JPH0765649A - 配線構造及びこれを用いた画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 配線部材の基板からの剥離を防止し得る配線
構造を提供する。 【構成】 絶縁性基板１０上に、電気導伝性の配線部材
１１を該配線の所定の長さ毎に基板１０との間に空隙１
２を設けて形成した配線構造。 【効果】 非密着部の空隙１２部分で、熱膨張により基
板と配線部材との界面に生ずる応力を緩和でき配線の位
置ずれや剥離を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置、プラズマ
ディスプレイ等の平面型表示装置に広く用いられ、特に
大面積の表示装置に好適に使用できる表示素子の電気配
線技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、画像形成装置のうち、平面型表示
装置を実現する表示技術としては、単純マトリックス液
晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜トランジスタ液晶表示装置
（ＴＦＴ／ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤ
Ｐ）、低速電子線蛍光表示管（ＶＦＤ）、マルチ電子源
フラットＣＲＴ等の平面型表示装置技術がある。また、
上記の表示装置技術を用いてアレイ状の発光素子を作製
し感光性ドラム上に配置することにより電子写真記録装
置を構成することができる。

【０００３】これらの画像形成装置技術の例として、マ
ルチ電子源を用い蛍光体を発光させる発光素子及びこれ
を用いた平面型表示装置について説明する。

【０００４】従来、簡単な構造で電子の放出が得られる
素子として、Ｍ． Ｉ． Ｅｌｉｎｓｏｎ， Ｒａｄｉ
ｏ Ｅｎｇ． Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．， １
０，（１９６５）等によって発表された表面伝導型電子
放出素子が知られている。

【０００５】これは基板上に形成された小面積の薄膜
に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用するものである。

【０００６】この表面伝導型電子放出素子としては、前
記エリンソン等によるＳｎＯ₂薄膜を用いたもの、Ａｕ
薄膜によるもの［Ｇ． Ｄｉｔｔｍｅｒ： ”Ｔｈｉｎ
Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”， ９，３１７（１９７
２）］、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの［Ｍ． Ｈ
ａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ． Ｇ． Ｆｏｎｓｔａ
ｄ： ”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． ＥＤ Ｃｏｎ
ｆ．”， ５１９，（１９７５）］、カーボン薄膜によ
るもの［荒木久 他：真空、第２６巻、第１号、２２頁
（１９８３）］等が報告されている。

【０００７】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のＭ． Ｈａｒｔｗｅｌｌの素子
構成を図１１に示す。同図において１０１は絶縁性基
板、１０２は電子放出部形成用薄膜で、スパッタで形成
されたＨ型形状金属酸化物薄膜等からなり、後述のフォ
ーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部１０３が
形成される。

【０００８】従来、このような表面伝導型電子放出素子
においては、電子放出を行う前に電子放出部形成用薄膜
１０２に予めフォーミングと呼ばれる通電処理により電
子放出部１０３を形成するのが一般的である。即ち、フ
ォーミングとは前記電子放出部形成用薄膜１０２の両端
に電圧を印加通電し、電子放出部形成用薄膜を局所的に
破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態
にした電子放出部１０３を形成する工程である。尚、電
子放出部１０３は電子放出部形成用薄膜１０２の一部に
発生した亀裂付近から電子放出が行われる場合もある。

【０００９】また、本出願人は、特開平２−５６８２２
号等において新規な表面伝導型電子放出素子を技術開示
した。この電子放出素子は上記従来の表面伝導型電子放
出素子と比較して、電子放出位置をより精密に制御で
き、より高精密に電子放出素子を配列する事ができる。
この表面伝導型電子放出素子の典型的な素子構成を図１
２（ａ），（ｂ）に示す。本図において、２０１は絶縁
性基板、２０２，２０３は電気的接続を得るための素子
電極、２０４は電子放出部を含む薄膜、２０５は電子放
出部である。電子放出部を含む薄膜２０４のうち電子放
出部２０５は導電性微粒子からなり、電子放出部２０５
以外の電子放出部を含む薄膜２０４は微粒子膜からな
る。なお、ここで述られている微粒子膜とは、複数の微
粒子が集合した膜であり、その微細構造として微粒子が
個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜をさ
す。更には、あらかじめ導電性微粒子を分散して構成し
た表面導電型電子放出素子においては、基本的な素子構
成のうち一部を変更しても構成できるものである。

