置で記
憶した干渉光強度の極小値及び極大値がそれぞれ−1と
1になるようにする規格化演算部と、少なくとも二つの
波長λ1,λ2に対して規格化された干渉光強度分布よ
り二つ部材間に形成された微小すきまの最小値の干渉次
数を求める干渉次数演算部、上記規格化された干渉光強
度分布と上記干渉次数から二つの部材間に形成された微
小すきま値の分布を求める微小すきま分布演算部、上記
微小すきま値分布の演算結果を記録・表示する微小すき
ま分布記録表示制御部からなる演算制御手段とを設けた
ものである。
とも二つの異なる波長によって生じる光干渉を干渉光強
度としてそれぞれ独立に検出する光電変換素子と、光電
変換素子で検出された二つの検出信号をディジタル値に
変換し記憶する波形記憶装置と、この波形記憶装置で記
憶した干渉光強度の極小値及び極大値がそれぞれ−1と
1になるようにする規格化演算部と、少なくとも二つの
波長λ1,λ2に対して規格化された干渉光強度分布よ
り二つ部材間に形成された微小すきまの最小値の干渉次
数を求める干渉次数演算部、上記規格化された干渉光強
度分布と上記干渉次数から二つの部材間に形成された微
小すきま値の分布を求める微小すきま分布演算部、上記
微小すきま値分布の演算結果を記録・表示する微小すき
ま分布記録表示制御部からなる演算制御手段とを設けた
ものである。
この発明においては、少なくとも二つの異なる波長によ
って生じる光干渉を干渉光強度としてそれぞれ独立に光
電変換素子で検出した後、この干渉光強度の極小値及び
極大値がそれぞれ−1と1になるよう規格化された干渉
光強度分布より二つ部材間に形成された微小すきまの最
小値の干渉次数を求めると共に、上記規格化された干渉
光強度分布と上記干渉次数から二つの部材間に形成され
た微小すきま値の分布を求める。
って生じる光干渉を干渉光強度としてそれぞれ独立に光
電変換素子で検出した後、この干渉光強度の極小値及び
極大値がそれぞれ−1と1になるよう規格化された干渉
光強度分布より二つ部材間に形成された微小すきまの最
小値の干渉次数を求めると共に、上記規格化された干渉
光強度分布と上記干渉次数から二つの部材間に形成され
た微小すきま値の分布を求める。
以下、この発明の微小すきまの光学的測定装置の実施例
について図面に基づき説明する。第1図はその一実施例
の構成を示すブロツク図である。この第1図において、
1は光源であり、一般的に白色光源を用いている。
について図面に基づき説明する。第1図はその一実施例
の構成を示すブロツク図である。この第1図において、
1は光源であり、一般的に白色光源を用いている。
この光源1から発生した光線は集光レンズ2で集光され
てダイクロイツクミラー3,フイルタ4を通つてミラー5
で反射されるようになつている。
てダイクロイツクミラー3,フイルタ4を通つてミラー5
で反射されるようになつている。
ダイクロイツクミラー3は、集光レンズ2で集光された
光を一定の波長λ0以上のものは反射させ、一定の波長
λ0以下のものは透過させるものであり、また、フイル
タ4は、ダイクロイツクミラー3より透過した光を中心
波長λ1に限定するフイルタである。
光を一定の波長λ0以上のものは反射させ、一定の波長
λ0以下のものは透過させるものであり、また、フイル
タ4は、ダイクロイツクミラー3より透過した光を中心
波長λ1に限定するフイルタである。
一方、6はダイクロイツクミラー3より反射した一定波
長λ0以上の光を反射させるミラーであり、このミラー
6で反射した波長λ0以上の光はフイルタ7を通り、ダ
イクロイツクミラー8で反射されるようになつている。
長λ0以上の光を反射させるミラーであり、このミラー
6で反射した波長λ0以上の光はフイルタ7を通り、ダ
イクロイツクミラー8で反射されるようになつている。
また、フイルタ7は中心波長λ2に限定するフイルタで
あり、ダイクロイツクミラー8は、ミラー5より反射さ
れた波長λ1の光を反射させ、フイルタ7より透過され
た波長λ2の光を透過させ、波長λ1と波長λ2の光を
ほぼ同一の光軸上に合成するものである。ここで波長λ
0,λ1,λ2の関係は、当然次のような関係でなくて
はならない。
あり、ダイクロイツクミラー8は、ミラー5より反射さ
れた波長λ1の光を反射させ、フイルタ7より透過され
た波長λ2の光を透過させ、波長λ1と波長λ2の光を
ほぼ同一の光軸上に合成するものである。ここで波長λ
0,λ1,λ2の関係は、当然次のような関係でなくて
