JPH0927276A

JPH0927276A - 画像形成装置の製造方法および製造装置

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Publication number: JPH0927276A
Application number: JP19796395A
Authority: JP
Inventors: Kumiko Kaneko; 久美子金子; Yasue Sato; 安栄佐藤; Shinichi Kawate; 信一河手; Yoshikazu Sakano; 嘉和坂野; Yasuko Tomita; 康子富田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-07-12
Filing date: 1995-07-12
Publication date: 1997-01-28
Anticipated expiration: 2015-07-12
Also published as: JP3630784B2

Abstract

(57)【要約】【目的】蛍光体と電子放出部の位置ずれがなく、高精
度の封着の可能な画像形成装置の製造方法および製造装
置を提供する。【構成】蛍光体を有するフェースプレート１０と、電
子源を有するバックプレート１を相対向して配置し、両
者を接着する平板型画像形成装置の製造方法において、
フェースプレート１０、バックプレート１を加熱し、接
着、固定する際、両者の位置合わせを行う工程と、両者
を加熱、接着、固定する工程とを、同一の装置内で並行
して行う製造方法及びその方法に用いる、電気炉１４、
位置ずれ検知装置１５、制御装置１６、調節機構１７を
備えた装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像表示装置や記録
装置等の画像形成装置の製造方法および製造装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】画像形成装置のうち、平板型画像表示装
置には、プラズマディスプレイ、ＥＬ表示装置、電子線
を用いた平板型表示装置があり、近年、これらに対し、
大画面、高精細化の要求が増大し、ますます自発光型画
像形成装置に対するニーズが高まりつつある。

【０００３】電子線を用いた平板型画像形成装置として
は、例えばフェースプレートとバックプレートに挟まれ
た真空パネル内に電子ビームを発生する電子源として、
表面伝導型電子放出素子を用い、該電子ビームを加速
し、蛍光体に照射し発光させ、画像を形成させる薄型の
画像形成装置が本出願人より出願されている（特開平３
−２６１０２４号公報参照）。

【０００４】このような表面伝導型電子放出素子を用い
た平板型画像形成装置の断面を図８に示す。図８におい
て、１は青板ガラス等の絶縁材で構成される基板、即
ち、バックプレート、３は一定の間隔（２μｍ程度）を
隔てて設置された素子電極、２は有機Ｐｄを塗布して形
成した導電性薄膜、４は電子放出部であり、素子電極間
に電圧を印加し通電加熱を行い電子放出部４を形成し、
電子放出部４より電子を放出させる。表面伝導型電子放
出素子としては、この他、ＳｎＯ₂膜を用いたもの、Ａ
ｕ薄膜によるもの〔Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：Ｔｈｉｎ
ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ，９，３１７（１９７２）〕、
Ｉｎ₂Ｏ₃薄膜によるもの〔Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌａ
ｎｄＣ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：ＩＥＥＥＴｒａ
ｎｓ．，ＥＤＣｏｎｆ．，５１９（１９７
５）〕、カーボン薄膜によるもの〔荒木久他：真空，第
２６巻，第１号、第２２頁（１９８３）〕等が報告され
ている。

【０００５】さらに図８において、１０５はバックプレ
ート１の上に形成された絶縁層、６は該絶縁層１０５上
に形成され、電子ビームが通過する穴を持った変調電極
であるグリッド、１０はＡｌ薄膜のメタルバック９で覆
われた蛍光体８をパネル内面側に設置された青板ガラス
７からなるフェースプレート、１２は低融点ガラスであ
り、外枠１１を挟んでフェースプレート１０とバックプ
レート１を加熱、接着、固定し、平板型画像形成装置を
形成する。

【０００６】このような平板型画像形成装置の製造にお
いては、フェースプレート１０、枠１１、バックプレー
ト１に低融点ガラス１２を塗布し、電気炉内で固着する
とき、蛍光体８の位置と電子放出部との位置合わせを行
った後、治具等により固定した後、電気炉に入れて低融
点ガラスの融点以上の温度に加熱し、接着、固定する。

【０００７】次にバックプレート１とフェースプレート
１０の間の空気を排気管（図示せず）を通して、ターボ
分子ポンプ等の真空ポンプによって圧力が１×１０^-6Ｔ
ｏｒｒ以下に真空排気する。次に、電圧を印加し通電処
理を行い、電子放出部４を形成する。さらに、この画像
形成装置全体をベーキングし脱ガスを十分行った後、ゲ
ッター材（図示せず）を飛ばす。最後に排気管（図示せ
ず）を封じ切る。

