JPH0765426A

JPH0765426A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH0765426A
Application number: JP5209204A
Authority: JP
Inventors: Akio Okamuro; 昭男岡室
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-08-24
Filing date: 1993-08-24
Publication date: 1995-03-10

Abstract

(57)【要約】【目的】再生信号のＣ／Ｎの低下の少ないオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体を製造する。【構成】基板上に少なくともメモリー層と記録層の２
層の磁性層から成るオーバーライト可能な光磁気記録媒
体の磁性層をスパッタリングにより形成擦る光磁気記録
媒体の製造方法において、少なくとも一方の磁性層の成
膜前にスパッタエッチングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録媒体の製造方法に関するものである。オーバ
ーライト(over write)とは、前の情報を消去せずに新た
な情報を記録する行為を言う。この場合、再生したと
き、前の情報は再生されてはならない。本明細書で言う
「オーバーライト」とは、特に、記録磁界Ｈb の向き及
び強度を変調せずに、単にレーザービームを記録すべき
情報に従いパルス変調しながら照射する(irradiate) こ
とにより、オーバーライトすることを言う。

【０００２】

【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。

【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として１層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブ groove ）が存在する。逆
に溝と溝の間をランド(land)と呼ぶ。実際には、ディス
クの裏表でランドと溝が逆になる。そこで、ビームが入
射するのと同じにディスクを見て、手前を溝、奥をラン
ドと呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一
面に形成するので、溝の部分をトラックにしてもよい
し、ランドの部分をトラックにしてもよい。溝の幅とラ
ンドの幅との間に特に大小関係はない。

【０００４】このようなランドと溝を構成するために、
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。

【０００５】記録すべき情報は、予め２値化されてお
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ₁)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ₀)の２つの
信号で記録される。これらのマークＢ₁、Ｂ₀は、デジ
タル信号の１、０の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化^*（initialize^*）」と呼ばれる。そ
の上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ
₁)を形成する。情報は、このマーク（Ｂ₁)の有無、位
置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって
表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法
はマーク長記録と呼ばれる尚、マークは、過去にピット
又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼
ぶ。

【０００６】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、 (１) 媒体を再び初期化^*装置で初期化^*するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。

【０００７】もっとも、もし記録磁界Ｈb の向きを必要
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。

【０００８】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
（本明細書では、この記録再生層をメモリー層 Memory
layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer （本明細書では、こ
の記録補助層をライティング層 Writing layer 又はＷ
層と言う）とを含み、両層は交換結合（exchange-coupl
ed) しており、かつ、室温でＭ層の磁化の向きは変えな
いでＷ層の磁化のみを所定の向きに向けておくことがで
きるオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体」を使用
する。

【０００９】そして、情報をＭ層（場合によりＷ層に
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。

【００１０】そして、Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力
Ｈ_Cと高いキュリー点Ｔ_Cを持つ。基本発明の記録方法
によれば、記録媒体は、記録前までに、外部手段により
Ｗ層の磁化の向きだけが「Ａ向き」に揃えられる。この
行為を本明細書では特別に“初期化(initialize)”と呼
ぶ。この“初期化”はオーバーライト可能な媒体に特有
なことである。

【００１１】その上で、２値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルＰ_Hと低レベルＰ_Lがあり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルＰ_Rよりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを＜非常な低レベル＞で点灯することが
ある。この＜非常な低レベル＞も、再生レベルＰ_Rと同
一又は近似のレベルである。

【００１２】例えば、「Ａ向き」に“初期化(initializ
e)”された媒体は、低レベルＰ_Lのレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁力Ｈ_c1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がＭ層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、Ｗ層の保磁力Ｈ_c2は十分に大きく、
「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb で反転されることはない。
そして、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。Ｍ
層、Ｗ層は、一般に重希土類金属（heavy rareearth me
tal：以下、ＲＥと略す）−遷移金属（transition meta
l：以下、ＴＭと略す）合金で構成される。交換結合力
は、両層のＲＥ磁気モーメント同士を揃える力と両層の
ＴＭ磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金
中ではＲＥの副格子磁化とＴＭの副格子磁化とは、向き
が逆であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁
化の向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組
成を補償組成（compensation composition) と言い、そ
の温度を補償温度（compensation temperature) と言
う。補償温度より上では、ＴＭ副格子磁化の方が強
く、補償温度より下では、ＲＥ副格子磁化の方が強い。

