JPS62169363A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS62169363A JPS62169363A JP61011343A JP1134386A JPS62169363A JP S62169363 A JPS62169363 A JP S62169363A JP 61011343 A JP61011343 A JP 61011343A JP 1134386 A JP1134386 A JP 1134386A JP S62169363 A JPS62169363 A JP S62169363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- register
- vertical
- horizontal
- state imaging
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像装置に関し、特にＣＣＤ（電荷転送
装置）を用い７’Ｃ２次元固体撮像装置に関する０ 〔従来の技術〕 ＣＯＤを用いた２次元固体撮像装ｆ！１に、第３図に示
すように複数の受光素子Ｃと複数の垂直レジスタＢと水
平レジスタＡから構放さｎている０このような固体撮像
装置に入射した光は、各受光素子ＣＫより、光！変換さ
れた信号電荷が一定の期間蓄えらｎる０蓄えらｎた信号
電荷は一斉に垂直レジスタＢに転送され、表面の′＃ｌ
Ｌ極に刃口えら２″したパルスにエフ順次水平レジスタ
Ａの方向に転送される。水平レジスタＣに到達した電荷
は水平レジスタの電極に加えらｎたパルスに工り出力部
りに転送さｎる０ 第４図は、垂直レジスタと水平レジスタの接続部を示す
平面図で、第３凶の斜線部分全拡大した模式図である。
装置）を用い７’Ｃ２次元固体撮像装置に関する０ 〔従来の技術〕 ＣＯＤを用いた２次元固体撮像装ｆ！１に、第３図に示
すように複数の受光素子Ｃと複数の垂直レジスタＢと水
平レジスタＡから構放さｎている０このような固体撮像
装置に入射した光は、各受光素子ＣＫより、光！変換さ
れた信号電荷が一定の期間蓄えらｎる０蓄えらｎた信号
電荷は一斉に垂直レジスタＢに転送され、表面の′＃ｌ
Ｌ極に刃口えら２″したパルスにエフ順次水平レジスタ
Ａの方向に転送される。水平レジスタＣに到達した電荷
は水平レジスタの電極に加えらｎたパルスに工り出力部
りに転送さｎる０ 第４図は、垂直レジスタと水平レジスタの接続部を示す
平面図で、第３凶の斜線部分全拡大した模式図である。
Ａに水平レジスタ％ Ｂは垂直レジスタの領域全示し、
１は水平レジスタの表面に形成さｎ′ｆｃ’ｍ；ｉｓ、
２−１．２−２．２−３ｉｊ垂直しジスタの表面に形
成された電極を示す斜線部分４はチャンネル領域であり
、水平レジスタのチャンネル領域は、垂直レジスタと接
する部分で狭くなっている。
１は水平レジスタの表面に形成さｎ′ｆｃ’ｍ；ｉｓ、
２−１．２−２．２−３ｉｊ垂直しジスタの表面に形
成された電極を示す斜線部分４はチャンネル領域であり
、水平レジスタのチャンネル領域は、垂直レジスタと接
する部分で狭くなっている。
第５図は、第４図のｎ−ｎ’綾線上断面全模式的に示し
たもので、１は、水平レジスタの表面に形成された電極
、２−１．２−２．２−３は垂直レジスタの表面に形成
されたｔ極を示す。各電極は絶縁膜３によって電気的に
分離されている。４はＮ型領域で６のＰ型基板に対して
埋込みチャンネルを形成している。第４図で説明したよ
うに。
たもので、１は、水平レジスタの表面に形成された電極
、２−１．２−２．２−３は垂直レジスタの表面に形成
されたｔ極を示す。各電極は絶縁膜３によって電気的に
分離されている。４はＮ型領域で６のＰ型基板に対して
埋込みチャンネルを形成している。第４図で説明したよ
うに。
水平レジスタのチャンネルは、垂直レジスタで接する部
分で狭くなっている。このため水平レジスタの電位井戸
７は、狭チャンネル効果に工す充分浅くなり、水平レジ
スタから出力回路への電荷転送時に、垂直レジスタに接
する部分で電荷が残って、水平レジスタ内に電荷の取り
残しが起こることを防いでいる。
分で狭くなっている。このため水平レジスタの電位井戸
７は、狭チャンネル効果に工す充分浅くなり、水平レジ
スタから出力回路への電荷転送時に、垂直レジスタに接
する部分で電荷が残って、水平レジスタ内に電荷の取り
残しが起こることを防いでいる。
上述した従来の固体撮像装置においてに、第４図に示さ
れた従来例のように、垂直レジスタのチャンネル幅より
も狭く水平レジスタの垂直レジスタと接する部分のチャ
ンネル幅を設定しなければならなかった。この理由は、
垂直レジスタの転送電荷ｉをできるだけ確保するには、
垂直レジスタのチャンネル幅をなるべく広げて容ｔＶ増
やす必要があり、一方水平レジスタから出力回路への電
荷転送時に、電荷の取り残しがおきず、かつ水平レジス
タの転送電荷量を多く確保するには、水平レジスタの垂
直レジスタと接する部分のチャンネル幅をできるだけ狭
くする必要があったからである。しかし、このような従
来例の固体撮像装置では、水平レジスタの垂直レジスタ
と接する部分のチャンネル幅が垂直レジスタのチャンネ
