JPH0757236A

JPH0757236A - 磁気記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0757236A
Application number: JP21494293A
Authority: JP
Inventors: Yasumichi Tokuoka; 保導徳岡; Takanori Kobuke; 隆敬古武家
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1993-08-06
Filing date: 1993-08-06
Publication date: 1995-03-03

Abstract

(57)【要約】【目的】スパッタにより形成された磁性層を有する磁
気記録媒体において、磁性層のＰｔ使用量を著しく低減
して低コスト化をはかり、同時に、Ｂｒ・ｔ≧２５０ G
・μm を実現して十分な再生出力を確保し、さらに、磁
性層形成時の基体加熱を不要にして耐熱性の低い可撓性
基体の使用を可能とした上で、１４００ Oe 以上の高保
磁力を実現する。【構成】熱変形温度が２００℃以下の可撓性材質から
なる非磁性基体２上に、Ｃｒ、ＷまたはＭｏのスパッタ
膜からなる下地層３と、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合
金のスパッタ膜第一の磁性薄膜４１と、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃ
ｒ系合金のスパッタ膜の第二の磁性薄膜４２とを設ける
ことにより、磁性層４の保磁力を１４００ Oe 以上とす
る。第二の磁性薄膜４２のＰｔ含有量は２〜１０原子％
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタによって成膜
した磁性薄膜を有する面内記録用の磁気記録媒体および
その製造方法に関し、特に、３．５インチサイズフレキ
シブルディスク一枚当りの換算で総記録容量２００MB以
上を可能とする高密度磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】フレキシブル磁気ディスクとして現在も
っとも普及している３．５インチマイクロフロッピーデ
ィスク（ＭＦＤ）の記録容量は、ディスク一枚当り１〜
２MBである。これに対し、ハードディスクでは３．５イ
ンチサイズでディスク一枚当り２００MBに達している。
媒体可搬性を優先するＭＦＤでは、互換性が要求される
ので磁気ヘッドのトラッキングにある程度の余裕を必要
とし、このため高密度化しにくいという背景があるが、
この点は、システムの改良によって改善可能である。む
しろ、ＭＦＤなどのフレキシブル磁気ディスクにおいて
はハードディスクのようにスパッタによって成膜した高
充填磁性薄膜型媒体製品がなく、磁性粉を用いた塗布型
媒体しか製品化されていないことが高記録密度化できな
い大きな理由となっている。

【０００３】スパッタ型ハードディスクでは、通常、主
としてＡｌ合金からなる基板上にＣｒなどからなる下地
層を形成し、その上に磁性薄膜を形成する。磁性薄膜の
組成には、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系や、その他多くの系が採用されてい
る。これらの磁性薄膜の磁性は、基本的にはコバルトに
起因するものである。磁性薄膜の磁気特性は使用する磁
性材料の種類や組成、成膜条件などにより決定され、飽
和磁束密度５０００〜１００００ G程度、保磁力１００
０〜２０００ Oe 程度の磁性薄膜が記録媒体用として使
用されている。

【０００４】一方、面内磁気記録においては、媒体の高
保磁力化が高記録密度化に不可欠の条件である。高保磁
力化のひとつの目安となる保磁力１４００ Oe 以上の磁
性薄膜とするためには、磁性薄膜の下地層としてＣｒな
どからなる非磁性層を設け、さらに、（ａ）Ｐｔを１０
〜２０原子％程度以上含む磁性薄膜とする、（ｂ）磁性
薄膜のＰｔ含有量が１０原子％程度以下の場合には、他
の添加物を加えるか、あるいは磁性薄膜を薄くする、
（ｃ）Ｐｔを含まない系を磁性薄膜に用いる場合には、
磁性薄膜形成時に少なくとも基板を２００℃以上に加熱
し、かつ磁性薄膜を薄くするなどの諸条件を基本的に必
要とした。

