JPH0766246B2 - Ｅｌ駆動回路 - Google Patents
Ｅｌ駆動回路Info
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- JPH0766246B2 JPH0766246B2 JP1325310A JP32531089A JPH0766246B2 JP H0766246 B2 JPH0766246 B2 JP H0766246B2 JP 1325310 A JP1325310 A JP 1325310A JP 32531089 A JP32531089 A JP 32531089A JP H0766246 B2 JPH0766246 B2 JP H0766246B2
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、マトリックス型EL表示装置や電子式印写装置
の露光系に用いられるEL発光素子アレイ等のEL駆動回路
に関し、特にEL発光素子を駆動する薄膜トランジスタの
の半導体層としてアモルファスシリコン（ａ−Si）を使
用することができるEL駆動回路の回路構成に関するもの
である。
の露光系に用いられるEL発光素子アレイ等のEL駆動回路
に関し、特にEL発光素子を駆動する薄膜トランジスタの
の半導体層としてアモルファスシリコン（ａ−Si）を使
用することができるEL駆動回路の回路構成に関するもの
である。
（従来の技術） マトリックス型EL表示装置やBL発光素子アレイの１ビッ
ト分のEL駆動回路を第６図に示す。このEL駆動回路は、
第１のスイッチング素子Q1と、該スイッチング素子Q1の
ソース端子側に一方の端子を接続する蓄積用コンデンサ
Csと、ゲート端子が前記第１のスイッチング素子Q1のソ
ース端子に接続され、且つソース端子が前記蓄積用コン
デンサCsの他方の端子に接続されている第２のスイッチ
ング素子Q2と、一方の端子が第２のスイッチング素子Q2
のドレイン端子に接続され、且つ他方の端子がEL駆動電
源Vaに接続されているEL発光素子ＣELとから構成されて
いる。前記第１のスイッチング素子Q1はゲート端子に印
加されるスイッチング信号SCANに応じてオンし、この第
１のスイッチング素子Q1のオン・オフにより発光信号DA
TAに応じて蓄積用コンデンサCsを充放電するようになっ
ている。第２のスイッチング素子Q2は、前記蓄積用コン
デンサCsからの放電電圧がゲート端子に印加されること
によりオンし、EL駆動電源VaによりEL発光素子ＣELを発
光させるようになっている。
ト分のEL駆動回路を第６図に示す。このEL駆動回路は、
第１のスイッチング素子Q1と、該スイッチング素子Q1の
ソース端子側に一方の端子を接続する蓄積用コンデンサ
Csと、ゲート端子が前記第１のスイッチング素子Q1のソ
ース端子に接続され、且つソース端子が前記蓄積用コン
デンサCsの他方の端子に接続されている第２のスイッチ
ング素子Q2と、一方の端子が第２のスイッチング素子Q2
のドレイン端子に接続され、且つ他方の端子がEL駆動電
源Vaに接続されているEL発光素子ＣELとから構成されて
いる。前記第１のスイッチング素子Q1はゲート端子に印
加されるスイッチング信号SCANに応じてオンし、この第
１のスイッチング素子Q1のオン・オフにより発光信号DA
TAに応じて蓄積用コンデンサCsを充放電するようになっ
ている。第２のスイッチング素子Q2は、前記蓄積用コン
デンサCsからの放電電圧がゲート端子に印加されること
によりオンし、EL駆動電源VaによりEL発光素子ＣELを発
光させるようになっている。
（発明が解決しようとする課題） 以上のようなEL駆動回路によると、第２のスイッチング
素子Q2がオフのときには、第２のスイッチング素子Q2の
ドレイン，ソース間にEL駆動電源Vaが印加されるので高
耐圧と低電流特性が要求され、その仕様を満足するスイ
ッチング素子の半導体層は例えばカドミウムセレン（Cd
Se），やポリシリコン（polySi）等の限られた材料が使
用されていた。
素子Q2がオフのときには、第２のスイッチング素子Q2の
ドレイン，ソース間にEL駆動電源Vaが印加されるので高
耐圧と低電流特性が要求され、その仕様を満足するスイ
ッチング素子の半導体層は例えばカドミウムセレン（Cd
Se），やポリシリコン（polySi）等の限られた材料が使
用されていた。
しかしながら、カドミウムセレン（CdSe）は経時変化に
対してドレイン電圧−ドレイン電流特性が不安定であ
り、EL発光素子ＣELの輝度を一定に保つことが困難であ
るという問題点があった。また、ポリシリコン（polyS
i）の場合、これを着膜するプロセス温度を高く設定す
る必要があるので、EL発光素子ＣELとスイッチング素子
Q2とを同一基板上に一体化して大面積デバイスとして形
成するのに適さないという問題点があった。
対してドレイン電圧−ドレイン電流特性が不安定であ
り、EL発光素子ＣELの輝度を一定に保つことが困難であ
