JPH0765950A - 分散型ｅｌ発光素子 - Google Patents
分散型ｅｌ発光素子Info
- Publication number
- JPH0765950A JPH0765950A JP5215420A JP21542093A JPH0765950A JP H0765950 A JPH0765950 A JP H0765950A JP 5215420 A JP5215420 A JP 5215420A JP 21542093 A JP21542093 A JP 21542093A JP H0765950 A JPH0765950 A JP H0765950A
- Authority
- JP
- Japan
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- film
- light emitting
- moisture
- layer
- emitting device
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- Pending
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＰＣＴＦＥフィルムやガラス板と同程度の防
湿性を有し、長寿命で安価な分散型ＥＬ発光素子を提供
する。 【構成】 合成樹脂フィルムと透明ガラス薄膜とを積層
したものからなる防湿フィルムで発光素子本体を封止す
ることとした。
湿性を有し、長寿命で安価な分散型ＥＬ発光素子を提供
する。 【構成】 合成樹脂フィルムと透明ガラス薄膜とを積層
したものからなる防湿フィルムで発光素子本体を封止す
ることとした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、合成樹脂とガラスの積
層フィルムを封止用防湿フィルムとして使用した分散型
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光素子に関するも
のである。
層フィルムを封止用防湿フィルムとして使用した分散型
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光素子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、種々の形状や発光面積を選択でき
る均一な平面発光体としてＥＬ発光素子が注目されてき
ている。中でも高誘電有機バインダーを使用する分散型
ＥＬ発光素子は、薄く軽量な上、大面積とすることが容
易で安価なため、液晶ディスプレイのバックライト光源
や常夜灯等の表示灯に応用されている。
る均一な平面発光体としてＥＬ発光素子が注目されてき
ている。中でも高誘電有機バインダーを使用する分散型
ＥＬ発光素子は、薄く軽量な上、大面積とすることが容
易で安価なため、液晶ディスプレイのバックライト光源
や常夜灯等の表示灯に応用されている。
【０００３】かかる分散型ＥＬ発光素子は、一般に図１
に示されるような構造である。すなわち、金属箔または
金属薄板からなる背面電極１と、酸化チタンもしくはチ
タン酸バリウム等の高誘電体粉末を高誘電有機バインダ
ーに分散させて薄膜を形成させた絶縁反射層２と、蛍光
体粉末を高誘電有機バインダーに分散させて薄膜を形成
した蛍光体層（発光層）３と、酸化インジウム等の金属
酸化物をポリエチレンテレフタレート、ポリエステル等
の絶縁性フィルム４上に蒸着して形成した透明電極５
（４と５で透明導電性フィルム６を構成する。）とから
なる積層体を、ガラスまたは合成樹脂等の透明防湿材料
７で封止した構造を有するものであり、上記電極５と背
面電極１との間に交流電場を印加することにより蛍光体
が励起され発光を与えるものである。
に示されるような構造である。すなわち、金属箔または
金属薄板からなる背面電極１と、酸化チタンもしくはチ
タン酸バリウム等の高誘電体粉末を高誘電有機バインダ
ーに分散させて薄膜を形成させた絶縁反射層２と、蛍光
体粉末を高誘電有機バインダーに分散させて薄膜を形成
した蛍光体層（発光層）３と、酸化インジウム等の金属
酸化物をポリエチレンテレフタレート、ポリエステル等
の絶縁性フィルム４上に蒸着して形成した透明電極５
（４と５で透明導電性フィルム６を構成する。）とから