【０００８】以上のようにして製造した画像形成装置に
おいて、表面伝導型電子放出素子、グリッド６を駆動装
置に接続し、メタルバック９を高圧電源に接続する。画
像形成装置の内部は圧力が１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真
空に維持され、駆動装置によって電極３間に駆動パルス
電圧を印加すると電子がビーム状に放出され、該電子ビ
ームはグリッド６を通過し、不図示の高圧電源からメタ
ルバック９に印加された正の高電圧によって加速され、
蛍光体８に衝突しこれを発光させる。前記電子ビームは
駆動装置（不図示）によってグリッド６に印加する電圧
で制御でき、それによって蛍光体の発光を制御でき、所
望の画像を形成できる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
画像形成装置の製造において、フェースプレートとバッ
クプレートとの従来の接着、固定方法には次のような問
題点があった。

【００１０】即ち、フェースプレート、枠、バックプレ
ートを固着する時、蛍光体の位置と電子放出素子部との
位置合わせを行った後、治具等により固定した後、電気
炉等に入れて本焼成し固着させ、真空もれのない強固な
接着を得る。しかし、低融点ガラスは温度が上昇するに
つれ、粘性が低下し、液化するので、予めフェースプレ
ートとバックプレートの位置合わせを行っておき、治具
等で固定しておいても、低融点ガラスの粘性低下によ
り、バックプレートとフェースプレートが移動し、位置
ズレが生じ、蛍光体の位置と電子放出部との位置もずれ
てしまい、精度よく作成するのが難しかった。また、そ
のため、歩留りも悪く、コストがかかるという問題点が
あった。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記平板型画像形成装置の製造方法におけるこれらの諸
問題を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果、位置合わせ
工程と、加熱、固着工程とを、同一装置内において並行
して行うことにより、上記問題を解決できることを見い
だし、本発明を完成したものであり、本発明により、次
のような平板型画像形成装置の製造方法および製造装置
が提供される。

【００１２】即ち、本発明の平板型画像形成装置の製造
方法は、蛍光体を有するフェースプレートと、該蛍光体
を発光させるエネルギービームを発生させるための発生
源あるいは電極を有するバックプレートを相対向して配
置し、両者を加熱し、接着、固定する平板型画像形成装
置の製造方法において、フェースプレートとバックプレ
ートとの位置合わせを行う工程と、両者を加熱、接着、
固定する工程とを並行して行うことを特徴とする画像形
成装置の製造方法である。

【００１３】また、本発明は、上記製造方法を実施する
のに適した、平板型画像形成装置の製造装置を提供する
ものであり、フェースプレートおよびバックプレートを
加熱、接着、固定する手段、温度上昇手段、フェースプ
レートまたはバックプレートを移動し位置合わせする調
節手段、位置ずれを検知する手段及び位置ずれ補正信号
を調節機構に送り制御する手段を少なくとも有すること
を特徴とする平板型画像形成装置の製造装置である。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明において、蛍光体を発光さ
せる電子ビームを発生させるための発生源としては、表
面伝導型電子放出素子を複数並列に配置し結線してなる
素子列を少なくとも１列以上有し、各素子を駆動するた
めの配線を有する電子源を好ましく使用するが、熱カソ
ードを用いた熱電子源、電界放出型電子放出素子〔Ｗ．
Ｐ．Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，Ｆｉｅ
ｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎ，ＡｄｖａｎｃｅｉｎＥｌ
ｅｃｔｒｏｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）
及びＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，Ｐｈｙｓｉｃａｌｐ
ｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｉｎ−ｆｉｌｍｆｉｅ
ｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓｗｉｔｈ
ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｃｏｎｅｓ，Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）等〕、金
属／絶縁層／金属型電子放出素子〔Ｃ．Ａ．Ｍｅａ
ｄ，Ｔｈｅｔｕｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎａｍｐ
ｌｉｆｉｅｒ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３
２，６４６（１９６１）等〕も使用することができる。

