JPH0765729A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH0765729A JPH0765729A JP20912393A JP20912393A JPH0765729A JP H0765729 A JPH0765729 A JP H0765729A JP 20912393 A JP20912393 A JP 20912393A JP 20912393 A JP20912393 A JP 20912393A JP H0765729 A JPH0765729 A JP H0765729A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＡＣ型ＰＤＰ及びその製造方法に関し、耐圧の
低下を招く誘電体層中の気泡の発生を抑え、信頼性を高
めることを目的とする。 【構成】表示電極Ｘ，Ｙの放電部分が非脱泡性の低融点
ガラスからなる誘電体層１７で被覆され、表示電極Ｘ，
Ｙの内の封止領域ＥＳの外側の部分については化学エッ
チングの可能な低融点ガラス層５０で被覆することによ
って製造される。
低下を招く誘電体層中の気泡の発生を抑え、信頼性を高
めることを目的とする。 【構成】表示電極Ｘ，Ｙの放電部分が非脱泡性の低融点
ガラスからなる誘電体層１７で被覆され、表示電極Ｘ，
Ｙの内の封止領域ＥＳの外側の部分については化学エッ
チングの可能な低融点ガラス層５０で被覆することによ
って製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ型のプラズマディ
スプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関する。
スプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関する。
【０００２】ＰＤＰは、表示輝度の上で有利な自己発光
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ＣＲＴに代わる表示デバイスとし
て注目されている。
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ＣＲＴに代わる表示デバイスとし
て注目されている。
【０００３】
【従来の技術】ここでは、本発明の実施例を示す図１及
び図２を参照して従来のＰＤＰの構成について説明す
る。
び図２を参照して従来のＰＤＰの構成について説明す
る。
【０００４】ＰＤＰは、表示面Ｈ側のガラス基板１１と
背面側のガラス基板２１とを対向配置し、これら一対の
ガラス基板１１，２１の対向領域の周縁部を封止するこ
とによって、内部に７０〜１５０μｍ程度の間隙からな
る放電空間３０を形成した表示デバイスである。
背面側のガラス基板２１とを対向配置し、これら一対の
ガラス基板１１，２１の対向領域の周縁部を封止するこ
とによって、内部に７０〜１５０μｍ程度の間隙からな
る放電空間３０を形成した表示デバイスである。
【０００５】マトリクス表示方式のＰＤＰでは、多数の
電極が格子状に配列され、各電極の交差部に画定される
単位発光領域を選択的に発光させることによって、任意
の図形や文字の表示が行われる。表示面Ｈの内で単位発
光領域の画定される領域が表示領域ＥＨとなる。
電極が格子状に配列され、各電極の交差部に画定される
単位発光領域を選択的に発光させることによって、任意
の図形や文字の表示が行われる。表示面Ｈの内で単位発
光領域の画定される領域が表示領域ＥＨとなる。
【０００６】各ガラス基板１１，２１に設けられた電極
Ｘ，Ｙ，Ａ（図２ではガラス基板２１上の電極Ａが示さ
れている）は、放電空間３０からガラス基板１１，２１
の端部まで導出され、図示しないフレキシブルプリント
配線板などによって外部の駆動回路と接続される。駆動
回路との電気的な接続を容易とするため、各ガラス基板
１１，２１は、それぞれの両端縁が他方のガラス基板の
端縁より外側に張り出すように、大きさ及び対向配置の
位置が選定されている。
Ｘ，Ｙ，Ａ（図２ではガラス基板２１上の電極Ａが示さ
れている）は、放電空間３０からガラス基板１１，２１
の端部まで導出され、図示しないフレキシブルプリント
配線板などによって外部の駆動回路と接続される。駆動
回路との電気的な接続を容易とするため、各ガラス基板
１１，２１は、それぞれの両端縁が他方のガラス基板の
端縁より外側に張り出すように、大きさ及び対向配置の
位置が選定されている。
【０００７】さて、主放電セルを画定する一対の電極
