JPH076425A - 交換結合力を利用したオーバーライト可能な光磁気ディスクとその初期化方法 - Google Patents
交換結合力を利用したオーバーライト可能な光磁気ディスクとその初期化方法Info
- Publication number
- JPH076425A JPH076425A JP5145005A JP14500593A JPH076425A JP H076425 A JPH076425 A JP H076425A JP 5145005 A JP5145005 A JP 5145005A JP 14500593 A JP14500593 A JP 14500593A JP H076425 A JPH076425 A JP H076425A
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- Japan
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- magnetization
- layer
- recording layer
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きな磁界を発生することなくオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体の初期化方法。 【構成】 記録層磁化を一定方向にそろえ（工程１）、
記録層の副格子磁化がメモリー層の副格子磁化方向に転
写される温度以上にする（工程２）。
ト可能な光磁気記録媒体の初期化方法。 【構成】 記録層磁化を一定方向にそろえ（工程１）、
記録層の副格子磁化がメモリー層の副格子磁化方向に転
写される温度以上にする（工程２）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は交換結合力を利用したオ
ーバーライト可能な光磁気ディスクとその初期化方法に
関する。
ーバーライト可能な光磁気ディスクとその初期化方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、光磁気ディスク媒体はスパッタ法
により製造される。スパッタリングにより作られた光磁
気磁性薄膜の磁化方向はディスク基板に対して垂直方向
であるがその上下方向はディスク基板内の場所により全
くランダムな方向である。この状態でそのままディスク
をドライブ装置にのせて使用すると、ディスク基板内の
案内溝部分等、記録、消去動作を行わない場所、例えば
トラッキング用案内溝部の磁化方向がバラバラのまま残
ることになる。この状態で記録された磁気マークを再生
するとレーザービームの拡がりがあるために、トラッキ
ング用案内溝からのランダムな光磁気信号もそのまま再
生信号に入り込み信号品質が低下してしまう。このよう
な不具合を避けるために、通常は磁性膜を成膜した後に
磁性膜の保磁力以上の一定方向の磁場を媒体に加えるこ
とにより、ディスク全面の磁化を一定方向にそろえる初
期化処理を行っている。
により製造される。スパッタリングにより作られた光磁
気磁性薄膜の磁化方向はディスク基板に対して垂直方向
であるがその上下方向はディスク基板内の場所により全
くランダムな方向である。この状態でそのままディスク
をドライブ装置にのせて使用すると、ディスク基板内の
案内溝部分等、記録、消去動作を行わない場所、例えば
トラッキング用案内溝部の磁化方向がバラバラのまま残
ることになる。この状態で記録された磁気マークを再生
するとレーザービームの拡がりがあるために、トラッキ
ング用案内溝からのランダムな光磁気信号もそのまま再
生信号に入り込み信号品質が低下してしまう。このよう
な不具合を避けるために、通常は磁性膜を成膜した後に
磁性膜の保磁力以上の一定方向の磁場を媒体に加えるこ
とにより、ディスク全面の磁化を一定方向にそろえる初
期化処理を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】交換結合オーバーライ
ト光磁気媒体の場合、記録層初期化用磁界に対するマー
