JPH0765109B2 - 電子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減方法 - Google Patents
電子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減方法Info
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- JPH0765109B2 JPH0765109B2 JP2056333A JP5633390A JPH0765109B2 JP H0765109 B2 JPH0765109 B2 JP H0765109B2 JP 2056333 A JP2056333 A JP 2056333A JP 5633390 A JP5633390 A JP 5633390A JP H0765109 B2 JPH0765109 B2 JP H0765109B2
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 title claims description 25
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 14
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 45
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 30
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 19
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 17
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 5
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010960 cold rolled steel Substances 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003966 growth inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、鉄損の低い一方向性珪素鋼板に関し、とく
に鋼板表面上の被膜を地鉄に圧入することによって磁区
の細分化をはかり、鉄損を低減しようとするものであ
る。
に鋼板表面上の被膜を地鉄に圧入することによって磁区
の細分化をはかり、鉄損を低減しようとするものであ
る。
（従来の技術） 一方向性珪素鋼板は製品の２次再結晶粒をゴス方位に高
度に集積させ、また鋼板表面上にはフォルステライト質
被膜を形成し、さらにその上に熱膨張係数の小さい絶縁
被膜を被成したもので、厳格な制御を必要とする複雑、
多岐にわたる工程を経て製造される。
度に集積させ、また鋼板表面上にはフォルステライト質
被膜を形成し、さらにその上に熱膨張係数の小さい絶縁
被膜を被成したもので、厳格な制御を必要とする複雑、
多岐にわたる工程を経て製造される。
このような一方向性珪素鋼板は、主として変圧器、その
他電気機器の鉄心として使用されており、磁気特性とし
て製品の磁束密度（B10値で代表される）が高く、鉄損
（Ｗ17/50値で代表される）が低いこと、さらに表面性
状が良好な絶縁被膜を有することが要求されている。
他電気機器の鉄心として使用されており、磁気特性とし
て製品の磁束密度（B10値で代表される）が高く、鉄損
（Ｗ17/50値で代表される）が低いこと、さらに表面性
状が良好な絶縁被膜を有することが要求されている。
とくにエネルギー危機を境にして電力損失の低減を至上
とする要請が著しく強まり、変圧器用鉄心材料としての
鉄損のより低い一方向性珪素鋼板の必要性は増々重要な
ものとなってきている。
とする要請が著しく強まり、変圧器用鉄心材料としての
鉄損のより低い一方向性珪素鋼板の必要性は増々重要な
ものとなってきている。
さて一方向性珪素鋼板の鉄損改善の歴史は、ゴス方位２