【００１３】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との２種がある。存在しない状
態のマークは、形成しようとするマークと一致する。
存在する状態のマークは、形成しようとするマークと一
致しない。後者の場合、Ｗ層の力が交換結合力を介し
てＭ層に及ぶ結果、非常に小さくなった保磁力Ｈ_c1を持
つＭ層の磁化は、Ｗ層によって支配された所定の向き
（例えば、「Ａ向き」）を向かされる。その結果、Ｍ層
とＷ層との間に界面磁壁が存在しないマーク（目的とす
るマーク）が形成される。

【００１４】仮にＭ層の磁化がゼロだった場合（Ｔ_c1以
上）でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の温度
が自然に低下してキュリー点Ｔ_c1よりやや下がると、Ｍ
層に磁化が現れる。このとき、同様にＷ層の力が交換結
合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に
補償温度があると、そこを越えたとき、その層の磁化の
向きは逆転する。このプロセスは低温サイクル又は低温
プロセスと呼ばれる。

【００１５】他方、例えば、「Ａ向き」に“初期化(ini
tialize)”された媒体は、高レベルＰ_Hのレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁
力Ｈ_c1はゼロになり、Ｗ層の保磁力Ｈ_c2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Ｈ_c2を持つＷ層の磁化は、記録磁界Ｈb に負けて
所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。仮にＷ層
の磁化がゼロだった場合でもレーザービームの照射がな
くなり、媒体の温度が自然に低下してキュリー点Ｔ_c2
よりやや下がると、Ｗ層に磁化が現れるが、このとき、
同様に記録磁界Ｈb に負けて、Ｗ層の磁化は所定の向き
（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。更に媒体の温度が冷
えてキュリー点Ｔ_c1よりやや下がると、Ｍ層に磁化が現
れる。このとき、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に
及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化は、Ｗ層によって支
配された所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。
この状態から室温に戻るが、所定の向きが保たれる。但
し、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に補償温度があると、
そこを越えたとき、Ｍ層、Ｗ層の磁化の向きは逆転す
る。このプロセスは高温サイクル又は高温プロセスと呼
ばれる。

【００１６】以上の低温サイクル、高温サイクルは、Ｍ
層、Ｗ層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にＷ層が“初期化(initializ
e)”されておれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM T
ECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。

【００１７】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。

【００１８】なお、本明細書で、○○○〔又は△△△〕
という表現は、先に〔〕の外の○○○を読んだときに
は、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも、〔〕の
外の○○○を読むことにする。それに対して先に○○○
を読まずに〔〕内の△△△の方を選択して読んだとき
には、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも○○○を
読まずに〔〕内の△△△を読むものとする。

【００１９】基本発明で使用される媒体は、第１実施態
様と第２実施態様とに大別される。いずれの実施態様に
おいても、記録媒体は、Ｍ層とＷ層を含む多層構造を
有する。Ｍ層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低
い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比べ相対的に室温で保磁
力が低く磁化反転温度が高い磁性層である。なお、Ｍ層
とＷ層ともに、それ自体多層膜から構成されていてもよ
い。場合によりＭ層とＷ層との間に中間層（例えば、
交換結合力σ_W調整層・・・・以下、この層をInt.層と
略す）が存在していてもよい。Int.層については、特開
昭64−50257 号や特開平１−273248号を参照されたい。

【００２０】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その外、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平４−123339号に開
示された４層構造のディスクは、Ｍ層、Ｗ層の外に、
“初期化”層 (Initializing layer：以下、Ｉ層と略
す）、Ｉ層とＷ層との間に両層の間の交換結合をオン・
オフするスイッチング層（Swithing layer：以下：Ｓ層
と略す）を持つ。

【００２１】Ｃ／Ｎ比を高めるために、Ｍ層の上に（つ
まり、レーザービームの入射側に）Ｍ層よりキュリー点
が高くカー効果の高い再生層（Readout layer ：以下：
Ｒ層と略す）を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案されたＲ層もＲＥ−ＴＭ系合金で
構成される。

