JPH0757909B2 - より高反応性材料の存在下でより低反応性材料をエッチングする方法 - Google Patents
より高反応性材料の存在下でより低反応性材料をエッチングする方法Info
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- JPH0757909B2 JPH0757909B2 JP4234367A JP23436792A JPH0757909B2 JP H0757909 B2 JPH0757909 B2 JP H0757909B2 JP 4234367 A JP4234367 A JP 4234367A JP 23436792 A JP23436792 A JP 23436792A JP H0757909 B2 JPH0757909 B2 JP H0757909B2
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はより高い反応性の材料
（以下、高反応性材料という）の存在下でより低い反応
性の材料（以下、低反応性材料という）をエッチングす
る方法に関する。より詳細には、高反応性材料は低反応
性材料に対向して配置される。より詳細には、これら材
料は両方共金属である。より詳細には、エッチングされ
るべき材料１は低および高原子価状態を有し、材料２は
高原子価状態のみを有する。より詳細には、材料１およ
び材料２は、材料１の低原子価状態と錯化しうる剤を含
有する非水溶液中に浸漬される；より詳細には、材料１
の高原子価状態のイオンが溶液中に導入された時それら
イオンは低酸化状態で溶液中に溶解する材料１と反応
し、そこでそれらは錯化剤と錯体を形成し、それにより
材料１は、材料２の方が化学的により活性であっても、
エッチングされる。最も特別には、溶液は非水溶液であ
る。
（以下、高反応性材料という）の存在下でより低い反応
性の材料（以下、低反応性材料という）をエッチングす
る方法に関する。より詳細には、高反応性材料は低反応
性材料に対向して配置される。より詳細には、これら材
料は両方共金属である。より詳細には、エッチングされ
るべき材料１は低および高原子価状態を有し、材料２は
高原子価状態のみを有する。より詳細には、材料１およ
び材料２は、材料１の低原子価状態と錯化しうる剤を含
有する非水溶液中に浸漬される；より詳細には、材料１
の高原子価状態のイオンが溶液中に導入された時それら
イオンは低酸化状態で溶液中に溶解する材料１と反応
し、そこでそれらは錯化剤と錯体を形成し、それにより
材料１は、材料２の方が化学的により活性であっても、
エッチングされる。最も特別には、溶液は非水溶液であ
る。
【０００２】
【従来技術と問題点】超小型電子パッケージおよび装置
における相互接続回路およびボンド端子パッド構造体は
最も一般的にはアディティブ法によるパターン鍍金また
は真空蒸着により作られる。これはブランケット基層上
に配置された所要の配線およびパッド金属体（metallur
gy）を有するマスクを通してなされる。次にパッド金属
体および配線金属体の下にはない露出された層をサブト
ラクティブ法によりエッチングする。この方法におい
て、トップまたは第２層または層積重ね体が、基層のエ
ッチングに使用されるエッチング剤による攻撃をより受
けやすい可能性のある金属を含有するという状況が起り
うる。その例は本願の譲受人に譲渡された米国特許４,
９８５,３１０号に記載されているＣｒ／Ｃｕ／Ｃｏ／
Ａｕボンディングおよび端子金属体であり、この特許の
教示を参照によりここに組入れた。そこに記載されてい
る金属体はＣｒ／Ｃｕブランケット基層から出発してそ
の上にＣｏ／Ａｕをパターン鍍金し、次にＣｒ／Ｃｕ基
層をエッチングすることにより作ることができる。
における相互接続回路およびボンド端子パッド構造体は
最も一般的にはアディティブ法によるパターン鍍金また
は真空蒸着により作られる。これはブランケット基層上
に配置された所要の配線およびパッド金属体（metallur
gy）を有するマスクを通してなされる。次にパッド金属
体および配線金属体の下にはない露出された層をサブト
ラクティブ法によりエッチングする。この方法におい
て、トップまたは第２層または層積重ね体が、基層のエ
ッチングに使用されるエッチング剤による攻撃をより受
けやすい可能性のある金属を含有するという状況が起り
うる。その例は本願の譲受人に譲渡された米国特許４,
９８５,３１０号に記載されているＣｒ／Ｃｕ／Ｃｏ／
Ａｕボンディングおよび端子金属体であり、この特許の
教示を参照によりここに組入れた。そこに記載されてい
る金属体はＣｒ／Ｃｕブランケット基層から出発してそ
の上にＣｏ／Ａｕをパターン鍍金し、次にＣｒ／Ｃｕ基
層をエッチングすることにより作ることができる。
【０００３】この金属化において、第２の積重ね体中の
Ｃｏは第１の積重ね体中のＣｕのエッチングに使用され
るエッチング剤により攻撃を受けるであろう。それはＣ
ｏがＣｕよりも、特に水性レドックス反応において、反
応性が高いからである。このような状況があるのはこの
特別の適用のみに限らない。関係がある他のエッチング
技法は、平滑な金属−誘電体構造体を得るための、性質
の一致しない金属の組合せを有する多層金属積重ね体の
化学的−機械的研摩；およびマスク板を形成させるため
の金属層のパターン化である。
Ｃｏは第１の積重ね体中のＣｕのエッチングに使用され
るエッチング剤により攻撃を受けるであろう。それはＣ
ｏがＣｕよりも、特に水性レドックス反応において、反
応性が高いからである。このような状況があるのはこの
特別の適用のみに限らない。関係がある他のエッチング
技法は、平滑な金属−誘電体構造体を得るための、性質
の一致しない金属の組合せを有する多層金属積重ね体の
化学的−機械的研摩；およびマスク板を形成させるため
の金属層のパターン化である。
【０００４】最も広い意味においてここに記載する方法
は、高反応性材料の存在下で低反応性材料をエッチング
する方法である。反応性の度合は水性レドックス反応に
基づいて定められる。
は、高反応性材料の存在下で低反応性材料をエッチング
する方法である。反応性の度合は水性レドックス反応に
基づいて定められる。
【０００５】従って本発明の目的は非水性エッチング媒
体を使用して高反応性材料の存在下に低反応性材料をエ
