JPH0758770B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0758770B2 JPH0758770B2 JP61011343A JP1134386A JPH0758770B2 JP H0758770 B2 JPH0758770 B2 JP H0758770B2 JP 61011343 A JP61011343 A JP 61011343A JP 1134386 A JP1134386 A JP 1134386A JP H0758770 B2 JPH0758770 B2 JP H0758770B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- register
- vertical
- horizontal
- vertical register
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体撮像装置に関し、特にCCD（電荷転送装
置）を用いた２次元固体撮像装置に関する。
置）を用いた２次元固体撮像装置に関する。
CCDを用いた２次元固体撮像装置は、第３図に示すよう
に複数の受光素子Ｃと複数の垂直レジスタＢと水平レジ
スタＡから構成されている。このような固体撮像装置に
入射した光は、各受光素子Ｃにより、光電変換された信
号電荷が一定の期間蓄えられる。蓄えられた信号電荷は
一斉に垂直レジスタＢに転送され、表面の電極に加えら
れたパルスにより順次水平レジスタＡの方向に転送され
る。水平レジスタＣに到達した電荷は水平レジスタの電
極に加えられたパルスにより出力部Ｄに転送される。
に複数の受光素子Ｃと複数の垂直レジスタＢと水平レジ
スタＡから構成されている。このような固体撮像装置に
入射した光は、各受光素子Ｃにより、光電変換された信
号電荷が一定の期間蓄えられる。蓄えられた信号電荷は
一斉に垂直レジスタＢに転送され、表面の電極に加えら
れたパルスにより順次水平レジスタＡの方向に転送され
る。水平レジスタＣに到達した電荷は水平レジスタの電
極に加えられたパルスにより出力部Ｄに転送される。
第４図は、垂直レジスタと水平レジスタの接続部を示す
平面図で、第３図の斜線部分を拡大した模式図である。
Ａは水平レジスタ、Ｂは垂直レジスタの領域を示し、１
は水平レジスタの表面に形成された電極、２−4,2−2,2
−３は垂直レジスタの表面に形成された電極を示す斜線
部分４はチャンネル領域であり、水平レジスタのチャン
ネル領域は、垂直レジスタと接する部分で狭くなってい
る。
平面図で、第３図の斜線部分を拡大した模式図である。
Ａは水平レジスタ、Ｂは垂直レジスタの領域を示し、１
は水平レジスタの表面に形成された電極、２−4,2−2,2
−３は垂直レジスタの表面に形成された電極を示す斜線
部分４はチャンネル領域であり、水平レジスタのチャン
ネル領域は、垂直レジスタと接する部分で狭くなってい
る。
第５図は、第４図のII−II´線上の断面を模式的に示し
たもので、１は、水平レジスタの表面に形成された電
極、２−1,2−2,2−３は垂直レジスタの表面に形成され
た電極を示す。各電極は絶縁膜３によって電気的に分離
されている。４はＮ型領域で６のＰ型基板に対して埋込
みチャンネルを形成している。第４図で説明したよう
に、水平レジスタのチャンネルは、垂直レジスタで接す
る部分で狭くなっている。このため水平レジスタの電位
井戸７は、狭チャンネル効果により充分浅くなり、水平
レジスタから出力回路への電荷転送時に、垂直レジスタ
に接する部分で電荷が残って、水平レジスタ内に電荷の
取り残しが起こることを防いでいる。
たもので、１は、水平レジスタの表面に形成された電
極、２−1,2−2,2−３は垂直レジスタの表面に形成され
た電極を示す。各電極は絶縁膜３によって電気的に分離
されている。４はＮ型領域で６のＰ型基板に対して埋込
みチャンネルを形成している。第４図で説明したよう
に、水平レジスタのチャンネルは、垂直レジスタで接す
る部分で狭くなっている。このため水平レジスタの電位
井戸７は、狭チャンネル効果により充分浅くなり、水平
レジスタから出力回路への電荷転送時に、垂直レジスタ
に接する部分で電荷が残って、水平レジスタ内に電荷の
取り残しが起こることを防いでいる。
上述した従来の固体撮像装置においては、第４図に示さ
れた従来例のように、垂直レジスタのチャンネル幅より
も狭く水平レジスタの垂直レジスタと接する部分のチャ
ンネル幅を設定しなければならなかった。この理由は、
垂直レジスタの転送電荷量をできるだけ確保するには、
垂直レジスタのチャンネル幅をなるべく広げて容量を増
やす必要があり、一方水平レジスタから出力回路への電
荷転送時に、電荷の取り残しがおきず、かつ水平レジス
タの転送電荷量を多く確保するには、水平レジスタの垂
直レジスタと接する部分のチャンネル幅をできるだけ狭
くする必要があったからである。しかし、このような従
来例の固体撮像装置では、水平レジスタの垂直レジスタ