【００１５】以下、図面を参照しながら本発明を詳細に
説明する。

【００１６】図１は本発明によって製造される平板型画
像形成装置の一つである画像表示装置の一態様の斜視図
である。図１において、１はバックプレート、３は素子
電極、４は電子放出部、５は電子通過孔、６はグリッ
ド、１０は透明なガラス基板７よりなり、蛍光体８およ
びメタルバック９を有するフェースプレート、１１は
枠、１２は低融点ガラスである。図１において、フェー
スプレート１０はその断面、及びバックプレート１側が
斜視できるように切除されている。

【００１７】本発明の製造方法は、このような平板型画
像形成装置のバックプレート１およびフェースプレート
１０をそれぞれ枠１１と低融点ガラス１２により位置精
度良く固着する方法であり、図２及び図５にその概略を
示すような製造装置を用いる。図２において、１４は電
気炉、１５はアライメント検出装置、１６は制御装置、
１７は調整機構である。また、１はバックプレート、１
０はフェースプレート、１１は枠を示す。図５は、図２
に示すものと調整機構１７がバックプレート１側にある
という点で異なり、本発明においては、いずれの側に調
整機構があってもよい。

【００１８】本発明においては、内側に電子放出素子を
有するバックプレート１、内側表面に蛍光体８を塗布
し、さらに蛍光体の表面に導電性を持たせたフェースプ
レート１０及び枠１１の接着すべき部位に予め低融点ガ
ラスを塗布し、これら全体を加熱できる容器を備えた電
気炉１４に入れ、バックプレート１及びフェースプレー
ト１０を治具等で固定し、電気炉の温度を上昇させて、
画像形成装置を加熱し、アライメント検出装置１５を使
用し、バックプレート１とフェースプレート１０のアラ
イメントマークを合わせ、位置合わせを行う。電気炉の
温度が上昇すると低融点ガラスの粘性が低下し、液化す
るので、フェースプレート１０とバックプレート１がそ
れぞれ移動し、位置がずれる。そして、そのずれをアラ
イメント検出装置１５によって検出し、制御装置１６か
らの信号を受け、調整機構１７によってフェースプレー
ト１０又はバックプレート１が調整される。このように
して位置ずれの調整を行う。

【００１９】図３及び図４に位置ずれの調整法の一態様
を示す。図３及び図４はアライメント部を拡大した斜視
図であり、フェースプレート１０にアライメントマーク
２０（本態様では十字を使用）があり、バックプレート
１にアラインメントマーク２０が記されている。これら
を合わせることにより位置合わせが行われ、図３のよう
に、互いにずれていることがアライメント検出装置１５
によって検出されると、制御装置１６からの信号を受
け、調整機構１７により、図４のように、フェースプレ
ート１０が調整される。

【００２０】図６及び図７にも同様な調整法が示されて
いるが、これは図５に示す製造装置のバックプレート１
を調整する態様に対応した例である。

【００２１】ここで位置合わせに用いるアライメントマ
ークの形状は限定されるものでなく、バックプレート１
では、電子放出素子を形成する時に同時に形成できる。
また、フェースプレート１０においても同様で、蛍光体
等を形成する時、同時に形成すればよい。また、ずれの
検知は、光学的なものに限定されず、要するに加熱され
た炉の中で、ずれを検知できればどのようなものでもよ
い。

【００２２】また、フェースプレート１０、バックプレ
ート１、枠１１を封着するのに、低融点ガラスを用いる
ほか、接着剤による封着等、炉中で接着できる方法であ
れば、その方法は限定されない。

【００２３】その後、ゆっくり冷却し、室温に戻し、画
像形成装置を電気炉から取り出す。

【００２４】なお、図２及び図５には、加熱手段とし
て、ヒータを図示したが、本発明においては特にこれに
限定されることはなく、所望の温度で、所定時間加熱で
きるものであれば、どのようなものを用いてもよい。

【００２５】このように、フェースプレート１０とバッ
クプレート１の位置が調整された状態で、低融点ガラス
が固着し、封着が完了し、真空もれのない強固な接着を
得ることができる。フェースプレート１０の各色蛍光体
とバックプレート１の電子放出素子とを高い精度で位置
合わせする必要があるため、調整機構１７の精度は、±
１０μｍの精度をもつことが好ましく、同等の精度で封
着する。

