JPH075671B2 - ポリアセチレンの製造方法 - Google Patents
ポリアセチレンの製造方法Info
- Publication number
- JPH075671B2 JPH075671B2 JP19821088A JP19821088A JPH075671B2 JP H075671 B2 JPH075671 B2 JP H075671B2 JP 19821088 A JP19821088 A JP 19821088A JP 19821088 A JP19821088 A JP 19821088A JP H075671 B2 JPH075671 B2 JP H075671B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- linear hydrocarbon
- acetylene
- substrate
- polyacetylene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 20
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 20
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 20
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 5
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical group Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical group CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007033 dehydrochlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical class Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電気材料に関するもので、さらに詳しくは、
電気伝導性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合
を有する有機材料の製造方法に関するものである。
電気伝導性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合
を有する有機材料の製造方法に関するものである。
従来の技術 アセチレン誘導体のポリマーは、π電子共役系を持つた
め、電気伝導性や非線形光学効果を示すことから、電気
機能材料、光学機能材料として広く研究されている。
め、電気伝導性や非線形光学効果を示すことから、電気
機能材料、光学機能材料として広く研究されている。
これまでのポリアセチレンの製造方法としては、白川法
と呼ばれる触媒を利用した重合法がよく知られている。
と呼ばれる触媒を利用した重合法がよく知られている。
一方、クロルシラン基を直鎖状炭化水素鎖の末端にもつ
アセチレン誘導体を用いれば、液相化学吸着法によりオ
ングストロームオーダーの超薄膜であるアセチレン誘導
体の単分子膜を形成でき、さらに、累積膜を形成するこ
ともできる。
アセチレン誘導体を用いれば、液相化学吸着法によりオ
ングストロームオーダーの超薄膜であるアセチレン誘導
体の単分子膜を形成でき、さらに、累積膜を形成するこ
ともできる。
発明が解決しようとする課題 ところが、第２図に示すごとく、単に化学吸着法により
アセチレン誘導体の単分子膜を基板100上に形成しただ
けでは、単分子膜101を形成している直鎖状炭化水素分
子内のアセチレン基102の向きが、各々の分子で様々な
方向を向いており、そののちのエネルギービームの照射
による重合反応では、重合によって形成される共役二重
結合の形成方向が、アセチレン基の向きによるため、一
方向に長い共役二重結合を持つポリアセチレンを形成で
きる可能性はほとんどなく、また、それを解決する方法
も見いだされていなかった。
アセチレン誘導体の単分子膜を基板100上に形成しただ
けでは、単分子膜101を形成している直鎖状炭化水素分
子内のアセチレン基102の向きが、各々の分子で様々な
方向を向いており、そののちのエネルギービームの照射
による重合反応では、重合によって形成される共役二重
結合の形成方向が、アセチレン基の向きによるため、一
方向に長い共役二重結合を持つポリアセチレンを形成で
きる可能性はほとんどなく、また、それを解決する方法
も見いだされていなかった。
課題を解決するための手段 本発明では、直鎖状炭化水素分子の末端にクロルシラン
基を有し、かつ、任意の位置にアセチレン基および、分
極率の大きい置換基、または、不対電子をもつ置換基を
有する有機分子を溶解させた溶液中に、親水性の任意の
基板を浸漬させ、前記基板上に化学吸着法によりアセチ
レン誘導体の単分子膜を形成する。つぎに、前記基板上
に形成された単分子膜に対して、所定の角度で、また、
所定の強度の磁場をかける。つぎに、前記基板上の前記
単分子膜にエネルギービームを照射して重合反応を行
う。この時も、単分子膜に対して、所定の角度で、ま
た、所定の強度の磁場をかける。以上の処理によりポリ
アセチレンを形成する。
基を有し、かつ、任意の位置にアセチレン基および、分
極率の大きい置換基、または、不対電子をもつ置換基を
有する有機分子を溶解させた溶液中に、親水性の任意の
基板を浸漬させ、前記基板上に化学吸着法によりアセチ
レン誘導体の単分子膜を形成する。つぎに、前記基板上
に形成された単分子膜に対して、所定の角度で、また、
所定の強度の磁場をかける。つぎに、前記基板上の前記
単分子膜にエネルギービームを照射して重合反応を行
う。この時も、単分子膜に対して、所定の角度で、ま
た、所定の強度の磁場をかける。以上の処理によりポリ
アセチレンを形成する。
作用 本発明で用いるアセチレン基を持つ直鎖状炭化水素分子
には分極率の大きい基、または、不対電子持つ基があ
り、外部からかけられる磁場の角度およびその強度に応
じて前記の基の向きが定められる。したがって、基板上