【００２２】光磁気記録媒体の記録層等の各層を形成す
る場合、スパッタリングや真空蒸着等の薄膜形成技術に
より成膜していた。このとき、表面には、誘電体保
護層を形成し、その上に磁性層を層状に成膜して多層膜
を形成していた。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】従来の方法により各層
をスパッタリングにより形成し、多層膜を有するオーバ
ーライト可能な光磁気記録媒体を繰り返し記録再生を行
った。その結果、著しく再生信号のＣ／Ｎが低くなるこ
とがあった。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本願発明者は、Ｃ／Ｎへ
影響を与える原因について調べた。研究の結果、各層間
の交換結合力がばらつくために記録感度や記録、再生パ
ワーマージンが変動することが分かった。更に本発明者
は、交換結合力がばらつく原因を究明するために研究を
続けた。そして、鋭意研究の結果、各層の成膜方法に問
題があることを突き止めた。各層をスパッタリングによ
って成膜すると成膜前後の装置内部の不純ガス等の影響
で界面の状態が変化し磁性層間の交換結合力のばらつき
が大きくなり、その結果、Ｃ／Ｎが低くなることが分か
った。

【００２５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、交換結合力のばらつきを小さくすること
を目的とする．そこで、第１に「基板上に少なくともメ
モリー層と記録層の２つの磁性層をスパッタリングで形
成することによりオーバーライト可能な光磁気記録媒体
を製造する方法において、少なくとも一方の該磁性層の
成膜前にスパッタエッチングを行うことを特徴とする方
法（請求項１）」を提供する。

【００２６】

【作用】本発明においては、各磁性層の成膜前にスパッ
タエッチングを行う。つまり、磁性層表面をスパッタエ
ッチングによっていわゆる洗浄処理する。これにより、
磁性層間の界面の状態をロット間で一定にすることがで
き、交換結合力のばらつきを押さえることができる。

【００２７】スパッタエッチングとは、通常のスパッタ
リングとは逆バイアスを印加し、チャンバー内にArガス
を導入し、磁性層が形成された基板を設置し、その表面
にArイオンを衝突させるエッチングをいう。スパッタエ
ッチングに用いる装置は、従来のスパッタリング装置と
同じものであるが、スパッタリング時に印加するバイア
ス電圧を逆バイアスにするため、バイアスの変換手段が
必要となる。

【００２８】本願発明においてのスパッタエッチング時
に印加する電力は、0.1 〜1.5 〔Ｗ／cm²〕であるが、
0.2 〜0.7 〔Ｗ／cm²〕が好ましい。チャンバー内に導
入するガス圧は、0.15〜0.70〔Ｐａ〕であるが、0.3 〜
0.6 〔Ｐａ〕が好ましい。更にスパッタエッチング時間
は、10〜300 〔sec〕であるが、好ましくは10〜30〔se
c〕である。

【００２９】

【実施例】

（１）まず、直径130mm 、厚さ1.2mm のガラス基板上に
厚さ約50μｍの紫外線硬化樹脂(PP:Photo-polymer)が形
成された2P基板を用意する。この樹脂層上には、内周側
（半径ｒ＝30mm) から外周側（半径ｒ＝60mm) にかけて
多数本の溝が渦巻状に形成されている。溝の寸法は、幅
が0.5 μｍ、ピッチが1.6 μｍ、深さが600 Åである。（２）前記した基板にスパッタリングによって磁性層、
及び保護層を形成するがＲ、Ｍ、Ｉ、Ｗ層成膜前に逆ス
パッタリングを行う。各層は、次のような条件で形成し
た。

【００３０】膜の種類 Ar圧〔Pa〕ターゲットへの投入電力〔ｋｗ〕第２保護層：０．２０：１Ｒ層：０．３０：１Ｍ層：０．５０：１Ｉ層：０．２５：１Ｗ層：０．２０：１第１保護層：０．２０：１そしてこのような条件によって次のような構成、膜厚を
有する記録媒体を形成する。