ッチングする方法を提供することである。
体を使用して高反応性材料の存在下に低反応性材料をエ
ッチングする方法を提供することである。
【０００６】ここに記載する方法は上記水性媒体中での
エッチングの欠点を克服するエッチング法に向けられて
いる。例えば、図１Ａ〜１Ｅは一般的に上記した方法の
一例を示し、そこにおいて基板２上に低反応性材料の層
４が配置され、この層４の上にパターン孔８を有するパ
ターン化されたリフトオフ層６が配置される。リフトオ
フ層６上に高反応性金属１０の層が配置され、その１
０′はリフトオフ層６のパターン開口８中に配置され
る。層６は図１Ｂに示されるように除去され、高反応性
材料のパターン１０′が残される。反応性材料１０′の
外周を越える部分の低反応性材料を除去するために、図
１Ｃに示されるように１０′をレジスト材料１２で被覆
する。次に図１Ｃの構造体をエッチング剤に暴露し、そ
れはパターン化１０′の外周を越える部分の低反応性材
料を食刻除去し、図１Ｄに示すように高反応性材料のパ
ターン１０′の下にパターン化された反応性材料４′を
有する構造体が残される。レジスト材料１２が除去さ
れ、図１Ｅに示すような構造体が残される。
エッチングの欠点を克服するエッチング法に向けられて
いる。例えば、図１Ａ〜１Ｅは一般的に上記した方法の
一例を示し、そこにおいて基板２上に低反応性材料の層
４が配置され、この層４の上にパターン孔８を有するパ
ターン化されたリフトオフ層６が配置される。リフトオ
フ層６上に高反応性金属１０の層が配置され、その１
０′はリフトオフ層６のパターン開口８中に配置され
る。層６は図１Ｂに示されるように除去され、高反応性
材料のパターン１０′が残される。反応性材料１０′の
外周を越える部分の低反応性材料を除去するために、図
１Ｃに示されるように１０′をレジスト材料１２で被覆
する。次に図１Ｃの構造体をエッチング剤に暴露し、そ
れはパターン化１０′の外周を越える部分の低反応性材
料を食刻除去し、図１Ｄに示すように高反応性材料のパ
ターン１０′の下にパターン化された反応性材料４′を
有する構造体が残される。レジスト材料１２が除去さ
れ、図１Ｅに示すような構造体が残される。
【０００７】
【問題を解決するための手段】本発明によれば、図１Ｂ
に示される構造体は高反応性材料のパターン１０′を低
反応性材料の層４のエッチングのためのマスクとして使
用して図１Ｂの構造体から直接図１Ｅの構造体に進み、
それにより高反応性材料層１０′を図１Ｃに示すように
レジスト１２で不動態化する必要を回避する。これはエ
ッチング剤系の化学を、高反応性材料１０の存在下で低
反応性材料を選択的にエッチングするように適当に選ぶ
ことにより達成される。
に示される構造体は高反応性材料のパターン１０′を低
反応性材料の層４のエッチングのためのマスクとして使
用して図１Ｂの構造体から直接図１Ｅの構造体に進み、
それにより高反応性材料層１０′を図１Ｃに示すように
レジスト１２で不動態化する必要を回避する。これはエ
ッチング剤系の化学を、高反応性材料１０の存在下で低
反応性材料を選択的にエッチングするように適当に選ぶ
ことにより達成される。
【０００８】この方法の化学において、低反応性材料は
低および高原子価状態を有し、そして高反応性材料は低
反応性材料の低酸化状態よりも大きいエネルギーの酸化
状態を有する。低反応性材料のゼロ酸化状態と反応して
低反応性材料の低酸化状態のカチオンを生成する低反応
性材料の高酸化状態のカチオンを含有する化学環境が用
意される。この化学環境は、低酸化状態の濃度が平衡状
態に到達せず従って低反応性材料の継続的溶解を可能に
するように、低反応性材料の低酸化状態カチオンを錯化
しうる剤をも含有する。
低および高原子価状態を有し、そして高反応性材料は低
反応性材料の低酸化状態よりも大きいエネルギーの酸化
状態を有する。低反応性材料のゼロ酸化状態と反応して
低反応性材料の低酸化状態のカチオンを生成する低反応
性材料の高酸化状態のカチオンを含有する化学環境が用
意される。この化学環境は、低酸化状態の濃度が平衡状
態に到達せず従って低反応性材料の継続的溶解を可能に
するように、低反応性材料の低酸化状態カチオンを錯化
しうる剤をも含有する。
【０００９】米国特許３,６７７,９５０号は錫、鉛、ニ
ッケル、金およびそれらの合金からなる群から選ばれる
金属の存在下で積層印刷配線板から銅を選択的に溶解す
るに特に適合した化学エッチング溶液を記載している。
コバルトのような反応性の高い金属の存在下での銅のエ
ッチングは述べられていない。この方法は製造環境で使
用し難く危険な高濃度のアンモニアを使用する。
ッケル、金およびそれらの合金からなる群から選ばれる
金属の存在下で積層印刷配線板から銅を選択的に溶解す
るに特に適合した化学エッチング溶液を記載している。
コバルトのような反応性の高い金属の存在下での銅のエ
ッチングは述べられていない。この方法は製造環境で使
用し難く危険な高濃度のアンモニアを使用する。
【００１０】米国特許３,７１７,５２０号は鉄金属およ
びプラスチックの基板からＣｕおよびＮｉを取り去るた
めの水性エッチング剤を記載している。
びプラスチックの基板からＣｕおよびＮｉを取り去るた
めの水性エッチング剤を記載している。
【００１１】米国特許４,５４３,１５３号は反応器中の
水溶液中でＮｉ−Ａｕマスクを通してＣｕを、反応器壁
とＣｕの間に電気的接続を提供してそれらを同じ電位に
維持することにより、異方性エッチングする方法を記載
している。
水溶液中でＮｉ−Ａｕマスクを通してＣｕを、反応器壁
とＣｕの間に電気的接続を提供してそれらを同じ電位に
維持することにより、異方性エッチングする方法を記載
している。
【００１２】米国特許４,６３２,７２７号は、ソルダー
ベース食刻レジストを用いる銅用の水性硝酸ベースエッ
チング剤を記載している。
ベース食刻レジストを用いる銅用の水性硝酸ベースエッ
チング剤を記載している。
【００１３】米国特許４,７６７,６６１号は異なる銅結
晶面に対する選択性を有する硝酸ベース水性異方性エッ
チング剤を記載している。
晶面に対する選択性を有する硝酸ベース水性異方性エッ
チング剤を記載している。
【００１４】米国特許４,９１３,７６８号はＮｉ、Ｃ
ｏ、ＭｎおよびＮｉ／ＦｅまたはＮｉ／Ｃｏの層で被覆