はならない。
λ1<λ0<λ2 ………(1) ダイクロイツクミラー8で反射した光は波長λ1,λ2
による光を集光レンズ9で集光して、ハーフミラー10に
入射されるようになつている。ハーフミラー10はこの集
光レンズ9で集光した光を対物レンズ11の方向に反射さ
せ、この対物レンズ11を通過した光は模擬ヘツド12に入
射するようになつている。
による光を集光レンズ9で集光して、ハーフミラー10に
入射されるようになつている。ハーフミラー10はこの集
光レンズ9で集光した光を対物レンズ11の方向に反射さ
せ、この対物レンズ11を通過した光は模擬ヘツド12に入
射するようになつている。
模擬ヘツド12を通過した光は記録媒体13で反射され、再
び模擬ヘツド12,対物レンズ11,ハーフミラー10,集光レ
ンズ14を通り、光電変換素子15に入射するようになつて
いる。
び模擬ヘツド12,対物レンズ11,ハーフミラー10,集光レ
ンズ14を通り、光電変換素子15に入射するようになつて
いる。
この光電変換素子15は、模擬ヘツド12,記録媒体13から
の反射光をそれぞれ独立に検出し、電気信号に変換する
もので、この実施例ではR.G.B独立に検出するTV(テレ
ビ)カメラを用いている。
の反射光をそれぞれ独立に検出し、電気信号に変換する
もので、この実施例ではR.G.B独立に検出するTV(テレ
ビ)カメラを用いている。
この光電変換素子15の出力はTVモニター16および波形記
憶装置17に送出するようになつている。波形記憶装置17
は、光電変換素子15によつて独立に検出した波長λ1,
λ2の光を光電変換した信号を独立にA/D変換して記憶
するものであり、この波形記憶装置17の出力は演算制御
装置18に送出するようになつている。
憶装置17に送出するようになつている。波形記憶装置17
は、光電変換素子15によつて独立に検出した波長λ1,
λ2の光を光電変換した信号を独立にA/D変換して記憶
するものであり、この波形記憶装置17の出力は演算制御
装置18に送出するようになつている。
演算制御装置18は波形記憶装置17の制御と波形記憶装置
17のデータを比較して微小すきま値を演算するものであ
る。
17のデータを比較して微小すきま値を演算するものであ
る。
一方、上記模擬ヘツド12の変位は変位計プローブ19aで
検出してその検出出力を変位計アンプ19cに送るように
なつており、また記録媒体13の変位は変位計19bで検出
して変位計アンプ19cに送るようになつている。
検出してその検出出力を変位計アンプ19cに送るように
なつており、また記録媒体13の変位は変位計19bで検出
して変位計アンプ19cに送るようになつている。
変位計アンプ19cは図中h0で示す模擬ヘツド12と記録媒
体13との間の最小すきまを演算測定する変位計アンプで
あり、主としてこの発明の本装置の精度確認用に用いた
もので、通常は使用しない。
体13との間の最小すきまを演算測定する変位計アンプで
あり、主としてこの発明の本装置の精度確認用に用いた
もので、通常は使用しない。
次に動作について説明する。光源1より発する広帯域の
波長部分を持つ光は集光レンズ2を通つてダイクロイツ
クミラー3に結像し、λ0以下の波長成分をもつ光は透
過し、フイルタ4を透過することにより中心波長λ1を
有する光がミラー5によつて反射されダイクロイツクミ
ラー8に入射される。
波長部分を持つ光は集光レンズ2を通つてダイクロイツ
クミラー3に結像し、λ0以下の波長成分をもつ光は透
過し、フイルタ4を透過することにより中心波長λ1を
有する光がミラー5によつて反射されダイクロイツクミ
ラー8に入射される。
一方、ダイクロイツクミラー3に結像した光のうちλ0
以上の波長成分をもつ光は反射してミラー6によつてフ
イルタ7に入射される。フイルタ7を透過することによ
り中心波長λ2を有する光がダイクロイツクミラー8に
入射される。
以上の波長成分をもつ光は反射してミラー6によつてフ
イルタ7に入射される。フイルタ7を透過することによ
り中心波長λ2を有する光がダイクロイツクミラー8に
入射される。
ダイクロイツクミラー8に入射された前述の光のうち波
長λ1を有する光は反射し、波長λ2を有する光は透過
することにより波長λ1,λ2の光は合成され同一の光
軸を有して集光レンズ9へ入射される。この光はハーフ
ミラー10によつて反射して対物レンズ11へ入射し模擬ヘ
ツド12へ照射される。
