JPH0765157B2 - 活性化粒子を用いた透明導電膜の形成方法および透明導電膜の形成装置 - Google Patents
活性化粒子を用いた透明導電膜の形成方法および透明導電膜の形成装置Info
- Publication number
- JPH0765157B2 JPH0765157B2 JP1279800A JP27980089A JPH0765157B2 JP H0765157 B2 JPH0765157 B2 JP H0765157B2 JP 1279800 A JP1279800 A JP 1279800A JP 27980089 A JP27980089 A JP 27980089A JP H0765157 B2 JPH0765157 B2 JP H0765157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- transparent conductive
- conductive film
- substrate
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は透明導電膜の形成に関し、特に活性化ガスを利
用した透明導電膜の形成方法および形成装置に関する。
用した透明導電膜の形成方法および形成装置に関する。
［従来の技術］ 透明導電膜の形成方法として、真空蒸着やスパッタリン
グが知られている。通常、透明導電膜は可視光（400〜8
00nm）に対する80％以上の光透過率と数100Ω／□以下
の電気抵抗率を有することが望まれる。一般的に透明性
と導電性とは両立しにくい性質であり、両者を好適な値
とするには特別の注意を要する。
グが知られている。通常、透明導電膜は可視光（400〜8
00nm）に対する80％以上の光透過率と数100Ω／□以下
の電気抵抗率を有することが望まれる。一般的に透明性
と導電性とは両立しにくい性質であり、両者を好適な値
とするには特別の注意を要する。
以下、主として亜鉛酸化物（ZnOx）膜の形成を例にとっ
て説明する。
て説明する。
真空蒸着では、膜を構成する物質またはその構成元素を
含む物質（母材）を加熱して蒸発させ、基板上に膜を堆
積させる。たとえば、第２図に示すように、反応室28内
にO2ガス、Ｏガスと不活性ガスの混合ガス等の雰囲気ガ
ス20を10-3〜10-6Torr導入し、雰囲気内でZn、ZnO等の
母材21を電子ビーム加熱、抵抗加熱等の加熱源27により
蒸発させ、基板22上に蒸着させる。母材がZnの場合は、
雰囲気中の酸素と化合したZnOが、母材ZnOの場合は、欠
乏する酵素を雰囲気中の酸素から補給したZnOが、基板
上に堆積する。膜を強固に付着させ、透明度を良くする
ために、ヒータ23で基板22を加熱する。
含む物質（母材）を加熱して蒸発させ、基板上に膜を堆
積させる。たとえば、第２図に示すように、反応室28内
にO2ガス、Ｏガスと不活性ガスの混合ガス等の雰囲気ガ
ス20を10-3〜10-6Torr導入し、雰囲気内でZn、ZnO等の
母材21を電子ビーム加熱、抵抗加熱等の加熱源27により
蒸発させ、基板22上に蒸着させる。母材がZnの場合は、
雰囲気中の酸素と化合したZnOが、母材ZnOの場合は、欠
乏する酵素を雰囲気中の酸素から補給したZnOが、基板
上に堆積する。膜を強固に付着させ、透明度を良くする
ために、ヒータ23で基板22を加熱する。
蒸着時に併せてグロー放電を起こし、飛翔中の被膜物質
を反応させたり励起させたりするイオンプレーティング
も知られている。
を反応させたり励起させたりするイオンプレーティング
も知られている。
ここで、作成する膜を透明にするために基板を加熱して
いるが、同時に導電性を所望の値に自由に制御すること
は容易でない。
いるが、同時に導電性を所望の値に自由に制御すること
は容易でない。
また、透明導電膜の形成方法として、本出願人の出願
（特願昭63−58395）においては、活性化ガスを利用す
る方法が提案されている。
（特願昭63−58395）においては、活性化ガスを利用す
る方法が提案されている。
第３図（Ａ）、（Ｂ）を参照してこの活性化ガスを用い
る方法の例を説明する。第３図（Ａ）に示すように、真
空排気可能な反応管28中において、母材21を加熱源27上
に配置すると共に、ガス導入管26を有するカウフマン型
イオン源25を配置する。