され次に無電解Ｃｕおよびパターン鍍金された基板を記
載している。鍍金後無電解Ｃｕおよび下層Ｎｉ／Ｃｏの
両方を材料間の選択性なしに単一溶液でのエッチングに
より除去する。
ｏ、ＭｎおよびＮｉ／ＦｅまたはＮｉ／Ｃｏの層で被覆
され次に無電解Ｃｕおよびパターン鍍金された基板を記
載している。鍍金後無電解Ｃｕおよび下層Ｎｉ／Ｃｏの
両方を材料間の選択性なしに単一溶液でのエッチングに
より除去する。
【００１５】米国特許４,９５２,２７５号は、製造環境
で危険でありそして使用し難いクロロ酢酸エチルおよび
四塩化炭素のようなハロカーボン化合物およびジメチル
スルホキシドを含有する、Ｃｕを選択的にエッチングす
るがＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒはエッチングしない非水溶液を記
載している。対照的に、ここに記載するエッチング法は
環境的に安全でありそして製造ニーズに適合し、そして
水性媒体中で通常反応性の低い材料の選択的エッチング
を提供する。
で危険でありそして使用し難いクロロ酢酸エチルおよび
四塩化炭素のようなハロカーボン化合物およびジメチル
スルホキシドを含有する、Ｃｕを選択的にエッチングす
るがＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒはエッチングしない非水溶液を記
載している。対照的に、ここに記載するエッチング法は
環境的に安全でありそして製造ニーズに適合し、そして
水性媒体中で通常反応性の低い材料の選択的エッチング
を提供する。
【００１６】IBM Technical Disclosure Bulletin, Vo
l. 33, No.2, 1990年7月，258-9頁はＣｒの領域により
Ｃｕウェットエッチングから或部分を保護する、Ｃｕを
ウェットエッチングで選択的に除去するサブトラクティ
ブエッチング技法を記載している。
l. 33, No.2, 1990年7月，258-9頁はＣｒの領域により
Ｃｕウェットエッチングから或部分を保護する、Ｃｕを
ウェットエッチングで選択的に除去するサブトラクティ
ブエッチング技法を記載している。
【００１７】IBM Technical Disclosure Bulletin, Vo
l. 27, No.5, 1986年10月, 2197頁はＣｏがＷ下層とＣ
ｕの間にあるＣｏ／Ｃｕの食刻抵抗性マスクの下でのド
ライエッチングを記載している。
l. 27, No.5, 1986年10月, 2197頁はＣｏがＷ下層とＣ
ｕの間にあるＣｏ／Ｃｕの食刻抵抗性マスクの下でのド
ライエッチングを記載している。
【００１８】上記参照したクレームのどれも、高反応性
材料の存在下で低反応性材料を選択的にウェットエッチ
ングする方法を教示していない。
材料の存在下で低反応性材料を選択的にウェットエッチ
ングする方法を教示していない。
【００１９】これらのおよび他の目的、特徴および利点
は以下の好ましい態様の記載、特許請求の範囲および添
付図面から明らかとなろう。
は以下の好ましい態様の記載、特許請求の範囲および添
付図面から明らかとなろう。
【００２０】最も広い態様において本発明は高反応性材
料の存在下での低反応性材料のエッチング方法である。
料の存在下での低反応性材料のエッチング方法である。
【００２１】より詳細には、本発明の方法によれば、第
１材料の物体および第２材料の物体が化学環境中に用意
される。第１材料は低および高酸化状態を有する第１成
分を含有する。第２材料は第１材料の第１成分の低酸化
状態よりも大きいエネルギーの酸化状態を有する第２成
分を含有する。エネルギー論的に第１材料の第１成分か
ら電子を受容しやすいがエネルギー論的に第２材料の第
２成分から電子を受容しにくい第１カチオンを化学環境
に供給する。電子が第１材料の成分から第１カチオンへ
移動し、そしにより第１カチオンは低酸化状態の第２カ
チオンに変化し、これは第１物体が第１成分の低酸化状
態のカチオンである第３カチオンを化学環境中に放出す
る結果となる。第２カチオンおよび第３カチオンを消費
する剤をも化学環境に供給し、それにより更なる第３カ
チオンを化学環境中に放出させ、第２物体よりも第１物
体がエッチングされる結果となる。
１材料の物体および第２材料の物体が化学環境中に用意
される。第１材料は低および高酸化状態を有する第１成
分を含有する。第２材料は第１材料の第１成分の低酸化
状態よりも大きいエネルギーの酸化状態を有する第２成
分を含有する。エネルギー論的に第１材料の第１成分か
ら電子を受容しやすいがエネルギー論的に第２材料の第
２成分から電子を受容しにくい第１カチオンを化学環境
に供給する。電子が第１材料の成分から第１カチオンへ
移動し、そしにより第１カチオンは低酸化状態の第２カ
チオンに変化し、これは第１物体が第１成分の低酸化状
態のカチオンである第３カチオンを化学環境中に放出す
る結果となる。第２カチオンおよび第３カチオンを消費
する剤をも化学環境に供給し、それにより更なる第３カ
チオンを化学環境中に放出させ、第２物体よりも第１物
体がエッチングされる結果となる。
【００２２】本発明のより特別の態様では、化学環境は
溶液である。本発明の他のより特別の態様では、溶液は
非水溶液である。本発明の他のより特別の態様では、第
１および第２材料は金属である。本発明の他のより特別
の態様では、第２カチオンおよび第３カチオンを消費す
る剤は錯化剤である。本発明の他のより特別の態様で
は、錯化剤は有機物である。本発明の他のより特別の態
様では、有機錯化剤はアルケンまたはアルキンである。
溶液である。本発明の他のより特別の態様では、溶液は
非水溶液である。本発明の他のより特別の態様では、第
１および第２材料は金属である。本発明の他のより特別
の態様では、第２カチオンおよび第３カチオンを消費す
る剤は錯化剤である。本発明の他のより特別の態様で
は、錯化剤は有機物である。本発明の他のより特別の態
様では、有機錯化剤はアルケンまたはアルキンである。
【００２３】〔作用〕図２を参照して、外郭線１４は中
に化学環境１６が入っている囲いを表わす。化学環境１
６内に物体１８および物体２０がある。物体１８は、高
反応性材料で構成される物体２０よりも低反応性の材料
のものである。低反応性材料をＭＬと呼び、高反応性材
料をＭＨと呼ぶ。低反応性材料ＭＬは少なくとも２つの