長λ1を有する光は反射し、波長λ2を有する光は透過
することにより波長λ1,λ2の光は合成され同一の光
軸を有して集光レンズ9へ入射される。この光はハーフ
ミラー10によつて反射して対物レンズ11へ入射し模擬ヘ
ツド12へ照射される。
以上のように照射された二つの波長成分λ1,λ2を有
する光は模擬ヘツド12の面12aと記録媒体13の面13aとで
反射し、その光路差によつてそれぞれ干渉光となつて、
対物レンズ11,ハーフミラー10を通つて集光レンズ14に
より光電変換素子15上で結像する。
する光は模擬ヘツド12の面12aと記録媒体13の面13aとで
反射し、その光路差によつてそれぞれ干渉光となつて、
対物レンズ11,ハーフミラー10を通つて集光レンズ14に
より光電変換素子15上で結像する。
光電変換素子15で結像した波長λ1,λ2それぞれの成
分による干渉光を独立に光電変換して波形記憶装置17に
入力され、波形記憶装置17にてA/D変換した後に記憶さ
れる。
分による干渉光を独立に光電変換して波形記憶装置17に
入力され、波形記憶装置17にてA/D変換した後に記憶さ
れる。
波形記憶装置17は演算制御装置18によつて波形記憶のタ
イミング制御や記憶の制御が行なわれ、記憶されたデー
タは、演算制御装置18に転送される。
イミング制御や記憶の制御が行なわれ、記憶されたデー
タは、演算制御装置18に転送される。
第2図は、二つの波長λ1,λ2によつて得た干渉光の
強度分布の一例で横軸は第1図中矢印で示したx軸を示
すもので、模擬ヘツド12と記録媒体13とで形成される微
小すきまh0の位置を示すものである。縦軸は、干渉によ
つて生じた明暗の光強度を示す。
強度分布の一例で横軸は第1図中矢印で示したx軸を示
すもので、模擬ヘツド12と記録媒体13とで形成される微
小すきまh0の位置を示すものである。縦軸は、干渉によ
つて生じた明暗の光強度を示す。
この第2図のように、干渉光強度は入射光の照度むら、
記録媒体13および模擬ヘツド12からの反射強度むら、す
きまの大きさによるコントラスト変化などにより、極大
値、極小値が一定の値を示さず干渉強度にむらが生じて
いる。この状態は一般に次の(2)式のように表わされ
る。
記録媒体13および模擬ヘツド12からの反射強度むら、す
きまの大きさによるコントラスト変化などにより、極大
値、極小値が一定の値を示さず干渉強度にむらが生じて
いる。この状態は一般に次の(2)式のように表わされ
る。
I(x):干渉光強度 I1(x):記録媒体からの反射光強度 I2(x):模擬ヘツドからの反射光強度 λ :光の波長 h(x):すきま分布 x :すきま位置 (2)式により、干渉強度むらを除去すると となる。この実施例では、Inormal(x)を求めるため
に次のような手順で演算処理を行なつた。
に次のような手順で演算処理を行なつた。
(i)第2図における干渉強度分布の極大値(図中Pで
示す)を求める。
示す)を求める。
(ii)極大値および極小値を結ぶ包絡線Ipeak(x),Ib
ottom(x)を推定する(図中破線で示す)。この推定
には、3次のスプライン関数を用いた。
ottom(x)を推定する(図中破線で示す)。この推定
には、3次のスプライン関数を用いた。
(iii)I(x)からInormal(x)への変換には推定し
たIpeak(x),Ibottom(x)より (iv)以上の演算をそれぞれλ1,λ2の波長より得た
干渉光強度分布に対して行なう。(第3図) このようにして求めた規格化干渉光強度分布Inormal
1(x),Inormal2(x)は、(3)式より次のような
関係にある。
たIpeak(x),Ibottom(x)より (iv)以上の演算をそれぞれλ1,λ2の波長より得た
干渉光強度分布に対して行なう。(第3図) このようにして求めた規格化干渉光強度分布Inormal
1(x),Inormal2(x)は、(3)式より次のような
関係にある。
この式より、すきま分布h(x)は となる。ここでm1およびm2は干渉次数と呼ばれる整数で
(5),(6)式におけるcos関数の周期性によつて生
ずるものである。m1,m2を求めるために(7),(8)
より m1λ1−m2λ2=β ………(9) となる。
(5),(6)式におけるcos関数の周期性によつて生
ずるものである。m1,m2を求めるために(7),(8)
より m1λ1−m2λ2=β ………(9) となる。
ただし となる。適当なλ1,λ2を選ぶことにより、すきまの
