JPH0764867A

JPH0764867A - 不揮発性メモリの書込み制御方法

Info

Publication number: JPH0764867A
Application number: JP21443493A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kusaka; 弘幸日下
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1993-08-30
Filing date: 1993-08-30
Publication date: 1995-03-10
Anticipated expiration: 2019-05-10
Also published as: JP3524566B2

Abstract

(57)【要約】【目的】不揮発性メモリにおける複数のデータ書込み
領域に対する書込制御を行って書込回数制限を回避する
と共に、電源がオフされても、事前の書込みデータを復
帰させ、継続してデータを書込んでゆくことが可能な不
揮発性メモリの書込み制御方法を提供することを目的と
している。【構成】書込み回数制限のある不揮発性メモリが、Ｍ
個のデータ書込領域と、ひとつのデータ書込領域を示す
Ｎ個のフラグデータを書込むＭ×Ｎ個のフラグデータタ
書込領域と、所定組のフラグパターンを有し、ひとつの
フラグパターンに対応して、次順のフラグデータ書込領
域と、その書込領域への書込フラグデータを有する変換
テーブルとを備える一方、データが書込まれた場合に、
その時のフラグパターンを読み出して、変換テーブルに
基づき、該当する次順のフラグデータ書込領域に、該当
するフラグデータを書込むフラグデータ書込み手段と、
書込まれたフラグデータ書込領域に対応するデータ書込
領域に対して、データを書込むデータ書込手段とを備え
たことを特徴とする不揮発性メモリの書込み制御方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、携帯電話装置等で使用
される書込み回数制限のある不揮発性メモリに対して、
通話料金データのように、所定の時間間隔で累積されて
ゆくデータを連続して書込んでゆく場合における不揮発
性メモリの書込み制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７は、従来の携帯電話装置で使用され
る不揮発性メモリに書き込まれるデータ内容の例を示す
メモリマップである。ここで使用される不揮発性メモリ
（電源をオフしても内容が失われないメモリーのことで
ある）に対してデータを書き込む場合には、従来より、
メモリ領域における書込みアドレスを指定して行われる
ようになっている。この例では、バイト或いはワード単
位でデータが書き込まれ、アドレスＸで指定されるメモ
リ領域に対して「累積通話時間」に関するデータが書き
込まれ、アドレスＸ＋１で指定されるメモリ領域に対し
て「累積通話料金」に関するデータが書き込まれ、アド
レスＸ＋３で指定されるメモリ領域に対して「シークレ
ット番号」のデータが書き込まれ、アドレスＸ＋５で指
定されるメモリ領域に対して「電話帳データ（宛先と電
話番号等のデータ）」が書き込まれ、アドレスＸ＋ｎ−
２で指定されるメモリ領域に対して「リダイアル番号」
のデータが書き込まれるようになっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した不
揮発性メモリの指定された同一アドレスのメモリ領域に
対して行うデータの書込み制限回数は、通常、１万〜１
０万回程度となっている。このため、例えば、１０秒毎
に累積通話料金データ等の変数を書き換えてゆく場合に
は、１日当たり４５分程度の通話をするものとして、１
０万回の書込み制限がある不揮発性メモリを使用する
と、この不揮発性メモリは、約１年ぐらいで寿命が来て
しまう。携帯電話装置の一般的な使われ方を考えた場合
に、その商品性能としての寿命は５〜１５年程度が必要
となるであろうが、使用頻度が高くなればなる程、不揮
発性メモリの寿命をますます早めてしまうことになると
いう事実は避けることができない。

【０００４】また、「累積通話料金」のようなデータ
を、上述した不揮発性メモリに対して書込んでゆく場合
の書込み所要時間は、約１０ｍｓｅｃとなっている。そ
こで、データの書込みの最中に、突然、バッテリがはず
れる等の事故が発生した場合には、電源がオフされるこ
ととなり、書込み中のメモリ領域におけるデータが破壊
されてしまうおそれがある。