るという問題点があった。また、ポリシリコン（polyS
i）の場合、これを着膜するプロセス温度を高く設定す
る必要があるので、EL発光素子ＣELとスイッチング素子
Q2とを同一基板上に一体化して大面積デバイスとして形
成するのに適さないという問題点があった。
そこで、上記のようなカドミウムセレン（CdSe）やポリ
シリコン（polySi）の欠点を解消するため、半導体層に
アモルファスシリコン（ａ−Si）を使用した高耐圧素子
が考えられるが、この高耐圧素子を使用した場合、スイ
ッチング素子としての耐圧及びオフ電流については十分
な特性をもつが、ドレイン電圧が負極性のときには第３
図に示すように電流が小さく、EL発光素子ＣELを駆動す
るためにはEL駆動電源Vaを更に大きくしなければなら
ず、第６図のような駆動回路によってEL発光素子ＣELを
駆動することができなかった。
シリコン（polySi）の欠点を解消するため、半導体層に
アモルファスシリコン（ａ−Si）を使用した高耐圧素子
が考えられるが、この高耐圧素子を使用した場合、スイ
ッチング素子としての耐圧及びオフ電流については十分
な特性をもつが、ドレイン電圧が負極性のときには第３
図に示すように電流が小さく、EL発光素子ＣELを駆動す
るためにはEL駆動電源Vaを更に大きくしなければなら
ず、第６図のような駆動回路によってEL発光素子ＣELを
駆動することができなかった。
また、第７図に示すように、第２のスイッチング素子Q2
の耐圧を低く設計可能なように、第２のスイッチング素
子Q2と並列に分割コンデンサCdvを設ける駆動回路も提
案されている。しかしながら、アモルファスシリコンを
半導体層に使用すると、この駆動回路に対しても充分な
耐圧を有するスイッチング素子を得ることができなかっ
た。
の耐圧を低く設計可能なように、第２のスイッチング素
子Q2と並列に分割コンデンサCdvを設ける駆動回路も提
案されている。しかしながら、アモルファスシリコンを
半導体層に使用すると、この駆動回路に対しても充分な
耐圧を有するスイッチング素子を得ることができなかっ
た。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、EL発光素子
を駆動する薄膜トランジスタの半導体層をアモルファス
シリコン（ａ−Si）で形成可能なEL駆動回路を提供する
ことを目的とする。
を駆動する薄膜トランジスタの半導体層をアモルファス
シリコン（ａ−Si）で形成可能なEL駆動回路を提供する
ことを目的とする。
（課題を解決するための手段） 上記従来例の問題点を解消するため請求項１の発明は、
スイッチング信号に応じてオン，オフし、発光信号に応
じて蓄積用コンデンサを充放電する第１のスイッチング
素子と、前記蓄積用コンデンサからの放電電圧に応じて
オンし、EL発光素子の発光，非発光を制御する第２のス
イッチング素子とを具備するEL駆動回路において、前記
EL発光素子は一方の端子を第２のスイッチング素子のド
レイン端子側に、他方の端子をアースにそれぞれ接続す
るとともに、前記EL発光素子の第２のスイッチング素子
側の端子に分割容量を介してEL駆動電源を接続したこと
を特徴としている。
スイッチング信号に応じてオン，オフし、発光信号に応
じて蓄積用コンデンサを充放電する第１のスイッチング
素子と、前記蓄積用コンデンサからの放電電圧に応じて
オンし、EL発光素子の発光，非発光を制御する第２のス
イッチング素子とを具備するEL駆動回路において、前記
EL発光素子は一方の端子を第２のスイッチング素子のド
レイン端子側に、他方の端子をアースにそれぞれ接続す
るとともに、前記EL発光素子の第２のスイッチング素子
側の端子に分割容量を介してEL駆動電源を接続したこと
を特徴としている。
請求項２の発明は、請求項１の発明において、第２のス
イッチング素子の半導体層をアモルファスシリコン（ａ
−Si）で形成したことを特徴としている。
イッチング素子の半導体層をアモルファスシリコン（ａ
−Si）で形成したことを特徴としている。
請求項３の発明は、請求項２の発明において、第２のス
イッチング素子は、ドレイン電極側をオフセット構造と
したことを特徴としている。
イッチング素子は、ドレイン電極側をオフセット構造と
したことを特徴としている。
（作用） 請求項１の発明によれば、第２のスイッチング素子がオ
フのときにEL発光素子にEL駆動電源が印加するように構
成したので、EL発光時にスイッチング素子の特性の影響
を与えることがなく、薄膜トランジスタの半導体層の材
料の選択幅を広げることができる。
フのときにEL発光素子にEL駆動電源が印加するように構
成したので、EL発光時にスイッチング素子の特性の影響
を与えることがなく、薄膜トランジスタの半導体層の材
料の選択幅を広げることができる。
請求項２の発明によれば、アモルファスシリコン（ａ−
Si）を用いることによりドレイン電圧−ドレイン電流特
性の経時変化が少なく且つ製造が容易な大面積デバイス
