JPH0763667A - 不純物ドーピング量測定方法および装置 - Google Patents
不純物ドーピング量測定方法および装置Info
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- JPH0763667A JPH0763667A JP21013393A JP21013393A JPH0763667A JP H0763667 A JPH0763667 A JP H0763667A JP 21013393 A JP21013393 A JP 21013393A JP 21013393 A JP21013393 A JP 21013393A JP H0763667 A JPH0763667 A JP H0763667A
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- Japan
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- impurity doping
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- doping amount
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造においてイオン注入工程、拡散工
程を中断することなく、また試料を損傷することなく、
従来に比べて容易に不純物ド−ピング量を求める。 【構成】 変調された励起光Ｌが照射された試料５の箇
所に、白色光（プロ−ブ光）Ｐを照射して反射スペクト
ルを検出する。この反射スペクトルから求めたバンドギ
ャップ量と不純物ド−ピング量とは相関関係があり、既
知デ−タを用いた検量線から不純物のド−ピング量を検
出する。
程を中断することなく、また試料を損傷することなく、
従来に比べて容易に不純物ド−ピング量を求める。 【構成】 変調された励起光Ｌが照射された試料５の箇
所に、白色光（プロ−ブ光）Ｐを照射して反射スペクト
ルを検出する。この反射スペクトルから求めたバンドギ
ャップ量と不純物ド−ピング量とは相関関係があり、既
知デ−タを用いた検量線から不純物のド−ピング量を検
出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造におけるイ
オン注入工程、拡散工程での不純物ド−ピング量を測定
する方法および装置に関するものである。
オン注入工程、拡散工程での不純物ド−ピング量を測定
する方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造における不純物ド−ピ
ング量の測定においては、４探針法を使用していた。こ
の４探針法により試料の抵抗率を検出し、この抵抗率と
不純物ド−ピング量の相関関係を示す既知デ−タを使用
した検量線から、不純物ド−ピング量を求めていた。
ング量の測定においては、４探針法を使用していた。こ
の４探針法により試料の抵抗率を検出し、この抵抗率と
不純物ド−ピング量の相関関係を示す既知デ−タを使用
した検量線から、不純物ド−ピング量を求めていた。
【０００３】図７に４探針法の概略構成を示す。図７に
おいて、１５は試料、１６、１７、１８、１９は探針、
２０は電圧計である。探針にはタングステンあるいはシ
リコンカ−バイドの先端を電解研磨などの方法により、
数μｍ程度まで細くしたものが用いられる。
おいて、１５は試料、１６、１７、１８、１９は探針、
２０は電圧計である。探針にはタングステンあるいはシ
リコンカ−バイドの先端を電解研磨などの方法により、
数μｍ程度まで細くしたものが用いられる。
【０００４】探針と試料１５表面との接触が不充分であ
ると誤差の原因になるため、探針はばねなどを利用して
試料１５に押し付けるようにする。シリコンが試料の場
合は、先端が５μｍ径の探針を用いたとき、質量は１０
０〜２００ｇが適当である。ガリウムひ素のように柔ら
かい半導体が試料の場合は、表面を破損しないようにこ
れよりも軽くする必要がある。
ると誤差の原因になるため、探針はばねなどを利用して
試料１５に押し付けるようにする。シリコンが試料の場
合は、先端が５μｍ径の探針を用いたとき、質量は１０
０〜２００ｇが適当である。ガリウムひ素のように柔ら
かい半導体が試料の場合は、表面を破損しないようにこ