次再結晶集合組織の改善の歴史であると言っても過言で
はない。このような２次再結晶粒を制御する方法とし
て、AlN,MnS及びMnSe等の１次再結晶粒成長抑制剤、い
わゆるインヒビターを用いてゴス方位２次再結晶粒を優
先成長させる方法が実施されている。
次再結晶集合組織の改善の歴史であると言っても過言で
はない。このような２次再結晶粒を制御する方法とし
て、AlN,MnS及びMnSe等の１次再結晶粒成長抑制剤、い
わゆるインヒビターを用いてゴス方位２次再結晶粒を優
先成長させる方法が実施されている。
一方これら２次再結晶集合組織を制御する方法とは全く
異なる方法、すなわち鋼板表面にレーザー照射｛市山
正：鉄と鋼,69（1983）,P.895、特公昭57−2252号、同5
7−53419号、同58−24605号、同58−24606号各公報参
照｝又はプラズマ照射｛特開昭62−96617号、同62−151
511号、同62−151516号および同62−151517号各公報参
照｝により局部微小歪を導入して磁区を細分化し、もっ
て鉄損を低下する画期的な方法が提案された。しかしな
がらこれらの方法により得られた鋼板は、高温域まで加
熱すると微小歪が消失するため、高温の歪取り焼鈍を施
す巻鉄心トランス用材料には使用できないという欠点が
ある。
異なる方法、すなわち鋼板表面にレーザー照射｛市山
正：鉄と鋼,69（1983）,P.895、特公昭57−2252号、同5
7−53419号、同58−24605号、同58−24606号各公報参
照｝又はプラズマ照射｛特開昭62−96617号、同62−151
511号、同62−151516号および同62−151517号各公報参
照｝により局部微小歪を導入して磁区を細分化し、もっ
て鉄損を低下する画期的な方法が提案された。しかしな
がらこれらの方法により得られた鋼板は、高温域まで加
熱すると微小歪が消失するため、高温の歪取り焼鈍を施
す巻鉄心トランス用材料には使用できないという欠点が
ある。
このような高温の歪取り焼鈍を施しても鉄損が劣化しな
い方法が提案されている。例えば、仕上焼鈍板の表面に
溝もしくはセレーションを形成する方法（特公昭50−35
679号、特開昭59−28525号及び同59−197520号各公報参
照）、仕上焼鈍板の表面に微再結晶領域を形成する方法
（特開昭56−130454号公報参照）、フォルステライト質
被膜に異厚或いは欠損領域を形成する方法（特開昭60−
92479号、同60−92480号、同60−92481号及び同60−258
479号各公報参照）、地鉄中、フォルステライト質被膜
中又は張力絶縁被膜中に異組成領域を形成する方法（特
開昭60−103124号及び同60−103182号各公報参照）、等
である。
い方法が提案されている。例えば、仕上焼鈍板の表面に
溝もしくはセレーションを形成する方法（特公昭50−35
679号、特開昭59−28525号及び同59−197520号各公報参
照）、仕上焼鈍板の表面に微再結晶領域を形成する方法
（特開昭56−130454号公報参照）、フォルステライト質
被膜に異厚或いは欠損領域を形成する方法（特開昭60−
92479号、同60−92480号、同60−92481号及び同60−258
479号各公報参照）、地鉄中、フォルステライト質被膜
中又は張力絶縁被膜中に異組成領域を形成する方法（特
開昭60−103124号及び同60−103182号各公報参照）、等
である。
しかしながらこれらの方法はいずれも工程が複雑となる
わりには鉄損の低減効果は少なく、また製造コストが高
いこともあって、工業的に採用されるには至っていな
い。
わりには鉄損の低減効果は少なく、また製造コストが高
いこともあって、工業的に採用されるには至っていな
い。
そこで発明者は、電子ビームを利用して、鋼板表面の被
膜を地鉄に圧入して磁区の細分化をはかることによっ
て、歪取り焼鈍を施しても磁区細分化の効果が消失しな
い手法を開発し、先に特願平１−27578号明細書にて提
案した。
膜を地鉄に圧入して磁区の細分化をはかることによっ
て、歪取り焼鈍を施しても磁区細分化の効果が消失しな
い手法を開発し、先に特願平１−27578号明細書にて提