を得ることができる。
Si）を用いることによりドレイン電圧−ドレイン電流特
性の経時変化が少なく且つ製造が容易な大面積デバイス
を得ることができる。
請求項３の発明によれば、ドレイン電極側をオフセット
構造としたことにより高耐圧のスイッチング素子を得る
ことができる。
構造としたことにより高耐圧のスイッチング素子を得る
ことができる。
（実施例） 本発明の一実施例について第１図を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例に係るEL駆動回路の回路図であ
り、マトリックス型EL表示装置やEL発光素子アレイの１
ビット分のEL駆動回路を示すものである。
り、マトリックス型EL表示装置やEL発光素子アレイの１
ビット分のEL駆動回路を示すものである。
第１のスイッチング素子Q1は、ドレイン側の情報信号線
Ｘに発光信号DATAが供給されるように構成され、ソース
側には一端が接地された蓄積用コンデンサCsが接続され
ている。第１のスイッチング素子Q1のゲートに接続され
たスイッチング信号線Ｙには、スイッチング信号SCANが
印加されるようになっている。また、第１のスイッチン
グ素子Q1のソース側は第２のスイッチング素子Q2のゲー
トに接続されている。第２のスイッチング素子Q2のドレ
イン側には分割コンデンサCdvを介してEL駆動電源Va（V
a＝Vpk sin（ωｔ））が接続されている。また、第２
のスイッチング素子Q2のソース側は接地されるととも
に、第２のスイッチング素子Q2のドレイン，ソース間に
EL発光素子ＣELが接続されている。
Ｘに発光信号DATAが供給されるように構成され、ソース
側には一端が接地された蓄積用コンデンサCsが接続され
ている。第１のスイッチング素子Q1のゲートに接続され
たスイッチング信号線Ｙには、スイッチング信号SCANが
印加されるようになっている。また、第１のスイッチン
グ素子Q1のソース側は第２のスイッチング素子Q2のゲー
トに接続されている。第２のスイッチング素子Q2のドレ
イン側には分割コンデンサCdvを介してEL駆動電源Va（V
a＝Vpk sin（ωｔ））が接続されている。また、第２
のスイッチング素子Q2のソース側は接地されるととも
に、第２のスイッチング素子Q2のドレイン，ソース間に
EL発光素子ＣELが接続されている。
第２のスイッチング素子Q2は、第２図に示すように、基
板１上にクロム（Cr）等の金属からなるゲート電極2,Si
Nxからなる絶縁層3,アモルファスシリコン（ａ−Si）か
らなる半導体層4,上部絶縁層5,ドレイン電極6aおよびソ
ース電極6bを順次積層して構成されている。このスイッ
チング素子Q2は，ドレイン電極5aとゲート電極２とが重
なり合わないように構成し、ドレイン電極側にオフセッ
ト構造とすることにより、高耐圧とすることができる。
オフセット構造のａ−Siスイッチング素子Q2のドレイン
電圧−ドレイン電流特性は、第３図に示すように、オフ
時の耐圧及びオフ電流については充分な特性をもつが、
ドレイン電圧が負極性のときにドレイン電流の電流値が
小さいという性質を有している。
板１上にクロム（Cr）等の金属からなるゲート電極2,Si
Nxからなる絶縁層3,アモルファスシリコン（ａ−Si）か
らなる半導体層4,上部絶縁層5,ドレイン電極6aおよびソ
ース電極6bを順次積層して構成されている。このスイッ
チング素子Q2は，ドレイン電極5aとゲート電極２とが重
なり合わないように構成し、ドレイン電極側にオフセッ
ト構造とすることにより、高耐圧とすることができる。
オフセット構造のａ−Siスイッチング素子Q2のドレイン
電圧−ドレイン電流特性は、第３図に示すように、オフ
時の耐圧及びオフ電流については充分な特性をもつが、
ドレイン電圧が負極性のときにドレイン電流の電流値が
小さいという性質を有している。
次に上述の駆動回路の動作について第４図の駆動波形を
用いて説明する。
用いて説明する。
第４図（ａ）に示すようにフレーム時間F1の時間t1にお
いて、第１のスイッチング素子Q1のゲートに接続された
スイッチング信号線Ｙにパルス幅w1,パルス電圧V1から
なるスイッチング信号SCANが印加されると、第１のスイ
ッチング素子Q1が導通（オン）状態となる。同時に情報
信号線Ｘに第４図（ｂ）に示すようなパルス幅w2,パル
ス電圧V2からなる発光信号DATAが印加されると、パルス
幅w1に対応する時間t1において第１のスイッチング素子
Q1のオン抵抗（Ron）を通して蓄積用コンデンサCsが充
電される。このとき、蓄積用コンデンサCsの両端の電圧
Vcsは、第４図（ｄ）のように、Vcs＝V2（１−exp（−t
/τ１）にしたがって変化する（τ＝Ron・Cs）。
いて、第１のスイッチング素子Q1のゲートに接続された
スイッチング信号線Ｙにパルス幅w1,パルス電圧V1から
なるスイッチング信号SCANが印加されると、第１のスイ
ッチング素子Q1が導通（オン）状態となる。同時に情報