【００３１】第２保護層：ＳｉＮ：７００Å Ｒ層：ＧｄＦｅＣｏ：３００Å Ｍ層：ＴｂＦｅＣｏ：２００Å Ｉ層：ＧｄＦｅＣｏ：１００Å Ｗ層：ＤｙＦｅＣｏ：５００Å 第１保護層：ＳｉＮ：７００Å （３）基板上にスパッタリングにより第１保護層を形成
し、その上にＷ層を形成前、Ｉ層形成前、Ｍ層形成前、
Ｒ層形成前にスパッタリング時とは逆のバイアス電圧を
印加しスパッタエッチングを行う。その条件を以下に示
す。

【００３２】・投入電力０．５Ｗ／ｃｍ² ・Ａｒ圧０．４Ｐａ・時間１２０ｓｅｃ

【００３３】

【実施例２】（１）基板は実施例１と同じものを用いる（２）磁性層、保護層の構成及び製造方法、製造条件は
実施例１と同じである。（３）スパッタエッチングも実施例１と同様にＷ層形成
前、Ｉ層形成前、Ｍ層形成前、Ｒ層形成前に行う。その
条件を以下に示す。

【００３４】・投入電力１．３Ｗ／ｃｍ² ・Ａｒ圧０．５Ｐａ・時間３００ｓｅｃ

【００３５】

【実施例３】（１）基板は実施例１と同じものを用いる（２）磁性層、保護層の構成及び製造方法、製造条件は
実施例１と同じである。（３）スパッタエッチングも実施例１と同様にＷ層形成
前、Ｉ層形成前、Ｍ層形成前、Ｒ層形成前に行う。その
条件を以下に示す。

【００３６】・投入電力０．２Ｗ／ｃｍ² ・Ａｒ圧０．２Ｐａ・時間２０ｓｅｃ

【００３７】

【実施例４】（１）基板は実施例１と同じものを用いる（２）磁性層、保護層の構成及び製造方法、製造条件は
実施例１と同じである。（３）スパッタエッチングは、Ｒ、Ｉ、Ｗ層成膜前に行
う。その条件を以下に示す。

【００３８】・投入電力０．５Ｗ／ｃｍ² ・Ａｒ圧０．４Ｐａ・時間１２０ｓｅｃ

【００３９】

【実施例５】（１）基板は実施例１と同じものを用いる（２）磁性層、保護層の構成及び製造方法、製造条件は
実施例１と同じである。（３）スパッタエッチングは、Ｒ、Ｗ層成膜前に行う。
その条件を以下に示す。・投入電力０．５Ｗ／ｃｍ² ・Ａｒ圧０．４Ｐａ・時間１２０ｓｅｃ

【００４０】

【比較例１】（１）基板は実施例１と同じものを用いる（２）磁性層、保護層の構成及び製造方法、製造条件は
実施例１と同じである。（３）スパッタエッチングは行わない。

【００４１】

【比較例２】（１）基板は実施例１と同じものを用いる（２）磁性層、保護層の構成及び製造方法、製造条件は
実施例１と同じである。（３）Ｒ層成膜前にのみスパッタエッチングを行う。そ
の条件を以下に示す。・投入電力０．５Ｗ／ｃｍ² ・Ａｒ圧０．４Ｐａ・時間１２０ｓｅｃ

【００４２】

【比較例３】（１）基板は実施例１と同じものを用いる（２）磁性層、保護層の構成及び製造方法、製造条件は
実施例１と同じである。（３）Ｒ、Ｍ、Ｉ、Ｗ層成膜前にスパッタエッチングを
行う。その条件を以下に示す。

【００４３】・投入電力０．１Ｗ／ｃｍ² ・Ａｒ圧０．２Ｐａ・時間５ｓｅｃ

【００４４】

【比較例４】（１）基板は実施例１と同じものを用いる（２）磁性層、保護層の構成及び製造方法、製造条件は
実施例１と同じである。（３）Ｒ、Ｍ、Ｉ、Ｗ層成膜前にスパッタエッチングを
行う。このスパッタエッチングを行う場所は実施例１〜
３と同様であるが、スパッタエッチング条件を以下のよ
うに変えて行った。