Ｘ，Ｙに対して交互に所定の電圧を印加するＡＣ型のＰ
ＤＰにおいては、図１に示されるように、電極Ｘ，Ｙが
低融点ガラスからなる誘電体層１７によって被覆され
る。
Ｘ，Ｙに対して交互に所定の電圧を印加するＡＣ型のＰ
ＤＰにおいては、図１に示されるように、電極Ｘ，Ｙが
低融点ガラスからなる誘電体層１７によって被覆され
る。
【０００８】壁電荷によって放電を維持するＡＣ駆動の
上では、電極Ｘ，Ｙの放電部分、すなわち表示領域ＥＨ
に対応した部分のみに誘電体層１７を設ければよい。し
かし、実際には、ＰＤＰの製造に際して電極形成後に行
われる種々の熱処理での電極Ｘ，Ｙの酸化を防止するた
め、誘電体層１７の焼成以前の段階から封止ガラス３１
による封止を終える段階まで、電極Ｘ，Ｙの露出を避け
る必要がある。
上では、電極Ｘ，Ｙの放電部分、すなわち表示領域ＥＨ
に対応した部分のみに誘電体層１７を設ければよい。し
かし、実際には、ＰＤＰの製造に際して電極形成後に行
われる種々の熱処理での電極Ｘ，Ｙの酸化を防止するた
め、誘電体層１７の焼成以前の段階から封止ガラス３１
による封止を終える段階まで、電極Ｘ，Ｙの露出を避け
る必要がある。
【０００９】そこで、従来では、ガラス基板１１側の製
造に際して、電極Ｘ，Ｙを設けたガラス基板１１のほぼ
全面に低融点ガラスを塗布して焼成することにより、基
板端部まで導出された電極Ｘ，Ｙの全体を覆うように誘
電体層１７が設けられ、封止後に電極Ｘ，Ｙの端部（外
部接続部）を露出させるために誘電体層１７の一部を取
り除くエッチング処理が行われていた。すなわち、製造
途中においては、単一の低融点ガラス層（誘電体層１
７）によって外部接続部を含めて電極Ｘ，Ｙの全体が保
護されていた。そして、その誘電体層１７の材料として
は、脱泡タイプであり且つエッチングの容易な組成の低
融点ガラスペーストが用いられていた。
造に際して、電極Ｘ，Ｙを設けたガラス基板１１のほぼ
全面に低融点ガラスを塗布して焼成することにより、基
板端部まで導出された電極Ｘ，Ｙの全体を覆うように誘
電体層１７が設けられ、封止後に電極Ｘ，Ｙの端部（外
部接続部）を露出させるために誘電体層１７の一部を取
り除くエッチング処理が行われていた。すなわち、製造
途中においては、単一の低融点ガラス層（誘電体層１
７）によって外部接続部を含めて電極Ｘ，Ｙの全体が保
護されていた。そして、その誘電体層１７の材料として
は、脱泡タイプであり且つエッチングの容易な組成の低
融点ガラスペーストが用いられていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】脱泡タイプの低融点ガ
ラスペーストは、焼成中の層内で発生するガスを外部へ
放出させることのできる高温（軟化点より十分に高い温
度）での焼成に適したペーストであり、これによれば、
軟化点付近の温度で焼成する非脱泡タイプに比べて透明
性に優れた誘電体層１７を得ることができる。
ラスペーストは、焼成中の層内で発生するガスを外部へ
放出させることのできる高温（軟化点より十分に高い温
度）での焼成に適したペーストであり、これによれば、
軟化点付近の温度で焼成する非脱泡タイプに比べて透明
性に優れた誘電体層１７を得ることができる。
【００１１】しかし、脱泡タイプのペーストを用いた場
合には、焼成時に金属からなる電極Ｘ，Ｙの表面にガス
が付着し、誘電体層内の電極Ｘ，Ｙの上部に比較的に大
きな気泡が生じ易いという問題があった。
合には、焼成時に金属からなる電極Ｘ，Ｙの表面にガス
が付着し、誘電体層内の電極Ｘ，Ｙの上部に比較的に大
きな気泡が生じ易いという問題があった。
【００１２】このような気泡が生じると、特に面放電型
ＰＤＰにおいて、面放電を担う電極Ｘ，Ｙと、単位発光
領域の選択発光のためのアドレス電極Ａとの間で、耐圧
が低下することから不要の放電が生じ、表示が乱れたり
アドレス電極Ａや駆動回路が破損するおそれがある。
ＰＤＰにおいて、面放電を担う電極Ｘ，Ｙと、単位発光
領域の選択発光のためのアドレス電極Ａとの間で、耐圧
が低下することから不要の放電が生じ、表示が乱れたり
アドレス電極Ａや駆動回路が破損するおそれがある。
【００１３】本発明は、上述の問題に鑑み、耐圧の低下
を招く誘電体層中の気泡の発生を抑え、信頼性を高める
ことを目的としている。
を招く誘電体層中の気泡の発生を抑え、信頼性を高める
ことを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るＰ
ＤＰは、上述の課題を解決するため、図１に示すよう
に、表示電極Ｘ，Ｙの放電部分が誘電体層１７で被覆さ