エネルギーＥL １およびＥL ２の原子価状態を有する。こ
の説明においてエネルギーは生成自由エネルギーと解さ
れるべきであり、そして記号は標準的慣習に従わない。
高反応性材料ＭＨは少なくとも１つのエネルギーＥＨを
有するエネルギー水準を有する。材料ＭＬはＥＨより小
さいエネルギーＥL １の低酸化状態を有する。中性状態
の材料をそれぞれエネルギーＥL ０およびＥH ０を有する
ＭL ０およびＭH ０と呼ぶ。原子価状態は材料のカチオン
形に対応し、例えばＭL １は＋１形に対応し、ＭL ２は＋
２カチオン形に対応し、ＭH １は＋１カチオン形に対応
する。化学環境１６中に高原子価状態ＭL ２のカチオン
を導入し、これは材料ＭL ０と次式 ＭL +２＋ＭL ０→ ２ＭL +1 （１） に従って反応する。この式において電子は図２に示すよ
うに物体１８の材料から溶液中のジカチオンＭL +２へ移
動する。図２に示すモノカチオンＭL +１を錯体ＡＭL +１
として消費する剤Ａを溶液１６中に導入する。ＭH +１は
ＭL +１より大きいエネルギーを有するので、ＭH ０はＭL
+２と反応せず、その反応によるモノカチオンＭH +１の
生成もない。図２において２２の記号を付けたモノカチ
オンＭL +１の１つは物体１８の溶解を生ずる結果とな
る。物体２０はＭL +２と化学反応しない。何故ならば反
応 ２ＭL +２＋ＭH ０→ ２ＭL +１＋ ＭH +２ （２） の生成物の最終エネルギーはＭL ０とＭL +２との反応の
最終生成物のエネルギーよりも大きいからである。
に化学環境１６が入っている囲いを表わす。化学環境１
６内に物体１８および物体２０がある。物体１８は、高
反応性材料で構成される物体２０よりも低反応性の材料
のものである。低反応性材料をＭＬと呼び、高反応性材
料をＭＨと呼ぶ。低反応性材料ＭＬは少なくとも２つの
エネルギーＥL １およびＥL ２の原子価状態を有する。こ
の説明においてエネルギーは生成自由エネルギーと解さ
れるべきであり、そして記号は標準的慣習に従わない。
高反応性材料ＭＨは少なくとも１つのエネルギーＥＨを
有するエネルギー水準を有する。材料ＭＬはＥＨより小
さいエネルギーＥL １の低酸化状態を有する。中性状態
の材料をそれぞれエネルギーＥL ０およびＥH ０を有する
ＭL ０およびＭH ０と呼ぶ。原子価状態は材料のカチオン
形に対応し、例えばＭL １は＋１形に対応し、ＭL ２は＋
２カチオン形に対応し、ＭH １は＋１カチオン形に対応
する。化学環境１６中に高原子価状態ＭL ２のカチオン
を導入し、これは材料ＭL ０と次式 ＭL +２＋ＭL ０→ ２ＭL +1 （１） に従って反応する。この式において電子は図２に示すよ
うに物体１８の材料から溶液中のジカチオンＭL +２へ移
動する。図２に示すモノカチオンＭL +１を錯体ＡＭL +１
として消費する剤Ａを溶液１６中に導入する。ＭH +１は
ＭL +１より大きいエネルギーを有するので、ＭH ０はＭL
+２と反応せず、その反応によるモノカチオンＭH +１の
生成もない。図２において２２の記号を付けたモノカチ
オンＭL +１の１つは物体１８の溶解を生ずる結果とな
る。物体２０はＭL +２と化学反応しない。何故ならば反
応 ２ＭL +２＋ＭH ０→ ２ＭL +１＋ ＭH +２ （２） の生成物の最終エネルギーはＭL ０とＭL +２との反応の
最終生成物のエネルギーよりも大きいからである。
【００２４】好ましい態様では、化学環境１６は溶液で
ある。この好ましい態様では化学環境１６は非酸化性で
ある。酸化性環境では式２の反応の最終生成物は式１の
最終生成物よりも小さいエネルギーを有する。従ってＭ
H ０はＭL ０よりも化学的に反応性が大きくなる。
ある。この好ましい態様では化学環境１６は非酸化性で
ある。酸化性環境では式２の反応の最終生成物は式１の
最終生成物よりも小さいエネルギーを有する。従ってＭ
H ０はＭL ０よりも化学的に反応性が大きくなる。
【００２５】本発明を更に特定の態様に関して記載す
る。この態様は例として示すだけである。本発明はこれ
に限定されるものではない。この特定態様はＭLとＭHの
組合せの例としてＣｕとＣｏを扱う。この方法はレドッ
クス反応、非水溶媒および錯化剤を適当に選ぶことによ
り他の系に適用しうる。このプロセスはここに要点を記
載した原理に基づいて溶液化学を賢明に選ぶことによ
り、多重金属構造を含む広範な種類の状況において使用
しうる。
る。この態様は例として示すだけである。本発明はこれ
に限定されるものではない。この特定態様はＭLとＭHの
組合せの例としてＣｕとＣｏを扱う。この方法はレドッ
クス反応、非水溶媒および錯化剤を適当に選ぶことによ
り他の系に適用しうる。このプロセスはここに要点を記
載した原理に基づいて溶液化学を賢明に選ぶことによ
り、多重金属構造を含む広範な種類の状況において使用
しうる。
【００２６】銅の層を基板の表面に配置する。基板は半
導体チップまたは半導体チップパッケージ基板であるこ
とができる。好ましくは銅層は基板上の誘電体層上に配
置される。銅の層は基板上に、当該技術分野で一般に知
られている任意の手段例えばスパッター沈着、ケミカル
ベーパーデポジション、エバポレーション等により配置
される。銅層上にコバルトの層が配置される。コバルト
層はスパッター沈着、ケミカルベーパーデポジション、
エバポレーション電解鍍金または無電解鍍金等のような
当該技術分野で一般に知られている任意の手段により配
置しうる。コバルトは、銅層上にコバルトパターンを形
成するマスクを通して銅層上に配置しうる。代りに、前
記のようにリフトオフ層を銅層上に配置することがで
き、その中にパターンを一般に知られたフォトリソグラ
フィ技法により形成してリフトオフ層を通して銅層の表
面を露出することができる。コバルトをリフトオフ層上
におよびリフトオフ層のパターン中の銅表面上に配置す
ることができる。リフトオフ層を一般に知られたリスト
オフ溶剤により溶解して銅層の表面上にコバルト領域の
パターンを残すことができる。
導体チップまたは半導体チップパッケージ基板であるこ
とができる。好ましくは銅層は基板上の誘電体層上に配
置される。銅の層は基板上に、当該技術分野で一般に知
られている任意の手段例えばスパッター沈着、ケミカル
ベーパーデポジション、エバポレーション等により配置
