JPH0785519A

JPH0785519A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法および該方法により製造された光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0785519A
Application number: JP5228537A
Authority: JP
Inventors: Akio Okamuro; 昭男岡室
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-09-14
Filing date: 1993-09-14
Publication date: 1995-03-31

Abstract

(57)【要約】【目的】安定したオーバーライト動作による良好な信
号品質と繰り返し記録・再生への耐久性の向上した光磁
気記録媒体の提供。【構成】垂直磁化膜からなり、後述するＭ層より高い
キュリー点Ｔ_CRを有するリード層（Ｒ層）、Ｒ層に交換
結合した垂直磁化膜からなるメモリー層（Ｍ層）及びＭ
層に交換結合した垂直磁化膜からなるライティング層
（Ｗ層）の少なくとも３層を有し、Ｍ層の磁化の向きを
反転させることなくＷ層の磁化の向きを所定の向きに揃
えることができる光変調方式でオーバーライト可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、Ｒ層をＲＥ−ＴＭ合
金ターゲットによるスパッタリングにより成膜し、かつ
Ｍ、Ｗ層はＲＥターゲットおよびＴＭターゲットの２つ
のターゲットを用いた２元同時スパッタリングにより成
膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録媒体の製造方法に関する。オーバーライト(o
ver write)とは、前の情報を消去せずに新たな情報を重
ねて記録することにより情報を書き換える行為を言う。
オーバーライトを行なった場合、前に記録されていた情
報が消去されていなければならない、言い換えると、再
生（情報読み取り）したときに、新たに記録された情報
のみが再生され、前の情報は再生されてはならない。本
明細書で言う「オーバーライト」とは、特に、記録磁界
Ｈ_b の向き及び強度を変調せずに、単に、レーザービー
ムを記録すべき情報に従いパルス変調しながら照射する
(irradiate) ことにより、オーバーライトすることを言
う。

【０００２】

【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。

【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として１層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。

【０００４】〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はデ
ィスク形状をしている。明示的なトラックを有するディ
スクは、ディスク平面に対し垂直方向から見た場合、情
報を記録するトラックが渦巻状又は同心円状に形成され
ている。そして、隣接する２つのトラック間にトラッキ
ングのため及び分離のための溝（グルーブ groove ）が
存在する。逆に溝と溝の間をランド(land)と呼ぶ。実際
には、ディスクの裏表でランドと溝が逆になる。そこ
で、ビームが入射するのと同じにディスクを見て、手前
を溝、奥をランドと呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の上にもラ
ンドの上にも一面に形成するので、溝の部分をトラック
にしてもよいし、ランドの部分をトラックにしてもよ
い。溝の幅とランドの幅との間に特に大小関係はない。

【０００５】このようなランドと溝を構成するために、
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。

【０００６】〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上
向き(upward)」又は「下向き(downward)」の何れか一方
を、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録
すべき情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ
向き」の磁化を有するマーク（Ｂ₁）と、「逆Ａ向き」
の磁化を有するマーク（Ｂ₀）の２つの信号で記録され
る。これらのマークＢ₁，Ｂ₀は、デジタル信号の１，０
の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。

【０００７】しかし、一般には記録されるトラックの磁
化は、記録前に強力な外部磁場を印加することによって
「逆Ａ向き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行
為は、古い意味で「初期化^*(initialize^*)」と呼ばれ
る。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマー
ク（Ｂ₁）を形成する。情報は、このマーク（Ｂ₁）の有
無、位置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等に
よって表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表
す方法はマーク長記録と呼ばれる尚、マークは、過去に
ピット又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマー
クと呼ぶ。

【０００８】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、（１）媒体を再び初期化^* 装置で初期化^* するか、
又は（２）記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は（３）予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。