案した。
（発明が解決しようとする課題） この発明は、上記した、電子ビームによって鋼板表面の
被膜を地鉄に圧入する処理の改善に係り、この処理をよ
り有効かつ確実に行う方途について提案することを目的
とする。
被膜を地鉄に圧入する処理の改善に係り、この処理をよ
り有効かつ確実に行う方途について提案することを目的
とする。
（課題を解決するための手段） この発明は、仕上焼鈍を施したフォルステライト質被膜
付、又はフォルステライト質被膜上にさらに絶縁被膜を
そなえる一方向性珪素鋼板につき、高電圧および小電流
にて発生させた電子ビームを鋼板の圧延方向を横切る向
きに走査し、鋼板表面上の被膜を局所的に地鉄に圧入し
て微小圧入領域を形成するに当たり、 鋼板の圧延方向と直交する向きに行う電子ビームの走査
を、鋼板の圧延方向へ間隔を置いて繰り返す際、各電子
ビームの走査向きを同一方向に統一し、微小圧入領域を
圧延方向と直交する向きに導入することを特徴とする電
子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減方法
である。
付、又はフォルステライト質被膜上にさらに絶縁被膜を
そなえる一方向性珪素鋼板につき、高電圧および小電流
にて発生させた電子ビームを鋼板の圧延方向を横切る向
きに走査し、鋼板表面上の被膜を局所的に地鉄に圧入し
て微小圧入領域を形成するに当たり、 鋼板の圧延方向と直交する向きに行う電子ビームの走査
を、鋼板の圧延方向へ間隔を置いて繰り返す際、各電子
ビームの走査向きを同一方向に統一し、微小圧入領域を
圧延方向と直交する向きに導入することを特徴とする電
子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減方法
である。
この発明で対象とする一方向性珪素鋼板は、その表面上
にフォルステライト被膜をそなえているか、さらにフォ
ルステライト被膜上に絶縁被膜を形成したものが適合す
る。
にフォルステライト被膜をそなえているか、さらにフォ
ルステライト被膜上に絶縁被膜を形成したものが適合す
る。
なおフォルステライト被膜および絶縁被膜を微小領域に
おいて鋼板の幅方向へ地鉄内部の奥深くまで圧入して得
た微小圧入領域に起因した磁区細分化による鉄損改善効
果を歪取り焼鈍によっても消失させないためには、高電
圧および小電流の電子ビーム（以下EBと示す）を使用し
てはじめて可能になる。すなわち、特に高電圧および小
電流のEBを使用した場合には、他の方法（レーザー、プ
ラズマ、メカニカルな手法等）にくらべ、深さ方向への
透過力が強く、しかも最も狭い幅で浸透するたため、下
地被覆および絶縁被膜を消失することなく、地鉄へ押込
めることが可能となる。
おいて鋼板の幅方向へ地鉄内部の奥深くまで圧入して得
た微小圧入領域に起因した磁区細分化による鉄損改善効
果を歪取り焼鈍によっても消失させないためには、高電
圧および小電流の電子ビーム（以下EBと示す）を使用し
てはじめて可能になる。すなわち、特に高電圧および小
電流のEBを使用した場合には、他の方法（レーザー、プ
ラズマ、メカニカルな手法等）にくらべ、深さ方向への
透過力が強く、しかも最も狭い幅で浸透するたため、下
地被覆および絶縁被膜を消失することなく、地鉄へ押込
めることが可能となる。
さらにこの発明の素材である含珪素鋼としては、従来公
知の成分組成のものいずれもが適合するが、代表組成を
掲げると次のとおりである。
知の成分組成のものいずれもが適合するが、代表組成を
掲げると次のとおりである。
C:0.01〜0.10％ Ｃは、熱間圧延、冷間圧延中の組織の均一微細化のみな
らず、ゴス方位の発達に有用な元素であり、少なくとも
0.01％以上の添加が好ましい。しかしながら0.10％を超
えて含有されるとかえってゴス方位に乱れが生じるので
上限は0.10％程度が好ましい。
らず、ゴス方位の発達に有用な元素であり、少なくとも
0.01％以上の添加が好ましい。しかしながら0.10％を超
えて含有されるとかえってゴス方位に乱れが生じるので
上限は0.10％程度が好ましい。
Si:2.0〜4.5％ Siは、鋼板の比抵抗を高め鉄損の低減に有効に寄与する