【００１０】以上説明してきた表面伝導型電子放出素子
を電子源として用いる際には、電子ビームを飛翔させる
ため真空容器内に配置する必要がある。真空容器内の本
素子の鉛直上に蛍光体を有するフェースプレートを設け
て電子放出装置とし、素子電極間に電圧を印加すること
により電子放出部から得られる電子線を、蛍光体に照射
させて該蛍光体を発光させることで、発光素子や平面型
表示装置として用いることができる。

【００１１】近年、４０ｃｍ□以上の大画面のディスプ
レイにおいては、従来のＣＲＴ装置では大型となり製造
も困難になることから、上記のマルチ電子源を用いた平
面型表示装置の大型化が強く望まれていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したような平
面型表示装置の画面を大面積化するには以下の様な問題
点がある。

【００１３】通常、表示装置はガラス等の絶縁材料の基
板上に所定のパターン形状で金属等の電気導伝性材料よ
りなる配線部材を密着形成した配線構造を有する。一般
にガラス等の絶縁材料と金属材料の熱膨張率には差があ
り、配線が長くなるとこれらの密着界面での熱膨張によ
る応力の発生が無視できなくなる。

【００１４】さらに、平面型画像表示装置を大面積化す
ることにより画面内の素子駆動配線が長くなり配線抵抗
が大きくなる。このような装置を電気的に駆動する場
合、配線抵抗により生ずる素子印加電圧降下と駆動信号
遅延が生じ、良好な画像が得られない。これを防止する
ために配線抵抗を小さくする方法としては、配線の厚み
を厚くする方法がある。配線を厚くするには配線の幅に
対する高さの比、すなわちアスペクト比を大きくする必
要がある。しかし、高アスペクト比配線は膜厚が厚い
程、表示装置製作プロセス中の加熱や表示装置駆動中の
配線部発熱により基板材質と配線材質の熱膨張に大きな
差が生じ、配線の剥離や位置ずれを生じやすい。

【００１５】従って、本発明の目的は、配線部材の基板
からの剥離を防止し得る配線構造及びこの配線構造を用
い大面積化を可能とし得る画像形成装置を提供すること
にある。

【００１６】

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
すべく成された本発明は、絶縁性基板上に電気導伝性の
配線部材を所定のパターン形状で密着形成した配線構造
において、配線の所定の長さごとに基板との非密着部も
しくは密着不良部を設けたことを特徴とする配線構造で
あり、また、前記非密着部もしくは密着不良部におい
て、配線を屈曲した形状に形成したことを特徴とする配
線構造である。

【００１７】本発明の配線構造によれば、配線の所定の
長さごとに設けられた基板との非密着部または密着不良
部が、熱膨張により基板と配線部材との界面に生ずる応
力を緩和し、配線の位置ずれや剥離を防止できるもので
ある。

【００１８】さらに、上記非密着部もしくは密着不良部
における配線を、例えば直線状から屈曲した形状に形成
することで、該配線のフレキシビリティが増し、より効
果的に上記応力を緩和できるものである。

【００１９】前記配線の非密着部は半導体デバイス等の
作製に用いられる微細加工技術を使って形成できる。そ
の方法として例えばエッチング等により除去可能な中間
部材をあらかじめ非密着部のパターンに従って基板上ま
たは基板に埋め込むように形成し、その上に配線を形成
する方法がある。配線形成後、該中間部材をエッチング
法等で除去することにより、基板と配線部材界面に空隙
を形成し、非密着部とする。

【００２０】また、前記配線の密着不良部の形成とし
て、基板または配線部材との密着力の小さい材料による
中間層を密着不良部のパターンに従って基板と配線部材
との界面に形成する方法がある。