れよりも軽くする必要がある。
【０００５】試料表面が酸化されていたり汚れていたり
する場合には、探針と試料１５との接触は著しく悪くな
るため、探針と試料１５間に高電圧パルスを引加し、両
者を融着（あるいは合金化）しておく必要がある。
する場合には、探針と試料１５との接触は著しく悪くな
るため、探針と試料１５間に高電圧パルスを引加し、両
者を融着（あるいは合金化）しておく必要がある。
【０００６】探針１６、１７、１８、１９は等間隔に並
べられており、間隔がＳの場合、抵抗率ρは、ρ＝２π
Ｓ（Ｖ／Ｉ）で表わされる。Ｉは試料に流す電流、Ｖは
その際の測定電圧である。通常、Ｓは１ｍｍ、あるいは
２πＳ＝１となるように１．５９ｍｍである。
べられており、間隔がＳの場合、抵抗率ρは、ρ＝２π
Ｓ（Ｖ／Ｉ）で表わされる。Ｉは試料に流す電流、Ｖは
その際の測定電圧である。通常、Ｓは１ｍｍ、あるいは
２πＳ＝１となるように１．５９ｍｍである。
【０００７】この式は、試料１５が探針の間隔Ｓに比べ
て、半無限に広がっている場合にのみ成立する。探針と
試料１５の端との間隔Ｌは、少なくとも１０Ｓ以上とす
る必要がある（Ｌ＞１０Ｓ）。Ｌが２Ｓより大きければ
誤差は数％にとどまるが、Ｌ＞１０Ｓを満たさない場合
は、補正をする必要がある。
て、半無限に広がっている場合にのみ成立する。探針と
試料１５の端との間隔Ｌは、少なくとも１０Ｓ以上とす
る必要がある（Ｌ＞１０Ｓ）。Ｌが２Ｓより大きければ
誤差は数％にとどまるが、Ｌ＞１０Ｓを満たさない場合
は、補正をする必要がある。
【０００８】また、試料１５の厚さは、Ｓの２倍以上で
なくてはならない。試料１５が薄い場合には、その底面
が金属に接しているか、絶縁物に接しているかによっ
て、各々異なった補正を加える必要がある。
なくてはならない。試料１５が薄い場合には、その底面
が金属に接しているか、絶縁物に接しているかによっ
て、各々異なった補正を加える必要がある。
【０００９】上記のように構成された測定装置におい
て、電流源として出力インピ−ダンスの大きな定電流源
を使用し、探針１６、１９を用いて試料１５に電流Ｉを
流す。電流Ｉは、試料１５が加熱するほどの大きな電流
は流さないようにする。
て、電流源として出力インピ−ダンスの大きな定電流源
を使用し、探針１６、１９を用いて試料１５に電流Ｉを
流す。電流Ｉは、試料１５が加熱するほどの大きな電流
は流さないようにする。
【００１０】一方、電圧計２０としては入力インピ−ダ
ンスの大きな電圧計を使用し、探針１７、１８を用いて
電圧測定を行う。
ンスの大きな電圧計を使用し、探針１７、１８を用いて
電圧測定を行う。
【００１１】この測定により、電流値Ｉに対する電圧値
Ｖを電圧計２０から読み取り、上式にあてはめて、抵抗
率ρを算出する。
Ｖを電圧計２０から読み取り、上式にあてはめて、抵抗
率ρを算出する。
【００１２】このようにして得られた抵抗率ρと不純物
ド−ピング量の相関関係を示す既知デ−タから、不純物
ド−ピング量を求めていた。
ド−ピング量の相関関係を示す既知デ−タから、不純物
ド−ピング量を求めていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】４探針法を用いての測
定は、上記のように行われているが、測定条件を満たさ
ない場合には、測定結果に対して上記の補正を加える必
要があるため、必ずしも効率的な測定方法ではない。
定は、上記のように行われているが、測定条件を満たさ
ない場合には、測定結果に対して上記の補正を加える必
要があるため、必ずしも効率的な測定方法ではない。
【００１４】また、試料表面に対して探針を接触させた
り、融着（あるいは合金化）させたりする接触測定法で
あるため、試料の損傷を伴い測定誤差を生じる。その
上、測定に使用した試料を無駄にする。さらに、半導体
の製造工程で測定を行うためには、イオン注入工程、拡
散工程を中断して試料を取り出す必要があった。
り、融着（あるいは合金化）させたりする接触測定法で
あるため、試料の損傷を伴い測定誤差を生じる。その
上、測定に使用した試料を無駄にする。さらに、半導体
の製造工程で測定を行うためには、イオン注入工程、拡
散工程を中断して試料を取り出す必要があった。
【００１５】本発明は、上記課題を解決するために創案
されたものであり、半導体製造においてイオン注入工
程、拡散工程を中断することなく、また試料を損傷する