【０００９】もっとも、もし記録磁界Ｈb の向きを必要
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。しかしながら、技術の進歩は著しく、記録磁
界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む）又は記録
磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強度
を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オーバ
ーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用される
オーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれに
使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明され、
特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,618A1
＝米国特許出願中 Ser.No453,255）。以下、この発明を
「基本発明」と引用する。

【００１０】〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本
的に垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録再生層record
ing layer（本明細書では、この記録再生層をメモリー
層 memory layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な
磁性薄膜からなる記録補助層 reference layer（本明細
書では、この記録補助層をライティング層 writing lay
er又はＷ層と言う）とを含み、両層は交換結合(exchang
e-coupled)しており、かつ、室温でＭ層の磁化の向きは
変えないでＷ層の磁化のみを所定の向きに向けておくこ
とができるオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体」
を使用する。

【００１１】そして、情報をＭ層（場合によりＷ層に
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。そして、
Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力Ｈ_Cと高いキュリー点
Ｔ_Cを持つ。基本発明の記録方法によれば、記録媒体
は、記録前までに、外部手段によりＷ層の磁化の向きだ
けが「Ａ向き」に揃えられる。この行為を本明細書では
特別に“初期化(initialize)”と呼ぶ。この“初期化”
はオーバーライト可能な媒体に特有なことである。

【００１２】その上で、２値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルＰ_Hと低レベルＰ_Lがあり、これは
パルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベル
は、再生時に媒体を照射する再生レベルＰ_R よりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを＜非常な低レベル＞で点灯することが
ある。この＜非常な低レベル＞も、再生レベルＰ_R と同
一又は近似のレベルである。

【００１３】例えば、「Ａ向き」に“初期化(initializ
e)”された媒体は、低レベルＰ_L のレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁力Ｈ_c1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がＭ層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、Ｗ層の保磁力Ｈ_c2は十分に大きく、
「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb で反転されることはない。
そして、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。Ｍ
層、Ｗ層は、一般に重希土類金属（heavy rare earth m
etal：以下、ＲＥと略す）−遷移金属（transition met
al：以下、ＴＭと略す）合金で構成される。交換結合力
は、両層のＲＥ磁気モーメント同士を揃える力と両層の
ＴＭ磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金
中ではＲＥの副格子磁化とＴＭの副格子磁化とは、向き
が逆であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁
化の向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組
成を補償組成(compensation composition)と言い、その
温度を補償温度(compensation temperature)と言う。補
償温度より上では、ＴＭ副格子磁化の方が強く、補償温
度より下では、ＲＥ副格子磁化の方が強い。

【００１４】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在する状態と、
存在しない状態との２種がある。存在しない状態のマー
クは、形成しようとするマークと一致する。存在する状
態のマークは、形成しようとするマークと一致しない。
後者の場合、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ
結果、非常に小さくなった保磁力Ｈ_c1を持つＭ層の磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向かされる。その結果、Ｍ層とＷ層との間に
界面磁壁が存在しないマーク（目的とするマーク）が形
成される。仮にＭ層の磁化がゼロだった場合（Ｔ_c1以
上）でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の温度
が自然に低下してキュリー点Ｔ_c1よりやや下がると、Ｍ
層に磁化が現れる。このとき、同様にＷ層の力が交換結
合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に
補償温度があると、そこを越えたとき、その層の磁化の
向きは逆転する。このプロセスは低温サイクル又は低温
プロセスと呼ばれる。

【００１５】他方、例えば、「Ａ向き」に“初期化(ini
tialize)”された媒体は、高レベルＰ_H のレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁
力Ｈ_c1はゼロになり、Ｗ層の保磁力Ｈ_c2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Ｈ_c2を持つＷ層の磁化は、記録磁界Ｈb に負けて
所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。仮にＷ層
の磁化がゼロだった場合でもレーザービームの照射がな
くなり、媒体の温度が自然に低下してキュリー点Ｔ_c2
よりやや下がると、Ｗ層に磁化が現れるが、このとき、
同様に記録磁界Ｈb に負けて、Ｗ層の磁化は所定の向き
（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。更に媒体の温度が冷
えてキュリー点Ｔ_c1よりやや下がると、Ｍ層に磁化が現
れる。このとき、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に
及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化は、Ｗ層によって支
配された所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。
この状態から室温に戻るが、所定の向きが保たれる。但
し、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に補償温度があると、
そこを越えたとき、Ｍ層、Ｗ層の磁化の向きは逆転す
る。このプロセスは高温サイクル又は高温プロセスと呼
ばれる。

