JPH0760879B2 - 気密端子用リード線の製造方法 - Google Patents
気密端子用リード線の製造方法Info
- Publication number
- JPH0760879B2 JPH0760879B2 JP63067016A JP6701688A JPH0760879B2 JP H0760879 B2 JPH0760879 B2 JP H0760879B2 JP 63067016 A JP63067016 A JP 63067016A JP 6701688 A JP6701688 A JP 6701688A JP H0760879 B2 JPH0760879 B2 JP H0760879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead wire
- wire
- manufacturing
- glass
- hermetic terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この発明は水晶振動子やトランジスターのリード線とし
て使用される気密端子用リード線の製造方法に関するも
のである。
て使用される気密端子用リード線の製造方法に関するも
のである。
＜従来の技術＞ 第４図に示すように水晶振動子は、従来気密封止構造と
するためにリード線11は金属外環12との間にガラス（例
えばホウケイ酸ガラス）13などを用いてシールされてい
る。
するためにリード線11は金属外環12との間にガラス（例
えばホウケイ酸ガラス）13などを用いてシールされてい
る。
なお同図において、14は水晶片、15はキャップである。
上記の水晶振動子においてリード線11とのガラス封止性
を高めるためには第５図に示すような工程で表面処理が
なされている。
を高めるためには第５図に示すような工程で表面処理が
なされている。
即ち、リード線となるコイル状態の線材をカットプレス
（成形）し、次いで表面エッチングの工程で塩化第２鉄
などを用いて表面を1.0〜10.0μｍの凹凸にし、この凹
凸面に封止工程にてホウケイ酸ガラスがかみ込み封止性
を良好にすることが行われている。
（成形）し、次いで表面エッチングの工程で塩化第２鉄
などを用いて表面を1.0〜10.0μｍの凹凸にし、この凹
凸面に封止工程にてホウケイ酸ガラスがかみ込み封止性
を良好にすることが行われている。
＜発明が解決しようとする課題＞ ところが、上記した第５図に示す工程では、線材をプレ
ス切断加工（カットプレス）して複雑な形状になった部
品をエッチング処理するため、網状のケースに入れてバ
ッチ処理していた。
ス切断加工（カットプレス）して複雑な形状になった部
品をエッチング処理するため、網状のケースに入れてバ
ッチ処理していた。
このため、 （１） 線が曲ったり、ひっかかったりするため、不良
品が多くなる。
品が多くなる。
（２） バッチ処理のため、全数を均一にエッチング処
理することが不可能（線が重なっているところはうまく
エッチングできない）である。
理することが不可能（線が重なっているところはうまく
エッチングできない）である。
という問題が生じ、得られた気密封止性にバラツキが見
られた。
られた。
＜課題を解決するための手段＞ 上記のような従来の問題点を解決するためにこの発明で
は、第１図にその工程を示すように、リード線材を予め
線状コイルの状態で表面エッチングして1.0〜10.0μｍ
の凹凸状としたのち、ワイヤーカット、ヘッダー加工な
どのカットプレスを行ったのち、ガラス封止する工程を
見出した。
は、第１図にその工程を示すように、リード線材を予め
線状コイルの状態で表面エッチングして1.0〜10.0μｍ
の凹凸状としたのち、ワイヤーカット、ヘッダー加工な
どのカットプレスを行ったのち、ガラス封止する工程を
見出した。
＜作用＞ 上記したこの発明の工程によるならば、 （１） 線曲がりやひっかかりがなくなり、リード線の
不良率が減少する。
不良率が減少する。
（２） エッチングが均一になるため、気密封止性が安
定になる。
定になる。
などの結果が得られるのである。
＜実施例＞ 以下、この発明を一実施例として示す第２図の工程図に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
リード線として真空溶解にて合金化された50％Ni−Fe合
金と29％Ni−17％Co−Fe合金を用意し、これらを線材圧
延、伸線と軟化を繰返して0.45φのコイル状の線材１と
した。この線材１の抗張力は50〜80Kg/m2であった。
金と29％Ni−17％Co−Fe合金を用意し、これらを線材圧
延、伸線と軟化を繰返して0.45φのコイル状の線材１と
した。この線材１の抗張力は50〜80Kg/m2であった。
このコイル状線材１を第２図に示す工程により、まず２
の塩化第２鉄溶液槽（溶液のpH≒１）中を２〜10m/分で
通過させ、次いで水洗槽３、乾燥ライン４を通過させて
巻取った。
の塩化第２鉄溶液槽（溶液のpH≒１）中を２〜10m/分で
通過させ、次いで水洗槽３、乾燥ライン４を通過させて
巻取った。
上記において、２の塩化第２鉄溶液槽におけるエッチン
グ後、線材１の表面の凹凸をその粗さＲ＝１〜10μｍ程
度とするには、２の塩化第２鉄溶液槽通過後に線径が５
〜20μ程度減少するように調整すればよい。
グ後、線材１の表面の凹凸をその粗さＲ＝１〜10μｍ程
度とするには、２の塩化第２鉄溶液槽通過後に線径が５
〜20μ程度減少するように調整すればよい。
但し、表面粗さをＲ＝1.0〜10.0μｍとするのは、Ｒ＝
1.0μｍ以下では表面が殆んどエッチングされず、ガラ
ス封止性が向上せず、またＲ＝10.0μｍ以上、特に20μ