【００２１】また、配線部材に、基板との密着力の小さ
い材料を用い、さらに基板と該配線部材との界面に密着
性を向上させるための中間層を形成し、非密着部もしく
は密着不良部のパターンに従って該中間層を部分的に形
成しないことにより前記配線の非密着部もしくは密着不
良部とすることもできる。

【００２２】以上の本発明の配線構造を例えば先述した
表面伝導型電子放出素子を複数個並べてなる平面型表示
装置に用いることにより、小面積のものはもちろんのこ
と、４０ｃｍ□以上の大面積においても配線部材の基板
からの剥離を防止でき、安定性、信頼性の高い表示装置
を実現できる。

【００２３】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００２４】実施例１ 図１は、本発明の配線構造の第一の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。図中１０は絶縁性基板、１
１は配線部材、１２は基板と配線部材との間に形成した
空隙からなる非密着部である。図１では簡単のため、一
般に下配線と呼ばれている基板のすぐ上に形成される配
線について示したが、基板の上に種々の素子構造を作製
したあとに形成される上配線と呼ばれる配線の場合も同
様の構造である。その場合、１０は例えば形成した素子
との絶縁を保つための層間絶縁層である。

【００２５】図２は実施例の配線構造を形成するための
工程図である。以下、図２を用いて本実施例の配線構造
の作成工程を説明する 基板１０として平坦性を確保するために表面研磨された
青板ガラスを用い、その上にあらかじめ設計された非密
着部のパターンに従ってアルミニウムの凸起２１を形成
した（図２（ａ））。該凸起の形成法としてはマスク蒸
着法，エッチング法，リフトオフ法等を用いることがで
きる。形成される凸起２１の端の急俊さはおよそ上記の
順に強くなるが、パターンの大きさ等に応じて適当な形
成法を選択する。尚、凸起２１の高さは数百ｎｍ程度が
適当である。

【００２６】次に上記基板に下びき層としてクロムを約
５ｎｍの厚みで形成した後、目的の配線パターンに従っ
て配線部材１１として金を約１μｍの厚みで形成した
（図２（ｂ））。尚、上記下びき層は、配線部材である
金がガラスとの密着力が小さいため、形成したものであ
り、その形成法は上記アルミニウム凸起と同様の方法を
用いることができる。

【００２７】最後に選択性のエッチング法を用いてアル
ミニウム凸起２１のみを除去して、空隙１２を形成した
（図２（ｃ））。本実施例では選択性のエッチング液と
して、燐酸−酢酸−硝酸系のエッチャントを用いてお
り、ガラス基板や金配線へのダメージはほとんどなかっ
た。

【００２８】本実施例では非密着部を形成する凸起パタ
ーンをアルミニウムで形成したが、これは他の選択エッ
チング可能な金属材料やレジストを用いることもでき
る。レジストを用いた場合には最後の工程でレジスト材
を溶解すればよい。

【００２９】実施例２ 図３は、本発明の配線構造の第二の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。図中、１０は絶縁性基板、
１１は配線部材、１２は基板と配線部材との間に形成し
た空隙からなる非密着部、３１は基板と配線部材との間
に形成した中間層である。本配線構造では、中間層３１
は基板１０及び配線部材１１との密着性の高い材料から
なり、該中間層３１が部分的に形成されていないギャッ
プ部分に架橋するように配線部材が形成されている。図
３では、図１と同様に下配線の場合について示してい
る。

【００３０】図４は本実施例の配線構造を形成するため
の工程図である。以下、図４を用いて本実施例の配線構
造の作成工程を説明する。

【００３１】先ず、図４（ａ）の非密着部付近の上面図
に示されるように、ガラス基板１０上にアルミニウムよ
りなる中間層３１と白金よりなる配線部材１１とを所定
のパターンに従って堆積形成した。図４（ｂ），
（ｃ），（ｄ）はそれぞれ図４（ａ）に示した直線Ｂ−
Ｂ’，Ｃ−Ｃ’，Ｄ−Ｄ’の位置での断面図である。
尚、アルミニウムと白金の厚みはそれぞれ数百ｎｍと数
μｍ程度が適当である。通常の配線構造である図４
（ａ）のＤ−Ｄ’位置では、図４（ｄ）に示されるよう
に中間層３１の幅よりも配線部材１１の幅が広く、中間
層を完全に覆っている。一方、非密着部に対応する図４
（ａ）のＣ−Ｃ’位置では、図４（ｃ）に示されるよう
に逆に配線部材１１の幅が狭くなって中間層３１が露出
している。