される。銅層上にコバルトの層が配置される。コバルト
層はスパッター沈着、ケミカルベーパーデポジション、
エバポレーション電解鍍金または無電解鍍金等のような
当該技術分野で一般に知られている任意の手段により配
置しうる。コバルトは、銅層上にコバルトパターンを形
成するマスクを通して銅層上に配置しうる。代りに、前
記のようにリフトオフ層を銅層上に配置することがで
き、その中にパターンを一般に知られたフォトリソグラ
フィ技法により形成してリフトオフ層を通して銅層の表
面を露出することができる。コバルトをリフトオフ層上
におよびリフトオフ層のパターン中の銅表面上に配置す
ることができる。リフトオフ層を一般に知られたリスト
オフ溶剤により溶解して銅層の表面上にコバルト領域の
パターンを残すことができる。
【００２７】水性媒体中ではコバルトは銅層より反応性
が大きく、従ってコバルトは銅よりも容易かつ迅速に溶
解すると予期される。従って、Ｃｕ／Ｃｏ構造体中の銅
を酸化性媒体例えば水性媒体中でＣｏを攻撃することな
くエッチングすることは、不可能でないにしても困難で
ある。非水溶媒媒体中で第二銅イオンＣｕ+２は同等に
強力な酸化剤である。状況は非水性環境のような非酸化
性環境では異なる。第２銅イオンは図２のＭL +２に対応
する。第二銅イオンは図２のＭL ０に対応する金属銅と
反応してＭL +１に対応する第一銅イオンＣｕ+１を生成
する。
が大きく、従ってコバルトは銅よりも容易かつ迅速に溶
解すると予期される。従って、Ｃｕ／Ｃｏ構造体中の銅
を酸化性媒体例えば水性媒体中でＣｏを攻撃することな
くエッチングすることは、不可能でないにしても困難で
ある。非水溶媒媒体中で第二銅イオンＣｕ+２は同等に
強力な酸化剤である。状況は非水性環境のような非酸化
性環境では異なる。第２銅イオンは図２のＭL +２に対応
する。第二銅イオンは図２のＭL ０に対応する金属銅と
反応してＭL +１に対応する第一銅イオンＣｕ+１を生成
する。
【００２８】非水溶媒の例はアルコール（例えばメタノ
ール、エタノール、イソプロパノール）、エチレングリ
コール、テルピネオール、アセトニトリル、プロピレン
カーボネートである。このリストは例として示すだけで
あり、限定するものではない。
ール、エタノール、イソプロパノール）、エチレングリ
コール、テルピネオール、アセトニトリル、プロピレン
カーボネートである。このリストは例として示すだけで
あり、限定するものではない。
【００２９】非水性環境では第一銅イオン安定性は容易
に高められ、対照的に水溶液中では第一銅イオンは容易
に酸化されて第二銅イオンになる。非水溶媒中でアルケ
ンおよびアルキンは第一銅イオンと安定な錯体を形成す
る。
に高められ、対照的に水溶液中では第一銅イオンは容易
に酸化されて第二銅イオンになる。非水溶媒中でアルケ
ンおよびアルキンは第一銅イオンと安定な錯体を形成す
る。
【００３０】アルケンの例はシクロヘキセン、シクロオ
クテン、ｎ−ヘキセン、２−ブテン−１,４−ジオール
である。このリストは例として示すだけであり、限定す
るものではない。
クテン、ｎ−ヘキセン、２−ブテン−１,４−ジオール
である。このリストは例として示すだけであり、限定す
るものではない。
【００３１】アルキンの例は１−ヘキシン、３−ヘキシ
ン、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オール
である。このリストは例として示すだけであり、限定す
るものではない。
ン、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−オール
である。このリストは例として示すだけであり、限定す
るものではない。
【００３２】アルキンまたはアルケンは＋１酸化状態の
銅に配位を提供するためにそして溶液中の第一銅イオン
を安定化するために、即ち第二銅イオンが金属銅と反応
して第一銅イオンを生成するのにエネルギー論的に有利
となるように使用される。これは本質的に第二銅イオン
を一電子酸化剤として作用させる。従って第二銅イオン
は、より高い酸化ポテンシャルでの二電子プロセスを必
要とするコバルトのエッチングまたは排除には無力にさ
れる。
銅に配位を提供するためにそして溶液中の第一銅イオン
を安定化するために、即ち第二銅イオンが金属銅と反応
して第一銅イオンを生成するのにエネルギー論的に有利
となるように使用される。これは本質的に第二銅イオン
を一電子酸化剤として作用させる。従って第二銅イオン
は、より高い酸化ポテンシャルでの二電子プロセスを必
要とするコバルトのエッチングまたは排除には無力にさ
れる。
【００３３】コバルトは＋１酸化状態を容易には生成し
ないことが知られている。銅層とその上のコバルトのパ
ターンを含む構造体を銅塩、溶媒および錯化剤の非水溶
液中に浸漬する。銅塩は第二銅イオン源である。
ないことが知られている。銅層とその上のコバルトのパ
ターンを含む構造体を銅塩、溶媒および錯化剤の非水溶
液中に浸漬する。銅塩は第二銅イオン源である。
【００３４】本発明の実施に有用な銅塩の非限定的例示
リストはフッ化ホウ酸第二銅、トリフルオロメタンスル
ホン酸第二銅、メタンスルホン酸第二銅、過塩素酸第二
銅、ヘキサフルオロ燐酸第二銅である。
リストはフッ化ホウ酸第二銅、トリフルオロメタンスル
ホン酸第二銅、メタンスルホン酸第二銅、過塩素酸第二
銅、ヘキサフルオロ燐酸第二銅である。
【００３５】好ましくは溶液に脱水剤を、さもなければ
酸化媒体として作用するであろう痕跡量の水を除去する
ために添加する。脱水剤の例はオルトギ酸トリエチル、
ジメトキシプロパン、分子篩、シリカゲル、酸化カルシ
ウムである。このリストは例として示すだけであり、限
定するものではない。
酸化媒体として作用するであろう痕跡量の水を除去する
ために添加する。脱水剤の例はオルトギ酸トリエチル、
ジメトキシプロパン、分子篩、シリカゲル、酸化カルシ
ウムである。このリストは例として示すだけであり、限
定するものではない。
【００３６】アルケンおよびアルキンのそれぞれ二重お
よび三重結合官能性は第一銅イオンが錯生成する位置を
提供する。
よび三重結合官能性は第一銅イオンが錯生成する位置を
提供する。
【００３７】銅塩はいかなるタイプのものでもよいが、
コバルトの存在下で銅を優先的にエッチングする最大の