ジン確保のためメモリー層の保磁力は通常の非オーバー
ライト媒体の保磁力に比べて大きくなるように媒体材料
設計を行う。また交換結合力のためにメモリー層の反転
磁界はさらに大きくなることが多い。したがって従来の
初期化方法では交換結合オーバーライト媒体を初期化す
るのに必要な磁界は２０ＫＯｅ以上となり非常に大がか
りな設備が必要になってしまう。
ト光磁気媒体の場合、記録層初期化用磁界に対するマー
ジン確保のためメモリー層の保磁力は通常の非オーバー
ライト媒体の保磁力に比べて大きくなるように媒体材料
設計を行う。また交換結合力のためにメモリー層の反転
磁界はさらに大きくなることが多い。したがって従来の
初期化方法では交換結合オーバーライト媒体を初期化す
るのに必要な磁界は２０ＫＯｅ以上となり非常に大がか
りな設備が必要になってしまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明は、（１）基板上に情報を保持するメモリー層
と情報を書き込む記録層の少なくとも２層を有する交換
結合力を利用したオーバーライトディスクの情報を保持
するメモリー層の磁化と情報を書き込む記録層の磁化と
をそれぞれ一定の方向にそろえる初期化方法において、 工程１：記録層磁化を一定方向にそろえる、 工程２：媒体温度を記録層の副格子磁化がメモリー層の
副格子磁化方向に転写される温度以上にする、 ことの２つの工程を有することを特徴とする。工程１に
おいて外部からの磁界によって記録層磁化を一定方向に
そろえるようにすることができる。
に本発明は、（１）基板上に情報を保持するメモリー層
と情報を書き込む記録層の少なくとも２層を有する交換
結合力を利用したオーバーライトディスクの情報を保持
するメモリー層の磁化と情報を書き込む記録層の磁化と
をそれぞれ一定の方向にそろえる初期化方法において、 工程１：記録層磁化を一定方向にそろえる、 工程２：媒体温度を記録層の副格子磁化がメモリー層の
副格子磁化方向に転写される温度以上にする、 ことの２つの工程を有することを特徴とする。工程１に
おいて外部からの磁界によって記録層磁化を一定方向に
そろえるようにすることができる。
【０００５】また、工程１において、記録層初期化のた
めに外部から与える磁界強度が基板上に設けられたトラ
ッキング用案内溝部の記録層の反転磁界以上とすると良
い。本発明において、トラッキング用案内溝部におい
て、記録層磁化と情報を保持するメモリー層の磁化をそ
れぞれ一定方向にそろえるように初期化すると良い。
めに外部から与える磁界強度が基板上に設けられたトラ
ッキング用案内溝部の記録層の反転磁界以上とすると良
い。本発明において、トラッキング用案内溝部におい
て、記録層磁化と情報を保持するメモリー層の磁化をそ
れぞれ一定方向にそろえるように初期化すると良い。
【０００６】
【作用】本発明による初期化方法によれば、反転磁界が
小さい記録層のみを外部磁界により初期化すればよいの
で小さな磁界発生装置を用いることができるようにな
る。またトラッキング用案内溝部の記録層反転磁界以上
の磁界発生装置を用いることによりディスク全面にわた
って容易に初期化することが可能となる。
小さい記録層のみを外部磁界により初期化すればよいの
で小さな磁界発生装置を用いることができるようにな
る。またトラッキング用案内溝部の記録層反転磁界以上
の磁界発生装置を用いることによりディスク全面にわた
って容易に初期化することが可能となる。
【０００７】
実施例１ 図１は本発明の実施例のオーバーライト媒体の構成を示
すものである。図１において１はトラッキング用案内溝
を有するガラス２Ｐ基板、２はＳｉＮよりなる２つの保
護層、３はＧｄＦｅＣｏよりなる再生層、４はＴｂＦｅ
Ｃｏよりなるメモリー層、５は再生層とは異なる組成の
ＧｄＦｅＣｏよりなる交換結合力調整のための中間層、
６はＤｙＦｅＣｏよりなる記録層、７は紫外線硬化樹脂
よりなるオーバーコート層である。成膜はすべてスパッ
タ法により行い、基板１上に各保護層２を厚さ８０ｎ
ｍ、再生層３を２５ｎｍ、メモリー層４を２５ｎｍ、中
間層を１５ｎｍ、記録層を５０ｎｍの膜厚でそれぞれ形
成した。このようにして得られたオーバーライトディス
クを５ＫＯｅの磁界を発生する磁石中に通すことにより
記録層磁化を一定方向にそろえ、さらに１４０℃のオー
ブン中に２分間放置して、記録層の副格子磁化をメモリ
ー層に転写した。さらにこのディスクをドライブ装置に
セットしランド部でトラッキングを行いながら記録と再
生を行った。ドライブ条件を線速１１．３ｍ／ｓ、高レ
ベル８ｍＷ、低レベル４ｍＷの記録レーザーパワー、１
ｍＷの再生レーザーパワーとし、３ＭＨｚ５０％ｄｕｔ
ｙの信号を記録した上に４ＭＨｚ５０％の信号をオーバ
ーライトしたところ５７．３ｄＢのＣＮ比が得られた。
またディスク内の別の場所の案内溝にトラッキングを行
い、ＲＦ信号を観察したところノイズが全くなく案内溝
部も十分に初期化されていることを確認できた。
すものである。図１において１はトラッキング用案内溝
を有するガラス２Ｐ基板、２はＳｉＮよりなる２つの保
護層、３はＧｄＦｅＣｏよりなる再生層、４はＴｂＦｅ
Ｃｏよりなるメモリー層、５は再生層とは異なる組成の
ＧｄＦｅＣｏよりなる交換結合力調整のための中間層、
６はＤｙＦｅＣｏよりなる記録層、７は紫外線硬化樹脂
よりなるオーバーコート層である。成膜はすべてスパッ
タ法により行い、基板１上に各保護層２を厚さ８０ｎ
ｍ、再生層３を２５ｎｍ、メモリー層４を２５ｎｍ、中
間層を１５ｎｍ、記録層を５０ｎｍの膜厚でそれぞれ形
成した。このようにして得られたオーバーライトディス
クを５ＫＯｅの磁界を発生する磁石中に通すことにより
記録層磁化を一定方向にそろえ、さらに１４０℃のオー
ブン中に２分間放置して、記録層の副格子磁化をメモリ
ー層に転写した。さらにこのディスクをドライブ装置に
セットしランド部でトラッキングを行いながら記録と再
生を行った。ドライブ条件を線速１１．３ｍ／ｓ、高レ
ベル８ｍＷ、低レベル４ｍＷの記録レーザーパワー、１
ｍＷの再生レーザーパワーとし、３ＭＨｚ５０％ｄｕｔ
ｙの信号を記録した上に４ＭＨｚ５０％の信号をオーバ
ーライトしたところ５７．３ｄＢのＣＮ比が得られた。
またディスク内の別の場所の案内溝にトラッキングを行
い、ＲＦ信号を観察したところノイズが全くなく案内溝
部も十分に初期化されていることを確認できた。
【０００８】実施例２ 実施例１と同様にディスクを作成し、同じく５ＫＯｅの
磁界中を通した後にディスクを線速５ｍ／ｓになるよう
に回転させながら、出力２ＷのＡｒレーザービームをレ
ンズで約５０μｍのビーム径に絞り込み、ディスクに照
射した。このような処理を行ったディスクを実施例１と
同様に測定したところ５７．１ｄＢのＣＮ比が得られ、
案内溝部も十分に初期化されていることを確認できた。 比較例１ 実施例１と同様に作成したディスクをそのままドライブ
装置にセットして、実施例１と同様に測定したところＣ
Ｎ比は５３．６ｄＢであり、案内溝部にはランダムな磁
化による信号が確認された。 比較例２ 実施例１と同様に作成したディスクを３ＫＯｅの磁界中
処理した以外は実施例１と同様に処理、測定したところ
ＣＮ比は５４．７ｄＢであり、案内溝には部分的にラン
ダムな磁化による信号が残っていた。
磁界中を通した後にディスクを線速５ｍ／ｓになるよう
に回転させながら、出力２ＷのＡｒレーザービームをレ
ンズで約５０μｍのビーム径に絞り込み、ディスクに照
射した。このような処理を行ったディスクを実施例１と
同様に測定したところ５７．１ｄＢのＣＮ比が得られ、
案内溝部も十分に初期化されていることを確認できた。 比較例１ 実施例１と同様に作成したディスクをそのままドライブ
装置にセットして、実施例１と同様に測定したところＣ
Ｎ比は５３．６ｄＢであり、案内溝部にはランダムな磁
化による信号が確認された。 比較例２ 実施例１と同様に作成したディスクを３ＫＯｅの磁界中
処理した以外は実施例１と同様に処理、測定したところ
ＣＮ比は５４．７ｄＢであり、案内溝には部分的にラン
ダムな磁化による信号が残っていた。
【０００９】実施例３ 図２は本発明の第３の実施例のオーバーライト媒体の構
成を示すものである。図１において８はトラッキング用
案内溝を有するガラス２Ｐ基板、９はＳｉＮよりなる２