【０００５】例えば、特開平３−１６２７１０号公報に
は、１２００ Oe 以上の高保磁力を得るための従来技術
として、基板加熱が必要であること、Ｐｔの添加量を１
５原子％程度にする必要があることなどが記載されてい
る。そして、同公報ではＰを添加することにより、Ｐｔ
量１０原子％以下、基板加熱なしで保磁力を１４００Oe
以上にした例が開示されている。また、特公昭６２−
４９７２２号公報では、Ｐｔ量２３原子％、膜厚４００
A以下において保磁力１４００ Oe 以上が達成されてい
る。また、特開昭６２−２５７６１７号公報では、２０
原子％のＰｔを含むＣｏ−Ｐｔ合金において、保磁力値
１４００〜２４００ Oe が示されている。

【０００６】これらの他にも多くの例があり、例えば特
開昭５８−２００５１３号公報では、７〜４０原子％の
Ｐｔを含むＣｏ−Ｐｔ合金薄膜が開示され、１０原子％
前後のＰｔ含有量で膜厚５０ A程度にすると保磁力１４
００ Oe を達成できる可能性が示されている。さらに、
特開平２−２２７８１５号公報では、１０原子％のＰｔ
を含むＣｏ−Ｐｔ合金薄膜に酸素を１５〜３０原子％含
有させることにより１４００ Oe 以上の高保磁力化をは
かっている。これらはいずれも上記条件（ａ）、（ｂ）
に関する公知例である。

【０００７】また、上記条件（ｃ）に関連する公知例と
しては、例えば、日本応用磁気学会誌Vol.１５，ｐ９
１，（１９９１）に示されるように、基板温度を２００
℃以上に加熱することによりＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ／Ｃｒ膜
の保磁力が１５００ Oe 以上に増加する例がある。ま
た、電子情報通信学会技術研究報告ＣＰＭ８９−７８
（１９８９−１２−１５）では、基板温度２００℃にお
いて磁性層が薄いほど保磁力が増大し、膜厚２５０ Aで
保磁力が１５５０ Oe となる例が示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】スパッタによる磁性薄
膜において１４００ Oe 以上の高い保磁力を実現するた
め上述の種々の手段が考案され、これらがハードディス
クの高記録密度化に応用されている。しかし、フレキシ
ブルディスクは媒体の可搬性という特徴から広く大量に
使用されるため媒体コストの低減が特に重要であり、こ
の点からスパッタ膜の高保磁力化に要するＰｔ量はでき
るだけ少量に抑える必要がある。また、支持基体となる
フレキシブルフィルムも安価な材料の場合は耐熱性がな
いので、スパッタ時の基体加熱は好ましくない。

【０００９】一方、媒体の高出力化に対しては信号を担
う磁束量の増大が必要である。飽和記録の範囲では、磁
束量は媒体の残留磁束密度（Ｂｒ）と磁性層の膜厚
（ｔ）との積（Ｂｒ・ｔ）で表され、この積が大きいほ
ど再生出力は増大する。したがって、飽和磁束密度が大
きい合金系材料を用いた場合でも磁性層を薄くすると、
この積（Ｂｒ・ｔ）、すなわち磁束量が小さくなって再
生出力が低下する。今後の媒体の高密度化、特にトラッ
ク密度の向上に対しては、媒体面に書き込まれるサーボ
情報出力の低下を抑制する必要があり、このためには、
低域での出力確保も重要である。その目安として２５ k
FRPIにおいて現行のメタル塗布型フロッピーディスク以
上の出力確保を設定し、このためには前記Ｂｒ・ｔとし
て２５０ G・μm （約２memu/cm²) 以上の磁束が必要で
あることを実験的に確認した。Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系などの薄膜磁性材料
のＢrは一般に角形比０．７〜０．８５の範囲で５００
０〜８５００ G程度であり、これらの系でＢｒ・ｔ≧２
５０ G・μm を得るには、膜厚ｔとして２９４〜５００
A以上が必要になる。

【００１０】したがって、少なくとも３００ A以上、好
ましくは３５０ A以上の膜厚で保磁力１４００ Oe 以上
の磁性層を、Ｐｔ使用量をできるだけ抑えて実現するこ
とが望ましい。これに対し、前記条件（ａ）ではＰｔの
使用量が多く、また、前記条件（ｂ）でもＰｔ使用量が
比較的多いかあるいは膜厚が３００ A未満になり、前記
Ｂr ・ｔの条件を満足しない。また、前記条件（ｃ）で
は、加熱を要するなど生産上の問題を生じていた。