れたＡＣ型のプラズマディスプレイパネル１であって、
前記誘電体層１７が非脱泡性の低融点ガラスからなる。
ＤＰは、上述の課題を解決するため、図１に示すよう
に、表示電極Ｘ，Ｙの放電部分が誘電体層１７で被覆さ
れたＡＣ型のプラズマディスプレイパネル１であって、
前記誘電体層１７が非脱泡性の低融点ガラスからなる。
【００１５】請求項２の発明に係る方法は、基板１１上
に前記表示電極Ｘ，Ｙを形成する工程と、前記基板１１
の電極形成面の内、表示領域ＥＨを含み且つ封止領域Ｅ
Ｓの外側を除く部分に、非脱泡性の低融点ガラスからな
る前記誘電体層１７を設け、他の部分に化学エッチング
の可能な低融点ガラス層５０を設け、前記誘電体層１７
及び前記低融点ガラス層５０によって前記表示電極Ｘ，
Ｙの全体を被覆する工程と、前記基板１１と別の基板２
１とを対向配置し、これら基板１１，２１の周囲を封止
ガラス３１によって封止する工程と、前記低融点ガラス
層５０における前記封止ガラス３１の外側の部分を化学
エッチングによって除去し、前記表示電極Ｘ，Ｙの端部
を露出させる工程と、を含むプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法である。
に前記表示電極Ｘ，Ｙを形成する工程と、前記基板１１
の電極形成面の内、表示領域ＥＨを含み且つ封止領域Ｅ
Ｓの外側を除く部分に、非脱泡性の低融点ガラスからな
る前記誘電体層１７を設け、他の部分に化学エッチング
の可能な低融点ガラス層５０を設け、前記誘電体層１７
及び前記低融点ガラス層５０によって前記表示電極Ｘ，
Ｙの全体を被覆する工程と、前記基板１１と別の基板２
１とを対向配置し、これら基板１１，２１の周囲を封止
ガラス３１によって封止する工程と、前記低融点ガラス
層５０における前記封止ガラス３１の外側の部分を化学
エッチングによって除去し、前記表示電極Ｘ，Ｙの端部
を露出させる工程と、を含むプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法である。
【００１６】請求項３の発明に係る方法は、前記誘電体
層１７及び前記低融点ガラス層５０を、これら２つの層
の内の軟化点の低い層が軟化点の高い層に対して上側に
なるように部分的に重ねて設けるものである。
層１７及び前記低融点ガラス層５０を、これら２つの層
の内の軟化点の低い層が軟化点の高い層に対して上側に
なるように部分的に重ねて設けるものである。
【００１７】
【作用】非脱泡性の低融点ガラスは、その焼成温度が軟
化点の近辺であって、焼成時に発生するガスが膨張する
以前の十分に小さな気泡状態である段階で焼成が完了す
る。このため、表示電極Ｘ，Ｙの放電部分を覆う誘電体
層１７はほぼ均質となり、大きな気泡を有した不均一な
膜質である場合に比べて高い耐圧が得られる。
化点の近辺であって、焼成時に発生するガスが膨張する
以前の十分に小さな気泡状態である段階で焼成が完了す
る。このため、表示電極Ｘ，Ｙの放電部分を覆う誘電体
層１７はほぼ均質となり、大きな気泡を有した不均一な
膜質である場合に比べて高い耐圧が得られる。
【００１８】ＰＤＰ１の製造に際して、表示電極Ｘ，Ｙ
は、その形成後から封止の終了段階までの段階におい
て、放電部分については誘電体層１７で被覆され、端部
については化学エッチングの可能な低融点ガラス層５０
で被覆されて保護される。
は、その形成後から封止の終了段階までの段階におい
て、放電部分については誘電体層１７で被覆され、端部
については化学エッチングの可能な低融点ガラス層５０
で被覆されて保護される。
【００１９】
【実施例】図１は本発明に係るＰＤＰ１の要部の構成を
示す断面図、図２はＰＤＰ１の外観形状を示す斜視図、
図３はＰＤＰ１の１画素ＥＧに対応する部分の基本的な
構造を示す分解斜視図である。
示す断面図、図２はＰＤＰ１の外観形状を示す斜視図、
図３はＰＤＰ１の１画素ＥＧに対応する部分の基本的な
構造を示す分解斜視図である。
【００２０】これらの図において、ＰＤＰ１は、マトリ
クス表示の単位発光領域ＥＵに一対の表示電極Ｘ，Ｙと
アドレス電極Ａとが対応する３電極構造を有し、蛍光体
の配置形態による分類の上で反射型と呼称される面放電
型ＰＤＰである。
クス表示の単位発光領域ＥＵに一対の表示電極Ｘ，Ｙと
アドレス電極Ａとが対応する３電極構造を有し、蛍光体
の配置形態による分類の上で反射型と呼称される面放電
型ＰＤＰである。
【００２１】面放電のための表示電極Ｘ，Ｙは、表示面
Ｈ側のガラス基板１１上に設けられ、表示領域ＥＨに対
応した放電部分を含めて封止領域ＥＳの内側の部分がＡ