と接する部分のチャンネル幅が垂直レジスタのチャンネ
ル幅よりも狭くしすぎると垂直レジスタから水平レジス
タの電荷の移動がスムーズにおこなわれずに、電荷が垂
直レジスタに取り残される欠点があるため、設計の際十
分な配慮を必要とし、狭いチャンネル幅の実現には微細
加工技術を必要とするため素子の歩留りを低くする欠点
があった。
れた従来例のように、垂直レジスタのチャンネル幅より
も狭く水平レジスタの垂直レジスタと接する部分のチャ
ンネル幅を設定しなければならなかった。この理由は、
垂直レジスタの転送電荷量をできるだけ確保するには、
垂直レジスタのチャンネル幅をなるべく広げて容量を増
やす必要があり、一方水平レジスタから出力回路への電
荷転送時に、電荷の取り残しがおきず、かつ水平レジス
タの転送電荷量を多く確保するには、水平レジスタの垂
直レジスタと接する部分のチャンネル幅をできるだけ狭
くする必要があったからである。しかし、このような従
来例の固体撮像装置では、水平レジスタの垂直レジスタ
と接する部分のチャンネル幅が垂直レジスタのチャンネ
ル幅よりも狭くしすぎると垂直レジスタから水平レジス
タの電荷の移動がスムーズにおこなわれずに、電荷が垂
直レジスタに取り残される欠点があるため、設計の際十
分な配慮を必要とし、狭いチャンネル幅の実現には微細
加工技術を必要とするため素子の歩留りを低くする欠点
があった。
本発明の固体撮像装置は、垂直レジスタのチャンネル部
と水平レジスタの垂直レジスタと接するチャンネル部に
基板より高濃度で基板と同一導電型の領域を設けたこと
を特徴としている。
と水平レジスタの垂直レジスタと接するチャンネル部に
基板より高濃度で基板と同一導電型の領域を設けたこと
を特徴としている。
本発明によれば、従来のように水平レジストの垂直レジ
スタと接するチャンネル部を狭くする必要がなく、設計
が簡単でかつ歩留りの高い固体撮像素子を実現できる。
スタと接するチャンネル部を狭くする必要がなく、設計
が簡単でかつ歩留りの高い固体撮像素子を実現できる。
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。第１図は
本発明の一実施例の固体撮像装置の垂直レジスタと水平
レジスタの接続部を示す平面図である。図において従来
例で説明した第４図と同一番号のものは、同一のものを
示す。従来例の第４図と比較して本発明の第１図は、斜
線領域で示したチャンネル領域４が水平レジスタの垂直
レジスタで接している部分において狭くなっていない。
本発明の一実施例の固体撮像装置の垂直レジスタと水平
レジスタの接続部を示す平面図である。図において従来
例で説明した第４図と同一番号のものは、同一のものを
示す。従来例の第４図と比較して本発明の第１図は、斜
線領域で示したチャンネル領域４が水平レジスタの垂直
レジスタで接している部分において狭くなっていない。
したがって、垂直レジスタから水平レジスタへ電荷を転
送する際は、スムーズに電荷を移送することができる。
送する際は、スムーズに電荷を移送することができる。
第２図は、第５図と同様に第１図のＩ−Ｉ´線上の断面
を模式的に示したものである。図において従来例で説明
した第５図と同一番号のものは、同じものを示す。本実
施例の特徴は、垂直レジスタと水平レジスタの垂直レジ
スタに接する部分のＰ型基板６の表面に基板濃度より濃
いＰ型領域５を設けていることにある。この高濃度のＰ
型領域５により、垂直レジスタは、単位面積あたりの容
量が増大するため、従来例に比べてさらにチャンネル幅
を狭くすることが可能になる。また、垂直レジスタと水
平レジスタに接する部分に相当するＰ型基板６とＮ型領
域との間にも高濃度のＰ型領域が存在するので、従来例
の第４図のように、この部分を狭くすることなく、水平
レジスタの電位井戸７を充分浅くすることができる。こ
のため、垂直レジスタから水平レジスタへの電荷転送は
スムーズになり、水平レジスタから出力回路への転送に
おいても電荷の取り残しが生じない。
を模式的に示したものである。図において従来例で説明
した第５図と同一番号のものは、同じものを示す。本実
施例の特徴は、垂直レジスタと水平レジスタの垂直レジ
スタに接する部分のＰ型基板６の表面に基板濃度より濃
いＰ型領域５を設けていることにある。この高濃度のＰ
型領域５により、垂直レジスタは、単位面積あたりの容
量が増大するため、従来例に比べてさらにチャンネル幅
を狭くすることが可能になる。また、垂直レジスタと水
平レジスタに接する部分に相当するＰ型基板６とＮ型領
域との間にも高濃度のＰ型領域が存在するので、従来例
の第４図のように、この部分を狭くすることなく、水平
レジスタの電位井戸７を充分浅くすることができる。こ
のため、垂直レジスタから水平レジスタへの電荷転送は
スムーズになり、水平レジスタから出力回路への転送に
おいても電荷の取り残しが生じない。
以上説明したように本発明は、基板と同一の導電型のＰ
型領域を垂直レジスタの埋め込みチャンネルと水平レジ
スタの垂直レジスタと接する部分の埋め込みチャンネル