【００１１】本発明はこのような事情からなされたもの
であり、スパッタにより形成された磁性層を有する磁気
記録媒体において、磁性層のＰｔ使用量を著しく低減し
て低コスト化をはかり、同時に、Ｂｒ・ｔ≧２５０ G・
μm を実現して十分な再生出力を確保し、さらに、磁性
層形成時の基体加熱を不要にして耐熱性の低い可撓性基
体の使用を可能とした上で、１４００ Oe 以上の高保磁
力を実現することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の本発明により達成される。（１）熱変形温度が２００℃以下の可撓性材質から構成
される非磁性基体の少なくとも一方の面上に、Ｃｒ、Ｗ
またはＭｏのスパッタ膜からなる下地層と、第一の磁性
薄膜と、第二の磁性薄膜とをこの順で有し、第一の磁性
薄膜がＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合
金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合金のスパッタ膜で
あり、第二の磁性薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系合金のスパ
ッタ膜であり、第一の磁性薄膜と第二の磁性薄膜とを含
む磁性層の保磁力が１４００ Oe以上であることを特徴
とする磁気記録媒体。（２）第二の磁性薄膜のＰｔ含有量が２〜１０原子％で
ある上記（１）の磁気記録媒体。（３）下地層の厚さが５００〜５０００ Aであり、第一
の磁性薄膜の厚さをｔ₁ 、第二の磁性薄膜の厚さをｔ₂
としたとき、１００ A≦ｔ₁ ≦２８０ A、２０ A≦ｔ₂ ≦２８０ A、ｔ₁ ＋ｔ₂ ≧３００ A である上記（１）または（２）の磁気記録媒体。（４）磁性層中において第一の磁性薄膜と第二の磁性薄
膜との間に非磁性の中間層を有し、この中間層が、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、ＴｉおよびＡｌからなる群から選
択された少なくとも一種の元素を含有する金属層、合金
層または酸化物層であるか、または第一の磁性薄膜を酸
化した酸化物層であり、この中間層の厚さが２００ A以
下である上記（１）ないし（３）のいずれかの磁気記録
媒体。（５）磁性層の残留磁束密度をＢr 、第一の磁性薄膜の
厚さをｔ₁ 、第二の磁性薄膜の厚さをｔ₂ としたとき、Ｂr ・（ｔ₁ ＋ｔ₂ ）≧２５０ G・μm である上記（１）ないし（４）のいずれかの磁気記録媒
体。（６）第二の磁性薄膜上に、厚さが５０〜５００ Aであ
る保護層を有し、この保護層が、Ｃ、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂
Ｏ₃ 、ＳｉＣまたはＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ（サイアロン）
からなる非磁性層であるか、第二の磁性薄膜を酸化した
酸化物層である上記（１）ないし（５）のいずれかの磁
気記録媒体。（７）上記（１）ないし（６）のいずれかの磁気記録媒
体を製造する方法であって、磁性層形成の際に非磁性基
体の加熱を行なわないことを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。

【００１３】

【作用および効果】本発明では、Ｃｒ等からなる下地層
上に上記の第一の磁性薄膜と第二の磁性薄膜とからなる
磁性層を積層することにより、１４００ Oe 以上の高保
磁力を有する高記録密度媒体が得られる。本発明では、
Ｐｔを第二の磁性薄膜だけに使用すればよく、しかも、
第二の磁性薄膜は２０〜２８０ Aと薄くかつそのＰｔ含
有量を１０原子％以下に抑えることができるので、磁性
層全体のＰｔ含有量を著しく低減できる。また、磁性層
形成時の基体加熱が不要なので、安価だが耐熱性の低い
可撓性基体が使用できる。また、第一の磁性薄膜と第二
の磁性薄膜とを合わせた磁性層全体の厚さを３００ A以
上と十分に厚くできるので、再生出力を高くすることが
できる。このため、ハードディスクなみの高記録密度と
現行のフロッピーディスクと同等以上の出力とを有する
フロッピーディスクが低コストで得られる。