が、4.5％を上回ると冷延性が損なわれ、一方2.0％に満
たないと比抵抗が低下するだけでなく、２次再結晶・純
化のために行われる最終高温焼鈍中にα−γ変態によっ
て結晶方位のランダムを生じ、十分な鉄損改善効果が得
られないので、Si量は2.0〜4.5％程度とするのが好まし
い。
が、4.5％を上回ると冷延性が損なわれ、一方2.0％に満
たないと比抵抗が低下するだけでなく、２次再結晶・純
化のために行われる最終高温焼鈍中にα−γ変態によっ
て結晶方位のランダムを生じ、十分な鉄損改善効果が得
られないので、Si量は2.0〜4.5％程度とするのが好まし
い。
Mn:0.02〜0.12％ Mnは、熱間脆化するため少なくとも0.02％程度を必要と
するが、あまりに多すぎると磁気特性を劣化させるので
上限は0.12％程度に定めるの好ましい。
するが、あまりに多すぎると磁気特性を劣化させるので
上限は0.12％程度に定めるの好ましい。
インヒビターとしては、いわゆるMnS,MnSe系とAIN系と
がある。MnS,MnSe系の場合は、 Se,Sのうちから選ばれる少なくとも１種:0.005〜0.06％ Se,Sはいずれも、方向性けい素鋼板の２次再結晶を制御
するインヒビターとして有力な元素である。抑制力確保
の観点からは、少なくとも0.005％程度を必要とする
が、0.06％を超えるとその効果が損なわれるので、その
下限、上限はそれぞれ0.01％,0.06％程度とするのが好
ましい。
がある。MnS,MnSe系の場合は、 Se,Sのうちから選ばれる少なくとも１種:0.005〜0.06％ Se,Sはいずれも、方向性けい素鋼板の２次再結晶を制御
するインヒビターとして有力な元素である。抑制力確保
の観点からは、少なくとも0.005％程度を必要とする
が、0.06％を超えるとその効果が損なわれるので、その
下限、上限はそれぞれ0.01％,0.06％程度とするのが好
ましい。
AlN系の場合は、 Al:0.05〜0.10％,N:0.004〜0.015％ AlおよびＮの範囲についても、上述したMnS,MnSe系の場
合と同様な理由により、上記の範囲に定めた。ここに上
記したMnS,MnSe系およびAlN系はそれぞれ併用が可能で
ある。
合と同様な理由により、上記の範囲に定めた。ここに上
記したMnS,MnSe系およびAlN系はそれぞれ併用が可能で
ある。
インヒビター成分としては上記したS,Se,Alの他、Cu,S
n,Cr、Ge,Sb,Mo,Te,BiおよびＰなども有利に適合するの
で、それぞれ少量併せて含有させることもできる。ここ
に上記成分の好適添加範囲はそれぞれ、Cu,Sn,Cr:0.01
〜0.15％、Ge,Sb,Mo,Te,Bi:0.005〜0.1％、P:0.01〜0.2
％であり、これらの各インヒビター成分についても、単
独使用および複合使用いずれもが可能である。
n,Cr、Ge,Sb,Mo,Te,BiおよびＰなども有利に適合するの
で、それぞれ少量併せて含有させることもできる。ここ
に上記成分の好適添加範囲はそれぞれ、Cu,Sn,Cr:0.01
〜0.15％、Ge,Sb,Mo,Te,Bi:0.005〜0.1％、P:0.01〜0.2
％であり、これらの各インヒビター成分についても、単
独使用および複合使用いずれもが可能である。
（作 用） 次にこの発明について実験例に基いて詳細に述べる。
C:0.048wt％（以下単に％と示す）,Si:3.42％,Mn:0.072
％,Se:0.021％,Sb:0.027％,Mo:0.012％を含み残部実質
的にFeよりなる珪素鋼スラブを、1390℃で４時間加熱
後、熱間圧延して2.4mm厚の熱延板とした後、1000℃で
３分の中間焼鈍をはさむ２回の冷間圧延を施して0.20mm
厚の最終冷延板とした。ついで825℃の湿水素中で脱炭
１次再結晶焼鈍を施した後、鋼板表面上にMgOを主成分
とする焼鈍分離剤をスラリー塗布し、その後850℃で50
時間の２次再結晶焼鈍を行ってゴス方位２次再結晶粒を
優先成長させた後、1200℃の乾水素中で５時間の純化焼
鈍を施した。次いで鋼板表面上にリン酸塩とコロイダル
シリカを主成分とする絶縁被膜を被成した後、150kV,1.