なる積層体を、ガラスまたは合成樹脂等の透明防湿材料
７で封止した構造を有するものであり、上記電極５と背
面電極１との間に交流電場を印加することにより蛍光体
が励起され発光を与えるものである。
【０００４】ここで、分散型ＥＬ発光素子の寿命は、外
部から侵入する湿気により左右される。なぜならば、透
明導電性フィルム６は、通常２０ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ以
上の透湿性を有しているからである。このため、侵入し
た湿気から素子を保護するために、吸湿層を設けて最外
層を透明防湿材料７で封止することが一般的である。つ
まり、分散型ＥＬ発光素子の寿命は、上記封止材料であ
る透明防湿材料７の防湿性能によって決定される。
部から侵入する湿気により左右される。なぜならば、透
明導電性フィルム６は、通常２０ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ以
上の透湿性を有しているからである。このため、侵入し
た湿気から素子を保護するために、吸湿層を設けて最外
層を透明防湿材料７で封止することが一般的である。つ
まり、分散型ＥＬ発光素子の寿命は、上記封止材料であ
る透明防湿材料７の防湿性能によって決定される。
【０００５】従来、上記透明防湿材料として、無機物質
ではガラス板、合成樹脂では三フッ化塩化エチレン系樹
脂（以下、「ＰＣＴＦＥ」と略す。）やポリ塩化ビニリ
デン系樹脂が使用されてきた。
ではガラス板、合成樹脂では三フッ化塩化エチレン系樹
脂（以下、「ＰＣＴＦＥ」と略す。）やポリ塩化ビニリ
デン系樹脂が使用されてきた。
【０００６】しかし、ガラス板を用いた場合には、防湿
性については満足できるものの、素子自体の形が平板状
に限られるかあるいはガラスの形によって決定され、設
置場所に応じた自由な形態をとることができないこと、
耐衝撃性に劣ること、重量が大きくなること等の欠点が
ある。
性については満足できるものの、素子自体の形が平板状
に限られるかあるいはガラスの形によって決定され、設
置場所に応じた自由な形態をとることができないこと、
耐衝撃性に劣ること、重量が大きくなること等の欠点が
ある。
【０００７】一方、合成樹脂を用いた場合には、簡単な
ヒートシールで封止できること、素子の形に応じて自由
な形態をとることができること、耐衝撃性に優れること
を長所として挙げることができるが、以下の欠点を有す
る。すなわち、例えばポリ塩化ビニリデン系樹脂を用い
た場合には、防湿性が不十分である。また、現在主流で
あるＰＣＴＦＥを用いた場合には、防湿性に優れるもの
の、非常に高価となる。
ヒートシールで封止できること、素子の形に応じて自由
な形態をとることができること、耐衝撃性に優れること
を長所として挙げることができるが、以下の欠点を有す
る。すなわち、例えばポリ塩化ビニリデン系樹脂を用い
た場合には、防湿性が不十分である。また、現在主流で
あるＰＣＴＦＥを用いた場合には、防湿性に優れるもの
の、非常に高価となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
使用されていた透明防湿材料の上記欠点を解消し、ガラ
ス板やＰＣＴＦＥと同程度の防湿性を有し、かつ安価で
屈曲性を有する透明防湿材料を封止防湿フィルムとして
使用することにより、安価で長寿命の分散型ＥＬ発光素
子を提供することにある。
使用されていた透明防湿材料の上記欠点を解消し、ガラ
ス板やＰＣＴＦＥと同程度の防湿性を有し、かつ安価で
屈曲性を有する透明防湿材料を封止防湿フィルムとして
使用することにより、安価で長寿命の分散型ＥＬ発光素
子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
の解決のために鋭意検討した結果、合成樹脂フィルムに
透明ガラス薄膜を積層してなるフィルムが原理的にはガ
ラス板並みの防湿性を有しながら、安価で屈曲性を有す
ることに着目し、これを用いて最外層を封止した分散型
ＥＬ発光素子が、封止材料としてＰＣＴＦＥフィルムを
用いた素子に比べ安価に製造できること、かつ同等以上
の寿命が得られることを見い出し、本発明を完成させ
た。
の解決のために鋭意検討した結果、合成樹脂フィルムに
透明ガラス薄膜を積層してなるフィルムが原理的にはガ