【００１４】ところで、特開平１−２８３８０３号公報
では、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔの合金組成や膜厚を変化させる
ことにより磁気特性を広範囲に制御できることが示され
ており、９原子％のＰｔを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金の
磁性層で保磁力を１４００ Oe 以上とした例が示されて
いる。しかし、同公報には、磁性層の厚さは約５００〜
１０００ Aの範囲で、約６００ Aが最も望ましい旨の記
載がある。したがって、同公報記載の磁性層におけるＰ
ｔ含有量は、本発明における磁性層全体のＰｔ含有量の
約２倍以上であり、本発明の目的を達成することはでき
ない。

【００１５】

【具体的構成】本発明の磁気記録媒体の構成例を図１に
示す。これらの磁気記録媒体は、非磁性基体２表面に、
Ｃｒからなる下地層３、磁性層４および保護層５をこの
順で有する。磁性層４は、図１の（ａ）では第一の磁性
薄膜４１および第二の磁性薄膜４２から構成され、図１
の（ｂ）では第一の磁性薄膜４１および第二の磁性薄膜
４２とこれらの間に設けられた中間層４３とから構成さ
れる。なお、図示例では非磁性基体２の一方の面上に下
地層、磁性層および保護層からなる積層体が形成されて
いるが、本発明は、非磁性基体２の両面に前記積層体を
有する両面記録媒体にも適用される。

【００１６】非磁性基体２は可撓性であり、通常、樹脂
フィルムから構成される。本発明では非磁性基体を加熱
する必要がないので、熱変形温度（Ｔｇ）が２００℃以
下の安価な樹脂フィルム、例えば、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）等を用いることができる。非磁性基体２は、目的に
応じてディスク状等の各種形状とされる。

【００１７】下地層３は、実質的にＣｒ、ＷまたはＭｏ
から構成され、スパッタにより形成される非磁性の連続
薄膜である。下地層は、その上に形成される六方晶Ｃｏ
合金の第一の磁性薄膜のｃ軸を膜面内に向け、第一の磁
性薄膜の面内方向保磁力を高める作用を果たしている。
これは、体心立方構造をとる下地層の（１１０）面が基
体表面に平行に配向して成長し、この（１１０）面上
に、六方晶Ｃｏ合金のｃ軸を面内に含む結晶面、例え
ば、（１０１）面などがエピタキシャル的に成長するた
めとされている。この結果、六方晶Ｃｏ合金の磁化容易
軸であるｃ軸が基体面内に配向して面内保磁力が大きく
なる。本発明に使用する下地層の厚さは５００〜５００
０ Aの範囲とすることが好ましい。非磁性基体の加熱を
行なわない場合、下地層の膜厚が前記範囲未満では十分
なエピタキシャル成長が困難となって第一の磁性薄膜の
保磁力を１４００ Oe 以上とすることが難しくなり、ま
た、前記範囲を超える厚さとすると、下地層の金属粒子
の著しい結晶成長により媒体の可撓性が低くなってヘッ
ドタッチが不良となり、出力変動が大きくなってしま
う。また、下地膜の厚さを前記範囲を超えて厚くしても
磁気特性の向上は頭打ちとなるため、生産性が低下する
だけになる。

【００１８】第一の磁性薄膜４１は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
系合金、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔ
ａ−Ｃｒ系合金から構成される連続薄膜であり、磁化容
易軸は膜の面内方向に優先的に配向している。第一の磁
性薄膜４１の具体的組成は特に限定されず、高保磁力が
得られる組成範囲から適宜選択すればよいが、通常、Ｎ
ｉは２０〜３０原子％、Ｃｒは５〜２０原子％、Ｔａは
１〜５原子％の範囲から選択することが好ましい。

【００１９】第二の磁性薄膜４２は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
系合金から構成される連続薄膜である。第二の磁性薄膜
４２の具体的組成は特に限定されず、高保磁力が得られ
る組成範囲から適宜選択すればよいが、通常、Ｐｔが２
〜１０原子％、Ｃｒが５〜１０原子％含まれる組成とす
ることが好ましい。

【００２０】これらの磁性薄膜には、必要に応じて、あ
るいは不可避的不純物として、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍ
ｎ、Ａｒ、Ｂ、Ｃ等の他の元素が含有されていてもよ
い。