3mAで発生させた0.12mmφのEBを、下記の〜の条件
に従って圧延方向と直角方向に走査して照射し、かつこ
の照射を圧延方向へ5mmの間隔で繰り返し施し、その後8
00℃で３時間の歪取り焼鈍を行った。また比較としてEB
照射を施さない場合についても、同様の実験を行った。
％,Se:0.021％,Sb:0.027％,Mo:0.012％を含み残部実質
的にFeよりなる珪素鋼スラブを、1390℃で４時間加熱
後、熱間圧延して2.4mm厚の熱延板とした後、1000℃で
３分の中間焼鈍をはさむ２回の冷間圧延を施して0.20mm
厚の最終冷延板とした。ついで825℃の湿水素中で脱炭
１次再結晶焼鈍を施した後、鋼板表面上にMgOを主成分
とする焼鈍分離剤をスラリー塗布し、その後850℃で50
時間の２次再結晶焼鈍を行ってゴス方位２次再結晶粒を
優先成長させた後、1200℃の乾水素中で５時間の純化焼
鈍を施した。次いで鋼板表面上にリン酸塩とコロイダル
シリカを主成分とする絶縁被膜を被成した後、150kV,1.
3mAで発生させた0.12mmφのEBを、下記の〜の条件
に従って圧延方向と直角方向に走査して照射し、かつこ
の照射を圧延方向へ5mmの間隔で繰り返し施し、その後8
00℃で３時間の歪取り焼鈍を行った。また比較としてEB
照射を施さない場合についても、同様の実験を行った。
記 走査速度:6m/min、走査方向：両方向（第２図参
照）、ドット状照射：間隔300μｍ（第３図（ａ）参
照） 走査速度:6m/min、走査方向：一方向（第１図参
照）、ドット状照射：間隔300μｍ（第３図（ａ）参
照） 走査速度:6m/min、走査方向：両方向（第２図参
照）、線状照射（第３図（ｂ）参照） 走査速度:6m/min、走査方向：一方向（第１図参
照）、線状照射（第３図（ｂ）参照） 走査速度:6m/min、走査方向：両方向（第２図参
照）、ジグザグ状照射:X方向間隔300μm,Y方向間隔300
μｍ（第３図（ｃ）参照） 走査速度:6m/min、走査方向：一方向（第１図参
照）、ジグザグ状照射:X方向間隔300μm,Y方向間隔300
μｍ（第３図（ｃ）参照） なお第１及び２図中、符号１はEBの走査線、２の矢印は
鋼板の進行（圧延）方向を示す。
照）、ドット状照射：間隔300μｍ（第３図（ａ）参
照） 走査速度:6m/min、走査方向：一方向（第１図参
照）、ドット状照射：間隔300μｍ（第３図（ａ）参
照） 走査速度:6m/min、走査方向：両方向（第２図参
照）、線状照射（第３図（ｂ）参照） 走査速度:6m/min、走査方向：一方向（第１図参
照）、線状照射（第３図（ｂ）参照） 走査速度:6m/min、走査方向：両方向（第２図参
照）、ジグザグ状照射:X方向間隔300μm,Y方向間隔300
μｍ（第３図（ｃ）参照） 走査速度:6m/min、走査方向：一方向（第１図参
照）、ジグザグ状照射:X方向間隔300μm,Y方向間隔300
μｍ（第３図（ｃ）参照） なお第１及び２図中、符号１はEBの走査線、２の矢印は
鋼板の進行（圧延）方向を示す。
かくして得られた歪取り焼鈍後の鋼板の磁気特性を、第
１表に示す。
１表に示す。
同表から明らかなように、EBを照射しない鋼板は、鉄損
Ｗ17/50が0.05〜0.12W/kgと大幅に向上する。これは鋼
板表面のフォルステライト質被膜および絶縁被膜が地鉄
（ゴス方位を有する２次再結晶粒）へ微小領域において
深さ方向に圧入されたことによって、歪取り焼鈍を施し
ても有効な磁区細分化核として作用し、磁区細分化が可
能となったことによる。
Ｗ17/50が0.05〜0.12W/kgと大幅に向上する。これは鋼
板表面のフォルステライト質被膜および絶縁被膜が地鉄
（ゴス方位を有する２次再結晶粒）へ微小領域において
深さ方向に圧入されたことによって、歪取り焼鈍を施し
ても有効な磁区細分化核として作用し、磁区細分化が可
能となったことによる。
また鉄損の向上は、EBの照射条件によって異なることも
わかる。
わかる。
すなわち照射条件、及びの両方向走査を経た鋼板
は、照射条件、及びの一方向走査を経た鋼板に比
較して、鉄損の低下が0.04〜0.05W/kg程度少ない。
は、照射条件、及びの一方向走査を経た鋼板に比