Ｃ駆動用の誘電体層１７によって放電空間３０に対して
被覆されている。誘電体層１７の厚さは数十μｍ程度で
ある。誘電体層１７の表面には、その保護膜として数千
Å程度の厚さのＭｇＯ膜１８が設けられている。
Ｈ側のガラス基板１１上に設けられ、表示領域ＥＨに対
応した放電部分を含めて封止領域ＥＳの内側の部分がＡ
Ｃ駆動用の誘電体層１７によって放電空間３０に対して
被覆されている。誘電体層１７の厚さは数十μｍ程度で
ある。誘電体層１７の表面には、その保護膜として数千
Å程度の厚さのＭｇＯ膜１８が設けられている。
【００２２】なお、表示電極Ｘ，Ｙは、放電空間３０に
対して表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範
囲とするための幅の広い帯状の透明導電膜４１と、その
導電性を補うために外端側に重ねられた幅の狭いバス金
属膜４２とから構成されている。透明導電膜４１は数千
Å〜１μｍ程度の厚さのネサ膜（酸化錫膜）などからな
り、バス金属膜４２は例えばクロム−銅−クロムの３層
構造の薄膜からなる。
対して表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範
囲とするための幅の広い帯状の透明導電膜４１と、その
導電性を補うために外端側に重ねられた幅の狭いバス金
属膜４２とから構成されている。透明導電膜４１は数千
Å〜１μｍ程度の厚さのネサ膜（酸化錫膜）などからな
り、バス金属膜４２は例えばクロム−銅−クロムの３層
構造の薄膜からなる。
【００２３】一方、単位発光領域ＥＵを選択的に発光さ
せるためのアドレス電極Ａは、背面側のガラス基板２１
上に、例えば２００μｍ程度のピッチで表示電極Ｘ，Ｙ
と直交するように配列されている。なお、アドレス電極
Ａは導電性ペーストを焼成した厚膜電極であり、露出状
態であっても種々の熱処理による変質はほとんど起こら
ない。
せるためのアドレス電極Ａは、背面側のガラス基板２１
上に、例えば２００μｍ程度のピッチで表示電極Ｘ，Ｙ
と直交するように配列されている。なお、アドレス電極
Ａは導電性ペーストを焼成した厚膜電極であり、露出状
態であっても種々の熱処理による変質はほとんど起こら
ない。
【００２４】各アドレス電極Ａの間には、放電空間３０
の間隙寸法を規定する５０μｍ程度の幅を有したストラ
イプ状の隔壁２９が設けられ、これによって放電空間３
０はライン方向（表示電極Ｘ，Ｙの延長方向）に単位発
光領域ＥＵ毎に区画されている。また、ガラス基板２１
には、アドレス電極Ａの上面及び隔壁２９の側面を含め
て背面側の内面を被覆するように、Ｒ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）の３原色の蛍光体２８が設けられてい
る。図３におけるアルファベットＲ，Ｇ，Ｂは各蛍光体
２８の発光色を示している。蛍光体２８は、面放電時に
放電空間３０内の放電ガスが放つ紫外線によって励起さ
れて発光する。
の間隙寸法を規定する５０μｍ程度の幅を有したストラ
イプ状の隔壁２９が設けられ、これによって放電空間３
０はライン方向（表示電極Ｘ，Ｙの延長方向）に単位発
光領域ＥＵ毎に区画されている。また、ガラス基板２１
には、アドレス電極Ａの上面及び隔壁２９の側面を含め
て背面側の内面を被覆するように、Ｒ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）の３原色の蛍光体２８が設けられてい
る。図３におけるアルファベットＲ，Ｇ，Ｂは各蛍光体
２８の発光色を示している。蛍光体２８は、面放電時に
放電空間３０内の放電ガスが放つ紫外線によって励起さ
れて発光する。
【００２５】表示画面を構成する各画素（ドット）ＥＧ
には、ライン方向に並ぶ同一面積の３つの単位発光領域
ＥＵが対応づけられている。各単位発光領域ＥＵにおい
て、表示電極Ｘ，Ｙによって面放電セル（表示のための
主放電セル）が画定され、表示電極Ｙとアドレス電極Ａ
とによって表示又は非表示を選択するためのアドレス放
電セルが画定される。これにより、アドレス電極Ａの延
長方向に連続する蛍光体２８の内、各単位発光領域ＥＵ
に対応した部分を選択的に発光させることができ、Ｒ，
Ｇ，Ｂの組み合わせによるフルカラー表示が可能であ
る。
には、ライン方向に並ぶ同一面積の３つの単位発光領域
ＥＵが対応づけられている。各単位発光領域ＥＵにおい
て、表示電極Ｘ，Ｙによって面放電セル（表示のための
主放電セル）が画定され、表示電極Ｙとアドレス電極Ａ
とによって表示又は非表示を選択するためのアドレス放