信号線Ｘに第４図（ｂ）に示すようなパルス幅w2,パル
ス電圧V2からなる発光信号DATAが印加されると、パルス
幅w1に対応する時間t1において第１のスイッチング素子
Q1のオン抵抗（Ron）を通して蓄積用コンデンサCsが充
電される。このとき、蓄積用コンデンサCsの両端の電圧
Vcsは、第４図（ｄ）のように、Vcs＝V2（１−exp（−t
/τ１）にしたがって変化する（τ＝Ron・Cs）。
次に時間t1経過後には、情報信号線Ｘの電圧V2は０とな
り、第１のスイッチング素子Q1は遮断（オフ）状態にな
る。このとき、蓄積用コンデンサCsに充電されている電
荷は、第１のスイッチング素子Q1のオフ抵抗（Roff）を
通して放電を開始する。ゲート電圧Vg2は蓄積用コンデ
ンサCsの両端の電圧Vcsに等しく、第４図（ｄ）のよう
に、時間t2において、Vcs＝Vg2＝V2exp（−t/τ２）に
したがって変化する（τ２＝Roff・Cs）。
り、第１のスイッチング素子Q1は遮断（オフ）状態にな
る。このとき、蓄積用コンデンサCsに充電されている電
荷は、第１のスイッチング素子Q1のオフ抵抗（Roff）を
通して放電を開始する。ゲート電圧Vg2は蓄積用コンデ
ンサCsの両端の電圧Vcsに等しく、第４図（ｄ）のよう
に、時間t2において、Vcs＝Vg2＝V2exp（−t/τ２）に
したがって変化する（τ２＝Roff・Cs）。
次のフレーム時間F2において再び第１のスイッチング素
子Q1のゲートにパルス幅w1,パルス電圧V1からなるスイ
ッチング信号SCANが印加されても、発光信号DATAの電圧
が０であれば蓄積用コンデンサCsに蓄積されている電荷
は時間t3期間において放電され（時定数τ１）、蓄積用
コンデンサCsの電圧Vcsは０となる（第４図（ｄ））。
子Q1のゲートにパルス幅w1,パルス電圧V1からなるスイ
ッチング信号SCANが印加されても、発光信号DATAの電圧
が０であれば蓄積用コンデンサCsに蓄積されている電荷
は時間t3期間において放電され（時定数τ１）、蓄積用
コンデンサCsの電圧Vcsは０となる（第４図（ｄ））。
上述した電圧Vcsは、第１図から明らかなように、第２
のスイッチング素子Q2のゲート電圧Vg2に等しい。した
がって、電圧Vcs（Vg2）が高電位になれば、第２のスイ
ッチング素子Q2が導通（オン）状態となり低抵抗となる
ため、EL発光素子ＣELの両端にかかる電圧ＶELが変化す
る。すなわち、第２のスイッチング素子Q2が非導通（オ
フ）状態のときは、EL発光素子ＣELの両端にかかる電圧
ＶELは、EL駆動電源Va（第４図（ｃ））をEL発光素子Ｃ
ELと分割コンデンサCdvとで分割した値（ＶEL＝Va・Cd
v）／（ＣEL＋Cdv）である。また、第２のトランジスタ
Q2が導通（オン）状態のときは低抵抗となるため、EL発
光素子ＣELの両端にかかる電圧ＶELは低下する。すなわ
ち、EL発光素子ＣELの発光しきい値を電圧ＶTELとすれ
ば、発光状態時のEL発光素子ＣELの両端にかかる電圧Ｖ
EL（ＶEL＝（Va・Cdv）／（ＣEL＋Cdv））を、しきい値
電圧ＶTELから所望の発光輝度を得るまでさらに上げた
変調電圧ＶMODを加えた値より大きい値にし、非発光状
態時の電圧ＶELをしきい値電圧ＶTELより小さい値にな
るように設計すればよい。その結果、EL発光素子ＣELの
両端にかかる電圧ＶELは、第４図（ｅ）のように、第２
のスイッチング素子Q2が導通（オン）状態のときに正極
性側の振幅が小さい波形となり、第２のスイッチング素
子Q2が非導通（オフ）状態のときには両極に対称的な波
形となる。したがって、それぞれの波形のpeak−peak値
が、前記した（しきい値電圧ＶTEL）及び（しきい値電
圧ＶTEL＋変調電圧ＶMOD）に対応するようにすれば、第
２のスイッチング素子Q2が導通（オン）状態のときにEL
発光素子ＣELを非発光とし、第２のスイッチング素子Q2
が非導通（オフ）状態のときにEL発光素子ＣELを発光す
るように動作させることができる。
のスイッチング素子Q2のゲート電圧Vg2に等しい。した
がって、電圧Vcs（Vg2）が高電位になれば、第２のスイ
ッチング素子Q2が導通（オン）状態となり低抵抗となる
ため、EL発光素子ＣELの両端にかかる電圧ＶELが変化す
る。すなわち、第２のスイッチング素子Q2が非導通（オ
フ）状態のときは、EL発光素子ＣELの両端にかかる電圧
ＶELは、EL駆動電源Va（第４図（ｃ））をEL発光素子Ｃ
ELと分割コンデンサCdvとで分割した値（ＶEL＝Va・Cd
v）／（ＣEL＋Cdv）である。また、第２のトランジスタ
Q2が導通（オン）状態のときは低抵抗となるため、EL発
光素子ＣELの両端にかかる電圧ＶELは低下する。すなわ
ち、EL発光素子ＣELの発光しきい値を電圧ＶTELとすれ
ば、発光状態時のEL発光素子ＣELの両端にかかる電圧Ｖ
EL（ＶEL＝（Va・Cdv）／（ＣEL＋Cdv））を、しきい値
電圧ＶTELから所望の発光輝度を得るまでさらに上げた