る方法の例を説明する。第３図（Ａ）に示すように、真
空排気可能な反応管28中において、母材21を加熱源27上
に配置すると共に、ガス導入管26を有するカウフマン型
イオン源25を配置する。
カウフマン型イオン源25は、第３図（Ｂ）に示すように
ガス導入管26の近傍に配置された熱電子放出用の熱陰極
31と、熱陰極31を取り囲むように配置され、モリブデン
（Mo）板等で構成された円筒型の陽極32と、陽極32の開
口上に配置され、負電位を印加されるグリッド電極33を
有する。
ガス導入管26の近傍に配置された熱電子放出用の熱陰極
31と、熱陰極31を取り囲むように配置され、モリブデン
（Mo）板等で構成された円筒型の陽極32と、陽極32の開
口上に配置され、負電位を印加されるグリッド電極33を
有する。
ガス導入口からガスを導入し、熱陰極31から放出され、
円筒型陽極32に向かう電子はガス分子に衝突してガスを
イオン化し、プラズマ状の電離空間を形成する。なお、
この電離空間を取り囲んで電磁石35が設けられており、
円筒型陽極32の軸方向に磁場を印加して荷電粒子を軸周
辺に集束させる力を及ぼす。
円筒型陽極32に向かう電子はガス分子に衝突してガスを
イオン化し、プラズマ状の電離空間を形成する。なお、
この電離空間を取り囲んで電磁石35が設けられており、
円筒型陽極32の軸方向に磁場を印加して荷電粒子を軸周
辺に集束させる力を及ぼす。
膜の形成に際しては、母材21を加熱して蒸気化する一方
で、ガス導入管26からガス活性化装置であるイオン源25
にガス分子を導入し、活性化して基板22上に母材蒸気と
共に同時に照射する。イオン源25の中で、活性化したガ
スは熱陰極31と円筒型陽極32との間でプラズマを形成す
る。このプラズマの電位はほぼ円筒型陽極32の電位V1
（＞０）に等しい。円筒型陽極32の開口には負の電圧V2
（＜０）を印加されたグリッド電極33が設けられてお
り、プラズマから正イオンを引出し、加速して基板22に
向わせる。このようにして、正イオンがプラズマ中から
接地された基板22に向う。基板22は母材21の蒸気と活性
化ガスイオンとを受け、強固な膜を成長させる。
で、ガス導入管26からガス活性化装置であるイオン源25
にガス分子を導入し、活性化して基板22上に母材蒸気と
共に同時に照射する。イオン源25の中で、活性化したガ
スは熱陰極31と円筒型陽極32との間でプラズマを形成す
る。このプラズマの電位はほぼ円筒型陽極32の電位V1
（＞０）に等しい。円筒型陽極32の開口には負の電圧V2
（＜０）を印加されたグリッド電極33が設けられてお
り、プラズマから正イオンを引出し、加速して基板22に
向わせる。このようにして、正イオンがプラズマ中から
接地された基板22に向う。基板22は母材21の蒸気と活性
化ガスイオンとを受け、強固な膜を成長させる。
［発明が解決しようとする課題］ 以上述べた活性化ガスを利用する技術によっても、所望
の導電性と光透過率とを共に満たす透明導電膜を形成す
ることは、必ずしも容易ではない。
の導電性と光透過率とを共に満たす透明導電膜を形成す
ることは、必ずしも容易ではない。
本発明の目的は、所望の導電性と光透過率とを有する膜
を容易に再現性良く形成する方法を提供することであ
る。
を容易に再現性良く形成する方法を提供することであ
る。
さらに本発明の他の目的は、特に基板加熱をしなくても
密着性良く、所望の特性を有する透明導電膜を形成でき
る方法を提供することである。
密着性良く、所望の特性を有する透明導電膜を形成でき
る方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］ 基板上に母材の蒸気と活性化ガス粒子（原子、分子、イ
オン、ラジカル等）とが照射された時、成膜に有効な効
果を有する活性化ガス粒子は、主としてエネルギ約10eV
以下のものであることが判った。
オン、ラジカル等）とが照射された時、成膜に有効な効
果を有する活性化ガス粒子は、主としてエネルギ約10eV
以下のものであることが判った。
これは、原子間の結合エネルギがその程度であるので、
原子間結合に効果を及ぼすにはその程度のエネルギで足
りることと、これ以上の高いエネルギの粒子は逆に膜に
ダメージを与えてしまうことからである。
原子間結合に効果を及ぼすにはその程度のエネルギで足
りることと、これ以上の高いエネルギの粒子は逆に膜に