つの保護層、１０はＴｂＦｅＣｏよりなるメモリー層、
１１は交換結合力を調整するためのＧｄＦｅＣｏよりな
る中間層、１２はＤｙＦｅＣｏよりなる記録層、１３は
ＴｂＦｅよりなるスイッチング層、１４はＴｂＣｏより
なる初期化層、１５は紫外線硬化樹脂よりなるオーバー
コート層である。成膜はすべてスパッタ法により行い、
基板１上に各保護層２を厚さ８０ｎｍ、メモリー層を３
０ｎｍ、中間層を１５ｎｍ、記録層を５０ｎｍ、スイッ
チング層を１５ｎｍ、初期化層を５０ｎｍの膜厚でそれ
ぞれ形成した。このようにして得られた初期化磁界不要
のオーバーライトディスクを５ＫＯｅの磁界を発生する
磁石中に通すことにより初期化層、スイッチング層、記
録層の副格子磁化を一定方向にそろえ、さらに１４０℃
のオーブン中に２分間放置した。
成を示すものである。図１において８はトラッキング用
案内溝を有するガラス２Ｐ基板、９はＳｉＮよりなる２
つの保護層、１０はＴｂＦｅＣｏよりなるメモリー層、
１１は交換結合力を調整するためのＧｄＦｅＣｏよりな
る中間層、１２はＤｙＦｅＣｏよりなる記録層、１３は
ＴｂＦｅよりなるスイッチング層、１４はＴｂＣｏより
なる初期化層、１５は紫外線硬化樹脂よりなるオーバー
コート層である。成膜はすべてスパッタ法により行い、
基板１上に各保護層２を厚さ８０ｎｍ、メモリー層を３
０ｎｍ、中間層を１５ｎｍ、記録層を５０ｎｍ、スイッ
チング層を１５ｎｍ、初期化層を５０ｎｍの膜厚でそれ
ぞれ形成した。このようにして得られた初期化磁界不要
のオーバーライトディスクを５ＫＯｅの磁界を発生する
磁石中に通すことにより初期化層、スイッチング層、記
録層の副格子磁化を一定方向にそろえ、さらに１４０℃
のオーブン中に２分間放置した。
【００１０】さらにこのディスクをドライブ装置にセッ
トしランド部でトラッキングを行いながら記録と再生を
行った。ドライブ条件を線速１１．３ｍ／ｓ、高レベル
９ｍＷ、低レベル４．５ｍＷの記録レーザーパワー、１
ｍＷの再生レーザーパワーとし、３ＭＨｚ５０％ｄｕｔ
ｙの信号を記録した上に４ＭＨｚ５０％の信号をオーバ
ーライトしたところ５４．１ｄＢのＣＮ比が得られた。
またディスク内の別の場所の案内溝にトラッキングを行
い、ＲＦ信号を観察したところノイズが全くなく案内溝
部も十分に初期化されていることを確認できた。
トしランド部でトラッキングを行いながら記録と再生を
行った。ドライブ条件を線速１１．３ｍ／ｓ、高レベル
９ｍＷ、低レベル４．５ｍＷの記録レーザーパワー、１
ｍＷの再生レーザーパワーとし、３ＭＨｚ５０％ｄｕｔ
ｙの信号を記録した上に４ＭＨｚ５０％の信号をオーバ
ーライトしたところ５４．１ｄＢのＣＮ比が得られた。
またディスク内の別の場所の案内溝にトラッキングを行
い、ＲＦ信号を観察したところノイズが全くなく案内溝
部も十分に初期化されていることを確認できた。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば（１）基板
上に情報を保持するメモリー層と情報を書き込む記録層
の少なくとも２層を有する交換結合力を利用したオーバ
ーライトディスクの情報を保持するメモリー層の磁化と
情報を書き込む記録層の磁化をそれぞれ一定の方向にそ
ろえる初期化処理方法において、 工程１：記録層磁化を一定方向にそろえる、 工程２：媒体温度を記録層の副格子磁化がメモリー層の
副格子磁化方向に転写される温度以上にするの２つの工
程、 により初期化を行うことにより、大きな磁界を発生させ
る装置なしに簡単な装置でオーバーライト媒体の初期化
を行うことができる。また、本発明の実施例によれば記
録層初期化のために外部から与える磁界強度を、基板上
に設けられたトラッキング用案内溝部の記録層の反転磁
界以上にすることにより、案内溝部での初期化が完全に
行うことができるようになり良好な信号品質を得ること
ができる。
上に情報を保持するメモリー層と情報を書き込む記録層
の少なくとも２層を有する交換結合力を利用したオーバ
ーライトディスクの情報を保持するメモリー層の磁化と
情報を書き込む記録層の磁化をそれぞれ一定の方向にそ