【００１６】以上の低温サイクル、高温サイクルは、Ｍ
層、Ｗ層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にＷ層が“初期化(initializ
e)”されていれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM T
ECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。

【００１７】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。

【００１８】なお、本明細書で、○○○〔又は△△△〕
という表現は、先に〔〕の外の○○○を読んだときに
は、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも、〔〕の
外の○○○を読むことにする。それに対して先に○○○
を読まずに〔〕内の△△△の方を選択して読んだとき
には、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも○○○を
読まずに〔〕内の△△△を読むものとする。基本発明
で使用される媒体は、第１実施態様と第２実施態様とに
大別される。いずれの実施態様においても、記録媒体
は、Ｍ層とＷ層を含む多層構造を有する。Ｍ層は、室温
で保磁力が高く磁化反転温度が低い磁性層である。Ｗ層
はＭ層に比べ相対的に室温で保磁力が低く磁化反転温度
が高い磁性層である。なお、Ｍ層とＷ層ともに、それ自
体多層膜から構成されていてもよい。場合によりＭ層と
Ｗ層との間に中間層（例えば、交換結合力σ_W 調整層・
・・・以下、この層をInt.層と略す）が存在していても
よい。Int.層については、特開昭64−50257 号や特開平
１−273248号を参照されたい。

【００１９】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その外、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平４−123339号に開
示された４層構造のディスクは、Ｍ層、Ｗ層の外に、
“初期化”層（Initializing layer：以下、Ｉ層と略
す）、Ｉ層とＷ層との間に両層の間の交換結合をオン・
オフするスイッチング層（Swithing layer：以下：Ｓ層
と略す）を持つ。Ｃ／Ｎ比を高めるために、Ｍ層の上に
（つまり、レーザービームの入射側に）Ｍ層よりキュリ
ー点が高くカー効果の高い再生層（Readout layer ：以
下：Ｒ層と略す）を積層したものも提案されている。例
えば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公
報を参照されたい。提案されたＲ層もＲＥ−ＴＭ系合金
で構成される。