【００２１】本発明では、第一の磁性薄膜４１の厚さを
ｔ₁ 、第二の磁性薄膜４２の厚さをｔ₂ としたとき、１００ A≦ｔ₁ ≦２８０ A、２０ A≦ｔ₂ ≦２８０ A、ｔ₁ ＋ｔ₂ ≧３００ A であることが好ましい。第一の磁性薄膜の厚さを上記範
囲に制御すれば、基体加熱なしで保磁力１４００ Oe 以
上を達成することができる。この場合、第一の磁性薄膜
単独では磁束量（Ｂr ・ｔ₁ ）が不足するが、これに積
層する第二の磁性薄膜の磁束量（Ｂr ・ｔ₂ ）で十分カ
バー可能となる。ただし、第一の磁性薄膜を前記範囲を
超える厚さとすると高保磁力が得られず、一方、前記範
囲未満の厚さとすると磁束量が不足して第二の磁性薄膜
を厚くする必要が生じるため、好ましくない。

【００２２】第二の磁性薄膜の組成および厚さの限定理
由を説明する。まず、第一の磁性薄膜と第二の磁性薄膜
との間に中間層を設けない場合に両磁性薄膜の組成が同
じないしは同じ系であると、磁性層を厚くした場合と同
様な結果となって高保磁力が得られない。また、前述し
たＣＰＭ８９−７８に記載されているように、両磁性薄
膜をいずれもＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金とし、これらの間
にＣｒ中間層を設けた場合にも高保磁力は得られない。
ＣＰＭ８９−７８には、積層により高保磁力化と低ノイ
ズ化が可能になる旨が記載されているが、このものは基
体加熱を前提としており、本発明のように基体加熱を行
なわない場合には、ＣＰＭ８９−７８と同様な積層磁性
層とすると、逆に保磁力が減少してしまうのである。こ
れは、スペーシングロスの増大を避けるためにＣｒ中間
層を２００ A以下と薄くする必要があるので、その結
果、Ｃｒ中間層を下地層として形成される上層の磁性薄
膜のエピタキシャル成長が不完全となって上層の保磁力
が著しく低くなってしまうからである。したがって、上
層である第二の磁性薄膜は、下層である第一の磁性薄膜
とは異なる組成であって、しかも下地への依存性が低い
材料から構成する必要がある。検討の結果、第二の磁性
薄膜には、上記範囲の膜厚のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系合金薄
膜が有効であることがわかった。この場合、Ｐｔ量は前
述したように１０原子％以下でよく、上記膜厚の範囲で
磁性層全体の磁束量｛Ｂr ・（ｔ₁ ＋ｔ₂ ）｝を２５０
G・μm 以上に維持できることがわかった。ただし、第
二の磁性薄膜の膜厚を上記範囲未満にすると磁性層全体
の磁束量を２５０ G・μm 以上に維持できず、また、前
記範囲を超える厚さにすると強磁性合金粒子の結晶成長
が著しくなってノイズの増加につながる上に、高価なＰ
ｔの使用量が増加するので好ましくない。

【００２３】各磁性薄膜は、スパッタにより形成され
る。用いるスパッタ法は特に限定されず、ＤＣマグネト
ロンスパッタやＲＦマグネトロンスパッタ等のいずれを
用いてもよい。本発明では、各磁性薄膜の組成および厚
さを上記範囲とすることにより、各磁性薄膜を形成する
際に非磁性基体を加熱することなく高保磁力が得られ
る。