ことなく、従来に比べて容易に不純物ド−ピング量を求
めることができる方法および装置を提供することを目的
とする。
されたものであり、半導体製造においてイオン注入工
程、拡散工程を中断することなく、また試料を損傷する
ことなく、従来に比べて容易に不純物ド−ピング量を求
めることができる方法および装置を提供することを目的
とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願第一の発明は、試料
表面にプロ−ブ光を照射するとともに、このプロ−ブ光
の照射位置に変調励起光を照射し、変調に同期した試料
表面からの反射光から反射スペクトルを検出し、この反
射スペクトルから求めた試料のバンドギャップ量と不純
物ド−ピンング量との相関関係から不純物ド−ピング量
を測定することを特徴とする。
表面にプロ−ブ光を照射するとともに、このプロ−ブ光
の照射位置に変調励起光を照射し、変調に同期した試料
表面からの反射光から反射スペクトルを検出し、この反
射スペクトルから求めた試料のバンドギャップ量と不純
物ド−ピンング量との相関関係から不純物ド−ピング量
を測定することを特徴とする。
【００１７】本願第二の発明は、プロ−ブ光を照射する
プロ−ブ光源と、試料表面のプロ−ブ光照射位置に変調
励起光を照射する励起光源と、プロ−ブ光の反射光から
変調に同期した反射スペクトルを検出する手段と、試料
のバンドギャップ量と不純物ド−ピング量の相関関係デ
−タを記憶したデ−タ記憶部と、検出した反射スペクト
ルから求めた試料のバンドギャップ量と上記相関関係デ
−タを比較することにより不純物ド−ピング量を求める
演算手段とを備えたことを特徴とする。
プロ−ブ光源と、試料表面のプロ−ブ光照射位置に変調
励起光を照射する励起光源と、プロ−ブ光の反射光から
変調に同期した反射スペクトルを検出する手段と、試料
のバンドギャップ量と不純物ド−ピング量の相関関係デ
−タを記憶したデ−タ記憶部と、検出した反射スペクト
ルから求めた試料のバンドギャップ量と上記相関関係デ
−タを比較することにより不純物ド−ピング量を求める
演算手段とを備えたことを特徴とする。
【００１８】
【作用】チョッパで変調した励起光を照射した試料表面
の測定箇所に対してプロ−ブ光を照射し、その反射光を
分光器およびディテクタを用いて分光検出した反射光信
号から変調に同期したフォトリフレクタンスΔＲを取り
出し、反射光の直流成分Ｒで規格化した後に、分光器で
の選別波長を走査検出してフォトリフレクタンス・スペ
クトルを得る。
の測定箇所に対してプロ−ブ光を照射し、その反射光を
分光器およびディテクタを用いて分光検出した反射光信
号から変調に同期したフォトリフレクタンスΔＲを取り
出し、反射光の直流成分Ｒで規格化した後に、分光器で
の選別波長を走査検出してフォトリフレクタンス・スペ
クトルを得る。
【００１９】フォトリフレクタンス・スペクトルのピ−
ク時の波長λG は、試料のバンドギャップ量に相当す
る。ここで、不純物のド−ピング量（１立方ｃｍに含ま
れる原子数）が１０16／ｃｍ3 を超える濃度の場合、物
質中の不純物ド−ピング量に比例してバンドギャップ量
がシフトするという相関関係がある。
ク時の波長λG は、試料のバンドギャップ量に相当す
る。ここで、不純物のド−ピング量（１立方ｃｍに含ま
れる原子数）が１０16／ｃｍ3 を超える濃度の場合、物
質中の不純物ド−ピング量に比例してバンドギャップ量
がシフトするという相関関係がある。
【００２０】したがって、フォトリフレクタンス・スペ
クトルに基づいてバンドギャップ量を推定し、物質のバ
ンドギャップ量とド−ピング量との相関関係デ−タを使
用した検量線を用いることにより不純物ド−ピング量を
算出することができる。
クトルに基づいてバンドギャップ量を推定し、物質のバ
ンドギャップ量とド−ピング量との相関関係デ−タを使
用した検量線を用いることにより不純物ド−ピング量を
算出することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２２】図１に本発明の不純物ド−ピング量測定装
置の概略構成を示す。図１において、１は励起光源、２
はチョッパ、３は白色光源（プロ−ブ光源）、４はビ−
ムスプリッタ、５は試料、６は分光器、７はディテク
タ、８は平滑回路、９はロックイン増幅器、１０は演算