【００４５】・投入電力２．５Ｗ／ｃｍ² ・Ａｒ圧０．７Ｐａ・時間１２０ｓｅｃ実施例１〜５及び比較例１〜４のそれぞれについて、Ａ
タイプ及びＢタイプの２種類の製造条件を設定して光磁
気記録媒体を製造した。

【００４６】Ａタイプは、各実施例及び比較例のそれぞ
れにつき、スパッタリング装置のチャンーバー内の到達
真空度は3.0 ×10^-5〔Pa〕以下に設定し、ある層のスパ
ッタリング終了後ただちに次のスパッタリングあるいは
スパッタエッチングを行った。Ｂタイプは、到達真空度
を2.0 ×10^-4以上0.5 ×10^-4〔Pa〕以下に設定し、ある
層のスパッタリング終了後５分間のインータバルをおい
て、次のスパッタリングあるいはスパッタエッチングを
行った。

【００４７】このようにＡタイプ及びＢタイプの２枚づ
つのサンプルを作成した。つまりＡタイプとＢタイプ
は、スパッタリング及びスパッタエッチングの条件は同
じであるが、Ｂタイプは、スパッタリングとスパッタリ
ング又はスパッタリングとスパッタエッチングとの間に
一定時間を設定し、さらに真空度を低くすることで、磁
性層またはスパッタエッチングされた層の表面に外部か
らの影響を受け易い状況つまり、交換結合力が低下して
しまう製造条件で製造を行ったものである。そして、そ
の影響と本願発明の関係を実証することを目的としてい
る。

【００４８】各サンプルは、線速度11.3ｍ／ｓ、記録周
波数4.0 ＭＨｚ、Duty50％、記録磁場300 Ｏｅでの最適
記録パワーを計測し、その記録パワーで10回オーバーラ
イトを行った後のＣ／Ｎを測定した。実施例１〜５につ
いての測定結果を表１に示す。

【００４９】

【表１】

【００５０】また、比較例１〜４についての測定結果を
表２に示す。

【００５１】

【表２】

【００５２】これらの結果から、本願発明の条件で磁性
層間にスパッタエッチングにより処理を行ったもの（実
施例１）は、磁性層間にスパッタエッチング処理を行わ
ない場合（従来）、本願発明以外の条件でスパッタエッ
チング処理を行った場合（比較例）に比べて、再生信号
のＣ／Ｎの低下が小さいことが分かる。更に、スパッタ
リング間またはスパッタリングとスパッタエッチング間
に一定時間をおき、磁性層を形成した場合（Ｂタイプ）
においても、本願発明の条件でスパッタエッチング処理
したものの再生信号のＣ／Ｎの低下が小さいことが分か
る。

【００５３】従って、製造方法をＡタイプ、Ｂタイプと
変えても、本願発明の条件で製造した光磁気記録媒体
は、オーバーライト動作を繰り返しても再生信号のＣ／
Ｎの低下が少ないことが判明した。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、磁性層表面をスパ
ッタエッチングする本願発明によれば、スパッタリング
装置内部の不純物（ガス等）の影響による磁性層表面の
状態の変化を最小限にくい止めることができるので、本
願発明の条件でスパッタエッチングを行ったオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体の再生信号は、記録再生を繰
り返してもＣ／Ｎの低下が少なく、高耐久性を有するオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体を製造することが可
能である。また、実施例からも分かるようにスパッタエ
ッチングの条件によっては、更に信号品質が向上する。

【００５５】以上

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくともメモリー層と記録層の
２つの磁性層をスパッタリングで形成することによりオ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体を製造する方法にお
いて、少なくとも一方の該磁性層の成膜前にスパッタエ
ッチングを行うことを特徴とする方法。
【請求項２】請求項１記載のスパッタエッチングにおけ
る投入電力、スパッタに用いるガスのガス圧、スパッタ
エッチング時間、スパッタリング装置のチャンバー内の
到達真空度が次の条件で行うことを特徴とするオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体の製造方法。投入電力（Ｗ／ｃｍ²）：０．１以上１．５以下ガス圧（Ｐａ）：０．１５以上０．７０以下時間（ｓｅｃ）：１０以上３００以下チャンバー内の到達真空度（Pa）：1.0×10^-3以下