【００２６】上記、図１のバックプレート側の表面伝導
型電子放出素子の基本的構成を図９に示す。図９（ａ）
は平面図であり、（ｂ）は断面図である。なお、図９に
おいて図１と同じ符号は同じ部材を示すものであり、２
は導電性の薄膜を示す。

【００２７】バックプレート１としては、例えば石英ガ
ラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少させたガラス、青板
ガラス、青板ガラスにスパッタ法等によりＳｉＯ₂を積
層した積層体、アルミナなどのセラミックス等が用いら
れる。

【００２８】素子電極３の材料としては、一般的導体材
料が用いられ、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐ
ｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属あるいは合金及び
Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ₂、Ｐｄ−Ａｇ等の金属ある
いは金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂等の透明導電体及びポリシリコン等の
半導体材料から適宜選択される。

【００２９】素子電極間隔Ｌ、素子電極長さＷ１、導電
性膜２の形状等は、応用される形態等によって適宜設計
される。

【００３０】素子電極間隔Ｌは、数百Å〜数百μｍであ
ることが好ましく、より好ましくは、素子電極間に印加
する電圧等により、数μｍ〜数十μｍである。

【００３１】素子電極長さＷ１は、電極の抵抗値や電子
放出特性を考慮すると、好ましくは数μｍ〜数百μｍで
あり、また素子電極厚さｄは数百Å〜数μｍである。

【００３２】電子放出素子の電子放出部４を含む導電性
膜２において、電子放出部４は粒径が数十Åの導電性微
粒子かならなり、導電性膜２は導電性微粒子膜からなる
場合もある。微粒子膜とは複数の微粒子が集合した膜で
あり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置し
た状態のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは重な
り合った状態（島状も含む）の膜をさす。その膜厚は、
素子電極３へのステップカバレージ、素子電極間の抵抗
値等により適宜選択され、好ましくは数Å〜数千Åで、
特に好ましくは１０Å〜２００Åであり、その抵抗値は
１０³〜１０⁷Ω／口のシート抵抗値である。

【００３３】この導電性膜２を構成する材料としては、
例えば、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、
Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、Ｐ
ｄＯ、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＰｂＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃等の酸化
物、ＨｆＢ₂、ＺｒＢ₂、ＬａＢ₆、ＣｅＢ₆、ＹＢ₄、Ｇ
ｄＢ₄等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、
ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の
窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン、ＡｇＭｇ、
ＮｉＣｕ等を挙げることができる。

【００３４】電子放出部４には亀裂が含まれており、電
子放出はこの亀裂付近から行われる。

【００３５】このような表面伝導型電子放出素子の製法
としては種々の方法があるが、その一例を図１０を用い
て簡単に説明する。

【００３６】１）バックプレート（基板）１を十分に洗
浄した後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子電極材
料を堆積させた後、フォトリソグラフィー技術により、
基板１の面上に素子電極３を形成する（図１０
（ａ））。

【００３７】２）素子電極３を設けた基板１上に、有機
金属溶液を塗布して放置することにより、両素子電極間
を連絡して有機金属薄膜を形成する。なお、有機金属溶
液とは、上記導電性膜２の構成材料の金属を主元素とす
る有機化合物の溶液である。この後、有機金属薄膜を加
熱焼成処理しリフトオフ、エッチング等によりパターン
ニングされた導電性膜２を形成する（図１０（ｂ））。
なお、ここでは、有機金属溶液の塗布法により説明した
が、これに限ることなく、例えば真空蒸着法、スパッタ
法、化学的気相堆積法、分散塗布法、デイッピング法、
スピナー法等によって有機金属膜を形成することもでき
る。

【００３８】３）この後、適当な真空雰囲気下でフォー
ミングと呼ばれる通電処理を施す。素子電極３間に不図
示の電源より通電すると、導電性膜２の部位に構造の変
化した電子放出部４が形成される（図１０（ｃ））。こ
の通電処理により、導電性膜２を局所的に破壊、変形も
しくは変質せしめ、構造の変化した部位が電子放出部４
である。

【００３９】４）好ましくは、このようにして作成した
電子放出素子を、フォーミング工程での真空度より高い
真空雰囲気、例えば約１０^-6Ｔｏｒｒ以下にして動作駆
動する。