制御部、１１はデ−タ記憶部、１２は表示部、１３、１
４は制御回路、Ｌは励起光、Ｐは白色光（プロ−ブ
光）、Ｈは反射光、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３は信号である。
置の概略構成を示す。図１において、１は励起光源、２
はチョッパ、３は白色光源（プロ−ブ光源）、４はビ−
ムスプリッタ、５は試料、６は分光器、７はディテク
タ、８は平滑回路、９はロックイン増幅器、１０は演算
制御部、１１はデ−タ記憶部、１２は表示部、１３、１
４は制御回路、Ｌは励起光、Ｐは白色光（プロ−ブ
光）、Ｈは反射光、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３は信号である。
【００２３】次に、図１の不純物ド−ピング量測定装置
の動作を説明する。励起光源１から出射した励起光Ｌ
は、制御回路１３により制御されるチョッパ２で変調さ
れた後、試料５に照射される。このチョッパ２に入力さ
れる周期信号は、制御回路１３よりロックイン増幅器９
にも入力されている。
の動作を説明する。励起光源１から出射した励起光Ｌ
は、制御回路１３により制御されるチョッパ２で変調さ
れた後、試料５に照射される。このチョッパ２に入力さ
れる周期信号は、制御回路１３よりロックイン増幅器９
にも入力されている。
【００２４】一方、白色光源３から出射した白色光Ｐは
ビ−ムスプリッタ４によって反射され、試料５における
励起光Ｌの照射箇所に照射される。
ビ−ムスプリッタ４によって反射され、試料５における
励起光Ｌの照射箇所に照射される。
【００２５】試料５からの反射光Ｈはビ−ムスプリッタ
４を透過した後、制御回路１４からの選別波長信号で指
定された波長の光が分光器６において選別された後、デ
ィテクタ７で図２に示すようなその波長に対する反射光
強度が検出され、その強度信号Ｆ１が平滑回路８および
ロックイン増幅器９に入力される。
４を透過した後、制御回路１４からの選別波長信号で指
定された波長の光が分光器６において選別された後、デ
ィテクタ７で図２に示すようなその波長に対する反射光
強度が検出され、その強度信号Ｆ１が平滑回路８および
ロックイン増幅器９に入力される。
【００２６】図２において、Ｒは励起光を照射しないと
きの反射光信号、ΔＲは励起光を照射したときの反射光
信号とＲの差である。
きの反射光信号、ΔＲは励起光を照射したときの反射光
信号とＲの差である。
【００２７】平滑回路８は反射光強度信号Ｆ１の直流成
分、すなわち励起光を照射しないときの反射光信号Ｒを
出力して演算制御部１０に入力する。このとき制御回路
１４によって分光器６での選別波長を走査すると、図３
に示すようなＲのスペクトルが得られる。
分、すなわち励起光を照射しないときの反射光信号Ｒを
出力して演算制御部１０に入力する。このとき制御回路
１４によって分光器６での選別波長を走査すると、図３
に示すようなＲのスペクトルが得られる。
【００２８】なお、実際には反射光の直流成分Ｒにフォ
トリフレクタンス信号ΔＲが含まれているが、ΔＲはＲ
に比べて極めて小さいため、誤差は無視できる。
トリフレクタンス信号ΔＲが含まれているが、ΔＲはＲ
に比べて極めて小さいため、誤差は無視できる。
【００２９】一方、ロックイン増幅器９には、制御回路
１３からチョッパ２に入力される変調信号の周期に等し
い周期信号も入力されており、チョッパの変調周期に等
しい周期成分、すなわちΔＲを示す信号Ｆ２が演算制御
部１０に入力される。
１３からチョッパ２に入力される変調信号の周期に等し
い周期信号も入力されており、チョッパの変調周期に等
しい周期成分、すなわちΔＲを示す信号Ｆ２が演算制御
部１０に入力される。
【００３０】このとき、同様に制御回路１４によって分
光器６での選別波長を走査すると、図４に示すようなΔ
Ｒのスペクトルが得られる。
光器６での選別波長を走査すると、図４に示すようなΔ
Ｒのスペクトルが得られる。
【００３１】したがって、制御回路１４によって分光器
６での選別波長を走査しながら、演算制御部１０におい
て、ΔＲをＲで規格すると、図５に示すようなフォトリ
フレクタンス・スペクトルΔＲ／Ｒを得ることができ
る。
６での選別波長を走査しながら、演算制御部１０におい
て、ΔＲをＲで規格すると、図５に示すようなフォトリ
フレクタンス・スペクトルΔＲ／Ｒを得ることができ
る。