ラス板並みの防湿性を有しながら、安価で屈曲性を有す
ることに着目し、これを用いて最外層を封止した分散型
ＥＬ発光素子が、封止材料としてＰＣＴＦＥフィルムを
用いた素子に比べ安価に製造できること、かつ同等以上
の寿命が得られることを見い出し、本発明を完成させ
た。
【００１０】すなわち、本発明は、少なくとも片方が透
明な材質である一対の電極間に誘電体と電場発光性蛍光
体とからなる発光層を有する素子本体が、防湿フィルム
で封止された構造において、上記防湿フィルムが、合成
樹脂フィルムに透明ガラス薄膜を積層したものからなる
ことを特徴とする分散型ＥＬ発光素子に関するものであ
る。
明な材質である一対の電極間に誘電体と電場発光性蛍光
体とからなる発光層を有する素子本体が、防湿フィルム
で封止された構造において、上記防湿フィルムが、合成
樹脂フィルムに透明ガラス薄膜を積層したものからなる
ことを特徴とする分散型ＥＬ発光素子に関するものであ
る。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
分散型ＥＬ発光素子に使用される封止フィルムの第１層
を構成する合成樹脂フィルムは、透明性を有し１００℃
以下の温度領域において安定に形態を保持できれば、基
本的にその材質の種類に制限はないが、例えばポリプロ
ピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート
（以下、「ＰＥＴ」と略す。）、ポリ塩化ビニリデン、
ポリエステル等を例示することができる。それらのう
ち、特にＰＥＴ、ポリ塩化ビニリデンが好適である。
分散型ＥＬ発光素子に使用される封止フィルムの第１層
を構成する合成樹脂フィルムは、透明性を有し１００℃
以下の温度領域において安定に形態を保持できれば、基
本的にその材質の種類に制限はないが、例えばポリプロ
ピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート
（以下、「ＰＥＴ」と略す。）、ポリ塩化ビニリデン、
ポリエステル等を例示することができる。それらのう
ち、特にＰＥＴ、ポリ塩化ビニリデンが好適である。
【００１２】上記合成樹脂フィルムの形態として、単一
樹脂フィルムであるか複数の樹脂を積層したフィルムで
あるか、または、延伸フィルムであるか無延伸フィルム
であるかを問わない。若干高価になるが、ＰＣＴＦＥフ
ィルムでもよい。但し、使用目的から、できるだけ防湿
性能の高い樹脂を用いることが望ましい。また、紫外線
防止剤や分散型ＥＬ素子の色変換を行なうための顔料等
を混合することもできる。上記合成樹脂フィルムの膜厚
は、１０〜２００μｍ程度が好ましい。
樹脂フィルムであるか複数の樹脂を積層したフィルムで
あるか、または、延伸フィルムであるか無延伸フィルム
であるかを問わない。若干高価になるが、ＰＣＴＦＥフ
ィルムでもよい。但し、使用目的から、できるだけ防湿
性能の高い樹脂を用いることが望ましい。また、紫外線
防止剤や分散型ＥＬ素子の色変換を行なうための顔料等
を混合することもできる。上記合成樹脂フィルムの膜厚
は、１０〜２００μｍ程度が好ましい。
【００１３】第２層を構成する透明ガラス薄膜は、透明
性を有し適度な屈曲性を有すれば基本的に制限はない
が、基材となる合成樹脂フィルム上に１０〜５００ｎｍ
程度の膜厚でガラス層を形成させたものが好ましい。ガ
ラス成分としては、多成分ガラス、石英ガラスのどちら
でもよいが、可視光透過率を極端に低下させない範囲に
おいては、価格面及び紫外線防止の面から多成分ガラス
が好ましい。
性を有し適度な屈曲性を有すれば基本的に制限はない
が、基材となる合成樹脂フィルム上に１０〜５００ｎｍ
程度の膜厚でガラス層を形成させたものが好ましい。ガ
ラス成分としては、多成分ガラス、石英ガラスのどちら
でもよいが、可視光透過率を極端に低下させない範囲に
おいては、価格面及び紫外線防止の面から多成分ガラス
が好ましい。
【００１４】これら２つの構成要素を積層する方法とし
ては、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ
リング法等を使用することができる。これら積層体およ
びその製造方法としては、特公平３−６９０４号、特開