最小値が数ミクロン以上の値でもm1とm2の差が0か1で
あるようにすることができる。この条件を設ければ
(9)式より β0のとき β>0のとき となることが理論上明らかである。よつて演算制御装置
18により(10)式を用いてβを求め、βの値によつて
(11)式または(12)式を用いてm1,m2の値を求まり、
(7)式または(8)式を用いてすきま分布h(x)を
得ることができ、微小すきまの測定が行なえる。
最小値が数ミクロン以上の値でもm1とm2の差が0か1で
あるようにすることができる。この条件を設ければ
(9)式より β0のとき β>0のとき となることが理論上明らかである。よつて演算制御装置
18により(10)式を用いてβを求め、βの値によつて
(11)式または(12)式を用いてm1,m2の値を求まり、
(7)式または(8)式を用いてすきま分布h(x)を
得ることができ、微小すきまの測定が行なえる。
第4図は模擬ヘツド12に曲率半径20mmの平凸レンズを用
い、記録媒体13と模擬ヘツド12のすきま最小値h0を0〜
1μmごとに変化させたときの測定例である。また第5
図は変位計19によつて求めたすきま最小値h0と本測定装
置より得たh0との比較であり±0.03μm以下の測定精度
を有していることがわかる。
い、記録媒体13と模擬ヘツド12のすきま最小値h0を0〜
1μmごとに変化させたときの測定例である。また第5
図は変位計19によつて求めたすきま最小値h0と本測定装
置より得たh0との比較であり±0.03μm以下の測定精度
を有していることがわかる。
なお、上記実施例では二つの異なる波長による干渉光を
得るのにダイクロイツクミラー3,8を用いた光学系によ
つて二つの異なる波長の光を合成し、模擬ヘツド12,記
録媒体13に照射した例を示したが、光源に2種類の波長
を発振させるレーザを用いてもよく、また白色光源を直
接模擬ヘツド12,記録媒体13に照射し、干渉光を光電変
換素子で検出する直前で2種の波長による干渉光をフイ
ルタによつて選別してもよい。
得るのにダイクロイツクミラー3,8を用いた光学系によ
つて二つの異なる波長の光を合成し、模擬ヘツド12,記
録媒体13に照射した例を示したが、光源に2種類の波長
を発振させるレーザを用いてもよく、また白色光源を直
接模擬ヘツド12,記録媒体13に照射し、干渉光を光電変
換素子で検出する直前で2種の波長による干渉光をフイ
ルタによつて選別してもよい。
さらに上記実施例では模擬ヘツド12と記録媒体13間のす
きまを測定する例を示したが物体の表面形状を測定する
のにも利用でき、模擬ヘツドの代わりに平面度のよいオ
プテイカルフラツトなどの参照面を使い記録媒体の代わ
りに被測定物を配置すれば被測定物の表面粗さ、平面度
などの測定が可能となり同様の効果が得られる。
きまを測定する例を示したが物体の表面形状を測定する
のにも利用でき、模擬ヘツドの代わりに平面度のよいオ
プテイカルフラツトなどの参照面を使い記録媒体の代わ
りに被測定物を配置すれば被測定物の表面粗さ、平面度
などの測定が可能となり同様の効果が得られる。
この発明は以上説明したとおり、少なくとも二つの波長
によつて生ずる光干渉をそれぞれ独立に検出する光電変
換素子によつて電気信号に変換し、波形記憶装置によつ
てA/D変換を行つて、そのデータを用いて演算制御装置
によつて干渉光強度を規格し、干渉次数を求め、微小す
きま分布を求める処理を行うように構成したので、容易
な構成で精度の高い微小すきま測定が行えると共に、同
一光軸の光よりに2波長を同時に検出し、この検出結果
に基づいて微小すきま値を演算するため短時間に微小す
きま値が測定できるという効果がある。
によつて生ずる光干渉をそれぞれ独立に検出する光電変
換素子によつて電気信号に変換し、波形記憶装置によつ
てA/D変換を行つて、そのデータを用いて演算制御装置
によつて干渉光強度を規格し、干渉次数を求め、微小す
きま分布を求める処理を行うように構成したので、容易
な構成で精度の高い微小すきま測定が行えると共に、同
一光軸の光よりに2波長を同時に検出し、この検出結果
に基づいて微小すきま値を演算するため短時間に微小す
きま値が測定できるという効果がある。
第1図は、この発明の微小すきまの光学的測定装置の一
実施例の構成を示すブロツク図、第2図は同上微小すき
まの光学的測定装置より得た干渉光強度分布の一例を示
す図、第3図は同上微小すきまの光学的測定装置におけ