【０００５】本発明は、かかる現状に鑑みてなされたも
のであり、不揮発性メモリにおける複数のデータ書込み
領域に対する書込制御を行って書込み回数制限を回避す
ると共に、電源がオフされても、事前の書込みデータを
復帰させ、継続してデータを書込んでゆくことが可能な
不揮発性メモリの書込制御方法を提供することを目的と
している。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本請求項１記載の発明は、書込み回数に制限のある
不揮発性メモリに対して連続してデータを書込む場合の
書込み制御方法であって、前記不揮発性メモリが、デー
タを、順に、連続して書込んでゆくために、アドレス指
定されたＭ個のデータ書込領域と、前記Ｍ個のデータ書
込領域の中のひとつの書込領域を示すＮ個のフラグデー
タを、順に、連続して書込んでゆくために、各データ書
込領域に対してアドレス指定されたＭ×Ｎ個のフラグデ
ータ書込領域と、前記Ｍ×Ｎ個のフラグデータ書込領域
の全ての書込領域に書き込まれた全フラグデータからな
る所定組のフラグパターンを有し、該フラグパターンの
ひとつに対応して、次順のフラグデータ書込領域及びそ
の書込領域へ書込むべきフラグデータを有する変換テー
ブルとを備える一方、前記Ｍ個のデータ書込領域の中の
ひとつにデータが書込まれた場合に、その時のフラグパ
ターンを読み出し、前記変換テーブルに基づき、該当す
る次順のフラグデータ書込領域に対して、該当するフラ
グデータを書き込むフラグデータ書込み手段と、前記フ
ラグデータ書込み手段により書込まれた次順のフラグデ
ータ書込領域に対応するデータ書込領域に対して、デー
タを書込むデータ書込手段と、を備えたことを特徴とし
ている。

【０００７】また、本請求項２記載の発明は、同じく、
前記不揮発性メモリの書込み制御方法であって、更に、
前記データ書込領域のひとつに対してデータを書込んで
いる最中に電源がオフされ、再び電源がオンされた場合
に、その時のフラグパターンを読み出し、前記変換テー
ブル中に同一フラグパターンがあるか否かを検索するフ
ラグパターン検索手段と、前記フラグパターン検索手段
により同一フラグパターンが検索されなかった場合に、
異常なフラグデータを有する第１のフラグデータ書込領
域に対応する第１のデータ書込領域に対して、該第１の
フラグデータ書込領域にフラグデータが書込まれる直前
にフラグデータが書き込まれた第２のフラグデータ書込
領域に対応する第２のデータ書込領域に書込まれたデー
タを移行させる書込データ移行手段と、を備えたことを
特徴としている。

【０００８】

【作用】上記本請求項１にかかる発明の構成によれば、
書込み回数に制限のある本不揮発性メモリには、アドレ
ス指定されたＭ個のデータ書込領域に対して、データ
が、順に、連続して書込まれる。また、各データ書込領
域を示すために、Ｎ個のフラグデータが使用されるよう
になっている。そして、各データ書込領域に対してアド
レス指定されたＭ×Ｎ個のフラグデータ書込領域が設け
られ、該Ｍ×Ｎ個の各フラグデータ書込領域に対して、
Ｎ個のフラグデータが、順に、連続して書込まれる。

【０００９】また、本不揮発性メモリには、Ｍ×Ｎ個の
フラグデータ書込領域の全ての書込領域に書き込まれた
全フラグデータからなる所定組のフラグパターンと、該
フラグパターンのひとつに対応して、次順のフラグデー
タ書込領域及びその書込領域へ書込むべきフラグデータ
を有する変換テーブルが備えられている。いま、Ｍ個の
データ書込領域の中のひとつにデータが書込まれた場
合、フラグデータ書込み手段によって、その時のフラグ
パターンが読み出され、前記変換テーブルに基づき、該
当する次順のフラグデータ書込領域に対し、該当するフ
ラグデータが書込まれる。更に、データ書込手段によっ
て、フラグデータ書込み手段により書込まれた次順のフ
ラグデータ書込領域に対応するデータ書込領域に対し
て、データが書込まれる。このように、本不揮発性メモ
リでは、データを書き込むべき次順の書込領域が指定さ
れるので、データが、各データ書込領域に対して、順
に、連続して、確実に書き込まれる。