電セルが画定される。これにより、アドレス電極Ａの延
長方向に連続する蛍光体２８の内、各単位発光領域ＥＵ
に対応した部分を選択的に発光させることができ、Ｒ，
Ｇ，Ｂの組み合わせによるフルカラー表示が可能であ
る。
【００２６】さて、ＰＤＰ１において、誘電体層１７
は、ＰｂＯを主成分とし、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、及び
Ｂ2 Ｏ3 などからなる非脱泡性の低融点ガラスからな
る。非脱泡性の低融点ガラスでは、その焼成温度が軟化
点（５００〜６００℃程度）の近辺に設定され、焼成時
に発生するガスが膨張する以前の十分に小さな気泡状態
である段階で焼成が完了する。このため、誘電体層１７
は大きな気泡のない均質な層となっており、表示電極
Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの間において、所定の耐圧が
確保されている。
は、ＰｂＯを主成分とし、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、及び
Ｂ2 Ｏ3 などからなる非脱泡性の低融点ガラスからな
る。非脱泡性の低融点ガラスでは、その焼成温度が軟化
点（５００〜６００℃程度）の近辺に設定され、焼成時
に発生するガスが膨張する以前の十分に小さな気泡状態
である段階で焼成が完了する。このため、誘電体層１７
は大きな気泡のない均質な層となっており、表示電極
Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの間において、所定の耐圧が
確保されている。
【００２７】ただし、ＳｉＯ2 を含む低融点ガラスは耐
薬品性に優れ、エッチングが困難である。そこで、ＰＤ
Ｐ１では、封止が完了する以前の段階では、図１に一点
鎖線で示すように、表示電極Ｘ，Ｙの外部接続部がエッ
チングの容易な低融点ガラス層５０で被覆され、この低
融点ガラス層５０と誘電体層１７とによって表示電極
Ｘ，Ｙの酸化が防止される。
薬品性に優れ、エッチングが困難である。そこで、ＰＤ
Ｐ１では、封止が完了する以前の段階では、図１に一点
鎖線で示すように、表示電極Ｘ，Ｙの外部接続部がエッ
チングの容易な低融点ガラス層５０で被覆され、この低
融点ガラス層５０と誘電体層１７とによって表示電極
Ｘ，Ｙの酸化が防止される。
【００２８】次に、以上の構成のＰＤＰ１の製造方法に
ついて図１を参照して説明する。ＰＤＰ１は、各ガラス
基板１１，２１について別個に所定の構成要素を設け、
その後にガラス基板１１，２１を重ね合わせて封止を行
い、内部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程に
よって製造される。
ついて図１を参照して説明する。ＰＤＰ１は、各ガラス
基板１１，２１について別個に所定の構成要素を設け、
その後にガラス基板１１，２１を重ね合わせて封止を行
い、内部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程に
よって製造される。
【００２９】ガラス基板１１側の製造に際しては、ま
ず、蒸着やスパッタなどによる成膜、及びフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングによって、ガラス基板１１
上に透明導電膜４１とバス金属膜４２とを順に形成して
表示電極Ｘ，Ｙを設ける。
ず、蒸着やスパッタなどによる成膜、及びフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングによって、ガラス基板１１
上に透明導電膜４１とバス金属膜４２とを順に形成して
表示電極Ｘ，Ｙを設ける。
【００３０】次に、ガラス基板１１の電極形成面の内、
表示領域ＥＨの全域を含み且つ封止領域ＥＳの外側を除
く部分に、非脱泡性の第１の低融点ガラスペーストを塗
布し、他の部分に化学エッチングの可能な組成の第２の
低融点ガラスペーストを塗布し、これら第１及び第２の
低融点ガラスペーストによって表示電極Ｘ，Ｙの全体を
被覆する。このとき、被覆を完全なものにするために、
２つのペースト層が例えば１ｍｍ程度の幅で重なるよう
に塗布する。そして、その重なり部分（オーバラップ部
分）において、２つのペースト層の内の軟化点の低い層
が軟化点の高い層に対して上側になるように、軟化点の
高い低融点ガラスペーストを先に塗布する。図１の例で
は、誘電体層１７に対応した第１の低融点ガラスペース