る演算制御装置により、規格化した干渉光強度分布、第
4図は同上微小すきまの光学的測定装置により求めた微
小すきまの例を示す図、第5図は同上微小すきまの光学
的測定装置の測定精度を示す図である。 1……光源、2……集光レンズ、3,8……ダイクロイツ
クミラー、4……フイルタ、5,6……ミラー、12……模
擬ヘツド、13……記録媒体、15……光電変換素子、17…
…波形記憶装置、18……演算制御装置、19a,19b……変
位計プローブ、19c……変位計アンプ。
実施例の構成を示すブロツク図、第2図は同上微小すき
まの光学的測定装置より得た干渉光強度分布の一例を示
す図、第3図は同上微小すきまの光学的測定装置におけ
る演算制御装置により、規格化した干渉光強度分布、第
4図は同上微小すきまの光学的測定装置により求めた微
小すきまの例を示す図、第5図は同上微小すきまの光学
的測定装置の測定精度を示す図である。 1……光源、2……集光レンズ、3,8……ダイクロイツ
クミラー、4……フイルタ、5,6……ミラー、12……模
擬ヘツド、13……記録媒体、15……光電変換素子、17…
…波形記憶装置、18……演算制御装置、19a,19b……変
位計プローブ、19c……変位計アンプ。
Claims (4)
- 【請求項1】少なくとも二つの異なる波長によって生じ
る光干渉を干渉光強度としてそれぞれ独立に検出する光
電変換素子と、光電変換素子で検出された二つの検出信
号をディジタル値に変換し記憶する波形記憶装置と、こ
の波形記憶装置で記憶した干渉光強度の極小値及び極大
値がそれぞれ−1と1になるようにする規格化演算部
と、少なくとも二つの波長λ1,λ2に対して規格化さ
れた干渉光強度分布より二つ部材間に形成された微小す
きまの最小値の干渉次数を求める干渉次数演算部、上記
規格化された干渉光強度分布と上記干渉次数から二つの
部材間に形成された微小すきま値の分布を求める微小す
きま分布演算部、上記微小すきま値分布の演算結果を記
録・表示する微小すきま分布記録表示制御部からなる演
算制御手段とを備えたことを特徴とする微小すきまの光
学的測定装置。 - 【請求項2】規格化演算部において、干渉光強度の極大
値および極小値を極大包絡線、極小包絡線を三次のスプ
ライン関数によって推定することにより、干渉強度むら
を除去する処理を行なうことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の微小すきまの光学的測定装置。 - 【請求項3】干渉次数演算部は、二つの波長λ1,λ2
の規格化された干渉強度をInormal1(X),Inoromal2
(X)とすると、 の値を求め、 を用いて干渉次数m1,m2を計算することを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の微小すきまの光学的測定装
置。 - 【請求項4】微小すきま分布演算部は、微小すきま分布
をh(X)とすると、 または によって求める処理を行なうことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の微小すきまの光学的測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252621A JPH0756445B2 (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 微小すきまの光学的測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252621A JPH0756445B2 (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 微小すきまの光学的測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61130807A JPS61130807A (ja) | 1986-06-18 |