【００１０】また、上記本請求項２にかかる発明の構成
によれば、前記データ書込領域のひとつに対してデータ
が書込まれている最中に電源がオフされた後、再び電源
がオンされた場合に、フラグパターン検索手段によっ
て、その時のフラグパターンが読み出され、前記変換テ
ーブル中に同一フラグパターンがあるか否かが検索され
る。そして、前記フラグパターン検索手段により同一
フラグパターンが検索されなかった場合には、書込デー
タ移行手段によって、異常なフラグデータを有する第１
のフラグデータ書込領域に対応する第１のデータ書込領
域に対し、該第１のフラグデータ書込領域にフラグデー
タが書込まれる直前にフラグデータが書き込まれた第２
のフラグデータ書込領域に対応する第２のデータ書込領
域に書込まれたデータが移行される。この結果、本不揮
発性メモリに対して連続してデータを書込んでいる最中
に、電源がオフされるという事故が発生した場合でも、
電源の再投入に伴い、事前に書込まれデータが復帰され
る。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の一実施例を、図面に従い具体
的に説明する。図１は、本発明にかかる不揮発性メモリ
の書込み制御方法が適用されるデジタル携帯電話装置の
構成を示すブロック図である。このデシタル携帯電話装
置の構成を、その全体の動作によって説明すると次のよ
うになる。

【００１２】先ず、受信側では、アンテナから入力され
た高周波信号（以下、ＲＦ信号と言う）が、受信系ＲＦ
・ＩＦ部１に入力される。この受信系ＲＦ・ＩＦ部１で
は、ＲＦフィルタとＲＦアンプによって入力された受信
ＲＦ信号だけが取り出されて増幅され、ＰＬＬ周波数シ
ンセサイザー２から発せられる基準クロックと混合さ
れ、トランジスタの非直線部分を使って発生する周波数
スペクトラムの差分のみがＩＦフィルタとＩＦアンプに
よって取り出されるようになっている。なお、ここで取
り出された受信信号のことを、通常、中間周波数信号
（以下、ＩＦ信号と言う）と呼んでいる。

【００１３】続いて、ゲートアレイやＤＳＰ（デジタル
シグナルプロセッサ）等で構成される復調器３にて、取
り出されたＩＦ信号の検波が行われ（なお、一般に、デ
ジタル携帯電話装置では、π／４シフトＱＰＳＫ復調が
行われるようになっている）、更に、ＴＤＭＡ処理回路
４にてＴＤＭＡ処理される。そして、音声信号部分につ
いては、ＶＳＥＬＰ処理（音声信号の符号化処理のこ
と）された後、Ｄ／Ａ変換回路５にてアナログ変換され
て音声処理回路６に入力される。音声処理回路６では、
入力されたアナログ信号の増幅やＢＰＦ制御によってイ
ンピーダンス変換が行われ、相手先からの呼出しに対し
てはリンガーを鳴動させ、また、相手先から送信されて
来た音声については、スピーカを通じて出力する。ま
た、メッセージ等の制御データについては、復調器３に
て復調された後、ＴＤＭＡ処理回路４にて復号や誤り訂
正等の処理がなされ、かかる制御データに基づいた処理
を制御部７が行うようになっている。

【００１４】次に、送信側では、音声処理回路６にて、
マイクを通じて入力された音声信号（アナログ信号であ
る）を送信信号とするための処理がなされ、Ａ／Ｄ変換
回路８でデジタル変換されてＶＳＥＬＰ処理が行われ
る。続いて、ＴＤＭＡ処理回路９にてＴＤＭＡ処理がな
され、更に、変調器１０にてπ／４シフトＱＰＳＫ変調
がかけられる。また、制御部７より発せられるメッセー
ジ等の送信データについては、ＴＤＭＡ処理回路９にて
ＴＤＭＡ処理がなされ、変調器１０にてコード変換や誤
り訂正が行われる。

【００１５】続いて、送信系ＲＦ・ＩＦ部９では、変調
信号をＰＬＬ周波数シンセサイザー２から発せられる基
準クロックと混合し、ＲＦフィルタ及びＲＦアンプによ
って必要な周波数成分についての増幅を行って無線周波
数信号とした後、パワーアンプで電力増幅してアンテナ
に供給する。そして、アンテナから効率よく電波が空中
に放射される。