平２−２４９６３６号、特開昭６０−６１２５５号に掲
げるものが例示できる。上記方法により、基材となる合
成樹脂上にガラス薄膜を形成し、積層する。この時、必
要に応じて所望枚数のガラス薄膜積層フィルムを合成樹
脂−ガラス薄膜−合成樹脂−ガラス薄膜の順となるよう
に熱圧着する方法や接着剤を介して接合することが好ま
しい。
ては、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ
リング法等を使用することができる。これら積層体およ
びその製造方法としては、特公平３−６９０４号、特開
平２−２４９６３６号、特開昭６０−６１２５５号に掲
げるものが例示できる。上記方法により、基材となる合
成樹脂上にガラス薄膜を形成し、積層する。この時、必
要に応じて所望枚数のガラス薄膜積層フィルムを合成樹
脂−ガラス薄膜−合成樹脂−ガラス薄膜の順となるよう
に熱圧着する方法や接着剤を介して接合することが好ま
しい。
【００１５】この積層フィルムを封止フィルムとして使
用するには、ヒートシール性を持たせるために、１）ガ
ラス薄膜面にホットメルト接着剤層を設ける、２）ガラ
ス薄膜面にポリエチレンのようなヒートシール性のある
合成樹脂を熱圧着する方法や接着剤を介して積層する、
３）ガラス合成樹脂を熱圧着する方法や接着剤を介して
積層し、さらにホットメルト接着剤層を設けるという処
理を要する。
用するには、ヒートシール性を持たせるために、１）ガ
ラス薄膜面にホットメルト接着剤層を設ける、２）ガラ
ス薄膜面にポリエチレンのようなヒートシール性のある
合成樹脂を熱圧着する方法や接着剤を介して積層する、
３）ガラス合成樹脂を熱圧着する方法や接着剤を介して
積層し、さらにホットメルト接着剤層を設けるという処
理を要する。
【００１６】この封止フィルムを用いて分散型ＥＬ発光
素子を製作するには、従来公知の方法を適用することが
でき、従来使用されてきたＰＣＴＦＥフィルムを本発明
に係る封止フィルムに変更するだけでよい。
素子を製作するには、従来公知の方法を適用することが
でき、従来使用されてきたＰＣＴＦＥフィルムを本発明
に係る封止フィルムに変更するだけでよい。
【００１７】すなわち、まず、分散型ＥＬ素子のバイン
ダーとして従来公知のもの、例えばエポキシ樹脂、フッ
素樹脂、シアノエチルプルラン、シアノエチルセルロー
ス、シアノエチルポリビニルアルコール等のシアノエチ
ル化物のような樹脂をＮ，Ｎ´−ジメチルホルムアミド
等の溶剤に溶解し、これに酸化チタンやチタン酸バリウ
ムのような無機誘電体を分散させた分散液を、アルミニ
ウム、金等の材料からなる電極基板上に塗布し乾燥させ
て５〜５０μｍの膜厚の絶縁反射層を形成する。
ダーとして従来公知のもの、例えばエポキシ樹脂、フッ
素樹脂、シアノエチルプルラン、シアノエチルセルロー
ス、シアノエチルポリビニルアルコール等のシアノエチ
ル化物のような樹脂をＮ，Ｎ´−ジメチルホルムアミド
等の溶剤に溶解し、これに酸化チタンやチタン酸バリウ
ムのような無機誘電体を分散させた分散液を、アルミニ
ウム、金等の材料からなる電極基板上に塗布し乾燥させ
て５〜５０μｍの膜厚の絶縁反射層を形成する。
【００１８】そして、該絶縁反射層の上に、上記と同様
な樹脂溶液にＺｎＳ等の電場発光性蛍光体を分散させた
分散液を塗布し乾燥させて１０〜５０μｍの膜厚の薄膜
状発光層を形成する。
な樹脂溶液にＺｎＳ等の電場発光性蛍光体を分散させた
分散液を塗布し乾燥させて１０〜５０μｍの膜厚の薄膜
状発光層を形成する。
【００１９】次いで酸化スズ、酸化インジウム等のペー
ストを塗布し乾燥させるか、あるいはこれらの導電性酸
化物をポリエステル等の絶縁性フィルム上に蒸着したも
のを、加熱圧着するかの手段で透明電極を形成する。
ストを塗布し乾燥させるか、あるいはこれらの導電性酸
化物をポリエステル等の絶縁性フィルム上に蒸着したも
のを、加熱圧着するかの手段で透明電極を形成する。
【００２０】最後に本発明に係る封止フィルムで封止す
る。このとき、本発明の目的から、長寿命化のためには
既存の蛍光体の表面を金属酸化物等により被覆防湿処理
したものを使用することが特に好ましい。また、封止フ
ィルムで封止する前に吸湿層としてナイロン層を積層す
ることもできる。
る。このとき、本発明の目的から、長寿命化のためには
既存の蛍光体の表面を金属酸化物等により被覆防湿処理