| JPH0756445B2 true JPH0756445B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=17239904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59252621A Expired - Lifetime JPH0756445B2 (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 微小すきまの光学的測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756445B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63205503A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 微小すきまの光学的測定装置 |
| US5311287A (en) * | 1992-02-25 | 1994-05-10 | International Business Machines Corporation | Direct access storage device with head-disc dynamics monitor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817305A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツドスペ−シング測定装置 |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP59252621A patent/JPH0756445B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61130807A (ja) | 1986-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4630926A (en) | Fine clearance measuring apparatus | |
| JPH0117523B2 (ja) | ||
| JP2000241128A (ja) | 面間隔測定方法および装置 | |
| JP3072986B2 (ja) | 光ファイバ母材の内部屈折率分布測定法と測定装置 | |
| JPH11108625A (ja) | 面形状測定装置 | |
| JP2001133320A (ja) | 振動計測装置 | |
| JPH11194011A (ja) | 干渉装置 | |
| JP2557650B2 (ja) | 試料形状測定装置 | |
| JPS6271804A (ja) | 膜厚測定装置 | |
| US4601581A (en) | Method and apparatus of determining the true edge length of a body | |
| JP2842241B2 (ja) | 膜厚測定方法 | |
| JP2004077501A (ja) | 色分類装置 | |
| JPS61130807A (ja) | 微小すきまの光学的測定装置 | |
| JP2002286423A (ja) | 試料の高さ測定方法及び共焦点顕微鏡及び共焦点顕微鏡の高さ測定プログラムを記録した記録媒体およびそのプログラム | |
| WO1999008066A1 (en) | Interference method and system for measuring the thickness of an optically-transmissive thin layer formed on a relatively planar, optically-reflective surface | |
| JP3854016B2 (ja) | 検査装置 | |
| JPS6287804A (ja) | 磁気ヘツド浮上量測定装置 | |
| JPS5861436A (ja) | 投影型mtf測定装置の受光素子 | |
| JPH0373803B2 (ja) | ||
| JPH06307839A (ja) | 光触針利用による表面測定方法および装置 | |
| JPH049704A (ja) | 光干渉式膜厚測定装置 | |
| JP2875746B2 (ja) | 干渉膜厚計 | |
| RU2036490C1 (ru) | Способ аттестации зеркала телескопа | |
| JPS63134902A (ja) | 微小隙間の測定方法 | |
| JPS6230931A (ja) | 結像光学系の光学性能測定装置 |