【００３２】図５において、フォトリフレクタンス・ス
ペクトルのピ−ク時の波長λG は、試料のバンドギャッ
プ量に相当する。ここで、不純物のド−ピング量（１立
方ｃｍに含まれる原子数）が１０16／ｃｍ3 を超える濃
度の場合、物質中の不純物ド−ピング量に比例してバン
ドギャップ量がシフトし、図６に示すような不純物ド−
ピング量とバンドギャップ量の相関関係が得られる。
ペクトルのピ−ク時の波長λG は、試料のバンドギャッ
プ量に相当する。ここで、不純物のド−ピング量（１立
方ｃｍに含まれる原子数）が１０16／ｃｍ3 を超える濃
度の場合、物質中の不純物ド−ピング量に比例してバン
ドギャップ量がシフトし、図６に示すような不純物ド−
ピング量とバンドギャップ量の相関関係が得られる。
【００３３】デ−タ記憶部１１には、標準試料を用いて
測定したこのような物質中の不純物ド−ピング量とバン
ドギャップ量の相関関係の既知デ−タが検量線として記
憶されている。
測定したこのような物質中の不純物ド−ピング量とバン
ドギャップ量の相関関係の既知デ−タが検量線として記
憶されている。
【００３４】したがって、演算制御部１０において、フ
ォトリフレクタンス・スペクトルのピ−ク時の波長λG
を検出し、得られた波長λG とデ−タ記憶部１１に記憶
された検量線とを比較することにより、試料５の不純物
ド−ピング量が検出され、表示部１２に表示される。
ォトリフレクタンス・スペクトルのピ−ク時の波長λG
を検出し、得られた波長λG とデ−タ記憶部１１に記憶
された検量線とを比較することにより、試料５の不純物
ド−ピング量が検出され、表示部１２に表示される。
【００３５】上記実施例では、分光器６を試料５とディ
テクタ７の間に配置して反射光Ｈを分光したが、白色光
源３とビ−ムスプリッタ４の間、あるいはビ−ムスプリ
ッタ４と試料５の間に配置して白色光Ｐを分光しても、
同様に不純物ド−ピング量測定を行うことができる。
テクタ７の間に配置して反射光Ｈを分光したが、白色光
源３とビ−ムスプリッタ４の間、あるいはビ−ムスプリ
ッタ４と試料５の間に配置して白色光Ｐを分光しても、
同様に不純物ド−ピング量測定を行うことができる。
【００３６】また、ビ−ムスプリッタ４を使用せずに、
白色光Ｐを試料５表面に対する入射角度を垂直方向から
ずらして照射し、反射光が検出される位置に分光器６、
ディテクタ７を配置しても、不純物ド−ピング量測定を
行うことができる。
白色光Ｐを試料５表面に対する入射角度を垂直方向から
ずらして照射し、反射光が検出される位置に分光器６、
ディテクタ７を配置しても、不純物ド−ピング量測定を
行うことができる。
【００３７】さらに、上記実施例のデ−タ記憶部１１お
よび表示部１２を省略して、単にフォトリフレクタンス
・スペクトルを求め、フォトリフレクタンス・スペクト
ルのピ−ク時の波長λG から測定者がバンドギャップ量
を推定し、該物質中の不純物ド−ピング量とバンドギャ
ップ量の相関関係の既知デ−タを用いた検量線から試料
５の不純物ド−ピング量を検出してもよい。
よび表示部１２を省略して、単にフォトリフレクタンス
・スペクトルを求め、フォトリフレクタンス・スペクト
ルのピ−ク時の波長λG から測定者がバンドギャップ量
を推定し、該物質中の不純物ド−ピング量とバンドギャ
ップ量の相関関係の既知デ−タを用いた検量線から試料
５の不純物ド−ピング量を検出してもよい。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、上記のように構成されている
ので、この測定装置を半導体製造工程に組み込むことに
より、イオン注入工程、拡散工程を中断することなく測
定をおこなうことがでる。また、光を照射するだけで測
定を行うことができるので、試料を損傷することなく、
従来に比べて容易に不純物ド−ピング量を求めることが
できる。
ので、この測定装置を半導体製造工程に組み込むことに
より、イオン注入工程、拡散工程を中断することなく測
定をおこなうことがでる。また、光を照射するだけで測
定を行うことができるので、試料を損傷することなく、
従来に比べて容易に不純物ド−ピング量を求めることが
できる。
【図１】本発明における一実施例の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】反射光強度を示す図である。