【００１６】一方、上述したデータの送受信に供される
回路構成とは別に、制御部７は、各種のキー入力を行う
キー部１２と、ＬＥＤやＬＣＤで構成された表示部１３
を制御するようになっている。更に、このデジタル携帯
電話装置には、同じく制御部７によって制御される累積
通話料金を連続して書き込むための不揮発性メモリ部１
４が設けられている。そして、この不揮発性メモリ部１
４は、電源がオフされても書き込んだデータを記憶して
いるメモリ領域を有しており、該メモリ領域は、フラグ
領域１５と、データ領域１６と、変換テーブル１７（い
ずれについても後述する）とから構成されている。ま
た、変換テーブル１７を検索して、書き込まれたデータ
のパターンが一致するか否かの判断を行うために、判断
部１８が設けられている。なお、上述した各機能ブロッ
クに対しては、バッテリ２０に接続された電源部１９か
ら定電圧が供給されるようになっている。

【００１７】図２は、図１に示すデジタル携帯電話装置
における不揮発性メモリ部１４に書き込まれるデータ内
容の例を示すメモリマップである。図で示すように、こ
こでは、アドレスＸで指定されるフラグ領域１に対して
「フラグデータ１」が書き込まれ、アドレスＸ＋１で指
定されるフラグ領域２に対して「フラグデータ２」が書
き込まれ、アドレスＸ＋２で指定されるデータ領域１に
対して「累積通話料金データ１」が書き込まれ、アドレ
スＸ＋４で指定されるデータ領域２に対して「累積通話
時間データ」が書き込まれ、アドレスＸ＋ｎ−２で指定
されるフラグ領域３に対して「フラグデータ３」が書き
込まれ、アドレスＸ＋ｎ−１で指定されるフラグ領域４
に対して「フラグデータ４」が書き込まれるようになっ
ている。また、アドレスＸ＋ｎで指定されるデータ領域
３に対して「累積通話料金データ２」が書き込まれるよ
うになっている。

【００１８】以上のように、この不揮発性メモリ部１４
には、４つのフラグ領域１〜４と、累積通話料金データ
を書込む２つのデータ領域１及びデータ領域３が設けら
れている。ここで、フラグ領域１とフラグ領域２が、デ
ータ領域１に対応して設けられており、フラグ領域３と
フラグ領域４が、データ領域３に対応して設けられてい
る。なお、累積通話料金データを、データ領域１及びデ
ータ領域２の何れに書込むべきかについては、図４にお
いて説明する変換テーブルに基づいて行われるようにな
っている。

【００１９】図３は、図２に示す４つのフラグ領域１〜
４に、順に書き込まれるフラグデータを示す表である。
フラグ１の領域には、最初から順に、１、１、５、５、
５、５、９、９、９、９、Ｄ、Ｄ、Ｄ、Ｄ、１、１、そ
して再び１、１、・・・・・とフラグデータが書き込ま
れる。フラグ２の領域には、最初から順に、３、３、
３、３、７、７、７、７、Ｂ、Ｂ、Ｂ、Ｂ、Ｆ、Ｆ、
Ｆ、Ｆ、そして再び３、３、・・・・・とフラグデータ
が書き込まれる。フラグ３の領域には、最初から順に、
２、２、２、６、６、６、６、Ａ、Ａ、Ａ、Ａ、Ｅ、
Ｅ、Ｅ、Ｅ、２、そして再び２、２、・・・・・とフラ
グデータが書き込まれる。フラグ４の領域には、最初か
ら順に、０、４、４、４、４、８、８、８、８、Ｃ、
Ｃ、Ｃ、Ｃ、０、０、０、そして再び０、４、・・・・
・とフラグデータが書き込まれる。

【００２０】ここで、各フラグ領域１〜４には、累積通
話料金データが、データ領域１及びデータ領域２に書き
込まれる毎に、順に、上述したフラグデータの一が書き
込まれることになるが、書き込むべきフラグ領域と、フ
ラグデータについては、次の図４に示す変換テーブルに
従って決定されるようになっている。なお、出荷時にお
いては、フラグ領域１〜フラグ領域４の各領域に対して
「１、３、２、０」が初期データとして書き込まれるよ
うになっている。