【００２４】磁性薄膜形成の際には、図２の（ａ）およ
び（ｂ）にそれぞれ示すように、ターゲット１０表面の
中心と非磁性基体２表面の中心とを結ぶ線が非磁性基体
２表面となす角度をφとしたとき、角度φが４０度以
下、好ましくは３５度以下となるように両者を配置した
状態で、スパッタを行なうことが好ましい。このとき、
非磁性基体の中心軸とターゲットの中心軸とが一致して
いる通常の状態（φ＝９０度）から、図２の（ａ）に示
すように、非磁性基体２をターゲット１０に対して相対
的に平行移動させた位置関係としてもよく、図２の
（ｂ）に示すように、非磁性基体２をターゲット１０に
対して相対的に回転させた位置関係としてもよく、図２
の（ａ）と（ｂ）とを組み合わせた構成、すなわち、非
磁性基体２をターゲット１０に対して相対的に平行移動
させかつ回転させた位置関係としてもよい。両者をこの
ような位置関係とすることにより、ターゲットからの粒
子は非磁性基体表面に対し斜めから入射することにな
る。なお、下地層を形成する際の角度φは、磁性薄膜形
成の際の角度φと同様でよいが、異なっていてもよい。
ターゲットと非磁性基体とを上記のような関係とするこ
とにより、より高い保磁力が得られる。なお、角度φは
０度超とするが、角度φの具体的値は、目的とする保磁
力や生産性等を考慮して適宜決定すればよい。このよう
にしてスパッタを行なうときには、非磁性基体を回転さ
せることが好ましい。これにより磁性薄膜を均質に形成
でき、また、磁性薄膜の厚さむらを防ぐことができる。
なお、下地層形成の際にも、同様な理由により非磁性基
体を回転させることが好ましい。

【００２５】磁性薄膜形成の際の雰囲気圧力は、高保磁
力を得るためには０．５〜５Paとすることが好ましい。
また、下地層形成の際の雰囲気圧力は、１〜５Paとする
ことが好ましい。その他のスパッタ条件は、公知の範囲
から適宜選択すればよい。

【００２６】図１（ｂ）に示す中間層４３は、低ノイズ
化のため設けられる非磁性の連続薄膜である。中間層
は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、ＴｉおよびＡｌからなる群
から選択された少なくとも一種の元素を含有する金属、
合金または酸化物のスパッタ膜か、第一の磁性薄膜を酸
化した酸化物層であることが好ましい。中間層の厚さ
は、２００ A以下であることが好ましい。中間層が前記
範囲を超える厚さであると、第一の磁性薄膜のスペーシ
ングロスが大きくなり、再生出力が低下するので好まし
くない。

【００２７】保護層５は、磁性層の保護のために設けら
れる非磁性層である。保護層は、各種酸化物、窒化物、
炭化物、炭素、ケイ化物等や、これらの混合物などから
構成することが好ましく、具体的には、例えば、Ｃ、Ｓ
ｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＣ、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ（サ
イアロン）などが好ましいが、第二の磁性薄膜を酸化し
た酸化物層を保護層としてもよい。保護層は、通常、ス
パッタにより形成する。保護層の厚さは、一般に５０〜
５００ Aとする。保護層が薄すぎると磁性層の保護効果
が不十分であり、厚すぎるとスペーシングロスによる再
生出力低下が目立つようになる。

【００２８】保護層の上には、必要に応じ潤滑剤層を形
成してもよい。潤滑剤層は、フッ素系有機化合物などを
塗布することにより形成することが好ましい。

【００２９】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。

【００３０】＜実施例１＞非磁性基体として表面粗さ
（Ｒａ）１７ A、膜厚７５μm のポリエステルフィルム
（Ａ４サイズ）を用い、この上にＣｒ下地層（膜厚３０
００ A）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の第一の磁性薄膜（膜
厚２５０ A）、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金の第二の磁性薄膜
（膜厚２５０ A）およびカーボン保護層（膜厚４００
A）を、スパッタにより順次成膜した。スパッタにはＤ
Ｃマグネトロン方式のスパッタ装置を用い、初期排気は
１×１０^-4Pa以下とし、下地層は５Pa、第一の磁性薄膜
は２Pa、第二の磁性薄膜は５Pa、保護層は１PaのＡｒ雰
囲気中で形成した。スパッタ装置内では、非磁性基体と
ターゲットとを図２の（ａ）に示すように配置した。角
度φは４２度とし、非磁性基体を回転させながらスパッ
タを行なった。なお、成膜中に非磁性基体の加熱は行な
わなかった。ターゲットには、下地層用としてＣｒ、第
一の磁性薄膜用としてＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ（７．５原子％
Ｃｒ、３０原子％Ｎｉ）合金、第二の磁性薄膜用として
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ（８原子％Ｃｒ、１０原子％Ｐｔ）合
金、保護層用としてカーボンを用いた。各ターゲットの
直径は３インチとした。