以上とする、エッチングに時間がかかってコスト高にな
るとともにあまりに表面を粗にすると、ガラス封止後の
Niメッキ工程で完全にメッキされないこともあるためで
あり、その範囲は３〜７μｍが最も好ましい。
1.0μｍ以下では表面が殆んどエッチングされず、ガラ
ス封止性が向上せず、またＲ＝10.0μｍ以上、特に20μ
以上とする、エッチングに時間がかかってコスト高にな
るとともにあまりに表面を粗にすると、ガラス封止後の
Niメッキ工程で完全にメッキされないこともあるためで
あり、その範囲は３〜７μｍが最も好ましい。
かくして第２図の工程でエッチングした線材コイルは次
いで第１図に示すように、所定の形状にピン加工（カッ
トプレス、穴あけ、曲げ加工など）をしたのち、アルミ
ナ珪酸ガラス（Na2O−Al2O3−BaO−SiO2、顆粒ガラス）
を用いて850〜900℃で５〜10分ガラス封止を行なった。
いで第１図に示すように、所定の形状にピン加工（カッ
トプレス、穴あけ、曲げ加工など）をしたのち、アルミ
ナ珪酸ガラス（Na2O−Al2O3−BaO−SiO2、顆粒ガラス）
を用いて850〜900℃で５〜10分ガラス封止を行なった。
この発明において、エッチング処理は上記した塩化第２
鉄溶液を用いる化学エッチング処理法以外に例えばアン
モニア分解ガス中の未分解N2を利用して表面をガスエッ
チングするドライエッチング処理法を採用することもで
きるが、この場合は露点を０〜−５℃にして未分解N2を
200ppm程度として600〜750℃で数時間加熱を行なった。
鉄溶液を用いる化学エッチング処理法以外に例えばアン
モニア分解ガス中の未分解N2を利用して表面をガスエッ
チングするドライエッチング処理法を採用することもで
きるが、この場合は露点を０〜−５℃にして未分解N2を
200ppm程度として600〜750℃で数時間加熱を行なった。
このドライエッチング処理法でも表面粗さはＲ＝３〜７
μｍ程度となったが、全体にわたる均一性とコストの点
では化学エッチング処理の方がすぐれている。
μｍ程度となったが、全体にわたる均一性とコストの点
では化学エッチング処理の方がすぐれている。
＜発明の効果＞ 以上詳述したように、この発明の前以って線材を表面エ
ッチングした後に成形加工することにより、従来の塩化
第２鉄液中に複雑な形状とした線材を網状のケースに入
れて浸し、バッチ処理していた方法に比べて曲りの発生
率は０％になった。
ッチングした後に成形加工することにより、従来の塩化
第２鉄液中に複雑な形状とした線材を網状のケースに入
れて浸し、バッチ処理していた方法に比べて曲りの発生
率は０％になった。
第３図（ａ）および（ｂ）は表面粗さの状態の分布をサ
ンプル（ｎ）＝40個について、この発明によるものと従
来の方法によるものとについて示したものであり、この
発明になる（ａ）においては、リード線との重なりがな
いため、均一に粗らされていることが認められた。（但
し、＝平均表面粗さ、σ＝標準偏差である。） また、この発明になるリード線を用いて気密端子を作っ
たのち、リークテストを行なったところ、従来のリード
線では10-7cc/secより悪いものが0.1％程度発生してい
たが、この発明になるものは皆無であった。
ンプル（ｎ）＝40個について、この発明によるものと従
来の方法によるものとについて示したものであり、この
発明になる（ａ）においては、リード線との重なりがな
いため、均一に粗らされていることが認められた。（但
し、＝平均表面粗さ、σ＝標準偏差である。） また、この発明になるリード線を用いて気密端子を作っ
たのち、リークテストを行なったところ、従来のリード
線では10-7cc/secより悪いものが0.1％程度発生してい
たが、この発明になるものは皆無であった。
第１図はこの発明の製造工程を示す説明図、第２図は第
１図中のエッチング工程の補足説明図、第３図（ａ）は
この発明によるリード線の表面粗れ状態の分布を示す説
明図、同（ｂ）は従来法によるリード線の表面状態の分
布を示す説明図、第４図は水晶振動子の構造図、第５図
は従来の気密端子用リード線の製造工程を示す説明図で
ある。 １……コイル線材、２……塩化第２鉄溶液槽 ３……水洗槽、４……乾燥ライン
１図中のエッチング工程の補足説明図、第３図（ａ）は
この発明によるリード線の表面粗れ状態の分布を示す説
明図、同（ｂ）は従来法によるリード線の表面状態の分
布を示す説明図、第４図は水晶振動子の構造図、第５図
は従来の気密端子用リード線の製造工程を示す説明図で
ある。 １……コイル線材、２……塩化第２鉄溶液槽 ３……水洗槽、４……乾燥ライン
Claims (2)
- 【請求項１】リード線貫通用の穴を有する舟形金属外環
とガラスを介して気密絶縁封止されるリード線の製造方
法において、該リード線は予め線材の状態で連続的にエ
ッチング処理してＲ＝1.0〜10.0μｍの凹凸を有する長
尺体とし、ワイヤーカット、ヘッダー加工を行なったの
ちに前記金属外環とガラス封止することを特徴とする気
密端子用リード線の製造方法。 - 【請求項２】リード線のエッチング処理が塩化第２鉄溶
液を用いた化学的エッチングまたはガスエッチング処理
であることを特徴とする請求項（１）記載の気密端子用
リード線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067016A JPH0760879B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 気密端子用リード線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067016A JPH0760879B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 気密端子用リード線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239875A JPH01239875A (ja) | 1989-09-25 |