トが先に塗布され、低融点ガラス層５０に対応した第２
の低融点ガラスペーストが後に塗布されている。
表示領域ＥＨの全域を含み且つ封止領域ＥＳの外側を除
く部分に、非脱泡性の第１の低融点ガラスペーストを塗
布し、他の部分に化学エッチングの可能な組成の第２の
低融点ガラスペーストを塗布し、これら第１及び第２の
低融点ガラスペーストによって表示電極Ｘ，Ｙの全体を
被覆する。このとき、被覆を完全なものにするために、
２つのペースト層が例えば１ｍｍ程度の幅で重なるよう
に塗布する。そして、その重なり部分（オーバラップ部
分）において、２つのペースト層の内の軟化点の低い層
が軟化点の高い層に対して上側になるように、軟化点の
高い低融点ガラスペーストを先に塗布する。図１の例で
は、誘電体層１７に対応した第１の低融点ガラスペース
トが先に塗布され、低融点ガラス層５０に対応した第２
の低融点ガラスペーストが後に塗布されている。
【００３１】続いて、第１及び第２の低融点ガラスペー
ストを、第１の低融点ガラスペーストの軟化点付近の温
度で焼成し、誘電体層１７と電極端部を保護する低融点
ガラス層５０とを形成する。焼成後の降温段階において
は、２つの層のオーバラップ部分の積層順序が上述のよ
うに軟化点の高低に応じて決められているので、必ず下
側の層が先に硬化する。これにより、焼成時に下側の層
で発生したガスが上側の層を通って外部へ発散し、上側
の層によるガスの封じ込めが起こらない。なお、積層順
序が逆であって下側の層内にガスが封じ込められた場合
には、ガス自体による酸化、又はガスの気泡が炸裂して
生じるピンホールを介した外気よる酸化が起こり、表示
電極Ｘ，Ｙの断線が生じるおそれがある。
ストを、第１の低融点ガラスペーストの軟化点付近の温
度で焼成し、誘電体層１７と電極端部を保護する低融点
ガラス層５０とを形成する。焼成後の降温段階において
は、２つの層のオーバラップ部分の積層順序が上述のよ
うに軟化点の高低に応じて決められているので、必ず下
側の層が先に硬化する。これにより、焼成時に下側の層
で発生したガスが上側の層を通って外部へ発散し、上側
の層によるガスの封じ込めが起こらない。なお、積層順
序が逆であって下側の層内にガスが封じ込められた場合
には、ガス自体による酸化、又はガスの気泡が炸裂して
生じるピンホールを介した外気よる酸化が起こり、表示
電極Ｘ，Ｙの断線が生じるおそれがある。
【００３２】このようにして誘電体層１７及び低融点ガ
ラス層５０を設け、表示電極Ｘ，Ｙを保護した状態で、
電子ビーム蒸着などによってＭｇＯ膜１８を設ける。そ
して、一方のガラス基板上に封止用のガラスペーストを
５ｍｍ程度の幅の環状に塗布し、ガラス基板１１，２１
を対向配置して熱処理を行う。この熱処理によりガラス
ペーストが焼成されて封止ガラス３１となり、放電空間
３０が密閉される。
ラス層５０を設け、表示電極Ｘ，Ｙを保護した状態で、
電子ビーム蒸着などによってＭｇＯ膜１８を設ける。そ
して、一方のガラス基板上に封止用のガラスペーストを
５ｍｍ程度の幅の環状に塗布し、ガラス基板１１，２１
を対向配置して熱処理を行う。この熱処理によりガラス
ペーストが焼成されて封止ガラス３１となり、放電空間
３０が密閉される。
【００３３】封止を終えると、外部との電気的な接続を
可能とするために、表示電極Ｘ，Ｙの端部を覆う低融点
ガラス層５０、すなわち低融点ガラス層５０の内の封止
ガラス３１より外側の部分を除去する。低融点ガラス層
５０の除去は、一体化されたガラス基板１１，２１を硝
酸溶液に浸すウェットエッチング（化学エッチング）に
より行う。
可能とするために、表示電極Ｘ，Ｙの端部を覆う低融点
ガラス層５０、すなわち低融点ガラス層５０の内の封止
ガラス３１より外側の部分を除去する。低融点ガラス層
５０の除去は、一体化されたガラス基板１１，２１を硝
酸溶液に浸すウェットエッチング（化学エッチング）に
より行う。
【００３４】上述の実施例によれば、表示電極Ｘ，Ｙを
２種の低融点ガラスによって保護するようにしたので、
エッチングの可否を考慮することなく誘電体層１７の材
質を最適化することができる。
２種の低融点ガラスによって保護するようにしたので、
エッチングの可否を考慮することなく誘電体層１７の材
質を最適化することができる。
【００３５】上述の実施例によれば、誘電体層１７と低
融点ガラス層５０とをオーバラップするように設けたの
で、２層の境目での表示電極Ｘ，Ｙの露出を避けること
ができる。また、２層の積層順序を軟化点によって特定
したので、下側の層におけるガスの封じ込めに起因する
表示電極Ｘ，Ｙの断線を防止することができる。