ダメージを与えてしまうことからである。
ところが、従来のカウフマン型イオン源では10eV以下の
エネルギを持つ粒子を数多く発生することが難しい。こ
れは、グリッド電極33に正電荷のイオンシースができ
てしまい、静電的反発力を生じるので、ある程度以上の
エネルギを有する正イオンしか通過できないこと（いわ
ゆる空間電荷制限）、および負電位のグリッド電極33
に正イオンの電流が流れ込みグリッド電極より遠くに行
く低エネルギ正イオンの数を減少させることによるため
と考えられる。
エネルギを持つ粒子を数多く発生することが難しい。こ
れは、グリッド電極33に正電荷のイオンシースができ
てしまい、静電的反発力を生じるので、ある程度以上の
エネルギを有する正イオンしか通過できないこと（いわ
ゆる空間電荷制限）、および負電位のグリッド電極33
に正イオンの電流が流れ込みグリッド電極より遠くに行
く低エネルギ正イオンの数を減少させることによるため
と考えられる。
そこで、本発明は、熱陰極と、該熱陰極とガス導入口を
取囲み一方に開いた電位的に自由な開口を有する陰極と
を含み、導入したガスを熱陰極と陽極との間で電離して
低エネルギ高密度プラズマを形成し、主として約10eV以
下の低エネルギの活性化粒子を電位的に自由な開口から
供給することのできるプラズマ源を、母材を加熱して蒸
気化する蒸発源と共に用いる。
取囲み一方に開いた電位的に自由な開口を有する陰極と
を含み、導入したガスを熱陰極と陽極との間で電離して
低エネルギ高密度プラズマを形成し、主として約10eV以
下の低エネルギの活性化粒子を電位的に自由な開口から
供給することのできるプラズマ源を、母材を加熱して蒸
気化する蒸発源と共に用いる。
［作用］ 熱陰極と開口を有する陽極との間に画定される電離空間
と基板との間にグリッド電極がないので、グリッド電極
に起因する空間電荷制限がなく、グリッドに流れ込む正
イオン電流もない。電離空間に低エネルギ高密度のプラ
ズマを形成すれば、そのプラズマ粒子を基板に照射する
ことができる。
と基板との間にグリッド電極がないので、グリッド電極
に起因する空間電荷制限がなく、グリッドに流れ込む正
イオン電流もない。電離空間に低エネルギ高密度のプラ
ズマを形成すれば、そのプラズマ粒子を基板に照射する
ことができる。
適正なエネルギの活性化粒子が多数基板を照射するの
で、基板上の透明導電膜の形成を好適に行うことができ
る。
で、基板上の透明導電膜の形成を好適に行うことができ
る。
活性化ガスはそれ自体は反応を起こさないものでも蒸着
母材と反応を起こすものでもよい。また、反応は部分的
なものでも良い。たとえば、酸化物のように蒸着すると
酸素が欠乏気味になるような場合、その欠乏する酸素を
活性化ガスの形で補給しても良い。それによって光透過
率の制御を行うこともできる。
母材と反応を起こすものでもよい。また、反応は部分的
なものでも良い。たとえば、酸化物のように蒸着すると
酸素が欠乏気味になるような場合、その欠乏する酸素を
活性化ガスの形で補給しても良い。それによって光透過
率の制御を行うこともできる。
［実施例］ 第１図（Ａ）、（Ｂ）を参照して、本発明の実施例によ
る透明導電膜の形成を説明する。反応室１中には接地電
位に接続された基板３が置かれ、シャッタ４で蒸発装置
６と切り離し可能とされている。基板３上にはヒータ２
が配置されており、基板を加熱することができる。蒸発
装置６は加熱源16と蒸発母材17を含む。ガス活性化装置
11は、第１図（Ｂ）に示すプラズマ源12を含む。ガス導
入管８は雰囲気調整用のガス７を導入する。もう１つの
ガス導入管10は活性化用のガス９を導入する。活性化用
のガス９はプラズマ源12内でイオン化される。反応室１
は真空排気系によって排気できる。
る透明導電膜の形成を説明する。反応室１中には接地電
位に接続された基板３が置かれ、シャッタ４で蒸発装置
６と切り離し可能とされている。基板３上にはヒータ２
が配置されており、基板を加熱することができる。蒸発
装置６は加熱源16と蒸発母材17を含む。ガス活性化装置
11は、第１図（Ｂ）に示すプラズマ源12を含む。ガス導
入管８は雰囲気調整用のガス７を導入する。もう１つの
ガス導入管10は活性化用のガス９を導入する。活性化用
のガス９はプラズマ源12内でイオン化される。反応室１
は真空排気系によって排気できる。
母材17は、形成する透明導電膜の構成元素を含むもので