したものを使用することが特に好ましい。また、封止フ
ィルムで封止する前に吸湿層としてナイロン層を積層す
ることもできる。
【００２１】
【実施例】以下に、本発明を実施例及び比較例を挙げて
さらに詳細に説明する。なお、本発明は、これらによっ
て限定されるものではない。
さらに詳細に説明する。なお、本発明は、これらによっ
て限定されるものではない。
【００２２】実施例１ シアノエチルプルラン（信越化学株式会社製：ＣＲ−
Ｓ）とシアノエチルポリビニルアルコール（信越化学株
式会社製：ＣＲ−Ｖ）をで７：３の割合で混合し、Ｎ，
Ｎ´−ジメチルホルムアミドを加えて混合し攪拌して均
一なバインダー溶液を調製した。この溶液を２分して、
その一方に平均粒径が３０μｍの蛍光体粉末（ＺｎＳに
活性剤としてＣｕを加えたもの）をバインダー重量の
３．２倍量加え、均一に分散させて発光用ペーストとし
た。もう一方のバインダー溶液には平均粒径１．４μｍ
のチタン酸バリウム粉末をバインダー重量の４．７倍量
加え、均一に分散させて絶縁反射層用ペーストを調製し
た。
Ｓ）とシアノエチルポリビニルアルコール（信越化学株
式会社製：ＣＲ−Ｖ）をで７：３の割合で混合し、Ｎ，
Ｎ´−ジメチルホルムアミドを加えて混合し攪拌して均
一なバインダー溶液を調製した。この溶液を２分して、
その一方に平均粒径が３０μｍの蛍光体粉末（ＺｎＳに
活性剤としてＣｕを加えたもの）をバインダー重量の
３．２倍量加え、均一に分散させて発光用ペーストとし
た。もう一方のバインダー溶液には平均粒径１．４μｍ
のチタン酸バリウム粉末をバインダー重量の４．７倍量
加え、均一に分散させて絶縁反射層用ペーストを調製し
た。
【００２３】次に、図２に示すように、８０μｍ厚のア
ルミシート基板８上にスクリーン印刷法によって上記の
絶縁反射層用ペーストを印刷乾燥し、絶縁反射層９を形
成した。次いで同層上に同じくスクリーン印刷法によっ
て発光層用ペーストを印刷し、乾燥させて発光層１０を
形成した。得られた層の厚さは、絶縁反射層が約２６μ
ｍ、発光層が約５８μｍであった。
ルミシート基板８上にスクリーン印刷法によって上記の
絶縁反射層用ペーストを印刷乾燥し、絶縁反射層９を形
成した。次いで同層上に同じくスクリーン印刷法によっ
て発光層用ペーストを印刷し、乾燥させて発光層１０を
形成した。得られた層の厚さは、絶縁反射層が約２６μ
ｍ、発光層が約５８μｍであった。
【００２４】一方、ポリエチレンテレフタレート上に酸
化インジウムと酸化スズの混合物を蒸着積層してなる透
明導電性フィルム１１（エレクリスタ３００ｃ、日東電
工社製）の導電面側に銀ペーストを印刷乾燥し、給電線
１２を作製し、これにりん青銅よりなるリード電極１３
を取り付けた後、この給電線印刷面に上記発光層を重ね
合わせ、ロールラミネーターにより加熱圧着した。そし
て、背面電極となるアルミシート基板８にリード電極１
４を取り付け、発光素子本体を完成させた。
化インジウムと酸化スズの混合物を蒸着積層してなる透
明導電性フィルム１１（エレクリスタ３００ｃ、日東電
工社製）の導電面側に銀ペーストを印刷乾燥し、給電線
１２を作製し、これにりん青銅よりなるリード電極１３
を取り付けた後、この給電線印刷面に上記発光層を重ね
合わせ、ロールラミネーターにより加熱圧着した。そし
て、背面電極となるアルミシート基板８にリード電極１
４を取り付け、発光素子本体を完成させた。
【００２５】その後、膜厚１００μｍのポリエチレンテ
レフタレート１５、膜厚２００ｎｍのガラス薄膜１６及
び膜厚６０μｍの低密度ポリエチレン１７よりなる三層
積層フィルムで、発光素子本体をロールラミネーターに
より圧着封止し、分散型ＥＬ発光素子を得た。
レフタレート１５、膜厚２００ｎｍのガラス薄膜１６及
び膜厚６０μｍの低密度ポリエチレン１７よりなる三層
積層フィルムで、発光素子本体をロールラミネーターに
より圧着封止し、分散型ＥＬ発光素子を得た。
【００２６】この素子は、１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動に
て７２ｃｄ／ｍ2 を与え、５０℃×９０％ＲＨ雰囲気下
１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動における輝度半減期４１０ｈ