融点ガラス層５０とをオーバラップするように設けたの
で、２層の境目での表示電極Ｘ，Ｙの露出を避けること
ができる。また、２層の積層順序を軟化点によって特定
したので、下側の層におけるガスの封じ込めに起因する
表示電極Ｘ，Ｙの断線を防止することができる。
【００３６】上述の実施例においては、誘電体層１７と
低融点ガラス５０との境界位置を封止ガラス３１を設け
る封止領域ＥＳ内とした例を挙げたが、境界位置は表示
領域ＥＨの外側であればよい。
低融点ガラス５０との境界位置を封止ガラス３１を設け
る封止領域ＥＳ内とした例を挙げたが、境界位置は表示
領域ＥＨの外側であればよい。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、耐圧の低下を招く誘電
体層中の気泡の発生を抑えることができ、不要の放電に
よる電極の損傷を防止して信頼性を高めることができ
る。
体層中の気泡の発生を抑えることができ、不要の放電に
よる電極の損傷を防止して信頼性を高めることができ
る。
【００３８】請求項２の発明によれば、エッチングの可
否を考慮することなく誘電体層の材質を最適化すること
ができる。請求項３の発明によれば、表示電極をより確
実に保護することができる。
否を考慮することなく誘電体層の材質を最適化すること
ができる。請求項３の発明によれば、表示電極をより確
実に保護することができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの要部の構成を示す断面図
である。
である。
【図２】ＰＤＰの外観形状を示す斜視図である。
【図３】ＰＤＰの１画素に対応する部分の基本的な構造
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【符号の説明】 １ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル） １１，２１ ガラス基板（基板） １７ 誘電体層 ３１ 封止ガラス ５０ 低融点ガラス層 ＥＨ 表示領域 ＥＳ 封止領域 Ｘ，Ｙ 表示電極
Claims (3)
- 【請求項１】表示電極（Ｘ）（Ｙ）の放電部分が誘電体
層（１７）で被覆されたＡＣ型のプラズマディスプレイ
パネル（１）であって、 前記誘電体層（１７）が、非脱泡性の低融点ガラスから
なることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマディスプレイパネ
ル（１）の製造方法であって、 基板（１１）上に前記表示電極（Ｘ）（Ｙ）を形成する
工程と、 前記基板（１１）の電極形成面の内、表示領域（ＥＨ）
を含み且つ封止領域（ＥＳ）の外側を除く部分に、非脱
泡性の低融点ガラスからなる前記誘電体層（１７）を設
け、他の部分に化学エッチングの可能な低融点ガラス層
（５０）を設け、前記誘電体層（１７）及び前記低融点
ガラス層（５０）によって前記表示電極（Ｘ）（Ｙ）の
全体を被覆する工程と、 前記基板（１１）と別の基板（２１）とを対向配置し、
これら基板（１１）（２１）の周囲を封止ガラス（３
１）によって封止する工程と、 前記低融点ガラス層（５０）における前記封止ガラス
（３１）の外側の部分を化学エッチングによって除去
し、前記表示電極（Ｘ）（Ｙ）の端部を露出させる工程
と、 を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項３】請求項２記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法であって、 前記誘電体層（１７）及び前記低融点ガラス層（５０）
を、これら２つの層の内の軟化点の低い層が軟化点の高
い層に対して上側になるように部分的に重ねて設けるこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20912393A JP3547461B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20912393A JP3547461B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765729A true JPH0765729A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3547461B2 JP3547461B2 (ja) | 2004-07-28 |
Family