に設けたことにより、水来レジスタの垂直レジスタと接
する部分のチャンネルを狭くすることなく水平レジスタ
と垂直レジスタを接続することができる。このことによ
り、本発明の固体撮像装置では、垂直レジスタの単位面
積あたりの容量増加にともなう高密度化及び水平レジス
タから垂直レジスタの転送不良にともなう、歩留りの劣
化を防ぐ必要がある。
型領域を垂直レジスタの埋め込みチャンネルと水平レジ
スタの垂直レジスタと接する部分の埋め込みチャンネル
に設けたことにより、水来レジスタの垂直レジスタと接
する部分のチャンネルを狭くすることなく水平レジスタ
と垂直レジスタを接続することができる。このことによ
り、本発明の固体撮像装置では、垂直レジスタの単位面
積あたりの容量増加にともなう高密度化及び水平レジス
タから垂直レジスタの転送不良にともなう、歩留りの劣
化を防ぐ必要がある。
第１図は本発明の一実施例の固体撮像装置の垂直レジス
タと水平レジスタの接続部を示す平面図、第２図は第１
図のＩ−Ｉ´線上の断面図、第３図は従来の固体撮像装
置の全体を示す模式図、第４図は従来の固体撮像装置の
垂直レジスタと水平レジスタの接続部を示す平面図、第
５図は第４図のII−II´線上の断面図である。 １……水平レジスタの電極、２−1,2−2,2−3,……垂直
レジスタの電極、３……絶縁膜、４……Ｎ型領域、５…
…基板濃度より高いＰ型領域、６……Ｐ型基板、７……
水平レジスタの電位井戸、Ａ……水平レジスタ、Ｂ……
垂直レジスタ、Ｃ……受光素子。
タと水平レジスタの接続部を示す平面図、第２図は第１
図のＩ−Ｉ´線上の断面図、第３図は従来の固体撮像装
置の全体を示す模式図、第４図は従来の固体撮像装置の
垂直レジスタと水平レジスタの接続部を示す平面図、第
５図は第４図のII−II´線上の断面図である。 １……水平レジスタの電極、２−1,2−2,2−3,……垂直
レジスタの電極、３……絶縁膜、４……Ｎ型領域、５…
…基板濃度より高いＰ型領域、６……Ｐ型基板、７……
水平レジスタの電位井戸、Ａ……水平レジスタ、Ｂ……
垂直レジスタ、Ｃ……受光素子。
Claims (1)
- 【請求項１】一導電型を有する半導体基板に形成された
複数の受光素子と、複数列の埋め込みチャンネル構造の
垂直レジスタと、該垂直レジスタの一端に隣接して設け
られた埋め込みチャンネル構造の水平レジスタと、該水
平レジスタの一端に設けられた出力回路とを具備する固
体撮像装置において、前記垂直レジスタ及び水平レジス
タは前記一導電型の半導体基板上に形成された逆導電型
領域を有し、これら半導体基板と逆導電型領域との間に
前記半導体基板より濃度の高い一導電型の高濃度領域
が、前記垂直レジスタのチャンネル部のみならず前記水
平レジスタと前記垂直レジスタとが接触する部分のチャ
ンネル部をも含めて形成されており、かつ前記垂直レジ
スタは同一チャンネル幅のまま前記水平レジスタと接触
するように設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011343A JPH0758770B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011343A JPH0758770B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169363A JPS62169363A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0758770B2 true JPH0758770B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=11775386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011343A Expired - Lifetime JPH0758770B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758770B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125969A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6085559A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPS60160657A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP61011343A patent/JPH0758770B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62169363A (ja) | 1987-07-25 |
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