ｒを与えた。
て７２ｃｄ／ｍ2 を与え、５０℃×９０％ＲＨ雰囲気下
１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動における輝度半減期４１０ｈ
ｒを与えた。
【００２７】実施例２ 図３に示すように、第１層として膜厚３０μｍのポリエ
チレンテレフタレート１８、第２層として膜厚２００ｎ
ｍのガラス薄膜１９、第３層として膜厚３０μｍのポリ
エチレンテレフタレート１８、第４層として膜厚２００
ｎｍのガラス薄膜１９、第５層として膜厚５０μｍの低
密度ポリエチレン２０よりなる防湿フィルムを使用し、
実施例１と同様に封止し、分散型ＥＬ発光素子を得た。
チレンテレフタレート１８、第２層として膜厚２００ｎ
ｍのガラス薄膜１９、第３層として膜厚３０μｍのポリ
エチレンテレフタレート１８、第４層として膜厚２００
ｎｍのガラス薄膜１９、第５層として膜厚５０μｍの低
密度ポリエチレン２０よりなる防湿フィルムを使用し、
実施例１と同様に封止し、分散型ＥＬ発光素子を得た。
【００２８】この素子は、１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動に
て６９ｃｄ／ｍ2 を与え、５０℃×９０％ＲＨ雰囲気下
１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動における輝度半減期４５０ｈ
ｒを与えた。
て６９ｃｄ／ｍ2 を与え、５０℃×９０％ＲＨ雰囲気下
１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動における輝度半減期４５０ｈ
ｒを与えた。
【００２９】比較例１ 封止フィルムとして膜厚２５０μｍのポリクロロトリフ
ルオロエチレンよりなる防湿シート（ＥＬシーラー ４
８１０Ｎ−Ｒ、日東電工社製）を使用した以外は、実施
例と同様にして分散型ＥＬ発光素子を作製した。
ルオロエチレンよりなる防湿シート（ＥＬシーラー ４
８１０Ｎ−Ｒ、日東電工社製）を使用した以外は、実施
例と同様にして分散型ＥＬ発光素子を作製した。
【００３０】この素子は、１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動に
て６８ｃｄ／ｍ2 を与え、５０℃×９０％ＲＨ雰囲気下
１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動における輝度半減期３７０ｈ
ｒを与えた。
て６８ｃｄ／ｍ2 を与え、５０℃×９０％ＲＨ雰囲気下
１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動における輝度半減期３７０ｈ
ｒを与えた。
【００３１】比較例２ 封止フィルムとして膜厚２００μｍのポリエチレンテレ
フタレートよりなるパッケージシートを使用した以外
は、実施例と同様にして分散型ＥＬ発光素子を作製し
た。
フタレートよりなるパッケージシートを使用した以外
は、実施例と同様にして分散型ＥＬ発光素子を作製し
た。
【００３２】この素子は、１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動に
て６８ｃｄ／ｍ2 を与え、５０℃×９０％ＲＨ雰囲気下
１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動における輝度半減期８０ｈｒ
を与えた。
て６８ｃｄ／ｍ2 を与え、５０℃×９０％ＲＨ雰囲気下
１００Ｖ／４００Ｈｚ駆動における輝度半減期８０ｈｒ
を与えた。
【００３３】実施例１、２と比較例１とを比較して明ら
かなように、本発明に係る発光素子は、非常に高価なＰ
ＣＴＦＥフィルムを用いたものと同程度の寿命を有す
る。
かなように、本発明に係る発光素子は、非常に高価なＰ
ＣＴＦＥフィルムを用いたものと同程度の寿命を有す
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明により、ＰＣＴＦＥフィルムやガ
ラス板と同程度の防湿性を有し、長寿命で安価な分散型
ＥＬ発光素子を得ることができる。この発光素子は、面
状発光体として広く応用することができる。
ラス板と同程度の防湿性を有し、長寿命で安価な分散型
ＥＬ発光素子を得ることができる。この発光素子は、面
状発光体として広く応用することができる。
【図１】図１は、発光素子の一般的な構造の断面を表す
図である。
図である。
【図２】図２は、実施例１の発光素子の断面を表す図で
ある。
ある。
【図３】図３は、実施例２の発光素子の断面を表す図で
ある。
ある。
１ 背面電極 ２ 絶縁反射層 ３ 蛍光体層（発光層） ４ 絶縁性透明フィルム ５ 透明電極 ６ 透明導電性フィルム ７ 透明防湿材料 ８ アルミシート基板（背面電極） ９ 絶縁反射層 １０ 発光層 １１ 透明導電性フィルム １２ 給電線 １３ リード電極 １４ リード電極 １５ ポリエチレンテレフタレート １６ ガラス薄板 １７ ポリエチレン １８ ポリエチレンテレフタレート １９ ガラス薄板 ２０ ポリエチレン（最内層）
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも片方が透明な材質でつくられ
ている一対の電極間に誘電体と電場発光性蛍光体を含む
発光層を有する素子本体を、防湿フィルムで封止した分
散型ＥＬ発光素子において、上記防湿フィルムが、合成
樹脂フィルムと透明ガラス薄膜とを積層したものからな
ることを特徴とする分散型ＥＬ発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5215420A JPH0765950A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 分散型ｅｌ発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5215420A JPH0765950A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 分散型ｅｌ発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765950A true JPH0765950A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16672046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5215420A Pending JPH0765950A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 分散型ｅｌ発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765950A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067976B2 (en) | 2001-07-03 | 2006-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| KR100913927B1 (ko) * | 2001-06-20 | 2009-08-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 디바이스 및 그 제조 방법 |
| US7728326B2 (en) | 2001-06-20 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| JP2011018581A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Suzuki Motor Corp | 燃料電池システム用消音器及びその製造方法 |
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-
1993
- 1993-08-31 JP JP5215420A patent/JPH0765950A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| US9882165B2 (en) | 2010-12-16 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
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