【００３２】次に選択性エッチング法を用いてアルミニ
ウムの中間層をエッチアウトし、図４（ｅ）及び（ｆ）
に示す構造を得た。尚、図４（ｅ）は非密着部付近の上
面図であり、図４（ｆ）は図４（ｅ）に示した直線Ｂ−
Ｂ’の位置での断面図である。ここで中間層は配線部材
から露出した部分でのみエッチングされ、配線部材で覆
われた部分ではエッチングが進行しない。本実施例にお
いても選択性のエッチング液として、燐酸−酢酸−硝酸
系のエッチャントを用いており、ガラス基板や白金配線
へのダメージはほとんどなかった。

【００３３】実施例３ 図５は、本発明の配線構造の第三の実施例に係る要部の
配線長方向の上面図（図５（ａ））および断面図（図５
（ｂ））である。図中、１０は絶縁性基板、１１は配線
部材、５１は基板と配線部材との界面に形成した中間層
である。ここで中間層５１は基板１０または配線部材１
１との密着力の低い材料で形成される。図５（ａ）の上
面図に示したように、配線は中間層５１が形成された上
の領域で直線状から屈曲したパターンに形成されてい
る。本実施例の配線構造は、密着力の低い材料からなる
中間層上の配線のフレキシビリティが増すため、より効
果的に基板と配線部材との間に生ずる応力を緩和するこ
とができる。

【００３４】次に、本実施例の配線構造の形成法につい
て説明する。基板１０として平坦性を確保するために表
面研磨された青板ガラスを用い、その上にあらかじめ設
計された密着不良部のパターンに従って中間層５１を金
を用いて形成した。中間層５１の形成法としてはマスク
蒸着法，エッチング法，リフトオフ法等を用いることが
できる。尚、中間層の厚みは数百ｎｍ程度が適当であ
る。

【００３５】次に目的の配線パターンに従って、上記基
板に配線部材１１としてアルミニウムを約１μｍの厚み
で形成した。中間層に用いた金はガラス基板との密着力
が非常に小さいため、中間層５１部分では配線部材１１
とガラス基板１０との密着性が不良となり、目的の配線
構造が得られた。

【００３６】実施例４ 図６は、本発明の配線構造の第四の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。図中、１０は絶縁性基板、
１１は配線部材、６１は基板と配線部材との界面に形成
した中間層である。ここで配線部材１１は基板１０との
密着力の低い材料で形成され、また中間層６１は基板１
０と配線部材１１との密着性を向上させる材料で形成さ
れる。

【００３７】図７は本実施例の配線構造を形成するため
の工程図である。以下、図７を用いて本実施例の配線構
造の作成工程を説明する。

【００３８】基板１０として平坦性を確保するために表
面研磨された青板ガラスを用い、その上にあらかじめ設
計された配線パターンに従ってチタンよりなる中間層６
１を形成した（図７（ａ））。図７（ａ）に示すように
密着不良部を形成しようとする部分には中間層が形成さ
れていない。尚、中間層６１の厚みは数百ｎｍ程度が適
当である。

【００３９】次に図７（ｂ）の上面図に示すように、配
線パターンを残して、その周辺にメッキレジストのパタ
ーン７１を形成した。図７（ｃ），（ｄ）はそれぞれ図
７（ｂ）の上面図に示した直線Ｂ−Ｂ’，Ｃ−Ｃ’の位
置での断面図である。尚、メッキレジストの厚みは数μ
ｍ程度が適当である。