あり、亜鉛、亜鉛とアルミニウム、亜鉛とガリウム、亜
鉛とインジウム、錫、カドミウム−錫、それらの酸化物
等からなる。たとえば、II族元素の酸化物とIII族元素
との組み合わせの場合、II族元素の酸化物は安定な化合
物半導体であるが、III族元素はその中で導電性付与不
純物となる。
あり、亜鉛、亜鉛とアルミニウム、亜鉛とガリウム、亜
鉛とインジウム、錫、カドミウム−錫、それらの酸化物
等からなる。たとえば、II族元素の酸化物とIII族元素
との組み合わせの場合、II族元素の酸化物は安定な化合
物半導体であるが、III族元素はその中で導電性付与不
純物となる。
加熱源16は、抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加
熱等によって母材17を蒸発させる。
熱等によって母材17を蒸発させる。
プラズマ源12は低エネルギ高密度のプラズマを形成し、
基板に向って進む主として約10eV以下の低エネルギ活性
化粒子束を作る。
基板に向って進む主として約10eV以下の低エネルギ活性
化粒子束を作る。
活性化用のガスはアルゴン（Ar）、ヘリウム（He）、キ
セノン（Xe）等の化学的不活性ガス、酸素、水素等の化
学的活性ガス、上記化学的不活性ガスと化学的活性ガス
の混合ガスから選ばれる。たとえば酸化物膜に対する酸
素等作成する膜の構成元素か、不活性ガス等膜中に取り
込まれ難い、または膜から容易に抜け出るもので不純物
として残りにくいものである。
セノン（Xe）等の化学的不活性ガス、酸素、水素等の化
学的活性ガス、上記化学的不活性ガスと化学的活性ガス
の混合ガスから選ばれる。たとえば酸化物膜に対する酸
素等作成する膜の構成元素か、不活性ガス等膜中に取り
込まれ難い、または膜から容易に抜け出るもので不純物
として残りにくいものである。
活性化用のガス９は第１図（Ｂ）に示すように、ガス導
入管10からプラズマ源12内に導入される。プラズマ源12
内では、熱陰極14をタンタル等の円筒型陽極15が取り囲
み、さらにその周囲に電磁石18が設けられている。熱陰
極14から発生した電子が陽極15に引き付けられ、ガス分
子９と衝突してイオン化を起こし、プラズマを形成す
る。円筒型陽極15の軸に沿って磁場が形成されるので、
プラズマは軸上に集中して高密度プラズマが形成され
る。
入管10からプラズマ源12内に導入される。プラズマ源12
内では、熱陰極14をタンタル等の円筒型陽極15が取り囲
み、さらにその周囲に電磁石18が設けられている。熱陰
極14から発生した電子が陽極15に引き付けられ、ガス分
子９と衝突してイオン化を起こし、プラズマを形成す
る。円筒型陽極15の軸に沿って磁場が形成されるので、
プラズマは軸上に集中して高密度プラズマが形成され
る。
プラズマの電位は陽極の電位Vaccとほぼ等しく正であ
る。そのため、プラズマ中の正イオンは接地電位に対し
てVaccの正電位にあり、接地基板に向って加速される。
る。そのため、プラズマ中の正イオンは接地電位に対し
てVaccの正電位にあり、接地基板に向って加速される。
この際、グリッドを設けていないため空間電荷による静
電的な反発力を受けない。荷電粒子は電子で中和されつ
つ外部に放出される。プラズマ状態の活性化粒子が外部
に放出されるため、空間電荷制限は受けず、引き出され
る活性化粒子の数はグリッドのあるカウフマン型イオン
源に比べ１桁以上多い。
電的な反発力を受けない。荷電粒子は電子で中和されつ
つ外部に放出される。プラズマ状態の活性化粒子が外部
に放出されるため、空間電荷制限は受けず、引き出され
る活性化粒子の数はグリッドのあるカウフマン型イオン
源に比べ１桁以上多い。
また、プラズマ粒子の持つ平均エネルギは、陽極電位Va
cc、陽極陰極間の電位Vd、陽極から基板までの距離等で
調節でき、基板近傍で約10eV以下にするように選択する
ことができる。すなわち、Vaccを上げると、粒子のエネ
ルギは上がる。他方、基板のプラズマ源間距離を長くす
ると、粒子のエネルギは下がる。また、圧力を高くする
とエネルギは下がる。
cc、陽極陰極間の電位Vd、陽極から基板までの距離等で
調節でき、基板近傍で約10eV以下にするように選択する
ことができる。すなわち、Vaccを上げると、粒子のエネ
ルギは上がる。他方、基板のプラズマ源間距離を長くす