ろえる初期化処理方法において、 工程１：記録層磁化を一定方向にそろえる、 工程２：媒体温度を記録層の副格子磁化がメモリー層の
副格子磁化方向に転写される温度以上にするの２つの工
程、 により初期化を行うことにより、大きな磁界を発生させ
る装置なしに簡単な装置でオーバーライト媒体の初期化
を行うことができる。また、本発明の実施例によれば記
録層初期化のために外部から与える磁界強度を、基板上
に設けられたトラッキング用案内溝部の記録層の反転磁
界以上にすることにより、案内溝部での初期化が完全に
行うことができるようになり良好な信号品質を得ること
ができる。
【図１】 本発明の実施例１、２、比較例１、２におけ
るオーバーライトディスクの構成図
るオーバーライトディスクの構成図
【図２】 本発明の実施例３におけるオーバーライトデ
ィスクの構成図
ィスクの構成図
１，８：基板 ２，９：ＳｉＮ保護層 ３：ＧｄＦｅＣｏ再生層 ４，１０：ＴｂＦｅＣｏメモリー層 ５，１１：ＧｄＦｅＣｏ中間層 ６，１２：ＤｙＦｅＣｏ記録層 １３：ＴｂＦｅスイッチング層 １４：ＴｂＣｏ初期化層 ７，１５：樹脂オーバーコート層
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に情報を保持するメモリー層と情報
を書き込む記録層の少なくとも２層を有する交換結合力
を利用したオーバーライトディスクの情報を保持するメ
モリー層の磁化と情報を書き込む記録層の磁化をそれぞ
れ一定の方向にそろえる初期化処理方法において、 工程１：記録層磁化を一定方向にそろえ； 工程２：媒体温度を記録層の副格子磁化がメモリー層の
副格子磁化方向に転写される温度以上にする；ことを特
徴とする光磁気ディスクの初期化方法。 - 【請求項２】工程１において外部からの磁界によって記
録層磁化を一定方向にそろえることを特徴とする請求項
１に記載の初期化方法。 - 【請求項３】記録層初期化のために外部から与える磁界
強度が基板上に設けられたトラッキング用案内溝部の記
録層の反転磁界以上であることを特徴とする請求項２に
記載の初期化方法。 - 【請求項４】請求項１に記載の初期化方法により、トラ
ッキング用案内溝部において、記録層磁化と情報を保持
する層の磁化がそれぞれ一定方向にそろっていることを
特徴とするオーバーライト可能な光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145005A JPH076425A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 交換結合力を利用したオーバーライト可能な光磁気ディスクとその初期化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145005A JPH076425A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 交換結合力を利用したオーバーライト可能な光磁気ディスクとその初期化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076425A true JPH076425A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15375252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145005A Withdrawn JPH076425A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 交換結合力を利用したオーバーライト可能な光磁気ディスクとその初期化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076425A (ja) |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP5145005A patent/JPH076425A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |