JPH0836802A

JPH0836802A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体の初期化装置

Info

Publication number: JPH0836802A
Application number: JP6174599A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Hosokawa; 哲夫細川
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1994-07-26
Filing date: 1994-07-26
Publication date: 1996-02-06

Abstract

(57)【要約】【目的】大がかりな設備によらずに光変調オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体の初期化を短い処理時間で行
う初期化装置を提供する。【構成】光磁気記録媒体を回転させる手段、光磁気記
録媒体の記録層の温度を上昇させるための光ビーム照射
手段、及び光磁気記録媒体の光ビーム照射位置とは異な
る位置に磁場発生手段Ｈ1を設けた初期化装置とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は交換結合力を利用したオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体の初期化装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】通常、光磁気記録媒体はスパッタリング
法により、その記録層の磁化方向が基板に対して垂直方
向であるように製造される。しかし、その方向は全くラ
ンダムである。この状態のままで光磁気記録媒体を記録
・再生装置にセットして記録しても、記録トラックの外
側、特にガイド溝部分のランダムな磁化方向の部分はそ
のまま残っていることになる。そして、この状態で記録
されたマークを再生を行うと、再生ビームの外周部でラ
ンダムな磁化方向の部分も再生信号としてに取り込むた
め、再生信号の品質が低下してしまうという問題があっ
た。

【０００３】このような問題を回避するために、記録層
などの磁性層を形成した後、磁性層の保磁力以上の一定
方向の磁場を媒体に印加することで、光磁気記録媒体全
面の磁化を一定方向にそろえる初期化処理を行ってい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、光変調オーバ
ーライト光磁気記録媒体の場合、記録された信号が記録
層を初期化するための磁界によって影響を受けないよう
にするため、メモリー層の保磁力は通常の非オーバーラ
イト媒体の保磁力に比べて大きく設定されている上に、
磁性層間に働く交換結合力のためにメモリー層の磁化方
向を変えるのに必要な反転磁界は更に大きくなることが
多く、従って、交換結合オーバーライト光磁気記録媒体
を初期化するのに必要な磁界は 20 KOe 以上にもなるよ
うな非常に大ががりな設備になってしまうという問題が
あった。

【０００５】そこで、光磁気記録媒体を回転させながら
レーザービームを媒体に照射することによって、媒体温
度をキュリー温度程度に上昇させながら磁場を印加して
初期化を行うという方法が提案された。この方法では印
加する磁界は上記方法に比べると小さくて済むようにな
った。しかし、オーバーライト可能な媒体の磁性層のキ
ュリー温度は、非オーバーライト媒体のそれに比べて高
いので、磁性層の温度をキュリー温度程度まで上昇させ
るためには、実用的な装置としては媒体の回転数を低く
設定しなければならず、そのため媒体１枚あたりの処理
時間が長くなることで生産性が低下するという問題があ
った。

【０００６】

【課題を解決する為の手段】かかる問題点を解決するた
め、本発明者は鋭意研究の結果、まず、小さな初期化磁
界の層を初期化した後、媒体の温度を上げることで、磁
気転写により大きな初期化磁界の層を初期化できること
を見出し、本発明をなすに至った。従って、本発明は第
１に「少なくともメモリー層と記録層の２層を有するオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体の初期化装置におい
て、前記光磁気記録媒体を回転させる手段、前記光磁気
記録媒体の記録層の温度を上昇させるための光ビーム照
射手段、及び前記光磁気記録媒体の前記光ビーム照射位
置とは異なる位置に磁場発生手段Ｈ1を設けたことを特
徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体の初期化
装置」を提供し、第２に「磁場発生手段Ｈ1が、記録層
のトラッキング用ガイド溝部の磁化を反転させるのに必
要な磁界より大きい磁界を発生することを特徴とする請
求項１に記載の初期化装置」を提供し、第３に「光磁気
記録媒体は、メモリー層、記録層、スイッチング層及び
初期化層を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体
であることを特徴とする請求項１及び２に記載の初期化
装置」を提供し、第４に「光ビーム照射位置に第２の磁
場発生手段Ｈ2を設けたことを特徴とする請求項１、２
及び３に記載の初期化装置」を提供するものである。

【０００７】

【作用】本発明による初期化装置によれば、まず、反転
磁界が小さい記録層のみを外部磁界により初期化する。
これには、記録層のガイド溝部も含まれる。これにより
媒体全面にわたって記録層の完全な初期化が行われる。
更に、メモリー層の初期化については、レーザービーム
の照射により記録層からメモリー層に磁気転写が起こる
温度（低温プロセス温度）にすることにより行う。これ
により媒体温度を高くせずにメモリー層の初期化が可能
になる。

【０００８】なお、メモリー層上に再生信号の品質を向
上させるために大きなカー回転角を示す再生層を付加し
た媒体に対しても、本発明の装置は有効である。また、
初期化磁石を必要とせず、その代わりに初期化するため
の初期化層を自身に有するタイプの媒体については、磁
場発生手段から発生する磁界の大きさを初期化層の反転
磁界以上とすればよい。この場合、レーザービーム照射
位置での磁場発生手段はメモリー層初期化を補助するた
めに機能する。

【０００９】

【実施例１】図２は本発明に係るオーバーライト可能な
光磁気記録媒体の構成を示す。図２で、1 はトラッキン
グ用ガイド溝を有するＰＣ基板、2 は窒化シリコンより
なる保護層、3 はGdFeCoよりなる再生層、4 はTbFeCoよ
りなるメモリー層、5 は再生層とは異なる組成のGdFeCo
よりなる交換結合力調整のための中間層、6 はDyFeCoよ
りなる記録層である。これら磁性層の形成は全てスパッ
タリング法により行った。また、7 は紫外線硬化樹脂よ
りなるオーバーコート層である。各層の厚さは保護膜2
が 80nm 、再生層3 が 25nm 、メモリー層4 が 25nm 、
中間層5 が 15nm、記録層6 が 50nm である。

【００１０】図１に本発明の初期化装置の概念図を示
す。この装置は記録層あるいは初期化層を初期化するた
めの第１の磁場発生部31と媒体を低温プロセス温度に上
昇させるためのレーザービーム発生部32と媒体のレーザ
ービーム照射位置において磁界を発生する第２の磁場発
生部33からなり、媒体は回転可能になっている。オーバ
ーライト可能な媒体を図１に示す初期化装置にセット
し、5m/secで媒体を回転させ、レンズで50μm のビーム
径に絞った２Ｗのレーザービームを照射した。ここで、
磁界発生部で発生させる磁界は媒体の磁性層で 5kOe と
なるように調整した。また、ビーム照射位置にはメモリ
ー層の初期化方向に 300Oeの磁場をかけた。ビームは内
周から外周あるいはその逆に移動させ、媒体全面の初期
化を行った。

【００１１】次に、上記工程により初期化した媒体を記
録・再生装置にセットし、トラッキングを行いながらラ
ンドに記録し再生を行った。記録条件としては、線速 1
1.3m/sec 、高レベル 8mW、低レベル 4mWの記録レーザ
ーパワーで、3MHzデューティー比50％の信号を記録した
後、4MHzデューティー比50％の信号をオーバーライトし
た。その後、１mWのレーザーパワーで再生したながらＣ
／Ｎ値を測定したところ、57.3 dB が得られた。またガ
イド溝にトラッキングを行い、この部分の信号を観察し
たところノイズが全くないことからガイド溝部は完全に
初期化されていることを確認できた。

【００１２】

【比較例１】第１の磁場発生手段31がないこと以外は実
施例１と同装置、同条件で同様の測定を行ったところ、
Ｃ／Ｎ値は 45.6 dBとなり、実施例１に比べて大幅に低
かった。また、ガイド溝部には全面にわたってランダム
な磁化によるノイズ信号が確認された。

【００１３】

【比較例２】第１の磁場発生部31で発生する磁界の大き
さを媒体面で３kOe とした以外は実施例１と同装置、同
条件で同様の測定を行ったところ、Ｃ／Ｎ値は 51.7 dB
となり、実施例２よりはかなり高いものの、実施例１よ
りはかなり低かった。また、ガイド溝には局所的にラン
ダムな磁化によるノイズ信号が残っていた。

【００１４】

【実施例２】図３は本発明に係る別のオーバーライト可
能な光磁気記録媒体の構成を示すものである。図３で、
8 はトラッキング用案内溝を有するＰＣ基板、9 は窒化
シリコンよりなる保護層、10はGdFeCoよりなる再生層、
11はTbFeCoよりなるメモリー層、12は交換結合力を調整
するためのGdFeCoよりなる中間層、13はDyFeCoよりなる
記録層、14はTbFeよりなるスイッチング層及び15はTbCo
よりなる初期化層で、形成は全てスパッタリング法によ
り行った。また、16は紫外線硬化樹脂よりなるオーバー
コート層である。各層の厚さは、保護膜9 が 80nm 、メ
モリー層11が30nm、中間層12が 15nm 、記録層13が 50n
m 、スイッチング層14が 15nm 及び初期化層15が 50nm
である。

【００１５】このようにして得られた初期化磁界不要の
オーバーライト可能な光磁気記録媒体を11kOe の磁界を
発生する磁界発生手段を通過させることにより、初期化
層、スイッチング層及び記録層の磁化方向を一定方向に
揃え、更に実施例１と同じ初期化装置により初期化し
た。次に、この媒体を記録・再生装置にセットし、トラ
ッキングをかけながらランドに記録し再生を行った。記
録条件としては、線速 11.3 m/sec 、高レベル 9mW低レ
ベル 4.5mWの記録レーザーパワーで、3MHzデューティー
比50％の信号を記録した後、4MHzデューティー比50％の
信号をオーバーライトした。その後、１mWのレーザーパ
ワーで再生したながらＣ／Ｎ値を測定したところ、57.1
dB が得られた。またガイド溝にトラッキングを行い、
この部分の信号を観察したところノイズが全くないこと
からガイド溝部は完全に初期化されていることを確認で
きた。

【００１６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、小さな磁
界発生手段で初期化することが可能となり、また、媒体
温度が低い状態でも初期化可能となるため、初期化装置
の媒体回転数を高く設定することが可能となるので、初
期化時間が短縮でき、コストダウンが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の初期化装置の概念図である。

【図２】本発明に係るオーバーライト可能な光磁気記
録媒体構成図である。

【図３】本発明に係る別のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体構成図である。

【符号の説明】

１・・・基板２・・・保護層３・・・再生層４・・・メモリー層５・・・中間層６・・・記録層７・・・樹脂オーバーコート層８・・・基板９・・・保護層１０・・・再生層１１・・・メモリー層１２・・・中間層１３・・・記録層１４・・・スイッチング層１５・・・初期化層１６・・・樹脂オーバーコート層３１・・・第１の磁場発生部３２・・・レーザービーム発生部３３・・・第２の磁場発生部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともメモリー層と記録層の２層を
有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体の初期化装
置において、前記光磁気記録媒体を回転させる手段、前
記光磁気記録媒体の記録層の温度を上昇させるための光
ビーム照射手段、及び前記光磁気記録媒体の前記光ビー
ム照射位置とは異なる位置に磁場発生手段Ｈ1を設けた
ことを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体
の初期化装置。
【請求項２】磁場発生手段Ｈ1が、記録層のトラッキ
ング用ガイド溝部の磁化を反転させるのに必要な磁界よ
り大きい磁界を発生することを特徴とする請求項１に記
載の初期化装置。
【請求項３】光磁気記録媒体は、メモリー層、記録
層、スイッチング層及び初期化層を有するオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体であることを特徴とする請求項
１及び２に記載の初期化装置。
【請求項４】光ビーム照射位置に第２の磁場発生手段
Ｈ2を設けたことを特徴とする請求項１、２及び３に記
載の初期化装置。