【００４０】次に上記のチタン薄膜からなる中間層６１
を電極として、電解メッキ法により該中間層上に金より
なる配線部材１１を堆積し、配線パターンを形成した。
このとき金は基板面に垂直方向に成長すると同時に、ほ
ぼ同じ速度で上記レジストパターンで限られた領域内の
基板面内方向へも成長する。その結果、図７（ｅ）の配
線方向の断面図に示すように、左右の電極（中間層６
１）から成長した金が接して一体となり、中間層が形成
されていない部分においても配線が形成される。最後に
メッキレジスト７１を剥離することにより目的の配線パ
ターンを得た。

【００４１】上記方法で作製した配線構造においては、
チタン薄膜からなる中間層が形成された部分は配線部材
の金とガラス基板との密着力が強いが、中間層が形成さ
れていない部分は配線部材の金とガラス基板との密着力
が弱く、この部分で応力の緩和ができる。

【００４２】実施例５ 図８〜図１０に本発明の配線構造を用いた表示装置の実
施例を示す。

【００４３】図８は本発明の配線構造を有する複数の電
子放出素子を用いて構成した画像表示装置の概略的な断
面図である。同図において８０は絶縁性基板であるとこ
ろの青板ガラス、８１は基板８０上に薄膜技術によって
形成した表面伝導型電子放出素子であり、２μｍのギャ
ップを有する素子電極８２，８２’間に電子放出材８３
が配置されて構成されている。８４は基板８０上に形成
された絶縁層であり、電子放出材８３上では開口を有し
ている。８５は絶縁層８４および基板８０の上に薄膜で
形成された変調電極であるところのグリッドであり、電
子放出材８３上で開口を有している。８９は青板ガラス
８６の表面に蛍光体８７とメタルバック８８が形成され
たフェイスプレートである。上記基板８０とフェイスプ
レート８９はスペーサ９０を介してフリットガラス９１
により封着されパネルを構成する。また、電子放出素子
８１、グリッド８５、メタルバック８８においては、封
着パネルの外側へ、電気的な配線が取り出されている。

【００４４】上記封着パネル内を真空排気して、素子電
極８２，８２’間に電圧を印加すると、電子放出材８３
から電子が放出される。ここでメタルバック８８にプラ
スの高電圧を印加すると、放出電子は蛍光体８７へ照射
され、輝点が生じる。さらにグリッド８５に適当な電圧
を印加し、これをオン・オフすることによって、放出電
子が蛍光体８７に照射するか、または、電子放出素子８
１側に吸い込まれることによって、蛍光体８７での輝点
を制御することができる。

【００４５】図９は、図８で示した画像表示装置の斜視
図である。なお、説明上、グリッド８５、フェイスプレ
ート８６、スペーサ９０は部分的に切り取って示してあ
る。

【００４６】図９において９２は基板８０上に平行に配
置された表面伝導型電子放出素子の素子電極を接続する
配線（図８には示していない）であり、図中の部分拡大
断面図”Ａ”に示されるように本発明の配線構造を有
し、実施例１ないし４に示した形成法を用いて形成され
る。配線９２には電子放出素子が並列に配置接続されて
おり、各素子電極８２，８２’間に対しラインごとに順
次電圧を印加することができる（図中の部分拡大平面
図”Ｂ”参照）。また、表面伝導型電子放出素子８１の
列とグリッド８５の列とは、おのおの直角に交差したマ
トリクス構造となるように構成されている。本装置にお
いて、図９には不図示のメタルバックに高電圧を印加し
ておき、配線９２の各列に順次電圧を印加掃引すること
で、各列の電子放出素子８１から順次電子放出させるこ
とができる。更に、グリッド８５の各列に、外部端子Ｇ
₁〜Ｇ_Nより任意の信号電圧を順次印加することによっ
て、蛍光面８７へ照射される放出電子が変調され、蛍光
面発光による任意の画像を表示できる。なお本実施例の
画像表示装置の表示領域は６０ｃｍ×４０ｃｍである。