ル幅エクも狭くしすぎると垂直レジスタから水平レジス
タの電荷の移動がスムーズにおこなわｎずに、′ｉ！ｆ
、荷が垂直レジスタに取り残される欠点があるため。
れた従来例のように、垂直レジスタのチャンネル幅より
も狭く水平レジスタの垂直レジスタと接する部分のチャ
ンネル幅を設定しなければならなかった。この理由は、
垂直レジスタの転送電荷ｉをできるだけ確保するには、
垂直レジスタのチャンネル幅をなるべく広げて容ｔＶ増
やす必要があり、一方水平レジスタから出力回路への電
荷転送時に、電荷の取り残しがおきず、かつ水平レジス
タの転送電荷量を多く確保するには、水平レジスタの垂
直レジスタと接する部分のチャンネル幅をできるだけ狭
くする必要があったからである。しかし、このような従
来例の固体撮像装置では、水平レジスタの垂直レジスタ
と接する部分のチャンネル幅が垂直レジスタのチャンネ
ル幅エクも狭くしすぎると垂直レジスタから水平レジス
タの電荷の移動がスムーズにおこなわｎずに、′ｉ！ｆ
、荷が垂直レジスタに取り残される欠点があるため。
設計の際十分な配慮全必要とし、狭いチャンネル幅の実
現には微細加工技術を必要とする友め素子の歩留りを低
くする欠点があった。
現には微細加工技術を必要とする友め素子の歩留りを低
くする欠点があった。
本発明の固体撮像装置は、垂直レジスタのチャンネル部
と水平レジスタの垂直レジスタと接するチャンネル部に
基板より高濃度で基板と同一導電型の領域金膜けたこと
を特徴としている。
と水平レジスタの垂直レジスタと接するチャンネル部に
基板より高濃度で基板と同一導電型の領域金膜けたこと
を特徴としている。
本発明によれば、従来の↓うに水平レジスタの垂直レジ
スタと接するチャンネル部奮狭くする必要がなく、設計
が蘭単でかつ歩留シの高い固体撮像素子を実現できる０ 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する０第１図は
本発明の一実施例の固体撮像装置の垂直レジスタと水平
レジスタの接続部を示す平面図である。図において従来
例で説明した第４図と同一番号のものは、同一のものを
示す。従来例の第４図と比較して本発明の第１図は、斜
線領域で示したチャンネル領域４が水平レジスタの垂直
レジスタで接している部分において狭くなっていない。
スタと接するチャンネル部奮狭くする必要がなく、設計
が蘭単でかつ歩留シの高い固体撮像素子を実現できる０ 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する０第１図は
本発明の一実施例の固体撮像装置の垂直レジスタと水平
レジスタの接続部を示す平面図である。図において従来
例で説明した第４図と同一番号のものは、同一のものを
示す。従来例の第４図と比較して本発明の第１図は、斜
線領域で示したチャンネル領域４が水平レジスタの垂直
レジスタで接している部分において狭くなっていない。
したがって、垂直レジスタから水平Ｖジスタヘ電荷を転
送する際は、スムーズに電荷を移送することができる。
送する際は、スムーズに電荷を移送することができる。
第２図は、第５図と同様に第１図のｌ Ｉ’編線上断面
を模式的に示したものである。図において従来例で説明
した第５図と同一番号のものは、同じものを示す。本実
施例の特徴は、垂直レジスタと水平レジスタの垂直レジ
スタに接する部分の表面に基板！１度より濃いＰ型領域
５を設けていることにある。この高＃度のＰ型領域５に
より、垂直レジスタは、単位面積あたりの容重が増大す
る几め、従来例に比べてさらにチャンネル幅金狭くする
ことが可能になる。また、垂直レジスタと水平レジスタ
に接する部分のチャンネル領域表面にも高き度のＰ型領
域が存在するので、従来例の第４図のように、この部分
を狭くすることなく、水平レジスタの゛電位井戸７を充
分浅くすることができる。このため、垂直レジスタから
水平レジスタへの電荷転送はスムーズになり、水平レジ
スタから出力回路への転送においても電荷の取り残しが
生じない。
を模式的に示したものである。図において従来例で説明
した第５図と同一番号のものは、同じものを示す。本実
施例の特徴は、垂直レジスタと水平レジスタの垂直レジ
スタに接する部分の表面に基板！１度より濃いＰ型領域
５を設けていることにある。この高＃度のＰ型領域５に
より、垂直レジスタは、単位面積あたりの容重が増大す
る几め、従来例に比べてさらにチャンネル幅金狭くする
ことが可能になる。また、垂直レジスタと水平レジスタ
に接する部分のチャンネル領域表面にも高き度のＰ型領
域が存在するので、従来例の第４図のように、この部分
を狭くすることなく、水平レジスタの゛電位井戸７を充
分浅くすることができる。このため、垂直レジスタから
水平レジスタへの電荷転送はスムーズになり、水平レジ
スタから出力回路への転送においても電荷の取り残しが
生じない。
以上説明したように本発明は、基板と同一の導を型のＰ
壁領域を垂直レジスタの埋め込みチャンネルと水平レジ
スタの垂直レジスタと接する部分の埋め込みチャンネル
に設けたことにより、水米レジスタの垂直レジスタと接
する部分のチャンネルを狭くすることなく水平レジスタ
と垂直レジスタを接続することができる。このことに工