【００４０】なお、フォーミング工程以降は、通常、バ
ックプレート及びフェースプレートの固着、封着後に行
われる。

【００４１】本発明に好適に用いる電子ビーム発生源と
しての電子源は、このような表面伝導型電子放出素子を
複数個配列して結線して用いる。この配列の方法として
は、並列に複数個の電子放出素子を配列し個々の電子放
出素子の両端（両素子電極）を配線にて結線した梯子型
配置及びｍ本のＸ方向配線の上にｎ本のＹ方向配線を層
間絶縁層を介して設置し、電子放出素子の一対の素子電
極に夫々Ｘ方向配線、Ｙ方向配線を接続した単純マトリ
クス配置を挙げることができる。

【００４２】フェースプレート１０とバックプレート１
の間には、特に梯子型配置の場合、図１に示すように、
グリッド６が設けられる。このグリッド６は、電子放出
素子から放出された電子ビームを変調することのできる
電極である。グリッド６は、バックプレート１の上方
に、レジストをパターニングしてエッチングを行い、例
えば厚さ１μｍのＡｕ配線を行った後、例えばスパッタ
等の方法により絶縁材の膜を形成し、さらに絶縁膜の上
にＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を蒸着し、電子通過孔５を
エッチングして形成する。

【００４３】

【実施例】

〔実施例１〕図１０に示す工程に従い、ＰｄＯ膜を用い
る電子放出素子を電子源として用いて、図１に示す画像
表示装置を作成した。

【００４４】まず、ガラス基板１にリフトオフ法によっ
て、間隙幅２μｍ、間隙長さ４００μｍ、厚さ１０００
ÅのＡｕの素子電極３を作成した〔図１０（ａ）〕。

【００４５】次に、有機Ｐｄ溶液〔ＣＣＰ４２３０Ｏ奥
野製薬（株）製〕を塗布し、３００℃で１５分間焼成し
た。次にレジストパターンをパターニングし、エッチン
グを行い、電極３に跨がり両電極３の間隙を覆い、該間
隙方向に長さ２８０μｍ（図９のＷ２に相当）、幅３０
μｍのパターンの導電性膜２を作成した〔図１０
（ｂ）〕。このような工程によって、表面伝導型電子放
出素子を同一ガラス基板上に図１に示すように梯子状に
配列して６００×４００個作成した。

【００４６】さらに、上記基板（バックプレート）１上
に、絶縁材であるＳｉＯ₂の１０μｍ厚さの膜をスパッ
タにより形成し、さらにこの絶縁膜上にＡｕを蒸着し、
エッチングを行い、電子通過孔５、グリッド６をバック
プレート１に一体に作成した。

【００４７】また、別の透明ガラス基板上に蛍光体８を
予め塗布し、その表面を平滑化処理してＡｌを真空蒸着
してメタルバック（アノード電極）９を形成してフェー
スプレート１０を得た。

【００４８】次に、フェースプレート１０、高さ５ｍｍ
の枠１１及びバックプレート１の接着すべき部位に予め
低融点ガラス１２を塗布し、図１のように配置して、図
２に示した製造装置の電気炉１４に入れた。電気炉１４
の温度を上昇させ、４３０℃、１時間加熱し、アライメ
ント検出装置１５を使用して、フェースプレート１０と
バックプレート１のアライメントマーク（図３及び図４
に示した十字を使用）を合わせ、位置合わせを行った。
図２の装置においては、位置合わせ、即ち、位置ずれの
調整は前述したように、検出装置１５によってずれが検
出され、制御装置１６からの信号を受けた調整機構１７
によってフェースプレート１０が調整され、位置合わせ
が行われる。

【００４９】このように、フェースプレート１０とバッ
クプレート１の位置が調整された状態で低融点ガラス１
２が固着し、封着が完了し、真空もれのない強固な接着
が得られた。

【００５０】電気炉１４の温度をゆっくり冷却させてか
ら取り出し、排気管からターボ分子ポンプによって、画
像表示装置内を１０^-6Ｔｏｒｒ以下に真空排気した。そ
の後、配線を通して電極３間に５Ｖを印加し、１素子当
たり約２０ｍＡの電流を流し、通電処理を行い、電子放
出部４を形成させた。

【００５１】続いて、ホットプレートによって、画像表
示装置を約１３０℃に加熱し、排気管（図示せず）より
真空引きを行い、画像表示装置内を１０^-6Ｔｏｒｒ以下
に真空排気した。画像表示装置の真空容器内に設置した
ゲッター材（図示せず）を飛ばした後、排気管をガスバ
ーナーで加熱し、封じ切った。