較して、鉄損の低下が0.04〜0.05W/kg程度少ない。
EBの走査を両方向とした場合は、第２図に示す。鋼板の
進行（圧延）方向に対して直角の方向に走査方向を維持
することが技術的に困難である。
進行（圧延）方向に対して直角の方向に走査方向を維持
することが技術的に困難である。
なぜなら、EBの走査を両方向で行うことは、第２図に示
したように、鋼板幅方向において、一方から他方に行っ
たEBの走査（往路）を、一度鋼板長手方向にずらして他
方から一方に行う（復路）ことであり、その走査形態は
通常台形状になる。つまり、往路と復路の走査線が平行
配置とならないため、往路と復路の走査線の間で、鋼板
進行方向に対する角度、すなわち鋼板長手方向における
走査線間隔にずれが生じて、磁区の細分化が適正に行わ
れずに、鉄損の向上度が少なくなると考えられる。
したように、鋼板幅方向において、一方から他方に行っ
たEBの走査（往路）を、一度鋼板長手方向にずらして他
方から一方に行う（復路）ことであり、その走査形態は
通常台形状になる。つまり、往路と復路の走査線が平行
配置とならないため、往路と復路の走査線の間で、鋼板
進行方向に対する角度、すなわち鋼板長手方向における
走査線間隔にずれが生じて、磁区の細分化が適正に行わ
れずに、鉄損の向上度が少なくなると考えられる。
特に、鋼板の両面に照射を行う場合は、鋼板の表裏面で
EB走査線の鋼板進行方向にに対する角度のずれが大きく
なるため、鉄損の向上度はより少なくなる。
EB走査線の鋼板進行方向にに対する角度のずれが大きく
なるため、鉄損の向上度はより少なくなる。
これに対して、第１図に示すようにEBの走査を一方向と
した場合は、鋼板の圧延（進行）方向に対して直角の方
向に走査方向を維持すること、つまりEBの各走査線を相
互に平行に配置することが可能であり、各走査線間での
鋼板進行方向に対する角度ずれは発生しないから、磁区
の細分化は充分に行われる。なおEBの一方向走査は、走
査後に一度走査始点に戻し再び同一方向に走査すること
で実現し、走査始点に戻す際の走査を超高速で行うこと
で鉄損への悪影響は回避できる。
した場合は、鋼板の圧延（進行）方向に対して直角の方
向に走査方向を維持すること、つまりEBの各走査線を相
互に平行に配置することが可能であり、各走査線間での
鋼板進行方向に対する角度ずれは発生しないから、磁区
の細分化は充分に行われる。なおEBの一方向走査は、走
査後に一度走査始点に戻し再び同一方向に走査すること
で実現し、走査始点に戻す際の走査を超高速で行うこと
で鉄損への悪影響は回避できる。
なお珪素鋼板の板厚方向（深さ方向）におけるEBの透過
力は、通常Ｘ線が大量発生する65kV以上の加速電圧にお
いて増大するため、この発明の効果を最大限に生かすに
は加速電圧を高く（65〜500kV）、加速電流を小さく
（0.001〜5mA）設定して用いることが重要であり、それ
により珪素鋼板の板厚方向への透過力が強くなる。さら
に磁区細分化を効率よく行うため、小径のEBを用いるこ
とによって照射領域を0.5mmφ以下の大きさにすること
が好ましい。さらにこのEB照射した後、その上に絶縁被
膜を施して、EB照射痕跡上の絶縁性をより強くしてもよ
いが、コストアップとなるため、通常は施さなくても充
分絶縁効果を発揮できる。
力は、通常Ｘ線が大量発生する65kV以上の加速電圧にお
いて増大するため、この発明の効果を最大限に生かすに
は加速電圧を高く（65〜500kV）、加速電流を小さく
（0.001〜5mA）設定して用いることが重要であり、それ
により珪素鋼板の板厚方向への透過力が強くなる。さら
に磁区細分化を効率よく行うため、小径のEBを用いるこ
とによって照射領域を0.5mmφ以下の大きさにすること
が好ましい。さらにこのEB照射した後、その上に絶縁被
膜を施して、EB照射痕跡上の絶縁性をより強くしてもよ
いが、コストアップとなるため、通常は施さなくても充
分絶縁効果を発揮できる。
さらにこの発明に従う鋼板は、積鉄心や巻鉄心に供する
ことが可能であるが、積鉄心材に供する場合は巻鉄心材
に比較して細い微小圧入領域の導入が必要なので、EB照