変調電圧ＶMODを加えた値より大きい値にし、非発光状
態時の電圧ＶELをしきい値電圧ＶTELより小さい値にな
るように設計すればよい。その結果、EL発光素子ＣELの
両端にかかる電圧ＶELは、第４図（ｅ）のように、第２
のスイッチング素子Q2が導通（オン）状態のときに正極
性側の振幅が小さい波形となり、第２のスイッチング素
子Q2が非導通（オフ）状態のときには両極に対称的な波
形となる。したがって、それぞれの波形のpeak−peak値
が、前記した（しきい値電圧ＶTEL）及び（しきい値電
圧ＶTEL＋変調電圧ＶMOD）に対応するようにすれば、第
２のスイッチング素子Q2が導通（オン）状態のときにEL
発光素子ＣELを非発光とし、第２のスイッチング素子Q2
が非導通（オフ）状態のときにEL発光素子ＣELを発光す
るように動作させることができる。
第５図は本発明をｍ×ｎ個のビット数を有するマトリッ
クス型EL表示装置に応用したときの駆動回路を示してい
る。すなわち、第１図に示した一画素の駆動回路を上
下，左右に複数個並べ、左右方向に並んだ各駆動回路の
ゲートをスイッチング信号線Ｙに接続し、上下方向に並
んだ各駆動回路の情報信号線Ｘを共通にしたものであ
る。第１図と同一部分については、同一符号を付して詳
細な説明を省略する。
クス型EL表示装置に応用したときの駆動回路を示してい
る。すなわち、第１図に示した一画素の駆動回路を上
下，左右に複数個並べ、左右方向に並んだ各駆動回路の
ゲートをスイッチング信号線Ｙに接続し、上下方向に並
んだ各駆動回路の情報信号線Ｘを共通にしたものであ
る。第１図と同一部分については、同一符号を付して詳
細な説明を省略する。
以上述べた駆動回路によると、次のような効果を奏する
ことができる。
ことができる。
第２のスイッチング素子Q2（TFT）の半導体層としてア
モルファスシリコン（ａ−Si）を使用することができ
る。ａ−Siを使用する場合、スイッチング素子Q2の耐圧
を高めるためにオフセット構造をとらなければならな
い。しかしオフセット構造のTFTは、第３図に示したよ
うにドレイン電圧負極性側の電流が小さくなるという性
質がある。従来例で示した駆動回路のスイッチング素子
Q2にオフセット構造をとるａ−Si TFTを用いると、ス
イッチング素子Q2が導通（オン）状態時のドレイン電圧
が負極性の際の電流が小さいので、しきい値電圧以上の
電圧をEL発光素子ＣELの両端に印加させるためにEL駆動
電源Vaをさらに高くしなければならない。そのため、ス
イッチング素子Q2にもさらに高い耐圧性が要求される。
本実施例の駆動回路によると、第２のスイッチング素子
Q2が非導通（オフ）状態のときにEL発光素子ＣELが発光
するように構成し、スイッチング素子Q2の正極性の導
通，非導通でEL発光素子ＣELの発光を制御を可能とする
ので、EL発光素子ＣELを駆動する第２のスイッチング素
子Q2の半導体層として種々の材料、例えばアモルファス
シリコン（ａ−Si）を使用することができる。
モルファスシリコン（ａ−Si）を使用することができ
る。ａ−Siを使用する場合、スイッチング素子Q2の耐圧
を高めるためにオフセット構造をとらなければならな
い。しかしオフセット構造のTFTは、第３図に示したよ
うにドレイン電圧負極性側の電流が小さくなるという性
質がある。従来例で示した駆動回路のスイッチング素子
Q2にオフセット構造をとるａ−Si TFTを用いると、ス
イッチング素子Q2が導通（オン）状態時のドレイン電圧
が負極性の際の電流が小さいので、しきい値電圧以上の
電圧をEL発光素子ＣELの両端に印加させるためにEL駆動
電源Vaをさらに高くしなければならない。そのため、ス
イッチング素子Q2にもさらに高い耐圧性が要求される。
本実施例の駆動回路によると、第２のスイッチング素子
Q2が非導通（オフ）状態のときにEL発光素子ＣELが発光
するように構成し、スイッチング素子Q2の正極性の導
通，非導通でEL発光素子ＣELの発光を制御を可能とする
ので、EL発光素子ＣELを駆動する第２のスイッチング素
子Q2の半導体層として種々の材料、例えばアモルファス
シリコン（ａ−Si）を使用することができる。
また、第２のスイッチング素子Q2の半導体層として用い
るアモルファスシリコン（ａ−Si）は低温プロセスで形
成可能なので、EL発光素子とスイッチング素子とを一体
形成するマトリックス型EL表示装置やEL発光素子アレイ
の大面積化に適している。
るアモルファスシリコン（ａ−Si）は低温プロセスで形
成可能なので、EL発光素子とスイッチング素子とを一体
形成するマトリックス型EL表示装置やEL発光素子アレイ
の大面積化に適している。
更に、従来例の第７図の駆動回路によると、スイッチン
グ素子Q2がオンからオフになる場合、分割コンデンサCd
vに蓄積された電荷による直流成分を駆動電源Vaに加え
た電圧がスイッチング素子Q2のドレイン−ソース間に印
加される。これに対して本実施例の駆動回路によると、