【００２０】上に述べたように、光磁気記録媒体の記録
層（Ｗ層）、メモリー層（Ｍ層）および再生層（Ｒ層）
は、一般に重希土類（ＲＥ）−遷移金属（ＴＭ）合金薄
膜からなるが、その成膜にはスパッタリングや真空蒸着
法などの真空薄膜形成技術を用いている。基板上に金属
薄膜、酸化物薄膜、セラミックス薄膜等の薄膜を形成す
る場合、スパッタリングが用いられる。このスパッタリ
ングは、真空蒸着法に比べて、薄膜形成物質の融点が高
く、蒸発させることが困難または不可能な物質も成膜で
きる、基板を加熱しなくてもよい、大きな基板でも使用
できる、薄膜の基板への密着性が高いなどの利点を有す
る。スパッタリングにより薄膜を形成する場合、薄膜の
原料となるターゲットが必要である。特に複数の材料か
らなる薄膜を形成する場合、ターゲットは目的とする合
金からなる１つのターゲットを用い、これをスパッタリ
ングすることで基板上に合金の薄膜を形成するか（１元
スパッタリング）、スパッタリング装置内に複数のター
ゲットを設置し（多元スパッタリング）、それぞれの材
料を交互にスパッタリすることで基板上に異なる材料か
らなる薄膜を交互に積層したり、もしくは同時にスパッ
タする（多元同時スパッタリング）ことにより合金の薄
膜を形成する。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法で製造された光磁気記録媒体に対し、繰り返し再生
あるいは記録を行った場合、記録品質が劣化することが
分かった。特に、オーバーライト動作を行うオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体の場合、Ｃ／Ｎ比の低下等が
顕著になるという問題点が生じた。更に、全ての層をＲ
Ｅターゲット及びＴＭターゲットから交互にスパッタリ
ングにより積層させた場合、オーバーライト動作が不安
定になり信号品質が劣化するという問題点も生じた。こ
れは繰り返し再生あるいは記録が頻繁に行われるオーバ
ーライト可能な光磁気記録媒体にとって、磁性層の耐久
性の面で重要な問題点である。本発明は、このような問
題点に鑑みてなされたもので、安定したオーバーライト
動作による良好な信号品質と繰り返し記録・再生への耐
久性の向上を目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、磁性層の耐
久性が記録再生を繰り返すごとに劣化し、再生信号のＣ
／Ｎ比が低下するのは、磁性層の結晶構造に問題がある
ためであることを見い出した。そして、記録層（Ｗ
層）、メモリー層（Ｍ層）、再生層（Ｒ層）の少なくと
も３層を有し、光変調方式でオーバーライト可能な光磁
気記録媒体において、Ｗ層とＭ層をＲＥターゲットとＴ
Ｍターゲットの二つのターゲットを用いた２元同時スパ
ッタリングによりそれぞれ成膜し、他方Ｒ層を単一のＲ
Ｅ−ＴＭ合金ターゲットを用いるスパッタリングによっ
て成膜すると良好な信号品質が得られ、繰り返し記録・
再生への耐久性が向上することを見出し本発明をなすに
至った。

【００２３】即ち、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、垂直磁化膜からなり、後述するＭ層より高いキュリ
ー点Ｔ_CRを有するリード層（Ｒ層）、Ｒ層に交換結合し
た垂直磁化膜からなるメモリー層（Ｍ層）及びＭ層に交
換結合した垂直磁化膜からなるライティング層（Ｗ層）
の少なくとも３層を有し、Ｍ層の磁化の向きを反転させ
ることなくＷ層の磁化の向きを所定の向きに揃えること
ができる光変調方式でオーバーライト可能な光磁気記録
媒体の製造方法において、Ｒ層をＲＥ−ＴＭ合金ターゲ
ットによるスパッタリングにより成膜し、かつＭ、Ｗ層
はＲＥターゲットおよびＴＭターゲットの２つのターゲ
ットを用いた２元同時スパッタリングにより成膜する事
を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法である。

【００２４】また本発明の光磁気記録媒体は、垂直磁化
膜からなり、後述するＭ層より高いキュリー点Ｔ_CRを有
するリード層（Ｒ層）、Ｒ層に交換結合した垂直磁化膜
からなるメモリー層（Ｍ層）及びＭ層に交換結合した垂
直磁化膜からなるライティング層（Ｗ層）の少なくとも
３層を有し、Ｍ層の磁化の向きを反転させることなくＷ
層の磁化の向きを所定の向きに揃えることができる光変
調方式でオーバーライト可能な光磁気記録媒体におい
て、Ｒ層はＲＥ−ＴＭ合金ターゲットによるスパッタリ
ングにより成膜されたものであり、かつＭ、Ｗ層はＲＥ
ターゲットおよびＴＭターゲットの２つのターゲットを
用いた２元同時スパッタリングにより成膜されたもので
あることを特徴とする光磁気記録媒体である。更に上記
のスパッタリング時のアルゴンＡｒガス圧を、Ｒ層：０．２Ｐａ以上０．７Ｐａ以下Ｍ層：０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下Ｗ層：０．３Ｐａ以下とすると、より良好な信号品質が得られ好適である。