ると、粒子のエネルギは下がる。また、圧力を高くする
とエネルギは下がる。
たとえば、Vacc＝100V、Vd＝100V、基板・プラズマ源間
距離＝15cm、圧力＝１×10-4〜10×10-4Torrの状態で、
基板に照射される電子のエネルギは、主として３〜10e
V、イオンのエネルギはそれ以下であった。
距離＝15cm、圧力＝１×10-4〜10×10-4Torrの状態で、
基板に照射される電子のエネルギは、主として３〜10e
V、イオンのエネルギはそれ以下であった。
すなわち、本発明のプラズマ源を用いれば、10eV以下の
エネルギを持つ粒子を高密度で作成することが可能であ
る。
エネルギを持つ粒子を高密度で作成することが可能であ
る。
蒸着の際は、反応室１を10-6〜10-7Torr程度の十分低い
圧力（高い真空度）まで排気系により予備排気する。そ
の後、加熱源16により母材17を蒸発させる。蒸発速度は
蒸発速度モニタ５によりモニタされ、コントロールされ
る。一方、ガス活性化装置11により活性化用のガス９を
活性化する。また、必要に応じて雰囲気調整用ガス７を
導入し、雰囲気を調整する。母材17の蒸気と低エネルギ
の活性化粒子が基板３上および基板３近傍で互いに作用
する。蒸気の量とガスの量、活性化状態等を制御するこ
とで、所望の導電性、透明度を持つ薄膜を基板上に形成
できる。
圧力（高い真空度）まで排気系により予備排気する。そ
の後、加熱源16により母材17を蒸発させる。蒸発速度は
蒸発速度モニタ５によりモニタされ、コントロールされ
る。一方、ガス活性化装置11により活性化用のガス９を
活性化する。また、必要に応じて雰囲気調整用ガス７を
導入し、雰囲気を調整する。母材17の蒸気と低エネルギ
の活性化粒子が基板３上および基板３近傍で互いに作用
する。蒸気の量とガスの量、活性化状態等を制御するこ
とで、所望の導電性、透明度を持つ薄膜を基板上に形成
できる。
透明導電膜は、可視光に対する80％以上のなるべく高い
光透過率、１×10-3Ωcm以下のなるべく低い電気抵抗率
を有することが好ましい。電気抵抗率が１×10- 3Ωcmの
場合、面抵抗は膜厚500Åで200Ω／□、1000Åで100Ω
／□等となる。用途に応じて面抵抗、膜厚を選択する。
光透過率、１×10-3Ωcm以下のなるべく低い電気抵抗率
を有することが好ましい。電気抵抗率が１×10- 3Ωcmの
場合、面抵抗は膜厚500Åで200Ω／□、1000Åで100Ω
／□等となる。用途に応じて面抵抗、膜厚を選択する。
以上説明したプラズマ源を用い、低エネルギ、高密度プ
ラズマを形成してZnO透明導電膜のサンプルを製作し
た。比較のため、通常のカウフマン型イオン源を用いて
同様にZnO透明導電膜のサンプルを製作した。結果をま
とめて以下に示す。
ラズマを形成してZnO透明導電膜のサンプルを製作し
た。比較のため、通常のカウフマン型イオン源を用いて
同様にZnO透明導電膜のサンプルを製作した。結果をま
とめて以下に示す。
なお、母材としてはZnOペレットを使用し、活性化用ガ
スはArを用いた。またNnOの蒸発量は両者同量とした。
スはArを用いた。またNnOの蒸発量は両者同量とした。
表より、本プラズマ源を使用して透明導電膜を製作した
時、カウフマン型イオン源を使用した時と比較して、可
視光透過率、抵抗率、成膜速度のいずれについても、よ
りすぐれた結果が得られたことが判る。すなわち、本装
置は透明導電膜の製作にとって極めて優れた特性を有し
ている。また、本装置は構成が簡単で、製造原価を低減
することができる。
時、カウフマン型イオン源を使用した時と比較して、可
視光透過率、抵抗率、成膜速度のいずれについても、よ
りすぐれた結果が得られたことが判る。すなわち、本装
置は透明導電膜の製作にとって極めて優れた特性を有し
ている。また、本装置は構成が簡単で、製造原価を低減
することができる。
［発明の効果］ 低エネルギ高密度プラズマが得られ、優れた特性の透明
導電膜を製作することができる。
導電膜を製作することができる。
第１図（Ａ），（Ｂ）は本発明の実施例を説明する図で
あり、第１図（Ａ）は構成を示す概略断面図、第１図
（Ｂ）はガス活性化装置の概略ダイアグラム、 第２図は従来例による蒸着装置の概略断面図、 第３図（Ａ），（Ｂ）は従来例によるガス活性化装置を
用いた蒸着装置を説明する図であり、第３図（Ａ）は構