【図３】反射光強度と波長の関係を示す図である。
【図４】フォトリフレクタンスと波長の関係を示す図で
ある。
ある。
【図５】フォトリフレクタンス・スペクトルを示す図で
ある。
ある。
【図６】不純物ド−ピング量とバンドギャップ量の相関
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図７】従来の４探針法の概略構成を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 試料表面にプロ−ブ光を照射するととも
に、このプロ−ブ光の照射位置に変調励起光を照射し、
変調に同期した試料表面からの反射光から反射スペクト
ルを検出し、この反射スペクトルから求めた試料のバン
ドギャップ量と不純物ド−ピンング量との相関関係から
不純物ド−ピング量を測定することを特徴とする不純物
ド−ピング量測定方法。 - 【請求項２】 プロ−ブ光を照射するプロ−ブ光源と、
試料表面のプロ−ブ光照射位置に変調励起光を照射する
励起光源と、プロ−ブ光の反射光から変調に同期した反
射スペクトルを検出する手段と、試料のバンドギャップ
量と不純物ド−ピング量の相関関係デ−タを記憶したデ
−タ記憶部と、上記検出した反射スペクトルから求めた
試料のバンドギャップ量と上記相関関係デ−タを比較す
ることにより不純物ド−ピング量を求める演算手段とを
備えたことを特徴とする不純物ド−ピング量測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21013393A JPH0763667A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 不純物ドーピング量測定方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21013393A JPH0763667A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 不純物ドーピング量測定方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0763667A true JPH0763667A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16584336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21013393A Pending JPH0763667A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 不純物ドーピング量測定方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0763667A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2902575A1 (fr) * | 2006-06-14 | 2007-12-21 | Ion Beam Services Sa | Appareil de caracterisation optique du dopage d'un substrat |
| CN103063302A (zh) * | 2013-01-09 | 2013-04-24 | 浙江大学 | 一种植物叶片漫反射光分布的检测装置及方法 |
| JP2020092213A (ja) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | 株式会社ディスコ | ドープ量検出方法および板状物の加工方法 |
| JP2020092212A (ja) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | 株式会社ディスコ | ドープ量検出方法および板状物の加工方法 |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP21013393A patent/JPH0763667A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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