| JPH0760879B2 true JPH0760879B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=13332686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067016A Expired - Lifetime JPH0760879B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 気密端子用リード線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760879B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5791233U (ja) * | 1980-11-26 | 1982-06-04 | ||
| JPS61241952A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61276950A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-06 | Nippon Yakin Kogyo Co Ltd | メツキ性ならびにハンダ付性の良好なＦｅ−Ｎｉ系合金 |
| JPS6296652A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Nippon Mining Co Ltd | リ−ド材用鉄合金 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63067016A patent/JPH0760879B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01239875A (ja) | 1989-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0760879B2 (ja) | 気密端子用リード線の製造方法 | |
| US3506462A (en) | Electroless gold plating solutions | |
| US2225239A (en) | Filament | |
| JPH05226018A (ja) | 気密端子用リード線の製造方法 | |
| US4559278A (en) | Electrolytically rhenium coated molybdenum current inlet conductor assembly for vacuum lamps | |
| KR100203327B1 (ko) | 리드프레임 제조방법 | |
| JPH07180085A (ja) | 非シアン銀めっき方法及びそれに用いられる非シアン溶液 | |
| JPS586794B2 (ja) | 部分ニツケル層の形成方法 | |
| JP4552468B2 (ja) | 錫めっき皮膜のウイスカ検査方法 | |
| US2469947A (en) | Production of extremely thin filaments | |
| JPH02101157A (ja) | 真空蒸着用銅基材の製造方法 | |
| SU616659A1 (ru) | Способ металлизации изделий из диэлектрика | |
| JPS6224555A (ja) | クラツド式鉛蓄電池用正極板の製造法 | |
| JPS6032340B2 (ja) | 磁器コンデンサの製造方法 | |
| KR890001602B1 (ko) | 부분도금에 대한 원통형 콘덴서의 제조방법 | |
| US1583891A (en) | Process for the electrodeposition of metals | |
| JPS61117282A (ja) | 酸化銅皮膜形成方法 | |
| RU1780120C (ru) | Способ изготовлени сетчатого электрода запоминающего ЭЛП | |
| JPS616819A (ja) | 気相成長法 | |
| SU295156A1 (ru) | Способ изготовления спая металла с порошковымстеклом | |
| JPS6051269B2 (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| SU582302A1 (ru) | Способ изготовлени подложек дл цилиндрических магнитных пленок | |
| DE649552C (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkali-, insbesondere Caesiumphotozellen | |
| JPS5772350A (en) | Fabrication of semiconductor device | |
| JPS6048855B2 (ja) | 気密封着方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080628 Year of fee payment: 13 |