スイッチング素子Q2のオフ時において直流成分が低減さ
れるので電気化学反応促進要因がなくなり、スイッチン
グ素子Q2の信頼性の向上を図ることができる。
グ素子Q2がオンからオフになる場合、分割コンデンサCd
vに蓄積された電荷による直流成分を駆動電源Vaに加え
た電圧がスイッチング素子Q2のドレイン−ソース間に印
加される。これに対して本実施例の駆動回路によると、
スイッチング素子Q2のオフ時において直流成分が低減さ
れるので電気化学反応促進要因がなくなり、スイッチン
グ素子Q2の信頼性の向上を図ることができる。
（発明の効果） 請求項１の発明によれば、第２のスイッチング素子がオ
フときにEL発光素子にEL駆動電源が印加するように構成
したので、EL発光時にスイッチング素子の特性の影響を
与えることがなく、薄膜トランジスタの半導体層として
各種の材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Si）を
使用することができる。
フときにEL発光素子にEL駆動電源が印加するように構成
したので、EL発光時にスイッチング素子の特性の影響を
与えることがなく、薄膜トランジスタの半導体層として
各種の材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Si）を
使用することができる。
請求項２の発明によれば、アモルファスシリコン（ａ−
Si）を用いることにより経時化が少なく且つ製造が容易
な大面積デバイスを得ることができ、マトリックス型EL
表示装置やEL発光素子アレイの製造に適しているという
効果がある。
Si）を用いることにより経時化が少なく且つ製造が容易
な大面積デバイスを得ることができ、マトリックス型EL
表示装置やEL発光素子アレイの製造に適しているという
効果がある。
請求項３の発明によれば、ドレイン電極側をオフセット
構造としたことにより高耐圧のスイッチング素子を得る
ことができ、高電圧で駆動するEL発光素子のスイッチン
グ素子として用いることができる。
構造としたことにより高耐圧のスイッチング素子を得る
ことができ、高電圧で駆動するEL発光素子のスイッチン
グ素子として用いることができる。
第１図は本発明の一実施例に係るEL駆動回路図、第２図
は本実施例におけるオフセット構造のスイッチング素子
の断面説明図、第３図はオフセット構造のスイッチング
素子のドレイン電圧−ドレイン電流特性図、第４図は本
実施例のEL駆動回路の動作を示すタイミングチャート
図、第５図は本実施例をマトリックス型EL表示装置に応
用した場合の駆動回路図、第６図および第７図は従来の
EL駆動回路図である。 Q1……第１のスイッチング素子 Q2……第２のスイッチング素子 ＣEL……EL発光素子 Cs……蓄積コンデンサ Cdv……分割コンデンサ Va……BL駆動電源 ２……ゲート電極 ４……半導体層（アモルファスシリコン） 6a……ドレイン電極 6b……ソース電極
は本実施例におけるオフセット構造のスイッチング素子
の断面説明図、第３図はオフセット構造のスイッチング
素子のドレイン電圧−ドレイン電流特性図、第４図は本
実施例のEL駆動回路の動作を示すタイミングチャート
図、第５図は本実施例をマトリックス型EL表示装置に応
用した場合の駆動回路図、第６図および第７図は従来の
EL駆動回路図である。 Q1……第１のスイッチング素子 Q2……第２のスイッチング素子 ＣEL……EL発光素子 Cs……蓄積コンデンサ Cdv……分割コンデンサ Va……BL駆動電源 ２……ゲート電極 ４……半導体層（アモルファスシリコン） 6a……ドレイン電極 6b……ソース電極
Claims (3)
- 【請求項１】スイッチング信号に応じてオンし、発光信
号に応じて蓄積用コンデンサを充放電する第１のスイッ
チング素子と、前記蓄積用コンデンサからの放電電圧に
応じてオン，オフし、EL発光素子の発光，非発光を制御
する第２のスイッチング素子とを具備するEL駆動回路に
おいて、 前記EL発光素子は一方の端子を第２のスイッチング素子
のドレイン端子側に、他方の端子をアースにそれぞれ接
続するとともに、前記EL発光素子の第２のスイッチング
素子側の端子に分割容量を介してEL駆動電源を接続した
ことを特徴とするEL駆動回路。 - 【請求項２】第２のスイッチング素子の半導体層をアモ
ルファスシリコン（ａ−Si）で形成する請求項１記載の
EL駆動回路。 - 【請求項３】第２のスイッチング素子は、ドレイン電極
側をオフセット構造とした請求項２記載のEL駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325310A JPH0766246B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Ｅｌ駆動回路 |