成を示す概略断面図、第３図（Ｂ）はガス活性化装置の
概略ダイアグラムである。 図において、 １……反応室 ２……ヒータ ３……基板 ４……シャッタ ５……モニタ ６……蒸発源 ７……雰囲気ガス 8,10……ガス導入管 ９……活性化用ガス 11……ガス活性化装置 12……プラズマ源 14……熱陰極 15……円筒型陽極 18……電磁石 20……雰囲気ガス 21……母材 22……基板 23……ヒータ 25……イオン源 26……ガス導入管 27……加熱源 28……反応室 31……熱陰極 32……陽極 33……グリッド電極 35……電磁石
あり、第１図（Ａ）は構成を示す概略断面図、第１図
（Ｂ）はガス活性化装置の概略ダイアグラム、 第２図は従来例による蒸着装置の概略断面図、 第３図（Ａ），（Ｂ）は従来例によるガス活性化装置を
用いた蒸着装置を説明する図であり、第３図（Ａ）は構
成を示す概略断面図、第３図（Ｂ）はガス活性化装置の
概略ダイアグラムである。 図において、 １……反応室 ２……ヒータ ３……基板 ４……シャッタ ５……モニタ ６……蒸発源 ７……雰囲気ガス 8,10……ガス導入管 ９……活性化用ガス 11……ガス活性化装置 12……プラズマ源 14……熱陰極 15……円筒型陽極 18……電磁石 20……雰囲気ガス 21……母材 22……基板 23……ヒータ 25……イオン源 26……ガス導入管 27……加熱源 28……反応室 31……熱陰極 32……陽極 33……グリッド電極 35……電磁石
Claims (2)
- 【請求項１】母材を加熱して蒸気化し、基板上に照射す
ると同時に、熱陰極と開口を形成する陽極との間で導入
ガスを電離し、陽極より低い電位の電極を介在させるこ
となく陽極の開口より主として約10eV以下の低エネルギ
の活性化粒子を基板上に照射する透明導電膜の形成方
法。 - 【請求項２】母材を加熱して蒸気化する蒸発源と、熱陰
極と、該熱陰極とガス導入口を取囲み一方に開いた電位
的に自由な開口を形成する陽極とを含み、導入したガス
を熱陰極と陽極との間で電離して低エネルギプラズマを
形成し、主として約10eV以下の低エネルギの活性化粒子
を電位的に自由な開口から陽極より低い電位の電極を介
在させることなく基板上に供給することのできるプラズ
マ源とを含む透明導電膜の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279800A JPH0765157B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 活性化粒子を用いた透明導電膜の形成方法および透明導電膜の形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279800A JPH0765157B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 活性化粒子を用いた透明導電膜の形成方法および透明導電膜の形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146657A JPH03146657A (ja) | 1991-06-21 |
| JPH0765157B2 true JPH0765157B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=17616091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1279800A Expired - Fee Related JPH0765157B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 活性化粒子を用いた透明導電膜の形成方法および透明導電膜の形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765157B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8132684B2 (en) * | 2005-07-14 | 2012-03-13 | Rexam Prescription Products Inc. | Child-resistant closure, package and method of making |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6030114A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS6473069A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-17 | Nissin Electric Co Ltd | Production of aluminum nitride film |