射条件は電流を小さく、走査間隔を広くすることが好ま
しい。一方巻鉄心材に供する場合のEB照射条件は、歪取
り焼鈍を施しても特性の劣化がないように、電流を若干
大きく、走査間隔を狭くして鋼板表面での微小圧入領域
の導入を促進することが好ましい。
ことが可能であるが、積鉄心材に供する場合は巻鉄心材
に比較して細い微小圧入領域の導入が必要なので、EB照
射条件は電流を小さく、走査間隔を広くすることが好ま
しい。一方巻鉄心材に供する場合のEB照射条件は、歪取
り焼鈍を施しても特性の劣化がないように、電流を若干
大きく、走査間隔を狭くして鋼板表面での微小圧入領域
の導入を促進することが好ましい。
なおEBの一方向走査は、鋼板の進行（圧延）方向に等間
隔で規則正しく走査するときに特に有効であり、この手
法は磁気特性の向上のみならず、通常の冷延鋼板等に用
いられる局部熱処理等をはかる場合においても有利に適
合する。
隔で規則正しく走査するときに特に有効であり、この手
法は磁気特性の向上のみならず、通常の冷延鋼板等に用
いられる局部熱処理等をはかる場合においても有利に適
合する。
（実施例） 実施例１ （Ａ） C:0.072％、Si:3.36％、Al:0.026％、S:0.028
％、Cu:0.98％、Sn:0.08％又は （Ｂ） C:0.045％、Si:3.39％、Mn:0.063％、Se:0.021
％、Sb:0.029％、Mo:0.012％をそれぞれ含有し残部実質
的にFeよりなる珪素鋼のフォルステライト質被膜付仕上
焼鈍板（0.20mm厚）に、EB装置を用いて圧延方向と直角
方向へ走査するEBを全て同一方向で走査し、EB照射を行
った。なおEB照射条件では、加速電圧:150kV,加速電流:
1.3mA,ビーム径:0.15mm,ビームスポットの中心間隔:300
μｍおよび走査間隔:5mmでまたEB照射は鋼板の両面に施
した。
％、Cu:0.98％、Sn:0.08％又は （Ｂ） C:0.045％、Si:3.39％、Mn:0.063％、Se:0.021
％、Sb:0.029％、Mo:0.012％をそれぞれ含有し残部実質
的にFeよりなる珪素鋼のフォルステライト質被膜付仕上
焼鈍板（0.20mm厚）に、EB装置を用いて圧延方向と直角
方向へ走査するEBを全て同一方向で走査し、EB照射を行
った。なおEB照射条件では、加速電圧:150kV,加速電流:
1.3mA,ビーム径:0.15mm,ビームスポットの中心間隔:300
μｍおよび走査間隔:5mmでまたEB照射は鋼板の両面に施
した。
処理後の製品に800℃で２時間の歪取り焼鈍を施したと
ころ、その磁気特性は次に示すとおりであった。
ころ、その磁気特性は次に示すとおりであった。
（Ａ） B10＝1.95T、Ｗ17/50＝0.77W/kg （Ｂ） B10＝1.92T、Ｗ17/50＝0.78W/kg （発明の効果） この発明によれば、歪取り焼鈍によっても鉄損の劣化し
ない一方向性珪素鋼板を安定して製造することができ
る。
ない一方向性珪素鋼板を安定して製造することができ
る。
第１図はこの発明に従うEBの走査要領を示す模式図、 第２図は一般的なEBの走査要領を示す模式図、 第３図（ａ）はドット状のEB照射痕を示す模式図、 同図（ｂ）は線状のEB照射痕を示す模式図、 同図（ｃ）はジグザグ状のEB照射痕を示す模式図、 である。 １……EB走査線、２……鋼板の進行方向
Claims (2)
- 【請求項１】仕上焼鈍を経たフォルステライト質被膜付
の一方向性珪素鋼板につき、高電圧および小電流にて発
生させた電子ビームを鋼板の圧延方法を横切る向きに走
査し、鋼板表面上の被膜を局所的に地鉄に圧入して微小
圧入領域を形成するに当たり、 鋼板の圧延方向と直交する向きに行う電子ビームの走査
を、鋼板の圧延方向へ間隔を置いて繰り返す際、各電子
ビームの走査向きを同一方向に統一することを特徴とす
る電子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減
方法。 - 【請求項２】仕上焼鈍を経たフォルステライト質被膜上
にさらに絶縁被膜をそなえる一方向性珪素鋼板につき、
高電圧および小電流にて発生させた電子ビームを鋼板の