【００４７】次に本発明の配線構造を用いた本実施例の
画像表示装置の製造方法を図１０および図９によって具
体的に説明する。図１０は本実施例における表面伝導型
電子放出素子８１およびグリッド８５の製造工程を示す
図であり、同図（ａ）〜（ｈ）の工程順に説明する。

【００４８】（ａ）まず洗浄した青板ガラスからなる基
板８０上に本発明の配線構造を持つ配線９２を形成し
た。形成方法は実施例１に示した方法で、まずマスク蒸
着法で配線の非密着部となるべきパターンに従ってアル
ミニウムの凸起を形成し、その上にリフトオフ法を用い
て配線パターンに従って金を約２μｍの厚みで形成し配
線９２とした。配線パターンは図９に示されるような平
行線のパターンである。次にアルミニウム凸起をエッチ
ング法で除去することにより、配線９２と基板との非密
着部を形成した。図９およびその部分拡大図”Ａ”に示
したように、非密着部は表面伝導型電子放出素子が形成
される位置の間に形成するのが適当である。図１０
（ａ）においては電子放出素子が形成される位置での断
面を示したため、非密着部は図示されていないが、紙面
に垂直方向に複数の非密着部が形成されている。

【００４９】（ｂ）次にフォトリソグラフィー法により
配線９２の中間に電子放出部の電極ギャップとなるべき
約２μｍの幅のフォトレジストパターン９５を形成し、
さらに真空蒸着法により、厚さ５０Åのチタン／厚さ１
０００Åのニッケルを表面伝導型電子放出素子の両素子
電極８２，８２’用として堆積した。

【００５０】（ｃ）その後、フォトレジストパターン９
５を有機溶剤で溶解し、Ｔｉ／Ｎｉ堆積膜をリフトオフ
して、電極ギャップ９６を有する素子電極８２，８２’
を形成した。

【００５１】（ｄ）次に電極ギャップ９６およびこの近
傍に開口を有するように、膜厚１０００Åのクロム堆積
膜９７をパターニングし、その上に有機パラジウムをス
ピンナーにより回転塗布、焼成して、パラジウム微粒子
からなる電子放出材８３を配置した。

【００５２】（ｅ）その後、クロム堆積膜９７を酸エッ
チャントによりウエットエッチして取り除き、電子放出
材８３をパターニングした。

【００５３】（ｆ）さらにこの上に厚さ８．５μｍのＳ
ｉＯ₂からなる絶縁層８４と、厚さ１００ｎｍのクロム
／厚さ２μｍのニッケル／厚さ１００ｎｍのクロム／厚
さ１μｍのアルミニウムからなるグリッド８５を順次真
空堆積した。

【００５４】（ｇ）次に、フォトリソグラフィー及びエ
ッチングにより、電子放出材８３上に１９０μｍ×３４
μｍの長方形の開口を設けるようにＣｒ／Ｎｉ／Ｃｒ／
Ａｌ堆積層８５およびＳｉＯ₂層８４をパターニングし
て、絶縁層８４およびグリッド８５を形成した。

【００５５】以上の工程では、同一基板上に表面伝導型
電子放出素子８１、絶縁層８４、グリッド８５を順次形
成するため、薄膜，フォトリソグラフィー，エッチング
等の技術を用いることができ、各部材の材料選択に自由
度があり、寸法精度も半導体製造程度の高精度を得るこ
とができる。また、フォトリソグラフィーにおいては、
ステップアンドスキャンタイプのような大面積基板用の
マスクアライナーを用いることで、容易に大面積化する
ことができる。

【００５６】以上のようにして作製した電子放出素子基
板を図９に示すように、別途作製したフェイスプレート
８９とスペーサ９０と共にフリットガラスにより封着
し、封着パネルとした。ここでフリットガラスによる封
着は４３０℃にて１時間の焼成により実施したが、配線
９２の基板からの剥離や位置ずれは全く発生しなかっ
た。