に形成された前記有機分子に磁場をかけると前記基の向
きが一定となり、そのため、前記直鎖状炭化水素分子の
炭素原子および水素分子の立体的位置は一意的に定ま
る。同時に、前記直鎖状炭化水素分子内のアセチレン基
の立体的向きも一意的に定まる。この状態はすべての直
鎖状炭化水素分子に共通であるため、すべてのアセチレ
ン基の立体的向きは同一方向となり、非常に整った単分
子膜が形成される。この状態で、エネルギービームを前
述した単分子膜に照射して、アセチレンモノマーを重合
反応させポリアセチレンを形成する。磁場をかけること
により、非常に長い共役二重結合を持つポリアセチレン
を形成することができる。
には分極率の大きい基、または、不対電子持つ基があ
り、外部からかけられる磁場の角度およびその強度に応
じて前記の基の向きが定められる。したがって、基板上
に形成された前記有機分子に磁場をかけると前記基の向
きが一定となり、そのため、前記直鎖状炭化水素分子の
炭素原子および水素分子の立体的位置は一意的に定ま
る。同時に、前記直鎖状炭化水素分子内のアセチレン基
の立体的向きも一意的に定まる。この状態はすべての直
鎖状炭化水素分子に共通であるため、すべてのアセチレ
ン基の立体的向きは同一方向となり、非常に整った単分
子膜が形成される。この状態で、エネルギービームを前
述した単分子膜に照射して、アセチレンモノマーを重合
反応させポリアセチレンを形成する。磁場をかけること
により、非常に長い共役二重結合を持つポリアセチレン
を形成することができる。
実施例 以下に、本発明の実施例を模式図面を用いて詳細に説明
する。
する。
本実施例では不対電子をもつ直鎖状炭化水素分子を用い
た例を示す。
た例を示す。
本発明に使用したアセチレン基を含む直鎖状炭化水素分
子はω−トリコシノイックトリクロロシラン誘導体（CH
≡Ｃ−CHCN−（CH2）19−SiCl2）で、３位の位置の炭素
原子にはCN基が配位し、また、分子鎖末端にはクロルシ
ラン基が配位している。前記直鎖状炭化水素分子をｎ−
ヘキサデカンを主体とする溶液に溶解させ、容器10内に
化学吸着液１を作成する。つぎに、表面が親水性の任意
の基板、たとえば、表面が酸化されたAl基板または酸化
シリコン膜の形成されたSi基板２を化学吸着液１に浸漬
し、直鎖状炭化水素分子を化学吸着法にて吸着させて基
板２上に単分子吸着膜３を形成する。このとき、−SiCl
基と基板表面のSiO2とともに形成されている−OH基とが
脱塩酸反応して、基板表面に の単分子膜が形成される。（第１図ａ） つぎに、エネルギービームとして、たとえば、前記基板
全面に電子線４を照射して前記直鎖状炭化水素分子内の
アセチレン基５を重合させる。このとき、電子線照射と
同時に前記基板に対して所定の角度で、磁場６を印加す
る。磁場の影響により、前記炭化水素分子内のCN基の不
対電子により磁場に対して一定の方向を向く。したがっ
て、前記直鎖状炭化水素分子内にあるアセチレン基５の
立体的向きも一意的に定められる。このアセチレン基の
立体的向きはすべての直鎖状炭化水素分子内のアセチレ
ン基に共通である。よって、この状態でエネルギービー
ムを照射することにより共役二重結合の非常に長いポリ
アセチレン７が形成される。（第１図ｂ、ｃ） なお、本発明の実施例では、アセチレン基を含む直鎖状
炭化水素分子としてω−トリコシノイック酸（CH≡Ｃ−
（CH2）20−COOH）誘導体を用いたが、これに関わら
ず、アセチレン基を含むその他の直鎖状炭化水素分子で
あってもよい。
子はω−トリコシノイックトリクロロシラン誘導体（CH
≡Ｃ−CHCN−（CH2）19−SiCl2）で、３位の位置の炭素
原子にはCN基が配位し、また、分子鎖末端にはクロルシ
ラン基が配位している。前記直鎖状炭化水素分子をｎ−
ヘキサデカンを主体とする溶液に溶解させ、容器10内に
化学吸着液１を作成する。つぎに、表面が親水性の任意
の基板、たとえば、表面が酸化されたAl基板または酸化
シリコン膜の形成されたSi基板２を化学吸着液１に浸漬
し、直鎖状炭化水素分子を化学吸着法にて吸着させて基
板２上に単分子吸着膜３を形成する。このとき、−SiCl
基と基板表面のSiO2とともに形成されている−OH基とが
脱塩酸反応して、基板表面に の単分子膜が形成される。（第１図ａ） つぎに、エネルギービームとして、たとえば、前記基板
全面に電子線４を照射して前記直鎖状炭化水素分子内の
アセチレン基５を重合させる。このとき、電子線照射と
同時に前記基板に対して所定の角度で、磁場６を印加す
る。磁場の影響により、前記炭化水素分子内のCN基の不
対電子により磁場に対して一定の方向を向く。したがっ
て、前記直鎖状炭化水素分子内にあるアセチレン基５の
立体的向きも一意的に定められる。このアセチレン基の
立体的向きはすべての直鎖状炭化水素分子内のアセチレ
ン基に共通である。よって、この状態でエネルギービー
ムを照射することにより共役二重結合の非常に長いポリ
アセチレン７が形成される。（第１図ｂ、ｃ） なお、本発明の実施例では、アセチレン基を含む直鎖状
炭化水素分子としてω−トリコシノイック酸（CH≡Ｃ−
（CH2）20−COOH）誘導体を用いたが、これに関わら
ず、アセチレン基を含むその他の直鎖状炭化水素分子で
あってもよい。
また、不対電子をもつ基として本発明の実施例では、CN
基の例を示したが、分極率の大きい基であっても良く、
その例として−Cl、−Ｆ、-NO2基、−CHO基などであっ
てもよい。
基の例を示したが、分極率の大きい基であっても良く、
その例として−Cl、−Ｆ、-NO2基、−CHO基などであっ
てもよい。
さらに、不対電子を持つ基として本発明の実施例では−
CN基の例を示したが、その他の不対電子を持ち、高スピ
ン多重度を有する置換基であればよい。
CN基の例を示したが、その他の不対電子を持ち、高スピ
ン多重度を有する置換基であればよい。
さらになお、本発明の実施例では、アセチレンの電子線
照射により機能性膜としてポリアセチレンを形成する例
を示したが、そのほか、様々な機能性膜を形成できる。
その例として、ジアセチレンの重合反応によりポリアセ
チレンを形成することができる。
照射により機能性膜としてポリアセチレンを形成する例
を示したが、そのほか、様々な機能性膜を形成できる。