選択性を達成するためには非配位アニオンが好ましい。
非配位アニオンの例はテトラフルオロボレート、ヘキサ
フルオロホスフェートである。コバルトの存在下で銅を
エッチングすべき状況にはトリフルオロメタンスルホネ
ート、テトラフルオロボレート、パークロレート、ヘキ
サフルオロホスフェートアニオンを使用しうる。このリ
ストは例として示すだけであり、限定するものではな
い。
コバルトの存在下で銅を優先的にエッチングする最大の
選択性を達成するためには非配位アニオンが好ましい。
非配位アニオンの例はテトラフルオロボレート、ヘキサ
フルオロホスフェートである。コバルトの存在下で銅を
エッチングすべき状況にはトリフルオロメタンスルホネ
ート、テトラフルオロボレート、パークロレート、ヘキ
サフルオロホスフェートアニオンを使用しうる。このリ
ストは例として示すだけであり、限定するものではな
い。
【００３８】
【実施例】代表的実験では、銅塩としてのテトラフルオ
ロホウ酸第二銅をイソプロパノール中に約２〜約１０グ
ラム／８０mlの濃度で溶解した。この溶液に、好ましく
は約１０mlのオルトギ酸トリエチルおよび好ましくは約
１０mlのアルケンとしての２−ブテン−１,４−ジオー
ルを添加した。この溶液を約３０分〜約、好ましくは１
時間撹拌した。２〜４ミクロンの銅を有する基板および
１〜２ミクロンのコバルトを有する基板をエッチング溶
液中に入れた。次に銅およびコバルトのエッチング速度
を重量損失測定から決定した。いくつかの測定結果を表
１に示す。このエッチング溶液は適当なエッチング浴組
成の選択により、２００：１のオーダーの銅対コバルト
選択性比を提供しうる。
ロホウ酸第二銅をイソプロパノール中に約２〜約１０グ
ラム／８０mlの濃度で溶解した。この溶液に、好ましく
は約１０mlのオルトギ酸トリエチルおよび好ましくは約
１０mlのアルケンとしての２−ブテン−１,４−ジオー
ルを添加した。この溶液を約３０分〜約、好ましくは１
時間撹拌した。２〜４ミクロンの銅を有する基板および
１〜２ミクロンのコバルトを有する基板をエッチング溶
液中に入れた。次に銅およびコバルトのエッチング速度
を重量損失測定から決定した。いくつかの測定結果を表
１に示す。このエッチング溶液は適当なエッチング浴組
成の選択により、２００：１のオーダーの銅対コバルト
選択性比を提供しうる。
【００３９】
【表１】
【００４０】他の代表的実験では、２ミクロン厚の銅フ
ィルムのブランケット上に０〜１ミクロン厚のコバルト
パッドを有する試料基板を作った。この基板を、コバル
ト構造体をマスクせずにエッチング溶液中に入れる厳し
い試験にかけた。溶液はテトラフルオロホウ酸第二銅
（４グラム）、２−ブテン−１,４−ジオール（１０m
l）、オルトギ酸トリエチル（１０ml）、イソプロピル
アルコール（８０ml）を含有した。銅の選択的エッチン
グが達成された。銅を選択的にエッチングしうることが
示されたほかに、エッチングは非等方性であり、コバル
トパッドの下の銅領域中への検知しうるアンダーカット
はなかった。図１Ｅは表面２４に、第二銅イオンと金属
Ｃｕの反応が最小である不感（dead）層が存在するので
エッチングが非等方性であると考えられる。このことは
微細パターンのエッチングに非常に望ましい特徴であ
る。
ィルムのブランケット上に０〜１ミクロン厚のコバルト
パッドを有する試料基板を作った。この基板を、コバル
ト構造体をマスクせずにエッチング溶液中に入れる厳し
い試験にかけた。溶液はテトラフルオロホウ酸第二銅
（４グラム）、２−ブテン−１,４−ジオール（１０m
l）、オルトギ酸トリエチル（１０ml）、イソプロピル
アルコール（８０ml）を含有した。銅の選択的エッチン
グが達成された。銅を選択的にエッチングしうることが
示されたほかに、エッチングは非等方性であり、コバル
トパッドの下の銅領域中への検知しうるアンダーカット
はなかった。図１Ｅは表面２４に、第二銅イオンと金属
Ｃｕの反応が最小である不感（dead）層が存在するので
エッチングが非等方性であると考えられる。このことは
微細パターンのエッチングに非常に望ましい特徴であ
る。
【００４１】銅をニッケル、金、銅、鉄、チタン、錫、
鉛およびクロムのような他の一般にさほど易反応性でな
い金属の存在下に、低減されたアンダーカットで選択的
にエッチングすることもできる。
鉛およびクロムのような他の一般にさほど易反応性でな
い金属の存在下に、低減されたアンダーカットで選択的
にエッチングすることもできる。
【００４２】図１Ｅの構造は層４′に配置された唯一つ
の層１０′を示しているが、層１０′および４′の両方
共、前記参照によりここに組入れた米国特許４,９８５,
３１０号に記載されているような多層積重ね体であるこ
とができる。
の層１０′を示しているが、層１０′および４′の両方
共、前記参照によりここに組入れた米国特許４,９８５,
３１０号に記載されているような多層積重ね体であるこ
とができる。
【００４３】要するに、高反応性材料のジカチオンがこ
の材料と反応してモノカチオンを生成し、このモノカチ
オンがそれを消費する剤例えば錯化剤により消費される
ことにより安定化され、低反応性材料のジカチオンがエ
ネルギー論的に高反応性材料と反応するに好都合でない
環境を提供することにより、高反応性材料の存在下で低
反応性材料が優先的にエッチングされる。
の材料と反応してモノカチオンを生成し、このモノカチ
オンがそれを消費する剤例えば錯化剤により消費される
ことにより安定化され、低反応性材料のジカチオンがエ
ネルギー論的に高反応性材料と反応するに好都合でない
環境を提供することにより、高反応性材料の存在下で低
反応性材料が優先的にエッチングされる。
【００４４】上記態様は単に本発明の原理を説明するだ
けであることが理解されるべきである。本発明の原理を
具体化しそして本発明の精神および範囲内に入る種々の
他の変形および変更を当該技術分野の当業者はなすこと
ができる。
けであることが理解されるべきである。本発明の原理を
具体化しそして本発明の精神および範囲内に入る種々の
他の変形および変更を当該技術分野の当業者はなすこと
ができる。
【００４５】以上、本発明を詳細に説明したが、本発明
は更に次の実施態様によってこれを要約して示すことが
できる。
は更に次の実施態様によってこれを要約して示すことが
できる。