【００２５】

【作用】本発明のように、Ｍ層とＷ層を２元同時スパッ
タリングによって成膜した場合光磁性膜が安定構造をと
る。これにより繰り返し記録・再生に対する耐久性が向
上する。またＲ層を単一の合金ターゲットを用いてスパ
ッタすると、Ｍ層からのデータの転写性が良好になり、
信号品質が向上する。更に、スパッタリング時のＡｒガ
ス圧のようにすることにより、再生時のカー回転角θk
の増大、情報転写性の改善、Hiniの低減および書き込み
磁場特性の改善等が得られ、それにより信号品質が更に
向上する。

【００２６】

【実施例】図１に本実施例で形成されるオーバーライト
可能な光磁気記録媒体の構成を示す。この媒体は以下の
ように形成される。まず、直径130 mm、厚さ1.2 mmのガ
ラス基板上に厚さ約50μｍの紫外線硬化型樹脂(PP)が形
成されたガラス２Ｐ基板１を用意する。この樹脂(PP)上
には、内周側（半径ｒ＝30mm位置）から外周側（ｒ＝60
mm位置）にかけて多数本の溝が渦巻状に形成されてい
る。溝の寸法は、幅が0.5μｍ、ピッチが1.6μｍ、深さ
が600Åである。ガラス２Ｐ基板１上に厚さ700ÅのＳｉ
Ｎの保護層２、厚さ300ÅのＧｄＦｅＣｏのＲ層３、厚
さ200ÅのＴｂＦｅＣｏのＭ層４、厚さ100ÅのＧｄＦｅ
ＣｏのＩ層５、厚さ500ÅのＤｙＦｅＣｏＷ層６、厚さ7
00ÅのＳｉＮの保護層７をマグネトロンスパッタリング
により成膜する。該保護層７の上に更にガラス製保護基
板（不図示）を接着して、光磁気記録媒体ディスクのサ
ンプルが作成される。

【００２７】スパッタリング条件を変えて作成した実施
例および比較例のディスクのＲ、Ｍ、Ｉ、Ｗの角層の成
膜条件を下の表１に示す。

【表１】表１においてターゲットの元が１と示されているもの
は、それぞれの層を構成すべき合金から成る単一のター
ゲットを用いたスパッタリングにより成膜している。タ
ーゲットの元が２と示されているものは２元同時スパッ
タリングにより成膜している。Ｒ層の２元同時スパッタ
リングにはＧｄターゲットとＦｅＣｏ合金ターゲットと
を用いた。Ｍ層の２元同時スパッタリングにはＴｂター
ゲットとＦｅＣｏ合金ターゲットを用いた。Ｗ層の２元
同時スパッタリングにはＤｙターゲットとＦｅＣｏ合金
ターゲットを用いた。実施例および比較例のディスクの
成膜時に行なわれる上記２元同時スパッタの際の、ター
ゲット９、１０と基板８の位置関係を図２に示す。

【００２８】［媒体ディスクの評価テスト］初期のＣＮ
比、最大再生パワー及び繰り返し書き込み後のＣＮ比の
変化を、それぞれのディスクについて測定した結果を３
−１４に示す。記録条件は線速度11.3m/s で、2.16μm
のマーク上に、0.81μm のマークをオーバーライトした
というものである。図３、４、５は表１のディスク１、
２（比較例）とディスク３（実施例）に対する測定結果
を示す。ディスク３は本発明に従い、Ｒ層を１元スパッ
タリングで、Ｍ層およびＷ層を２元同時スパッタリング
で成膜したものである。それに対し比較例のディスク１
は、Ｒ層、Ｍ層およびＷ層のいずれも１元スパッタリン
グで成膜したもの、またディスク２はＲ層、Ｍ層および
Ｗ層のいずれも２元スパッタリングで成膜したものであ
る。図３は、各ディスクの初期のＣＮ比を示す。図４は
各ディスクの最大再生パワーを示す。ここで最大再生パ
ワーとは５分間再生を続けてもデータが破壊されないよ
うな最大のパワーを言う。図５は各ディスクに対して繰
り返し記録を続けた時のＣＮ比の変化を示す。繰り返し
記録は2.16μｍマークで行ない、１０¹，１０³，および
１０⁵回行なった後に、再び0.81μmのマークをオーバー
ライトしてＣＮ比を測定した。線速度はすべて11.3m/s
である。