その例として、ジアセチレンの重合反応によりポリアセ
チレンを形成することができる。
さらにまた、本発明の実施例では、磁場を用いて直鎖状
炭化水素分子の配列を整列したが、そのほか、電場を用
いて直鎖状炭化水素分子の配列を整列してもよい。
炭化水素分子の配列を整列したが、そのほか、電場を用
いて直鎖状炭化水素分子の配列を整列してもよい。
さらにさらになお、本発明の実施例では、単分子膜によ
る例を示したが、累積膜であっても本発明による効果が
得られることは明白である。
る例を示したが、累積膜であっても本発明による効果が
得られることは明白である。
発明の効果 本発明を用いることにより、電気伝導性や非線形光学効
果の優れたポリアセチレンを効率よく製造することがで
きる。さらに、この製造方法では、理論的には共役二重
結合が連続して形成できるため、従来得られなかった非
常に長い直鎖状の超高分子量のポリアセチレンの製造も
可能であるため、非線形光学効果を利用したデバイスの
製作には極めて有効である。また、超共役二重結合は超
伝導性を有すると考えられており、本発明により常温超
伝導物質が製作できる可能性がある。
果の優れたポリアセチレンを効率よく製造することがで
きる。さらに、この製造方法では、理論的には共役二重
結合が連続して形成できるため、従来得られなかった非
常に長い直鎖状の超高分子量のポリアセチレンの製造も
可能であるため、非線形光学効果を利用したデバイスの
製作には極めて有効である。また、超共役二重結合は超
伝導性を有すると考えられており、本発明により常温超
伝導物質が製作できる可能性がある。
第１図ａ、ｂ、ｃは本発明の実施例のポリアセチレン製
造工程を示す模式図、第２図は従来例を示す模式図であ
る。 １……化学吸着液、２……Si基板、３……単分子吸着
膜、４……電子線、５……アセチレン基、６……磁場、
７……ポリアセチレン。
造工程を示す模式図、第２図は従来例を示す模式図であ
る。 １……化学吸着液、２……Si基板、３……単分子吸着
膜、４……電子線、５……アセチレン基、６……磁場、
７……ポリアセチレン。
Claims (3)
- 【請求項１】直鎖状炭化水素分子の一端にクロルシラン
基を有し、主鎖の任意の位置にアセチレン基（−Ｃ≡Ｃ
−）を有する有機分子を溶解させた溶液中に親水性を有
する任意の基板を浸漬させ、化学吸着法により前記基板
上に前記有機分子の単分子膜を形成させる工程と、前記
基板上に形成された前記単分子膜に磁場を印加する工程
と、エネルギービームを前記単分子膜に照射し前記有機
分子内のアセチレン基を重合させる工程とからなること
を特徴としたポリアセチレンの製造方法。 - 【請求項２】直鎖状炭化水素分子中の任意の位置に分極
率の大きい置換基を持つことを特徴とした特許請求の範
囲第１項に記載のポリアセチレンの製造方法。 - 【請求項３】直鎖状炭化水素分子中の任意の位置に不対
電子を持つ置換基を持つことを特徴とした特許請求の範
囲第１項に記載のポリアセチレンの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19821088A JPH075671B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ポリアセチレンの製造方法 |
| US07/347,213 US5019303A (en) | 1988-05-11 | 1989-05-04 | Process for producing polyacetylene |
| DE8989108432T DE68905518T2 (de) | 1988-05-11 | 1989-05-10 | Verfahren zur herstellung von polyacetylen. |
| EP89108432A EP0341697B1 (en) | 1988-05-11 | 1989-05-10 | Process for producing polyacetylene |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19821088A JPH075671B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ポリアセチレンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247108A JPH0247108A (ja) | 1990-02-16 |
| JPH075671B2 true JPH075671B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=16387320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19821088A Expired - Lifetime JPH075671B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-08-09 | ポリアセチレンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075671B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7204486B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-04-17 | Fujifilm Corporation | Sheet discharging apparatus |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2649856B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1997-09-03 | 松下電器産業株式会社 | 非線形光学材料 |
| JP5340040B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | 共役高分子鎖を含有する膜及びその製造方法 |
| JP6331828B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2018-05-30 | セントラル硝子株式会社 | 複合シリカ膜、複合シリカ膜形成用塗布液およびそれを用いた複合シリカ膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19821088A patent/JPH075671B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7204486B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-04-17 | Fujifilm Corporation | Sheet discharging apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247108A (ja) | 1990-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5057339A (en) | Metallized polyacetylene-type or polyacene-type ultralong conjugated polymers and process for producing the same | |
| JP5627460B2 (ja) | グラファイト層 | |
| US5017975A (en) | Organic electronic device with a monomolecular layer or multi-monomolecular layer having electroconductive conjugated bonds | |
| Xu et al. | The chemistry of self-assembled long-chain alkanethiol monolayers on gold | |
| US5008127A (en) | Process for the production of a highly-orientated ultralong conjugated polymer | |
| US5436033A (en) | Method of manufacturing a polymer ultra thin film electret | |
| EP0386784A2 (en) | Permselective membrane and process for producing the same | |
| EP0584891A2 (en) | Method for the formation of built-up films of monomolecular layers using silane compounds having an acetylene bond | |
| JPH0488678A (ja) | 有機デバイスとその製造方法 | |
| US5093154A (en) | Process for preparing a monomolecular built-up film | |
| JPH075671B2 (ja) | ポリアセチレンの製造方法 | |
| JP2506973B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| US5116638A (en) | Organic electro-conductive thin films and process for production thereof | |
| US5019303A (en) | Process for producing polyacetylene | |
| EP0339677A2 (en) | Process for producing polyacetylene or polyacene type super long conjugated polymers | |
| JP3815832B2 (ja) | ポリアセチレン単分子膜の形成方法 | |
| Kleinfeld et al. | Nanostructured Organic/Inorganic Films from Poly (D-Lysine Hydrobromide) or Poly (N-Methyl. 4-Vinyl Pyridinium Bromide) and Hectorite | |
| US5304582A (en) | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers | |
| US5304583A (en) | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers | |
| JPH0627139B2 (ja) | ポリアセチレンの製造方法 | |
| JP2005230665A (ja) | 単分子膜形成方法 | |
| JPH075672B2 (ja) | 高配向性超長共役ポリマーの製造方法 | |
| Sun et al. | Fabrication and Characterization for the Nanoconjugates of Pyridyldithio-Functionalized Multiwalled Carbon Nanotubes and Cytochrome c in Langmuir-Blodgett Films | |
| JP3235120B2 (ja) | 分子配列方法及びその装置 | |
| JPH0686535B2 (ja) | 無機物微粒子超薄膜およびその製造方法およびそれを応用した磁気記録媒体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080125 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090125 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090125 Year of fee payment: 14 |