圧延方向を横切る向きに走査し、鋼板表面上の被膜を局
所的に地鉄に圧入して微小圧入領域を形成するに当た
り、 鋼板の圧延方向と直交する向きに行う電子ビームの走査
を、鋼板の圧延方向へ間隔を置いて繰り返す際、各電子
ビームの走査向きを同一方向に統一することを特徴とす
る電子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056333A JPH0765109B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 電子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056333A JPH0765109B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 電子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03260022A JPH03260022A (ja) | 1991-11-20 |
| JPH0765109B2 true JPH0765109B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=13024277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2056333A Expired - Lifetime JPH0765109B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 電子ビーム照射による一方向性けい素鋼板の鉄損低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765109B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013159847A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Jfe Steel Corp | 方向性電磁鋼板およびその製造方法 |
| JP2014189832A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Jfe Steel Corp | 高速電子ビーム照射による方向性電磁鋼板の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5953690B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-07-20 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 方向性電磁鋼板およびその製造方法 |
| JP5642052B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2014-12-17 | 三菱電機株式会社 | 電子ビーム合金化加工方法 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2056333A patent/JPH0765109B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013159847A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Jfe Steel Corp | 方向性電磁鋼板およびその製造方法 |
| JP2014189832A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Jfe Steel Corp | 高速電子ビーム照射による方向性電磁鋼板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03260022A (ja) | 1991-11-20 |
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