【００５２】本実施例によると、電気炉に入れる前に位
置合わせの必要がなく、電気炉内にアライメント機能を
持っており、温度上昇させている間に位置合わせがで
き、位置合わせの時間が短縮された。

【００５３】〔実施例２〕図５に示した製造装置を用い
て、実施例１と全く同様にして図１に示した画像表示装
置を製造した。

【００５４】まず、実施例１と同様にして、電子放出素
子、グリッド６等を有するバックプレート１を作成し、
次に、蛍光体を予め塗布し、導電性を持たせたフェース
プレート１０、枠１１及びバックプレート１の接着すべ
き部位に低融点ガラス１２を塗布し、図５に示す製造装
置の電気炉１４に入れ、電気炉の温度を上昇させ、４３
０℃で１時間加熱し、アライメント検出装置１５を用い
て、フェースプレート１０とバックプレート１のアライ
メントマーク（図６及び図７に示した十字）を合わせ
て、位置合わせを行った。位置ずれの調整は調整機構１
７により、バックプレート１が調整されて、位置合わせ
が行われた。

【００５５】その後、実施例１と同様に画像表示装置内
を真空排気し、通電処理を施し、さらに真空排気し、排
気管を加熱し封じ切った。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
バックプレート及びフェースプレートを接着、固定する
際に、フェースプレートとバックプレートとの位置合わ
せを行う工程と、フェースプレート、枠、バックプレー
トを加熱、接着、固定する工程とを、同一装置内におい
て並行して行うため、精度のよい封着を失敗なく行うこ
とができる。そのため、蛍光体と電子放出素子の位置の
よく一致した、従って画質のシャープな画像形成装置を
歩留りよく製造することができ、生産性の向上、製造コ
スト低減をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によって製造される画像形成装置の一態
様を示す画像表示装置の斜視図である。

【図２】本発明の画像形成装置の製造装置の一態様を示
す概略図である。

【図３】フェースプレートとバックプレートの調整を示
すアライメントマーク部の拡大図である。

【図４】フェースプレートとバックプレートの調整を示
すアライメントマーク部の拡大図である。

【図５】本発明の画像形成装置の製造装置の一態様を示
す概略図である。

【図６】フェースプレートとバックプレートの調整を示
すアライメントマーク部の拡大図である。

【図７】フェースプレートとバックプレートの調整を示
すアライメントマーク部の拡大図である。

【図８】本発明によって製造される画像形成装置の一態
様を示す断面図である。

【図９】本発明に用いられる電子源の電子放出素子の基
本構成を示す平面図及び断面図である

【図１０】電子放出素子の作成工程を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１バックプレート（絶縁性基板）２導電性膜３素子電極４電子放出部５電子通過孔６グリッド７透明な基板８蛍光体９メタルバック１０フェースプレート１１枠１２低融点ガラス１４電気炉１５アライメント検出装置１６制御装置１７調整機構２０アライメントマーク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者坂野嘉和東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者富田康子東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】蛍光体を有するフェースプレートと、該
蛍光体を発光させるエネルギービームを発生させるため
の発生源あるいは電極を有するバックプレートを相対向
して配置し、両者を加熱し、接着、固定する平板型画像
形成装置の製造方法において、フェースプレートとバッ
クプレートとの位置合わせを行う工程と、両者を加熱、
接着、固定する工程とを並行して行うことを特徴とする
画像形成装置の製造方法。
【請求項２】エネルギービームを発生させるための発
生源として、電子源を用いる請求項１の画像形成装置の
製造方法。
【請求項３】電子源が表面伝導型電子放出素子を複数
個配置し結線してなる素子列を少なくとも１列以上有す
る請求項２の画像形成装置の製造方法。
【請求項４】請求項１の画像形成装置の製造装置であ
って、フェースプレートおよびバックプレートを加熱、
接着、固定する手段、温度上昇手段、フェースプレート
またはバックプレートを移動し位置合わせする調節手
段、位置ずれを検知する手段及び位置ずれ補正信号を調
節機構に送り制御する手段を少なくとも有することを特
徴とする平板型画像形成装置の製造装置。