【００３１】次いで、保護層上に潤滑剤を塗布し、３．
５インチ径のディスク状に打ち抜いて測定用サンプルと
した。打ち抜きは、ディスクの中心がポリエステルフィ
ルムの中心と一致するように行なった。

【００３２】＜比較例１＞Ｃｒ下地層（膜厚３０００
A）上にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の磁性薄膜（膜厚５００
A）およびカーボン保護層（膜厚４００ A）を成膜し
た。スパッタ条件は実施例１における下地層、第一の磁
性薄膜および保護層の各条件と同一とした。

【００３３】＜比較例２＞磁性薄膜の膜厚を２５０ Aと
した以外は比較例１と同一の条件で成膜した。

【００３４】＜比較例３＞Ｃｒ下地層（膜厚３０００
A）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の第一の磁性薄膜（膜厚２
５０ A）、Ｃｒ中間層（膜厚１００ A）、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ合金の第二の磁性薄膜（膜厚２５０ A）およびカー
ボン保護層（膜厚４００ A）を、スパッタにより順次成
膜した。中間層のスパッタは５PaのＡｒ雰囲気中で行な
い、その他のスパッタ条件は実施例１と同様とした。

【００３５】＜実施例２＞Ｃｒ下地層（膜厚３０００
A）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の第一の磁性薄膜（膜厚２
００ A）、Ｃｒ中間層（膜厚１００ A）、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｃｒ合金の第二の磁性薄膜（膜厚２００ A）およびカー
ボン保護層（膜厚４００ A）をスパッタにより順次成膜
した。スパッタ条件は比較例３と同様とした。

【００３６】＜実施例３＞Ｃｒ下地層（膜厚３０００
A）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の第一の磁性薄膜（膜厚２
００ A）、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金の第二の磁性薄膜（膜
厚１５０ A）およびカーボン保護層（膜厚４００ A）
を、スパッタにより順次成膜した。ただし、角度φは３
０度とし、ターゲットには直径８インチで組成は実施例
１と同じものを用い、また、スパッタは、すべて１Paの
Ａｒ雰囲気中で行なった。その他の条件は実施例１と同
様とした。

【００３７】＜実施例４＞Ｃｒ下地層（膜厚１０００
A）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の第一の磁性薄膜（膜厚１
５０ A）、Ｃｒ中間層（膜厚１００ A）、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｃｒ合金の第二の磁性薄膜（膜厚２５０ A）およびカー
ボン保護層（膜厚４００ A）を、スパッタにより順次成
膜した。Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金ターゲットの組成を８原
子％Ｃｒ、８原子％Ｐｔ、残部Ｃｏとした以外、スパッ
タの際の条件はすべて実施例３と同様とした。なお、中
間層は１PaのＡｒ雰囲気中で形成した。

【００３８】＜実施例５＞Ｃｒ下地層（膜厚２０００
A）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の第一の磁性薄膜（膜厚２
００ A）、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金の第二の磁性薄膜（膜
厚２００ A）およびカーボン保護層（膜厚４００ A）
を、スパッタにより順次成膜した。Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合
金ターゲットの組成を８原子％Ｃｒ、５原子％Ｐｔ、残
部Ｃｏとした以外、スパッタの際の条件はすべて実施例
３と同様とした。

【００３９】＜比較例４＞Ｃｒ下地層（膜厚１０００
A）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の第一の磁性薄膜（膜厚２
００ A）、Ｃｒ中間層（膜厚１００ A）、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ合金の第二の磁性薄膜（膜厚２００ A）およびカー
ボン保護層（膜厚４００ A）を、スパッタにより順次成
膜した。スパッタの際の条件はすべて実施例４と同様と
した。

【００４０】＜実施例６＞Ｃｒ下地層（膜厚３０００
A）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の第一の磁性薄膜（膜厚１
５０ A）、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金の第二の磁性薄膜（膜
厚２５０ A）およびカーボン保護層（膜厚４００ A）
を、スパッタにより順次成膜した。角度φを９０度とし
た以外、スパッタ条件はすべて実施例３と同様とした。