| JPH01234558A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Stanley Electric Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1279800A patent/JPH0765157B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03146657A (ja) | 1991-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020070357A1 (en) | Magnetron negative ion sputter source | |
| JP2824502B2 (ja) | 荷電粒子を用いたスパッタリング装置及びスパッタリング蒸着方法 | |
| JP3345009B2 (ja) | 加熱により製造された材料蒸気のイオン化方法及び該方法を実施する装置 | |
| US5427668A (en) | Thin film deposition system | |
| JP3481953B2 (ja) | 基板をコーティングするための装置 | |
| JPH0153351B2 (ja) | ||
| JPH0456761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| Probyn | A low-energy ion source for the deposition of chromium | |
| JPH0765157B2 (ja) | 活性化粒子を用いた透明導電膜の形成方法および透明導電膜の形成装置 | |
| EP2840163B1 (en) | Deposition device and deposition method | |
| JP2849771B2 (ja) | スパッタ型イオン源 | |
| JPH0214426B2 (ja) | ||
| JP3186777B2 (ja) | プラズマ源 | |
| JPH0216380B2 (ja) | ||
| JPS61292817A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPH0472060A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH09165673A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| JPS594045Y2 (ja) | 薄膜生成用イオン化装置 | |
| Takeuchi et al. | A compact ion source using a hollow cathode discharge and its application to thin film formation | |
| JPS628409A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JP3431174B2 (ja) | サブストレートのコーティング装置 | |
| JP2971541B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3174313B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2544405B2 (ja) | 透明サファイア薄膜の成膜方法 | |
| JPH0721993B2 (ja) | スパッタ型イオン源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |