JPH0765989A - Ｘ線発生装置のｘ線焦点寸法の調節方法及び装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置のｘ線焦点寸法の調節方法及び装置Info
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- JPH0765989A JPH0765989A JP23731393A JP23731393A JPH0765989A JP H0765989 A JPH0765989 A JP H0765989A JP 23731393 A JP23731393 A JP 23731393A JP 23731393 A JP23731393 A JP 23731393A JP H0765989 A JPH0765989 A JP H0765989A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線発生装置のターゲット上に形成されるＸ
線焦点の寸法を正確に一定の大きさに保持し、しかもタ
ーゲットの損傷事故の発生を確実に防止する。 【構成】 フィラメント９から放出された電子をウエネ
ルト１０とフィラメント９との間に印加されたバイアス
電圧によって方向制御しながらターゲット８に衝突させ
てそのターゲット８からＸ線を発生するＸ線発生装置に
関して、ターゲット８上に形成されるＸ線焦点Ｐの寸法
を調節する方法である。ターゲット８上のＸ線焦点Ｐか
ら発生するＸ線をＸ線検出器５によって検出してＸ線ピ
ーク波形を求め、さらにそのＸ線ピーク波形の半値幅を
求め、その半値幅に基づいてウエネルトバイアス電圧の
大きさを変更してＸ線焦点Ｐの幅方向の寸法を一定値に
調節する。
線焦点の寸法を正確に一定の大きさに保持し、しかもタ
ーゲットの損傷事故の発生を確実に防止する。 【構成】 フィラメント９から放出された電子をウエネ
ルト１０とフィラメント９との間に印加されたバイアス
電圧によって方向制御しながらターゲット８に衝突させ
てそのターゲット８からＸ線を発生するＸ線発生装置に
関して、ターゲット８上に形成されるＸ線焦点Ｐの寸法
を調節する方法である。ターゲット８上のＸ線焦点Ｐか
ら発生するＸ線をＸ線検出器５によって検出してＸ線ピ
ーク波形を求め、さらにそのＸ線ピーク波形の半値幅を
求め、その半値幅に基づいてウエネルトバイアス電圧の
大きさを変更してＸ線焦点Ｐの幅方向の寸法を一定値に
調節する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィラメントから放出
された電子をウエネルトとフィラメントとの間に印加さ
れたバイアス電圧によって方向制御しながらターゲット
に衝突させてそのターゲットからＸ線を発生するＸ線発
生装置に関する。特に、ターゲット上に形成されるＸ線
焦点の寸法を調節するためのＸ線焦点寸法の調節方法及
び装置に関する。
された電子をウエネルトとフィラメントとの間に印加さ
れたバイアス電圧によって方向制御しながらターゲット
に衝突させてそのターゲットからＸ線を発生するＸ線発
生装置に関する。特に、ターゲット上に形成されるＸ線
焦点の寸法を調節するためのＸ線焦点寸法の調節方法及
び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記のＸ線発生装置ではフィラメントか
ら放出された電子がターゲット上で一定面積の焦点を結
び、その焦点からＸ線が発生する。通常、その焦点はＸ
線焦点と呼ばれる。例えば、このＸ線発生装置から発生
するＸ線を用いてＸ線回折測定を行う場合を考えると、
Ｘ線焦点の寸法、特に長手方向ではなくて幅方向の寸法
が種々に変化すると、再現性の高い測定を行うことがで
きない。よって通常は、Ｘ線発生装置についてのＸ線焦
点の寸法を一定の大きさに調節するようにしている。
ら放出された電子がターゲット上で一定面積の焦点を結
び、その焦点からＸ線が発生する。通常、その焦点はＸ
線焦点と呼ばれる。例えば、このＸ線発生装置から発生
するＸ線を用いてＸ線回折測定を行う場合を考えると、
Ｘ線焦点の寸法、特に長手方向ではなくて幅方向の寸法
が種々に変化すると、再現性の高い測定を行うことがで
きない。よって通常は、Ｘ線発生装置についてのＸ線焦
点の寸法を一定の大きさに調節するようにしている。
【０００３】Ｘ線焦点寸法の調節方法として、従来、次
のような方法がある。すなわち、ターゲット上のＸ線焦
点から発生するＸ線をピンホールコリメータで小径のＸ
線ビームに成形し、それをＸ線フィルムに露光して焦点
写真を撮像し、撮像されたその焦点写真を観察した結果
に基づいてウエネルトのバイアス電圧を手動によるツマ
ミ操作によって変化させてＸ線焦点の寸法を一定の大き
さに調節する。
のような方法がある。すなわち、ターゲット上のＸ線焦
点から発生するＸ線をピンホールコリメータで小径のＸ
線ビームに成形し、それをＸ線フィルムに露光して焦点
写真を撮像し、撮像されたその焦点写真を観察した結果
に基づいてウエネルトのバイアス電圧を手動によるツマ
ミ操作によって変化させてＸ線焦点の寸法を一定の大き
さに調節する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来方法では、操作者の個人誤差に起因してＸ線焦点の寸
法を正確に一定に維持できないという問題があった。ま
た、操作者の勘違い又は操作ミスに起因してターゲット
上に許容限界以上に大きいＸ線焦点が形成されることに
よりターゲットに過負荷が加わり、その結果、ターゲッ
トが損傷する事故が発生していた。
来方法では、操作者の個人誤差に起因してＸ線焦点の寸
法を正確に一定に維持できないという問題があった。ま
た、操作者の勘違い又は操作ミスに起因してターゲット
上に許容限界以上に大きいＸ線焦点が形成されることに
よりターゲットに過負荷が加わり、その結果、ターゲッ
トが損傷する事故が発生していた。
【０００５】本発明は、上記の問題点を解消するために
なされたものであって、ターゲット上に形成されるＸ線
焦点の寸法を正確に一定の大きさに保持し、しかもター
ゲットの損傷事故の発生を確実に防止することを目的と
する。
なされたものであって、ターゲット上に形成されるＸ線
焦点の寸法を正確に一定の大きさに保持し、しかもター
ゲットの損傷事故の発生を確実に防止することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め請求項１記載のＸ線焦点寸法の調節方法は、ターゲッ
ト上のＸ線焦点から発生するＸ線をＸ線検出器によって
検出してＸ線ピーク波形を求め、さらにそのＸ線ピーク
波形の幅を求め、ウエネルト−フィラメント間に印加す
るバイアス電圧の大きさをその求めたピーク波形幅に基
づいて変更して、ターゲット上に形成されるＸ線焦点の
幅方向の寸法を調節することを特徴としている。
め請求項１記載のＸ線焦点寸法の調節方法は、ターゲッ
ト上のＸ線焦点から発生するＸ線をＸ線検出器によって
検出してＸ線ピーク波形を求め、さらにそのＸ線ピーク
波形の幅を求め、ウエネルト−フィラメント間に印加す
るバイアス電圧の大きさをその求めたピーク波形幅に基
づいて変更して、ターゲット上に形成されるＸ線焦点の
幅方向の寸法を調節することを特徴としている。
【０００７】また、請求項３記載のＸ線焦点寸法の調節
装置は、ウエネルトとフィラメントとの間にバイアス電
圧を印加すると共にそのバイアス電圧の大きさを調節で
きるウエネルトバイアス電圧回路と、ターゲット上のＸ
線焦点から放射されたＸ線の発散を制限するＸ線発散制
限手段と、Ｘ線発散制限手段を通過したＸ線を検出する
Ｘ線検出器と、Ｘ線発散制限手段とＸ線検出器との間に
配置されていて、Ｘ線発散制限手段から出たＸ線の強度
を低下させてＸ線検出器へ導くＸ線ビームアブソーバと
を有している。そして、Ｘ線検出器によってＸ線ピーク
波形を求め、さらにそのＸ線ピーク波形の幅を求め、そ
のピーク波形幅に基づいてウエネルトバイアス電圧回路
に出力されるバイアス電圧の大きさを調節する。
装置は、ウエネルトとフィラメントとの間にバイアス電
圧を印加すると共にそのバイアス電圧の大きさを調節で
きるウエネルトバイアス電圧回路と、ターゲット上のＸ
線焦点から放射されたＸ線の発散を制限するＸ線発散制
限手段と、Ｘ線発散制限手段を通過したＸ線を検出する
Ｘ線検出器と、Ｘ線発散制限手段とＸ線検出器との間に
配置されていて、Ｘ線発散制限手段から出たＸ線の強度
を低下させてＸ線検出器へ導くＸ線ビームアブソーバと