【００２１】図４は、図３に示す４つのフラグ領域１〜
４に書き込まれたフラグデータから、次回の書き込みフ
ラグ領域と、そこに書き込むべきフラグデータを決定す
るための変換テーブルである。例えば、この変換テーブ
ルにおいて、フラグ領域１〜４に現在書き込まれている
フラグデータが、夫々、「５７６４」である場合、次回
の書き込みフラグ領域はフラグ領域４であり、書き込む
べきフラグデータは８である。従って、次回の累積通話
料金データの書込みにあたっては、フラグ領域４に対し
てフラグデータ８を書き込み、フラグ領域４に対応する
アドレスＸ＋ｎで指定されるデータ領域３に対して「累
積通話料金データ２」を書込むことになる。

【００２２】このように、フラグ領域１或いはフラグ領
域２が書込フラグ領域として決定された場合には、これ
らの領域に対応する直近のアドレスＸ＋２で指定される
データ領域１に対して「累積通話料金データ１」が書込
まれ、フラグ領域３或いはフラグ領域４が書込フラグ領
域として決定された場合には、これらの領域に対応する
直近のアドレスＸ＋ｎで指定されるデータ領域３に対し
て「累積通話料金データ２」が書込まれることになる。

【００２３】図５は、図１に示す不揮発性メモリ部１４
におけるデータ書込みの制御を示すフローチャートであ
る。先ず、出荷時に、フラグ領域１〜４の内容を初期化
する（Ｓ１）。ここでは、上述したように、フラグ領域
１〜４に、フラグデータの初期値「１３２０」を書き込
む。次に、累積通話料金データ等のデータの書込みが発
生したか否かを確認して（Ｓ２）、データの書込みが発
生した場合（Ｓ２においてＹｅｓの場合）には、フラグ
領域１〜４に書込まれてる各データ内容を読込む（Ｓ
３）。

【００２４】続いて、変換テーブル１７を検索して、次
回の書込フラグ領域を示す書込みフラグ番号（Ａ）と、
そこに書込むべき数字（Ｂ）を求める（Ｓ４）。そし
て、求めたフラグ領域Ａに、数字データＢを書込む（Ｓ
５）。更に、フラグＡ＝１或いは２である場合には、ア
ドレスＸ＋２で指定されるデータ領域１にデータを書込
み、フラグＡ＝３或いは４である場合には、アドレスＸ
＋ｎで指定されるデータ領域３にデータを書込み（Ｓ
６）、再び、ステップＳ２の処理に戻る。

【００２５】図６は、図１に示す不揮発性メモリ部１４
にデータを書込んでいる最中に、電源がオフされたと
き、再復帰してデータを書込んでゆく場合の制御を示す
フローチャートである。先ず、電源がオンされたか否か
を確認し（Ｓ１１）、オンされた場合には（Ｓ１１にお
いてＹｅｓの場合）には、その時点におけるフラグ領域
１〜４の各フラグデータの内容を読込む（Ｓ１２）。更
に、変換テーブル１７を検索して、同じフラグパターン
を探す（Ｓ１３）。そこで、一致するフラグパターンが
ある場合（Ｓ１４においてＹｅｓの場合）には、データ
が破壊されずに正常に動作していることになるので、通
常の処理に移り、図５に示すフローチャートのステップ
Ｓ２の前の段階に処理を移行する。

【００２６】これに対し、一致するフラグパターンがな
い場合（Ｓ１４においてＮｏの場合）には、パターンが
違う場所を発見して、そのフラグ番号を求める（Ｓ１
５）。例えば、正常データが「５７６４」であり、フラ
グ領域２にデータを書込んでいる最中に、データが「５
９６４」に破壊された場合には、「５Ｘ６４」について
フラグパターンを検索する。この結果、フラグ２に正常
なデータ「７」を書込んでいる時に電源がオフされたこ
と、即ち、フラグ領域２のデータが破壊されたことが判
明する。

【００２７】そこで、データが破壊されたフラグ領域に
依存しない方のデータ領域（例えば、フラグ領域２のデ
ータが破壊された場合には、アドレスＸ＋ｎで指定され
るデータ領域３となる）に現に書込まれているデータを
読込み、データが破壊されたフラグ領域に依存している
方のデータ領域（例えば、フラグ領域２のデータが破壊
された場合には、アドレスＸ＋２で指定されるデータ領
域１となる）に該データを移行して書込む（Ｓ１６）。
そして、通常の処理に移り、図５に示すフローチャート
のステップＳ２の前の段階に処理を移行する。

【００２８】

【発明の効果】以上の本発明によれば、携帯電話装置等
で使用される書込み回数に制限のある不揮発性メモリに
対して、累積通話料金のようなデータを連続して書き込
んでゆく場合に、複数のデータ書込み領域に対して、順
に、連続してデータの書込みが行われるように制御され
るので、不揮発性メモリの書込み回数制限を回避するこ
とが可能となる。

【００２９】また、データを書込んでいる最中に、突
然、バッテリがはずれる等の事故が発生した場合でも、
事前の書込みデータが復帰され、継続してデータを書込
んでゆくことが可能となる。従って、本発明を携帯電話
装置に応用した場合には、その課金データに狂いを生ず
ることなく長期間にわたって安心して使用することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる不揮発性メモリの書込み制御方
法が適用されるデジタル携帯電話装置の構成を示すブロ
ック図である。

【図２】図１に示すデジタル携帯電話装置における不揮
発性メモリ部１４に書き込まれるデータ内容の例を示す
メモリマップである。

【図３】図２に示す４つのフラグ領域１〜４に順に書き
込まれるフラグデータを示す表である。

【図４】図３に示す４つのフラグ領域１〜４に書き込ま
れたフラグデータから、次回の書き込みフラグ領域と、
そこに書き込むべきフラグデータを決定するための変換
テーブルである。

【図５】図１に示す不揮発性メモリ部１４におけるデー
タ書込みの制御を示すフローチャートである。

【図６】図１に示す不揮発性メモリ部１４にデータを書
込んでいる最中に、電源がオフされたとき、再復帰して
データを書込んでゆく場合の制御を示すフローチャート
である。

【図７】従来の携帯電話装置で使用される不揮発性メモ
リに書き込まれるデータ内容の例を示すメモリマップで
ある。

【符号の説明】

７制御部１４不揮発性メモリ部１５フラグ領域１６データ領域１７変換テーブル１８判断部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】書込み回数に制限のある不揮発性メモリ
に対して連続してデータを書込む場合の書込み制御方法
であって、前記不揮発性メモリが、データを、順に、連続して書込んでゆくために、アドレ
ス指定されたＭ個のデータ書込領域と、前記Ｍ個のデータ書込領域の中のひとつの書込領域を示
すＮ個のフラグデータを、順に、連続して書込んでゆく
ために、各データ書込領域に対してアドレス指定された
Ｍ×Ｎ個のフラグデータ書込領域と、前記Ｍ×Ｎ個のフラグデータ書込領域の全ての書込領域
に書き込まれた全フラグデータからなる所定組のフラグ
パターンを有し、該フラグパターンのひとつに対応し
て、次順のフラグデータ書込領域及びその書込領域へ書
込むべきフラグデータを有する変換テーブルとを備える
一方、前記Ｍ個のデータ書込領域の中のひとつにデータが書込
まれた場合に、その時のフラグパターンを読み出し、前
記変換テーブルに基づき、該当する次順のフラグデータ
書込領域に対して、該当するフラグデータを書き込むフ
ラグデータ書込み手段と、前記フラグデータ書込み手段により書込まれた次順のフ
ラグデータ書込領域に対応するデータ書込領域に対し
て、データを書込むデータ書込手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性メモリの書込み制御
方法。
【請求項２】前記不揮発性メモリの書込み制御方法で
あって、更に、前記データ書込領域のひとつに対してデータを書込んで
いる最中に電源がオフされ、再び電源がオンされた場合
に、その時のフラグパターンを読み出し、前記変換テー
ブル中に同一フラグパターンがあるか否かを検索するフ
ラグパターン検索手段と、前記フラグパターン検索手段により同一フラグパターン
が検索されなかった場合に、異常なフラグデータを有す
る第１のフラグデータ書込領域に対応する第１のデータ
書込領域に対して、該第１のフラグデータ書込領域にフ
ラグデータが書込まれる直前にフラグデータが書き込ま
れた第２のフラグデータ書込領域に対応する第２のデー
タ書込領域に書込まれたデータを移行させる書込データ
移行手段と、を備えたことを特徴とする請求項１記載の
不揮発性メモリの書込み制御方法。