【００４１】上記実施例および比較例で得られた測定用
サンプルの磁気特性および電磁変換特性を測定した。電
磁変換特性の測定は、ギャップ長０．２３μm のリング
ヘッドをサンプルに押し当て、相対線速度３．１４m/s
の条件で行なった。測定結果を表１に示す。表１におい
て、出力は線記録密度２５ kFRPIにおける再生出力値で
あり、Ｄ₅₀はこの出力値が半減するときの線記録密度を
示す。また、表１に示す磁束量Ｂr ・ｔは、第一の磁性
薄膜の磁束量と第二の磁性薄膜の磁束量との合計｛Ｂr
・（ｔ₁ ＋ｔ₂ ）｝である。なお、比較のために、現行
の３．５インチメタル塗布型フロッピーディスクの測定
結果を示す。表１に示す出力は、このメタル塗布型フロ
ッピーディスクの出力を０dBとした相対出力である。磁
気特性は、最大印加磁界強度１０kOe でＶＳＭにより測
定した。

【００４２】

【表１】

【００４３】表１から、各実施例はＢｒ・ｔ≧２５０ G
・μm 、保磁力≧１４００ Oe を満足し、線記録密度と
してＤ₅₀が９５kFRPI 以上、また低域の出力として現行
の３．５インチメタル塗布型フロッピーディスクと同等
以上の出力が得られることがわかる。これから、例えば
ＰＬＬ１−７変換などにより線記録密度として１００kB
PI程度が可能であり、また、出力が大きいのでトラック
密度も２５００TPI は可能となって、記録容量として
３．５インチ換算で片面１００MB以上は確保できること
がわかる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の磁気
記録媒体の構成例を部分的に示す断面図である。

【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、磁性薄膜形
成の際のターゲット１０と非磁性基体２との関係を示す
説明図である。

【符号の説明】

２非磁性基体３下地層４磁性層４１第一の磁性薄膜４２第二の磁性薄膜４３中間層５保護層１０ターゲット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱変形温度が２００℃以下の可撓性材質
から構成される非磁性基体の少なくとも一方の面上に、
Ｃｒ、ＷまたはＭｏのスパッタ膜からなる下地層と、第
一の磁性薄膜と、第二の磁性薄膜とをこの順で有し、第
一の磁性薄膜がＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｔａ−
Ｃｒ系合金またはＣｏ−Ｎｉ−Ｔａ−Ｃｒ系合金のスパ
ッタ膜であり、第二の磁性薄膜がＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系合
金のスパッタ膜であり、第一の磁性薄膜と第二の磁性薄
膜とを含む磁性層の保磁力が１４００ Oe 以上であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】第二の磁性薄膜のＰｔ含有量が２〜１０
原子％である請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】下地層の厚さが５００〜５０００ Aであ
り、第一の磁性薄膜の厚さをｔ₁ 、第二の磁性薄膜の厚
さをｔ₂ としたとき、１００ A≦ｔ₁ ≦２８０ A、２０ A≦ｔ₂ ≦２８０ A、ｔ₁ ＋ｔ₂ ≧３００ A である請求項１または２の磁気記録媒体。
【請求項４】磁性層中において第一の磁性薄膜と第二
の磁性薄膜との間に非磁性の中間層を有し、この中間層
が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、ＴｉおよびＡｌからなる群
から選択された少なくとも一種の元素を含有する金属
層、合金層または酸化物層であるか、または第一の磁性
薄膜を酸化した酸化物層であり、この中間層の厚さが２
００ A以下である請求項１ないし３のいずれかの磁気記
録媒体。
【請求項５】磁性層の残留磁束密度をＢr 、第一の磁
性薄膜の厚さをｔ₁、第二の磁性薄膜の厚さをｔ₂ とし
たとき、Ｂr ・（ｔ₁ ＋ｔ₂ ）≧２５０ G・μm である請求項１ないし４のいずれかの磁気記録媒体。
【請求項６】第二の磁性薄膜上に、厚さが５０〜５０
０ Aである保護層を有し、この保護層が、Ｃ、ＳｉＯ
₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＣまたはＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ（サ
イアロン）からなる非磁性層であるか、第二の磁性薄膜
を酸化した酸化物層である請求項１ないし５のいずれか
の磁気記録媒体。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれかの磁気記録
媒体を製造する方法であって、磁性層形成の際に非磁性
基体の加熱を行なわないことを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。