り、本発明の固体撮像装置では、垂直レジスタの単位面
積あたりの容量増加にともなう高密度化及び水平レジス
タから垂直レジスタの転送不良にともなう、歩留りの劣
化を防ぐ効果がある。
壁領域を垂直レジスタの埋め込みチャンネルと水平レジ
スタの垂直レジスタと接する部分の埋め込みチャンネル
に設けたことにより、水米レジスタの垂直レジスタと接
する部分のチャンネルを狭くすることなく水平レジスタ
と垂直レジスタを接続することができる。このことに工
り、本発明の固体撮像装置では、垂直レジスタの単位面
積あたりの容量増加にともなう高密度化及び水平レジス
タから垂直レジスタの転送不良にともなう、歩留りの劣
化を防ぐ効果がある。
第１図は本発明の一実施例の固体撮像装置の垂直レジス
タと水平レジスタの接続部を示す平面図。 第２図は第１図のＩ−Ｉ’綾線上断面図、第３図は従来
の固体撮像装置の全体を示す模式図、第４図は従来の固
体撮像装置の垂直レジスタと水平レジスタの接続部上水
す平面図、第５図は第４図のｕ −ｎ’縁線上断面図で
ある。 １・・・・・・水平レジスタの電極、２−１．２−２゜
２−３・・・・・・垂直レジスタの電極、３・・・・・
・絶縁膜、４・・・・・・Ｎ型領域、５・・・・・・基
板ａ度ニジ高いＰ壁領域、６・・・・・・Ｐ型基板、７
・・・・・・水平ンジスタの電位井戸、Ａ・・・・・・
水平レジスタ、Ｂ・・・・・・垂直レジスタ。 Ｃ・・・・・・受光素子。 ＄ ２ 図 第 ３ 凹叫＃ＩＪ）
タと水平レジスタの接続部を示す平面図。 第２図は第１図のＩ−Ｉ’綾線上断面図、第３図は従来
の固体撮像装置の全体を示す模式図、第４図は従来の固
体撮像装置の垂直レジスタと水平レジスタの接続部上水
す平面図、第５図は第４図のｕ −ｎ’縁線上断面図で
ある。 １・・・・・・水平レジスタの電極、２−１．２−２゜
２−３・・・・・・垂直レジスタの電極、３・・・・・
・絶縁膜、４・・・・・・Ｎ型領域、５・・・・・・基
板ａ度ニジ高いＰ壁領域、６・・・・・・Ｐ型基板、７
・・・・・・水平ンジスタの電位井戸、Ａ・・・・・・
水平レジスタ、Ｂ・・・・・・垂直レジスタ。 Ｃ・・・・・・受光素子。 ＄ ２ 図 第 ３ 凹叫＃ＩＪ）
Claims (1)
- 一導電型を有する半導体基板上に形成された複数の受光
素子と、複数列の埋め込みチャンネル構造の垂直レジス
タと、該垂直レジスタの一端に隣接して設けられた埋め
込みチャンネル構造の水平レジスタと、該水平レジスタ
の一端に設けられた出力回路とを具備する固体撮像装置
において、前記垂直レジスタのチャンネルと水平レジス
タの垂直レジスタに接するチャンネル部分の表面に、前
記半導体基板と同一の導電型で前記半導体基板より濃度
の高い領域を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011343A JPH0758770B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011343A JPH0758770B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169363A true JPS62169363A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0758770B2 JPH0758770B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=11775386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011343A Expired - Lifetime JPH0758770B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758770B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125969A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6085559A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPS60160657A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP61011343A patent/JPH0758770B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125969A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6085559A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPS60160657A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758770B2 (ja) | 1995-06-21 |
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