【００４６】１） 第１材料の物体および第２材料の物
体を化学環境中に用意し；前記第１材料は低および高酸
化状態を有する第１成分を含有し；前記第２材料は前記
第１成分の低酸化状態よりも大きいエネルギーの酸化状
態を有する第２成分を含有し；エネルギー論的に前記第
１成分から電子を受容しやすいがエネルギー論的に前記
第２成分から電子を受容しにくい第１カチオンを前記化
学環境に供給し；電子が前記第１成分から前記第１カチ
オンへ移動し、それにより第１カチオンは低酸化状態の
第２カチオンに変化し、その結果前記第１物体は前記第
１成分の低酸化状態のカチオンである第３カチオンを前
記環境中に放出し、そして第１材料のエッチングを生
じ；前記第２カチオンおよび前記第３カチオンを消費す
る剤を前記環境中に供給し、それにより更なる前記第３
カチオンを前記環境中に放出させ、その結果前記第２物
体よりも前記第１物体がエッチングされることを含むエ
ッチング方法。
体を化学環境中に用意し；前記第１材料は低および高酸
化状態を有する第１成分を含有し；前記第２材料は前記
第１成分の低酸化状態よりも大きいエネルギーの酸化状
態を有する第２成分を含有し；エネルギー論的に前記第
１成分から電子を受容しやすいがエネルギー論的に前記
第２成分から電子を受容しにくい第１カチオンを前記化
学環境に供給し；電子が前記第１成分から前記第１カチ
オンへ移動し、それにより第１カチオンは低酸化状態の
第２カチオンに変化し、その結果前記第１物体は前記第
１成分の低酸化状態のカチオンである第３カチオンを前
記環境中に放出し、そして第１材料のエッチングを生
じ；前記第２カチオンおよび前記第３カチオンを消費す
る剤を前記環境中に供給し、それにより更なる前記第３
カチオンを前記環境中に放出させ、その結果前記第２物
体よりも前記第１物体がエッチングされることを含むエ
ッチング方法。
【００４７】２） 前記化学環境が溶液である前項１記
載の方法。 ３） 前記第１材料が金属である前項１記載の方法。 ４） 前記剤が錯化剤である前項１記載の方法。 ５） 前記第１材料が銅である前項１記載の方法。
載の方法。 ３） 前記第１材料が金属である前項１記載の方法。 ４） 前記剤が錯化剤である前項１記載の方法。 ５） 前記第１材料が銅である前項１記載の方法。
【００４８】６） 前記第２材料がＰｂ、Ｓｎ、Ａｌ、
Ｆｅ、ＡｕおよびＣｏおよびそれらの合金からなる群か
ら選ばれる前項１記載の方法。 ７） 前記第３カチオンの消費が結果として前記第１物
体のエッチングを生ずる前項１記載の方法。 ８） 前記環境が不活性ガスである前項１記載の方法。 ９） 前記第１物体が前記第２物体と接触して配置され
る前項１記載の方法。 １０） 前記錯化剤が２−ブテン−１,４−ジオール、
シクロヘキセン、２−ブチン−１−オール、１−ヘキシ
ンからなる群から選ばれる前項３記載の方法。
Ｆｅ、ＡｕおよびＣｏおよびそれらの合金からなる群か
ら選ばれる前項１記載の方法。 ７） 前記第３カチオンの消費が結果として前記第１物
体のエッチングを生ずる前項１記載の方法。 ８） 前記環境が不活性ガスである前項１記載の方法。 ９） 前記第１物体が前記第２物体と接触して配置され
る前項１記載の方法。 １０） 前記錯化剤が２−ブテン−１,４−ジオール、
シクロヘキセン、２−ブチン−１−オール、１−ヘキシ
ンからなる群から選ばれる前項３記載の方法。
【００４９】１１） 前記溶液がメタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、テ
ルピネオールおよびそれらの混合物からなる群から選ば
れる溶媒を含有する前項２記載の方法。 １２） 前記錯化剤がアルケンおよびアルキンからなる
群から選ばれる前項３記載の方法。 １３） 前記環境が非酸化性である前項１記載の方法。 １４） 前記溶液が実質的に非水性である前項２記載の
方法。 １５） 前記溶液が脱水剤を含有する前項２記載の方
法。
ル、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、テ
ルピネオールおよびそれらの混合物からなる群から選ば
れる溶媒を含有する前項２記載の方法。 １２） 前記錯化剤がアルケンおよびアルキンからなる
群から選ばれる前項３記載の方法。 １３） 前記環境が非酸化性である前項１記載の方法。 １４） 前記溶液が実質的に非水性である前項２記載の
方法。 １５） 前記溶液が脱水剤を含有する前項２記載の方
法。
【００５０】１６） 前記第２物体が前記第１物体上に
パターンを形成しそして前記第３カチオンの消費が結果
として前記パターンにより覆われていない前記第１物体
の領域で第１物体のエッチングを生ずる前項９記載の方
法。 １７） 前記エッチングが非等方性である前項１６記載
の方法。 １８） 前記パターン化された層の厚さが少なくとも単
層からなるものである前項１６記載の方法。 １９） 前記溶液が化学的機械的研摩スラリー用溶液で
ある前項２記載の方法。
パターンを形成しそして前記第３カチオンの消費が結果
として前記パターンにより覆われていない前記第１物体
の領域で第１物体のエッチングを生ずる前項９記載の方
法。 １７） 前記エッチングが非等方性である前項１６記載
の方法。 １８） 前記パターン化された層の厚さが少なくとも単
層からなるものである前項１６記載の方法。 １９） 前記溶液が化学的機械的研摩スラリー用溶液で
ある前項２記載の方法。
【００５１】２０） 上にＣｕの層を有する基板を用意
し；Ｐｄ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ａｕ
およびＣｏおよびそれらの合金からなる群から選ばれる
材料のパターン化された層を前記Ｃｕ層上に配置し；上
に前記パターン化層を有する前記Ｃｕ層を錯化剤を含有
する溶液と接触させ；前記溶液中に、前記Ｃｕ層と反応
して溶液中に第一銅イオンを生成する第二銅イオンを供
給し、ここで生成する第一銅イオンは前記錯化剤と錯体
を形成し；前記パターン化層は前記第二銅イオンと実質
的に非反応性であり、それにより前記Ｃｕ層の露出域は
前記溶液中に溶解して前記パターン化層の下にパターン
化Ｃｕ層を形成することを含む方法。
し；Ｐｄ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ａｕ