【００２９】これら図３、４および５から本願発明にし
たがって作成されたディスク３は比較例のディスク１、
２と比較して、ＣＮ比、最大再生パワー、繰り返し記録
時の耐久性のいずれの点においても優れていることがわ
かる。図６、７および８は、Ｒ層成膜時のＡｒガス圧に
より、媒体性能がどのように変わるかを示したものであ
る。Ｒ層の成膜時のＡｒ圧がそれぞれ 0.15, 0.30, 0.4
5, 0.60, 0.75 (Pa)であるディスク４，５，３，６およ
び７を用いて測定を行なった。図６、７はそれぞれディ
スクの初期のＣＮ比、および最大再生パワーをディスク
のＲ層成膜時のＡｒ圧を横軸として表わしている。図８
は図５と同様にして繰り返し記録を行なったときのＣＮ
比の変化を示す。

【００３０】図９、１０および１１は、Ｍ層成膜時のＡ
ｒガス圧により、媒体性能がどのように変わるかを示し
たものである。Ｍ層の成膜時のＡｒ圧がそれぞれ0.15,
0.45,0.75(Pa)であるディスク８，３および９を用いて
測定を行なった。図９、１０はそれぞれディスクの初期
のＣＮ比、および最大再生パワーをディスクのＭ層成膜
時のＡｒ圧を横軸として表わしている。図１１は図５と
同様にして繰り返し記録を行なったときのＣＮ比の変化
を示す。図１２、１３および１４は、Ｗ層成膜時のＡｒ
ガス圧により、媒体性能がどのように変わるかを示した
ものである。Ｗ層の成膜時のＡｒ圧がそれぞれ0.15,0.2
5,0.35(Pa)であるディスク１０，３および１１を用いて
測定を行なった。図１２、１３はそれぞれディスクの初
期のＣＮ比、および最大再生パワーをディスクのＷ層成
膜時のＡｒ圧を横軸として表わしている。図１４は図５
と同様にして繰り返し記録を行なったときのＣＮ比の変
化を示す。

【００３１】以上の図６から１４に示された結果より、
先に述べたそれぞれの磁性層成膜時の好適なＡｒ圧範
囲、即ちＲ層：０．２Ｐａ以上０．７Ｐａ以下Ｍ層：０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下Ｗ層：０．３Ｐａ以下にある媒体ディスクは良好な特性を示していることがわ
かる。

【００３２】

【発明の効果】以上のように本発明の製造方法により製
造したオーバーライト可能な光磁気記録媒体は、図３、
４、５から明らかなように繰り返し記録再生の耐久性並
びに信号品質において優れている。各層を上記のＡｒガ
ス圧範囲でスパッタリングして成膜する事により、図６
−１４から明らかなように記録再生の繰り返し耐久性な
らびに信号品質の両立が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にしたがって作成された実施例の光磁気
記録媒体の構成を模式的に示す図。