【００５７】なお実施例２〜４に示したいずれの配線構
造を用いても、フリットガラスによる封着工程の際に配
線の基板からの剥離や位置ずれは全く発生しなかった。

【００５８】また、上記の表示装置を用いて長さ４０ｃ
ｍのアレイ状発光素子を作製し、感光性ドラム上に配置
することにより、電子写真記録装置を構成することがで
きた。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線構造
によれば、所定の長さごとに設けられた非密着部または
密着不良部が、熱膨張により基板と配線部材との界面に
生ずる応力を緩和し、配線の位置ずれや剥離を防止でき
る。これにより、特に大面積の平面型画像表示装置の様
に、配線を厚くして配線抵抗を小さくする必要がある場
合においても、装置作製工程中における加熱や表示装置
駆動中の発熱による配線部材の基板からの剥離や位置ず
れを防止でき、安定性，信頼性の高い表示装置を実現で
きる。

【００６０】更には、画像表示装置に限らず、アレイ状
発光素子を構成し電子写真記録装置のような画像形成装
置に応用した場合においても同様の効果を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線構造の第一の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。

【図２】本発明の第一の実施例の配線構造を形成するた
めの工程図である。

【図３】本発明の配線構造の第二の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。

【図４】本発明の第二の実施例の配線構造を形成するた
めの工程図である。

【図５】本発明の配線構造の第三の実施例に係る要部の
配線長方向の上面図および断面図である。

【図６】本発明の配線構造の第四の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。

【図７】本発明の第四の実施例の配線構造を形成するた
めの工程図である。

【図８】本発明の配線構造を有する複数の電子放出素子
を用いて構成した画像表示装置の概略的な断面図であ
る。

【図９】図８で示した画像表示装置の一部切り欠き斜視
図である。

【図１０】図８及び図９で示した画像表示装置に用いた
表面伝導型電子放出素子及びグリッドの製造工程を示す
図である。

【図１１】従来の表面伝導型電子放出素子の典型的な素
子構成を示す上面図である。

【図１２】本出願人が先に開示した表面伝導型電子放出
素子の典型的な素子構成を示す上面図及び断面図であ
る。

【符号の説明】

１０ 絶縁性基板 １１ 配線部材 １２ 空隙 ２１ 凸起 ３１，５１，６１ 中間層 ７１ メッキレジスト ８０ 絶縁性基板 ８１ 表面伝導型電子放出素子 ８２，８２’ 素子電極 ８３ 電子放出材 ８４ 絶縁層 ８５ グリッド（変調電極） ８６ ガラス基板 ８７ 蛍光体 ８８ メタルバック ８９ フェイスプレート ９０ スペーサ ９１ フリットガラス ９２ 配線 ９５ フォトレジストパターン ９６ 素子電極ギャップ ９７ クロムパターン １０１ 絶縁性基板 １０２ 電子放出部形成用薄膜 １０３ 電子放出部 ２０１ 絶縁性基板 ２０２，２０３ 素子電極 ２０４ 電子放出部を含む薄膜 ２０５ 電子放出部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉岡 征四郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に電気導伝性の配線部材を
   所定のパターン形状で密着形成した配線構造において、
   配線の所定の長さごとに基板との非密着部もしくは密着
   不良部を設けたことを特徴とする配線構造。
2. 【請求項２】 前記非密着部もしくは密着不良部におい
   て、配線を屈曲した形状に形成したことを特徴とする請
   求項１に記載の配線構造。
3. 【請求項３】 前記非密着部が、基板と配線部材との界
   面に空隙を形成してなることを特徴とする請求項１又は
   ２に記載の配線構造。
4. 【請求項４】 前記密着不良部が、基板と配線部材との
   界面に基板または配線部材との密着性の低い材料からな
   る中間層を形成してなることを特徴とする請求項１又は
   ２に記載の配線構造。
5. 【請求項５】 請求項１又は２に記載の配線構造におい
   て、前記配線材料は前記基板に対する密着性が低く、基
   板と配線部材との界面に基板及び配線部材との密着性の
   高い材料からなる中間層が形成されており、前記密着不
   良部が該中間層を一部形成しない部分であることを特徴
   とする配線構造。
6. 【請求項６】 請求項１〜５いずれかに記載の配線構造
   を用いた画像形成装置。