およびＣｏおよびそれらの合金からなる群から選ばれる
材料のパターン化された層を前記Ｃｕ層上に配置し；上
に前記パターン化層を有する前記Ｃｕ層を錯化剤を含有
する溶液と接触させ；前記溶液中に、前記Ｃｕ層と反応
して溶液中に第一銅イオンを生成する第二銅イオンを供
給し、ここで生成する第一銅イオンは前記錯化剤と錯体
を形成し；前記パターン化層は前記第二銅イオンと実質
的に非反応性であり、それにより前記Ｃｕ層の露出域は
前記溶液中に溶解して前記パターン化層の下にパターン
化Ｃｕ層を形成することを含む方法。
【００５２】２１） 前記錯化剤がアルケンおよびアル
キンからなる群から選ばれる前項２０記載の方法。 ２２） 前記Ｃｕ層の前記溶解が非等方性である前項２
１記載の方法。 ２３） 溶液にテトラフルオロホウ酸第二銅、ヘキサフ
ルオロ燐酸第二銅、メタンスルホン酸第二銅からなる群
から選ばれる第二銅塩を供給することにより前記第二銅
イオンが供給される前項２０記載の方法。 ２４） 上にＣｕの層を有する基板を用意し；Ｃｏのパ
ターン化された層を前記Ｃｕ層上に配置し；上に前記パ
ターン化層を有する前記Ｃｕ層をアルケンおよびアルキ
ンからなる群から選ばれる錯化剤を含有する非水溶液と
接触させ；前記溶液中に、前記Ｃｕ層と反応して溶液中
に第一銅イオンを生成する第二銅イオンを供給し、ここ
で生成する第一銅イオンは前記錯化剤と錯体を形成し；
前記パターン化層は前記第二銅イオンと実質的に非反応
性であり、それにより前記Ｃｕ層の露出域は前記溶液中
に溶解して前記パターン化層の下にパターン化Ｃｕ層を
形成することを含む方法。
キンからなる群から選ばれる前項２０記載の方法。 ２２） 前記Ｃｕ層の前記溶解が非等方性である前項２
１記載の方法。 ２３） 溶液にテトラフルオロホウ酸第二銅、ヘキサフ
ルオロ燐酸第二銅、メタンスルホン酸第二銅からなる群
から選ばれる第二銅塩を供給することにより前記第二銅
イオンが供給される前項２０記載の方法。 ２４） 上にＣｕの層を有する基板を用意し；Ｃｏのパ
ターン化された層を前記Ｃｕ層上に配置し；上に前記パ
ターン化層を有する前記Ｃｕ層をアルケンおよびアルキ
ンからなる群から選ばれる錯化剤を含有する非水溶液と
接触させ；前記溶液中に、前記Ｃｕ層と反応して溶液中
に第一銅イオンを生成する第二銅イオンを供給し、ここ
で生成する第一銅イオンは前記錯化剤と錯体を形成し；
前記パターン化層は前記第二銅イオンと実質的に非反応
性であり、それにより前記Ｃｕ層の露出域は前記溶液中
に溶解して前記パターン化層の下にパターン化Ｃｕ層を
形成することを含む方法。
【図１】高反応性材料の存在下で低反応性材料をエッチ
ングする従来技術の方法の順序段階をＡ〜Ｅで示す説明
図。
ングする従来技術の方法の順序段階をＡ〜Ｅで示す説明
図。
【図２】本発明の方法に従って高反応性材料の存在下で
低反応性材料をエッチングするための、低反応性材料お
よび高反応性材料を含む化学環境を示す説明図。
低反応性材料をエッチングするための、低反応性材料お
よび高反応性材料を含む化学環境を示す説明図。
２ 基板 ４ 低反応性材料層 ４′ パターン化低反応性材料 １０ 高反応性材料層 １０′ 高反応性材料パターン １６ 化学環境 １８ 低反応性材料物体 ２０ 高反応性材料物体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サンパート・プルシヨツトハーマン アメリカ合衆国ニユーヨーク州10598．ヨ ークタウンハイツ．ラボイコート2075 (72)発明者 スコツト・アンソニー・シコルスキー アメリカ合衆国マサチユーセツツ州02139. ケンブリツジ．シドニーストリート264 (56)参考文献 特開 昭59−20471（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−115383（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−13438（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−73560（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】 その上にＣｕ層を有する基体を準備し；
Ｐｄ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ａｕおよ
びＣｏならびにそれらの合金よりなる群から選ばれた物
質のパターン化された層を前記Ｃｕ層上に配置し；前記
Ｃｕ層と共にその上のパターン化層を錯化剤と脱水剤と
を含有する非水溶液に接触させ；前記溶液中に付与され
た第２銅イオンと前記Ｃｕ層が反応して前記錯化剤と錯
体を形成する第１銅イオンを溶液中に生成させ；前記パ
ターン化層は前記第２銅イオンと実質的に反応せず、そ
れにより前記Ｃｕ層の露出した領域が溶液中に溶解して
前記パターン化層の下にＣｕ層のパターンを形成する；
ことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 錯化剤がアルケン類およびアルキン類よ
りなる群から選ばれる請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 錯化剤が２−ブテン−１，４−ジオー
ル、シクロヘキサン、２−ブチン−１−オールおよび１
−ヘキシンよりなる群から選ばれる請求項１または２に
記載の方法。 - 【請求項４】 非水溶液がメタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、エチレングリコール、テルペノ
ールおよびそれらの混合物よりなる群から選ばれる溶剤
を含有する請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 第２銅イオンがテトラフルオロ硼酸第２
銅、ヘキサフルオロリン酸第２銅およびメタンスルホン
酸第２銅よりなる群から選ばれる第２銅塩から付与され
る請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US785445 | 1991-10-18 | ||
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