【図２】本発明の実施例で行なわれる２元同時スパッタ
リングの際の媒体ディスクおよび２つのターゲットの配
置を例示する図。

【図３】光磁気記録媒体ディスクの初期のＣＮ比を、本
発明の実施例と比較例について示すグラフ。

【図４】光磁気記録媒体ディスクの最大再生パワーを、
本発明の実施例と比較例について示すグラフ。

【図５】繰り返し記録時のＣＮ比の変化を、本発明の実
施例と比較例について示すグラフ。

【図６】光磁気記録媒体ディスクのＲ層成膜時のＡｒ圧
と、該ディスクの初期ＣＮ比との関係を示すグラフ。

【図７】光磁気記録媒体ディスクのＲ層成膜時のＡｒ圧
と、該ディスクの最大再生パワーとの関係を示すグラ
フ。

【図８】光磁気記録媒体ディスクのＲ層成膜時のＡｒ圧
と、該ディスクの繰り返し記録の耐久性を示すグラフ。

【図９】光磁気記録媒体ディスクのＭ層成膜時のＡｒ圧
と、該ディスクの初期ＣＮ比との関係を示すグラフ。

【図１０】光磁気記録媒体ディスクのＭ層成膜時のＡｒ
圧と、該ディスクの最大再生パワーとの関係を示すグラ
フ。

【図１１】光磁気記録媒体ディスクのＭ層成膜時のＡｒ
圧と、該ディスクの繰り返し記録の耐久性を示すグラ
フ。

【図１２】光磁気記録媒体ディスクのＷ層成膜時のＡｒ
圧と、該ディスクの初期ＣＮ比との関係を示すグラフ。

【図１３】光磁気記録媒体ディスクのＷ層成膜時のＡｒ
圧と、該ディスクの最大再生パワーとの関係を示すグラ
フ。

【図１４】光磁気記録媒体ディスクのＷ層成膜時のＡｒ
圧と、該ディスクの繰り返し記録の耐久性を示すグラ
フ。

【符号の説明】

１ガラス２Ｐ基板２保護層３Ｒ層４Ｍ層５Ｉ層６Ｗ層７保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】垂直磁化膜からなり、後述するＭ層より
高いキュリー点Ｔ_CRを有するリード層（Ｒ層）、Ｒ層に
交換結合した垂直磁化膜からなるメモリー層（Ｍ層）及
びＭ層に交換結合した垂直磁化膜からなるライティング
層（Ｗ層）の少なくとも３層を有し、Ｍ層の磁化の向き
を反転させることなくＷ層の磁化の向きを所定の向きに
揃えることができる光変調方式でオーバーライト可能な
光磁気記録媒体の製造方法において、Ｒ層をＲＥ−ＴＭ
合金ターゲットによるスパッタリングにより成膜し、か
つＭ、Ｗ層はＲＥターゲットおよびＴＭターゲットの２
つのターゲットを用いた２元同時スパッタリングにより
成膜する事を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】垂直磁化膜からなり、後述するＭ層より
高いキュリー点Ｔ_CRを有するリード層（Ｒ層）、Ｒ層に
交換結合した垂直磁化膜からなるメモリー層（Ｍ層）及
びＭ層に交換結合した垂直磁化膜からなるライティング
層（Ｗ層）の少なくとも３層を有し、Ｍ層の磁化の向き
を反転させることなくＷ層の磁化の向きを所定の向きに
揃えることができる光変調方式でオーバーライト可能な
光磁気記録媒体において、Ｒ層はＲＥ−ＴＭ合金ターゲ
ットによるスパッタリングにより成膜されたものであ
り、かつＭ、Ｗ層はＲＥターゲットおよびＴＭターゲッ
トの２つのターゲットを用いた２元同時スパッタリング
により成膜されたものであることを特徴とする光磁気記
録媒体。
【請求項３】請求項１の光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、上記Ｒ層、Ｍ層およびＷ層のスパッタリング時
のＡｒガス圧をそれぞれ、Ｒ層：０．２Ｐａ以上０．７Ｐａ以下Ｍ層：０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下Ｗ層：０．３Ｐａ以下とする事を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】請求項２の光磁気記録媒体において、上
記Ｒ層、Ｍ層およびＷ層のスパッタリング時のＡｒガス
圧がそれぞれ、Ｒ層：０．２Ｐａ以上０．７Ｐａ以下Ｍ層：０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下Ｗ層：０．３Ｐａ以下である事を特徴とする光磁気記録媒体。