ID=16567671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20912393A Expired - Fee Related JP3547461B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3547461B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996037904A1 (en) * | 1995-05-26 | 1996-11-28 | Fujitsu Limited | Plasma display panel and its manufacture |
| WO1998039789A1 (fr) * | 1997-03-07 | 1998-09-11 | Hitachi, Ltd. | Panneau d'affichage a plasma |
| US7133005B2 (en) | 2000-07-05 | 2006-11-07 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and method and apparatus for driving the same |
| US7230381B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-06-12 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Method of manufacturing a plasma display panel |
| JPWO2007099902A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2009-07-16 | パナソニック株式会社 | 平面型表示装置 |
-
1993
- 1993-08-24 JP JP20912393A patent/JP3547461B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996037904A1 (en) * | 1995-05-26 | 1996-11-28 | Fujitsu Limited | Plasma display panel and its manufacture |
| US5977708A (en) * | 1995-05-26 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Glass material used in, and fabrication method of, a plasma display panel |
| WO1998039789A1 (fr) * | 1997-03-07 | 1998-09-11 | Hitachi, Ltd. | Panneau d'affichage a plasma |
| US7133005B2 (en) | 2000-07-05 | 2006-11-07 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and method and apparatus for driving the same |
| US7514870B2 (en) | 2000-07-05 | 2009-04-07 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel having first and second electrode groups |
| US7230381B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-06-12 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Method of manufacturing a plasma display panel |
| JPWO2007099902A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2009-07-16 | パナソニック株式会社 | 平面型表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3547461B2 (ja) | 2004-07-28 |
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