を有している。そして、Ｘ線検出器によってＸ線ピーク
波形を求め、さらにそのＸ線ピーク波形の幅を求め、そ
のピーク波形幅に基づいてウエネルトバイアス電圧回路
に出力されるバイアス電圧の大きさを調節する。
【０００８】また、請求項４記載のＸ線焦点寸法の調節
装置は、ウエネルトとフィラメントとの間にバイアス電
圧を印加すると共にそのバイアス電圧の大きさを調節で
きるウエネルトバイアス電圧回路と、ターゲット上のＸ
線焦点から放射されたＸ線の発散を制限するＸ線発散制
限手段と、Ｘ線発散制限手段を通過したＸ線が照射され
る標準サンプルと、標準サンプルで回折したＸ線を検出
するＸ線検出器とを有している。そして、Ｘ線検出器に
よって回折Ｘ線ピーク波形を求め、さらにそのＸ線ピー
ク波形の幅を求め、そのピーク波形幅に基づいてウエネ
ルトバイアス電圧回路に出力されるバイアス電圧の大き
さを調節することを特徴としている。
装置は、ウエネルトとフィラメントとの間にバイアス電
圧を印加すると共にそのバイアス電圧の大きさを調節で
きるウエネルトバイアス電圧回路と、ターゲット上のＸ
線焦点から放射されたＸ線の発散を制限するＸ線発散制
限手段と、Ｘ線発散制限手段を通過したＸ線が照射され
る標準サンプルと、標準サンプルで回折したＸ線を検出
するＸ線検出器とを有している。そして、Ｘ線検出器に
よって回折Ｘ線ピーク波形を求め、さらにそのＸ線ピー
ク波形の幅を求め、そのピーク波形幅に基づいてウエネ
ルトバイアス電圧回路に出力されるバイアス電圧の大き
さを調節することを特徴としている。
【０００９】上記の記載において、Ｘ線検出器として
は、ある１点位置におけるＸ線の強度を検出できる、い
わゆる０（ゼロ）次元カウンタ、例えば比例計数管（Ｐ
Ｃ）、シンチレーションカウンタ（ＳＣ）や、直線方向
に沿った適宜の範囲においてＸ線の強度を同時に検出で
きる、いわゆる１次元カウンタ、例えば位置敏感型Ｘ線
検出器（ＰＳＰＣ）、ラインカウンタ（ＣＣＤ）や、直
交する２方向に沿った適宜の範囲においてＸ線の強度を
同時に検出できる、いわゆる２次元カウンタ、例えば２
次元ＰＳＰＣ、２次元ＣＣＤ等を用いることができる。
比例計数管（ＰＣ）等といった０（ゼロ）次元カウンタ
を用いる場合には、Ｘ線ピーク波形を求めるためにＸ線
検出器を直進スキャン又は円弧状スキャンさせる必要が
ある。Ｘ線発散制限手段としては、円形状のピンホール
や、細長形状のスリット等を用いることができる。
は、ある１点位置におけるＸ線の強度を検出できる、い
わゆる０（ゼロ）次元カウンタ、例えば比例計数管（Ｐ
Ｃ）、シンチレーションカウンタ（ＳＣ）や、直線方向
に沿った適宜の範囲においてＸ線の強度を同時に検出で
きる、いわゆる１次元カウンタ、例えば位置敏感型Ｘ線
検出器（ＰＳＰＣ）、ラインカウンタ（ＣＣＤ）や、直
交する２方向に沿った適宜の範囲においてＸ線の強度を
同時に検出できる、いわゆる２次元カウンタ、例えば２
次元ＰＳＰＣ、２次元ＣＣＤ等を用いることができる。
比例計数管（ＰＣ）等といった０（ゼロ）次元カウンタ
を用いる場合には、Ｘ線ピーク波形を求めるためにＸ線
検出器を直進スキャン又は円弧状スキャンさせる必要が
ある。Ｘ線発散制限手段としては、円形状のピンホール
や、細長形状のスリット等を用いることができる。
【００１０】
【作用】フィラメントから放出された電子がウエネルト
によって形成される電場を通過するとき、その電子の進
行方向は電場の強さに応じて変化し、その結果、ターゲ
ット上に形成されるＸ線焦点の寸法、特に幅方向の寸法
が変化する。一方、Ｘ線検出器によって求められるＸ線
ピーク波形の幅、例えば半値幅はターゲット上に形成さ
れるＸ線焦点の寸法、特に幅方向の寸法に密接に対応し
ている。従って、半値幅等を測定し、その測定結果に基
づいてウエネルトバイアス電圧を変化させることによ
り、Ｘ線焦点の寸法を一定値に保持できる。
によって形成される電場を通過するとき、その電子の進
行方向は電場の強さに応じて変化し、その結果、ターゲ
ット上に形成されるＸ線焦点の寸法、特に幅方向の寸法
が変化する。一方、Ｘ線検出器によって求められるＸ線
ピーク波形の幅、例えば半値幅はターゲット上に形成さ
れるＸ線焦点の寸法、特に幅方向の寸法に密接に対応し
ている。従って、半値幅等を測定し、その測定結果に基
づいてウエネルトバイアス電圧を変化させることによ
り、Ｘ線焦点の寸法を一定値に保持できる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明に係るＸ線焦点寸法の調節方
法を実施するためのＸ線装置の一実施例を示している。
このＸ線装置は、Ｘ線を発生するＸ線発生装置１と、Ｘ
線発散制限手段としてのピンホール２と、Ｘ線の強度を
減衰させるＸ線ビームアブソーバ３と、受光スリット４
と、そしてＸ線検出器としての比例計数管（ＰＣ）５と
を有している。比例計数管５には図示しない揺動装置が
付設され、この揺動装置によって駆動されて比例計数管
５は適宜の一点を中心にして矢印ωで示すように回転揺
動できる。Ｘ線発散制限手段としては、ピンホール２に
代えて上下方向に長いスリット６を用いることもでき
る。また、Ｘ線ビームアブソーバ３は、例えばアルミニ
ウム等によって形成される。
法を実施するためのＸ線装置の一実施例を示している。
このＸ線装置は、Ｘ線を発生するＸ線発生装置１と、Ｘ
線発散制限手段としてのピンホール２と、Ｘ線の強度を
減衰させるＸ線ビームアブソーバ３と、受光スリット４
と、そしてＸ線検出器としての比例計数管（ＰＣ）５と
を有している。比例計数管５には図示しない揺動装置が
付設され、この揺動装置によって駆動されて比例計数管
５は適宜の一点を中心にして矢印ωで示すように回転揺
動できる。Ｘ線発散制限手段としては、ピンホール２に
代えて上下方向に長いスリット６を用いることもでき
る。また、Ｘ線ビームアブソーバ３は、例えばアルミニ
ウム等によって形成される。
【００１２】Ｘ線発生装置１は、ダイレクトモータ７に
よって駆動されて軸線Ｌ１を中心として高速で回転する
円筒形状のターゲット８と、ターゲット８に対向するフ
ィラメント９と、フィラメント９のまわりに配置された
ウエネルト１０とを有している。フィラメント９の両端
子には管電流回路１１が、フィラメント９とターゲット
８との間には管電圧回路１２が、そしてフィラメント９
とウエネルト１０との間にはウエネルト・バイアス回路
１３が接続される。通常、ターゲット８及びフィラメン
ト９のまわりは、放電防止のために真空状態に保持され
る。
よって駆動されて軸線Ｌ１を中心として高速で回転する
円筒形状のターゲット８と、ターゲット８に対向するフ
ィラメント９と、フィラメント９のまわりに配置された
ウエネルト１０とを有している。フィラメント９の両端
子には管電流回路１１が、フィラメント９とターゲット
８との間には管電圧回路１２が、そしてフィラメント９
とウエネルト１０との間にはウエネルト・バイアス回路
１３が接続される。通常、ターゲット８及びフィラメン
ト９のまわりは、放電防止のために真空状態に保持され
る。
【００１３】比例計数管５にはピーク波形演算回路１４
が接続され、そのピーク波形演算回路１４の出力信号は
比較回路１５及び表示装置１６、例えばＣＲＴ等の映像
表示装置や機械的記録装置へ送られる。比較回路１５の
基準信号端子には基準半値幅に対応する基準電圧が入力
される。
が接続され、そのピーク波形演算回路１４の出力信号は
比較回路１５及び表示装置１６、例えばＣＲＴ等の映像
表示装置や機械的記録装置へ送られる。比較回路１５の
基準信号端子には基準半値幅に対応する基準電圧が入力
される。
【００１４】本実施例のＸ線装置は上記のように構成さ
れているので、管電流回路１１の作用によってフィラメ
ント９に通電するとそのフィラメント９が発熱してそこ
から電子が放出される。一方、ウエネルト・バイアス回
路１３の作用によってウエネルト１０とフィラメント９
との間に所定のバイアス電圧が印加され、その結果フィ
ラメント９のまわりに電場が形成される。
れているので、管電流回路１１の作用によってフィラメ
ント９に通電するとそのフィラメント９が発熱してそこ
から電子が放出される。一方、ウエネルト・バイアス回
路１３の作用によってウエネルト１０とフィラメント９
との間に所定のバイアス電圧が印加され、その結果フィ
ラメント９のまわりに電場が形成される。
【００１５】フィラメント９から放出された電子は、管
電圧回路１２の作用によってフィラメント−ターゲット
間に印加された管電圧によって加速され、さらにウエネ
ルト１０によって形成される電場の作用によって進行方
向が制御された状態でターゲット８上のＸ線焦点Ｐに集
束して衝突する。図３に示すように、Ｘ線焦点Ｐは幅Ｗ
を有する細長い長方形状となる。ウエネルト・バイアス
回路１３はウエネルト１０へ印加するバイアス電圧の大
きさを変更することができ、このバイアス電圧の変化に
より、ターゲット８上に形成されるＸ線焦点Ｐの幅Ｗを
変化させることができる。
電圧回路１２の作用によってフィラメント−ターゲット
間に印加された管電圧によって加速され、さらにウエネ
ルト１０によって形成される電場の作用によって進行方
向が制御された状態でターゲット８上のＸ線焦点Ｐに集
束して衝突する。図３に示すように、Ｘ線焦点Ｐは幅Ｗ
を有する細長い長方形状となる。ウエネルト・バイアス
回路１３はウエネルト１０へ印加するバイアス電圧の大
きさを変更することができ、このバイアス電圧の変化に
より、ターゲット８上に形成されるＸ線焦点Ｐの幅Ｗを
変化させることができる。
【００１６】ターゲット８上のＸ線焦点Ｐに電子が衝突
すると、そのＸ線焦点ＰからＸ線が発生する。発生した
Ｘ線はピンホール２によって小径のＸ線ビームに成形さ
れ、Ｘ線ビームアブソーバ３によってその強度が減衰さ
れ、そして受光スリット４を通過した後に比例計数管５
に取り込まれてカウントされる。この状態で比例計数管
５をω揺動させると、計数管５の各角度位置におけるＸ
線強度がピーク波形演算回路１４によって演算され、そ
の結果、図４に示すようなＸ線ピーク波形Ｑが求められ
る。このＸ線ピーク波形Ｑは、必要に応じてＣＲＴ等と
いった表示装置１６に表示される。また、ピーク波形演
算回路１４は、求めたＸ線ピーク波形Ｑの半値幅Ｈ、す
なわちＸ線ピーク波形Ｑの高さＬ２の半分の高さ位置に
おける波形幅を演算し、その情報を比較回路１５へ送
る。
すると、そのＸ線焦点ＰからＸ線が発生する。発生した
Ｘ線はピンホール２によって小径のＸ線ビームに成形さ
れ、Ｘ線ビームアブソーバ３によってその強度が減衰さ
れ、そして受光スリット４を通過した後に比例計数管５
に取り込まれてカウントされる。この状態で比例計数管
５をω揺動させると、計数管５の各角度位置におけるＸ
線強度がピーク波形演算回路１４によって演算され、そ
の結果、図４に示すようなＸ線ピーク波形Ｑが求められ
る。このＸ線ピーク波形Ｑは、必要に応じてＣＲＴ等と
いった表示装置１６に表示される。また、ピーク波形演
算回路１４は、求めたＸ線ピーク波形Ｑの半値幅Ｈ、す
なわちＸ線ピーク波形Ｑの高さＬ２の半分の高さ位置に
おける波形幅を演算し、その情報を比較回路１５へ送
る。
【００１７】比較回路１５は、送られてきた半値幅信号
を基準半値幅信号と比較し、その比較結果をウエネルト
バイアス回路１３へ送り、ウエネルトバイアス回路１３
はその比較結果信号に基づいてウエネルト１０へ印加す
るバイアス電圧を変化させる。このバイアス電圧の変化
により、Ｘ線焦点寸法、特に幅方向の寸法Ｗが常に一定
の大きさに維持される。
を基準半値幅信号と比較し、その比較結果をウエネルト
バイアス回路１３へ送り、ウエネルトバイアス回路１３
はその比較結果信号に基づいてウエネルト１０へ印加す
るバイアス電圧を変化させる。このバイアス電圧の変化
により、Ｘ線焦点寸法、特に幅方向の寸法Ｗが常に一定
の大きさに維持される。
【００１８】図２は、図１に示した実施例の変形例を示
しており、具体的には、Ｘ線検出器として比例計数管
（ＰＣ）のような０（ゼロ）次元カウンタに代えて、１
次元カウンタであるＰＳＰＣ（Position Sensitive Pro
portional Counter ：位置敏感型Ｘ線検出器）１７を用
いた点に違いがある。その他の点は図１の実施例と同じ
であり、同一の構成要素は同一の符号で示してある。周
知の通り、ＰＳＰＣ１７はＸ線取り込み用の細長い開口
１８が設けられた範囲内でＸ線強度を同時に測定でき
る。従って、ＰＳＰＣ１７を用いたこの実施例ではＰＳ
ＰＣ１７をω揺動させる必要がなく、よって短時間に測
定を完了できる。
しており、具体的には、Ｘ線検出器として比例計数管
（ＰＣ）のような０（ゼロ）次元カウンタに代えて、１
次元カウンタであるＰＳＰＣ（Position Sensitive Pro
portional Counter ：位置敏感型Ｘ線検出器）１７を用
いた点に違いがある。その他の点は図１の実施例と同じ
であり、同一の構成要素は同一の符号で示してある。周
知の通り、ＰＳＰＣ１７はＸ線取り込み用の細長い開口
１８が設けられた範囲内でＸ線強度を同時に測定でき
る。従って、ＰＳＰＣ１７を用いたこの実施例ではＰＳ
ＰＣ１７をω揺動させる必要がなく、よって短時間に測
定を完了できる。
【００１９】図５は、さらに他の実施例を示している。
この実施例が図１に示した実施例と異なる点は、Ｘ線焦
点Ｐから放射されるＸ線を標準サンプル１９に照射し、
その標準サンプル１９で回折した回折Ｘ線をＸ線検出
器、すなわち比例計数管５で検出してＸ線ピーク波形、
この場合は回折Ｘ線ピーク波形を求めるようにしたこと
である。なお、標準サンプル１９としては、多結晶サン
プル、単結晶サンプル等任意のサンプルを適用できる。
但し、信頼性の高い測定を行いたい場合には、単結晶サ
ンプルを用いることが望ましい。
この実施例が図１に示した実施例と異なる点は、Ｘ線焦
点Ｐから放射されるＸ線を標準サンプル１９に照射し、
その標準サンプル１９で回折した回折Ｘ線をＸ線検出
器、すなわち比例計数管５で検出してＸ線ピーク波形、
この場合は回折Ｘ線ピーク波形を求めるようにしたこと
である。なお、標準サンプル１９としては、多結晶サン
プル、単結晶サンプル等任意のサンプルを適用できる。
但し、信頼性の高い測定を行いたい場合には、単結晶サ
ンプルを用いることが望ましい。
【００２０】以上、好ましい実施例をあげて本発明を説
明したが、本発明はそれらの実施例に限定されることな
く、請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変可
能である。
明したが、本発明はそれらの実施例に限定されることな
く、請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変可
能である。
【００２１】例えば、Ｘ線検出器としては、比例計数管
（ＰＣ）５以外の他の０（ゼロ）次元カウンタ、ＰＳＰ
Ｃ１７以外の他の１次元カウンタ、あるいは直交する２
方向に沿った適宜の範囲でＸ線強度を同時に測定可能
な、いわゆる２次元カウンタ、例えば２次元ＰＳＰＣ、
２次元ＣＣＤ等を用いることもできる。
（ＰＣ）５以外の他の０（ゼロ）次元カウンタ、ＰＳＰ
Ｃ１７以外の他の１次元カウンタ、あるいは直交する２
方向に沿った適宜の範囲でＸ線強度を同時に測定可能
な、いわゆる２次元カウンタ、例えば２次元ＰＳＰＣ、
２次元ＣＣＤ等を用いることもできる。
【００２２】また、図示した実施例では回転ターゲット
方式のＸ線発生装置を例に挙げたが、固定ターゲット方
式のＸ線発生装置にも本発明を適用できる。さらに、上
記実施例では線状のＸ線を取り出すようにした、いわゆ
るラインフォーカスのＸ線発生装置に本発明を適用した
が、点状のＸ線を取り出すことができる、いわゆるポイ
ントフォーカスのＸ線発生装置にも適用可能である。
方式のＸ線発生装置を例に挙げたが、固定ターゲット方
式のＸ線発生装置にも本発明を適用できる。さらに、上
記実施例では線状のＸ線を取り出すようにした、いわゆ
るラインフォーカスのＸ線発生装置に本発明を適用した
が、点状のＸ線を取り出すことができる、いわゆるポイ
ントフォーカスのＸ線発生装置にも適用可能である。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲットから実際に
発生されるＸ線ビームに基づいてＸ線ピーク波形を求
め、そしてそのＸ線ピーク波形に基づいてウエネルトバ
イアス電圧を調節するようにしたので、ターゲット上に
形成されるＸ線焦点の寸法を正確に一定の大きさに保持
できる。しかも、操作ミスによってターゲットに過負荷
が加わるといった異常事態も起こらないので、ターゲッ
トの損傷事故の発生を確実に防止できる。
発生されるＸ線ビームに基づいてＸ線ピーク波形を求
め、そしてそのＸ線ピーク波形に基づいてウエネルトバ
イアス電圧を調節するようにしたので、ターゲット上に
形成されるＸ線焦点の寸法を正確に一定の大きさに保持
できる。しかも、操作ミスによってターゲットに過負荷
が加わるといった異常事態も起こらないので、ターゲッ
トの損傷事故の発生を確実に防止できる。
【００２４】
【図１】本発明に係るＸ線焦点寸法の調節方法を実施す
るためのＸ線装置の一実施例を示す斜視図である。
るためのＸ線装置の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示した実施例の一部を改変した変形実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図３】ターゲット上に形成されるＸ線焦点の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】Ｘ線ピーク波形の一例を示すグラフである。
【図５】本発明に係るＸ線焦点寸法の調節方法を実施す
るためのＸ線装置の他の実施例を示す斜視図である。
るためのＸ線装置の他の実施例を示す斜視図である。
１ Ｘ線発生装置 ２ ピンホール ３ Ｘ線ビームアブソーバ ４ 受光スリット ５ 比例計数管 ６ スリット ７ ダイレクトモータ ８ ターゲット ９ フィラメント １０ ウエネルト １７ ＰＳＰＣ
Claims (5)
- 【請求項１】 フィラメントから放出された電子をウエ
ネルトとフィラメントとの間に印加されたバイアス電圧
によって方向制御しながらターゲットに衝突させてその
ターゲットからＸ線を発生するＸ線発生装置に関して、
ターゲット上に形成されるＸ線焦点の寸法を調節するＸ
線焦点寸法の調節方法において、 ターゲット上のＸ線焦点から発生するＸ線をＸ線検出器
によって検出してＸ線ピーク波形を求め、さらにそのＸ
線ピーク波形の幅を求め、その求めたピーク波形幅に基
づいて上記バイアス電圧の大きさを変更してターゲット
上に形成されるＸ線焦点の幅方向の寸法を調節すること
を特徴とするＸ線発生装置のＸ線焦点寸法の調節方法。 - 【請求項２】 ピーク波形幅は半値幅であることを特徴
とする請求項１記載のＸ線発生装置のＸ線焦点寸法の調
節方法。 - 【請求項３】 電子を放出するフィラメントと、そのフ
ィラメントに対向して配置されたターゲットと、フィラ
メントのまわりに配置されていてフィラメントから放出
される電子の進行方向を制御するために電場を形成する
ウエネルトとを有するＸ線発生装置に関して、ターゲッ
ト上に形成されるＸ線焦点の寸法を調節するＸ線焦点寸
法の調節装置において、 ウエネルトとフィラメントとの間にバイアス電圧を印加
すると共にそのバイアス電圧の大きさを調節できるウエ
ネルトバイアス電圧回路と、 ターゲット上のＸ線焦点から放射されたＸ線の発散を制
限するＸ線発散制限手段と、 Ｘ線発散制限手段を通過したＸ線を検出するＸ線検出器
と、 Ｘ線発散制限手段とＸ線検出器との間に配置されてい
て、Ｘ線発散制限手段から出たＸ線の強度を低下させて
Ｘ線検出器へ導くＸ線ビームアブソーバとを有してお
り、 Ｘ線検出器によってＸ線ピーク波形を求め、さらにその
Ｘ線ピーク波形の幅を求め、そのピーク波形幅に基づい
てウエネルトバイアス電圧回路に出力されるバイアス電
圧の大きさを調節することを特徴とするＸ線発生装置の
Ｘ線焦点寸法の調節装置。 - 【請求項４】 電子を放出するフィラメントと、そのフ
ィラメントに対向して配置されたターゲットと、フィラ
メントのまわりに配置されていてフィラメントから放出
される電子の進行方向を制御するために電場を形成する
ウエネルトとを有するＸ線発生装置に関して、ターゲッ
ト上に形成されるＸ線焦点の寸法を調節するＸ線焦点寸
法の調節装置において、 ウエネルトとフィラメントとの間にバイアス電圧を印加
すると共にそのバイアス電圧の大きさを調節できるウエ
ネルトバイアス電圧回路と、 ターゲット上のＸ線焦点から放射されたＸ線の発散を制
限するＸ線発散制限手段と、 Ｘ線発散制限手段を通過したＸ線が照射される標準サン
プルと、 標準サンプルで回折したＸ線を検出するＸ線検出器とを
有しており、 Ｘ線検出器によって回折Ｘ線ピーク波形を求め、さらに
そのＸ線ピーク波形の幅を求め、そのピーク波形幅に基
づいてウエネルトバイアス電圧回路に出力されるバイア
ス電圧の大きさを調節することを特徴とするＸ線発生装
置のＸ線焦点寸法の調節装置。 - 【請求項５】 Ｘ線ピーク波形の幅は半値幅であること
を特徴とする請求項３又は請求項４記載のＸ線発生装置
のＸ線焦点寸法の調節装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23731393A JPH0765989A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | Ｘ線発生装置のｘ線焦点寸法の調節方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23731393A JPH0765989A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | Ｘ線発生装置のｘ線焦点寸法の調節方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765989A true JPH0765989A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=17013520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23731393A Pending JPH0765989A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | Ｘ線発生装置のｘ線焦点寸法の調節方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765989A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2900305A1 (fr) * | 2006-04-19 | 2007-10-26 | Gen Electric | Procede de stabilisation de la taille d'un foyer d'un tube a rayons x, et tube a rayons x comportant un tel procede |
| JP2011086462A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Toshiba Corp | Ｘ線管及びｘ線管装置 |
| WO2017006433A1 (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 熱交換器、冷凍サイクル装置および熱交換器の製造方法 |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP23731393A patent/JPH0765989A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2900305A1 (fr) * | 2006-04-19 | 2007-10-26 | Gen Electric | Procede de stabilisation de la taille d'un foyer d'un tube a rayons x, et tube a rayons x comportant un tel procede |
| US7529346B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-05-05 | General Electric Company | Method for stabilizing the size of a focal spot of an X-ray tube, and X-ray tube comprising such a method |
| JP2011086462A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Toshiba Corp | Ｘ線管及びｘ線管装置 |
| WO2017006433A1 (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 熱交換器、冷凍サイクル装置および熱交換器の製造方法 |
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