| US07/596,493 US5079483A (en) | 1989-12-15 | 1990-10-12 | Electroluminescent device driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325310A JPH0766246B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Ｅｌ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185491A JPH03185491A (ja) | 1991-08-13 |
| JPH0766246B2 true JPH0766246B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=18175392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325310A Expired - Fee Related JPH0766246B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Ｅｌ駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5079483A (ja) |
| JP (1) | JPH0766246B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005254450A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Palo Alto Research Center Inc | 高電圧薄膜トランジスタを使用するｍｅｍｓ装置のための集積化ドライバ電子工学 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302966A (en) | 1992-06-02 | 1994-04-12 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Active matrix electroluminescent display and method of operation |
| JPH08241057A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
| US5952789A (en) * | 1997-04-14 | 1999-09-14 | Sarnoff Corporation | Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor |
| US6229506B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-05-08 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method |
| US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| US6856383B1 (en) | 1997-09-05 | 2005-02-15 | Security First Corp. | Relief object image generator |
| US6091838A (en) * | 1998-06-08 | 2000-07-18 | E.L. Specialists, Inc. | Irradiated images described by electrical contact |
| JP2000310969A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Canon Inc | 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法 |
| JP3259774B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2002-02-25 | 日本電気株式会社 | 画像表示方法および装置 |
| TW535454B (en) * | 1999-10-21 | 2003-06-01 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
| US6307322B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-10-23 | Sarnoff Corporation | Thin-film transistor circuitry with reduced sensitivity to variance in transistor threshold voltage |
| US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| KR20030086166A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| US7633470B2 (en) | 2003-09-29 | 2009-12-15 | Michael Gillis Kane | Driver circuit, as for an OLED display |
| US7310077B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-12-18 | Michael Gillis Kane | Pixel circuit for an active matrix organic light-emitting diode display |
| JP4561096B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | ディスプレイ装置 |
| JP4934964B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2012-05-23 | ソニー株式会社 | 表示装置、画素駆動方法 |
| TWI775226B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-08-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微發光二極體顯示裝置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3708717A (en) * | 1969-05-16 | 1973-01-02 | Energy Conversion Devices Inc | Electroluminescent array and method and apparatus for controlling discrete points on the array |
| US4006383A (en) * | 1975-11-28 | 1977-02-01 | Westinghouse Electric Corporation | Electroluminescent display panel with enlarged active display areas |
| US4087792A (en) * | 1977-03-03 | 1978-05-02 | Westinghouse Electric Corp. | Electro-optic display system |
| US4114070A (en) * | 1977-03-22 | 1978-09-12 | Westinghouse Electric Corp. | Display panel with simplified thin film interconnect system |
| EP0139764B1 (en) * | 1983-03-31 | 1989-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing thin-film integrated devices |
| JPS59208590A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-26 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動回路 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP1325310A patent/JPH0766246B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-12 US US07/596,493 patent/US5079483A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005254450A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Palo Alto Research Center Inc | 高電圧薄膜トランジスタを使用するｍｅｍｓ装置のための集積化ドライバ電子工学 |
| JP2012076221A (ja) * | 2004-03-11 | 2012-04-19 | Palo Alto Research Center Inc | 高電圧薄膜トランジスタを使用するｍｅｍｓ装置のための集積化ドライバ電子工学 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5079483A (en) | 1992-01-07 |
| JPH03185491A (ja) | 1991-08-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |