JPH03185491A - Ｅｌ駆動回路 - Google Patents
Ｅｌ駆動回路Info
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- JPH03185491A JPH03185491A JP1325310A JP32531089A JPH03185491A JP H03185491 A JPH03185491 A JP H03185491A JP 1325310 A JP1325310 A JP 1325310A JP 32531089 A JP32531089 A JP 32531089A JP H03185491 A JPH03185491 A JP H03185491A
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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-
- G—PHYSICS
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- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マトリックス型ＥＬ表示装置や電子式印写装
置の露光系に用いられるＥＬ発光素子アレイ等のＥＬ駆
勤回路に関し、特にＥＬ発光素子を駆動する薄膜トラン
ジスタのの半導体層としてアモルファスシリコン（ａ−
８ｉ）を使用することができるＥＬ駆勤回路の回路構成
に関するものである。
置の露光系に用いられるＥＬ発光素子アレイ等のＥＬ駆
勤回路に関し、特にＥＬ発光素子を駆動する薄膜トラン
ジスタのの半導体層としてアモルファスシリコン（ａ−
８ｉ）を使用することができるＥＬ駆勤回路の回路構成
に関するものである。
（従来の技術）
マトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬ発光素子アレイの１
ビット分のＥＬ駆勤回路を第６図に示す。
ビット分のＥＬ駆勤回路を第６図に示す。
このＥＬ駆勤回路は、第１のスイッチング素子Ｑ、と、
該スイッチング素子Ｑ、のソース端子側に一方の端子を
接続する蓄積用コンデンサＣｓと、ゲート端子が前記第
１のスイッチング素子Ｑ、のソース端子に接続され、且
つソース端子が前記蓄積用コンデンサＣｓの他方の端子
に接続されている第２のスイッチング素子Ｑ、と、一方
の端子がｊ８２のスイッチング素子Ｑ、のドレイン端子
に接続され、且つ他方の端子がＥＬ駆動電源Ｖａに接続
されているＥＬ発光素子ＣＥＬとから構成されている。
該スイッチング素子Ｑ、のソース端子側に一方の端子を
接続する蓄積用コンデンサＣｓと、ゲート端子が前記第
１のスイッチング素子Ｑ、のソース端子に接続され、且
つソース端子が前記蓄積用コンデンサＣｓの他方の端子
に接続されている第２のスイッチング素子Ｑ、と、一方
の端子がｊ８２のスイッチング素子Ｑ、のドレイン端子
に接続され、且つ他方の端子がＥＬ駆動電源Ｖａに接続
されているＥＬ発光素子ＣＥＬとから構成されている。
前記第１のスイッチング素子Ｑ、はゲート端子に印加さ
れるスイッチング信号５ＣＡＮに応じてオンし、この第
１のスイッチング素子Ｑ、のオン・オフにより発光信号
ＤＡＴＡに応じて蓄積用コンデンサＣｓを充放電するよ
うになっている。
れるスイッチング信号５ＣＡＮに応じてオンし、この第
１のスイッチング素子Ｑ、のオン・オフにより発光信号
ＤＡＴＡに応じて蓄積用コンデンサＣｓを充放電するよ
うになっている。
第２のスイッチング素子Ｑ、は、前記蓄積用コンデンサ
Ｃｓからの放電電圧がゲート端子に印加されることによ
りオンし、ＥＬ駆動電源ＶａによりＥＬ発光素子ＣＥＬ
を発光させるようになっている。
Ｃｓからの放電電圧がゲート端子に印加されることによ
りオンし、ＥＬ駆動電源ＶａによりＥＬ発光素子ＣＥＬ
を発光させるようになっている。
（発明が解決しようとする課題）
以上のようなＥＬ駆勤回路によると、第２のスイッチン
グ素子Ｑ、がオフのときには、第２のスイッチング素子
Ｑ、のドレイン、ソース間にＥＬ駆動電源Ｖａが印加さ
れるので高耐圧と低電流特性が要求され、その仕様を満
足するスイッチング素子の半導体層は例えばカドミウム
セレン（ＣｄＳｅ）、やポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ
）等の限られた材料が使用されていた。
グ素子Ｑ、がオフのときには、第２のスイッチング素子
Ｑ、のドレイン、ソース間にＥＬ駆動電源Ｖａが印加さ
れるので高耐圧と低電流特性が要求され、その仕様を満
足するスイッチング素子の半導体層は例えばカドミウム
セレン（ＣｄＳｅ）、やポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ
）等の限られた材料が使用されていた。
しかしながら、カドミウムセレン（ＣｄＳｅ）は経時変
化に対してドレイン電圧−ドレイン電流特性が不安定で
あり、ＥＬ発光素子Ｃａの輝度を一定に保つことが困難
であるという問題点があった。また、ポリシリコン（１
）ＯＩＪＳ ｉ ）の場合、これを着膜するプロセス温
度を高く設定する必要があるので、ＥＬ発光素子ＣＥＬ
とスイッチング素子Ｑ、とを同一基板上に一体化して大
面積デバイスとして形成するのに適さないという問題点
があった。
化に対してドレイン電圧−ドレイン電流特性が不安定で
あり、ＥＬ発光素子Ｃａの輝度を一定に保つことが困難
であるという問題点があった。また、ポリシリコン（１
）ＯＩＪＳ ｉ ）の場合、これを着膜するプロセス温
度を高く設定する必要があるので、ＥＬ発光素子ＣＥＬ
とスイッチング素子Ｑ、とを同一基板上に一体化して大
面積デバイスとして形成するのに適さないという問題点
があった。
そこで、上記のようなカドミウムセレン（ＣｄＳｅ）や
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ ）の欠点を解消するた
め、半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓ ｔ）を
使用した高耐圧素子が考えられるが、この高耐圧素子を
使用した場合、スイッチング素子としての耐圧及びオフ
電流については十分な特性をもつが、ドレイン電圧が負
極性のときには第３図に示すように電流が小さく、ＥＬ
発光素子ＣＥＬを駆動するためにはＥＬ駆動電源Ｖａを
更に大きくしなければならず、第６図のような駆勤回路
によってＥＬ発光素子Ｃａを駆動することができなかっ
た。
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ ）の欠点を解消するた
め、半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓ ｔ）を
使用した高耐圧素子が考えられるが、この高耐圧素子を
使用した場合、スイッチング素子としての耐圧及びオフ
電流については十分な特性をもつが、ドレイン電圧が負
極性のときには第３図に示すように電流が小さく、ＥＬ
発光素子ＣＥＬを駆動するためにはＥＬ駆動電源Ｖａを
更に大きくしなければならず、第６図のような駆勤回路
によってＥＬ発光素子Ｃａを駆動することができなかっ
た。
また、第７図に示すように、第２のスイッチング素子Ｑ
、の耐圧を低く設計可能なように、第２のスイッチング
素子Ｑ、と並列に分割コンデンサＣｄｖを設ける駆勤回
路も提案されている。しかしながら、アモルファスシリ
コンを半導体層に使用すると、この駆勤回路に対しても
充分な耐圧を有するスイッチング素子を得ることができ
なかった。
、の耐圧を低く設計可能なように、第２のスイッチング
素子Ｑ、と並列に分割コンデンサＣｄｖを設ける駆勤回
路も提案されている。しかしながら、アモルファスシリ
コンを半導体層に使用すると、この駆勤回路に対しても
充分な耐圧を有するスイッチング素子を得ることができ
なかった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、ＥＬ発光素
子を駆動する薄膜トランジスタの半導体層をアモルファ
スシリコン（ａ−３ｉ）で形成可能なＥＬ駆勤回路を提
供することを目的とする。
子を駆動する薄膜トランジスタの半導体層をアモルファ
スシリコン（ａ−３ｉ）で形成可能なＥＬ駆勤回路を提
供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため請求項１の発明は、
スイッチング信号に応じてオン、オフし、発光信号に応
じて蓄積用コンデンサを充放電する第１のスイッチング
素子と、前記蓄積用フンデンサからの放電電圧に応じて
オンし、ＥＬ発光素子の発光、非発光を制御する第２の
スイッチング素子とを具備するＥＬ駆勤回路において、
前記ＥＬ発光素子は一方の端子を第２のスイッチング素
子のドレイン端子側に、他方の端子をアースにそれぞれ
接続するとともに、前記ＥＬ発光素子の第２のスイッチ
ング素子側の端子に分割容量を介してＥＬ駆動電源を接
続したことを特徴としている。
スイッチング信号に応じてオン、オフし、発光信号に応
じて蓄積用コンデンサを充放電する第１のスイッチング
素子と、前記蓄積用フンデンサからの放電電圧に応じて
オンし、ＥＬ発光素子の発光、非発光を制御する第２の
スイッチング素子とを具備するＥＬ駆勤回路において、
前記ＥＬ発光素子は一方の端子を第２のスイッチング素
子のドレイン端子側に、他方の端子をアースにそれぞれ
接続するとともに、前記ＥＬ発光素子の第２のスイッチ
ング素子側の端子に分割容量を介してＥＬ駆動電源を接
続したことを特徴としている。
請求項２の発明は、請求項１の発明において、第２のス
イッチング素子の半導体層をアモルファスシリコン（ａ
−３１）で形成したことを特徴としている。
イッチング素子の半導体層をアモルファスシリコン（ａ
−３１）で形成したことを特徴としている。
請求項３の発明は、請求項２の発明において、第２のス
イッチング素子は、ドレイン電極側をオフセット構造と
したことを特徴としている。
イッチング素子は、ドレイン電極側をオフセット構造と
したことを特徴としている。
（作用）
請求項１の発明によれば、第２のスイッチング素子がオ
フのときにＥＬ発光素子にＥＬ駆動電源が印加するよう
に構成したので、ＥＬ発光時にスイッチング素子の特性
の影響を与えることがなく、薄膜トランジスタの半導体
層の材料の選択幅を広げることができる。
フのときにＥＬ発光素子にＥＬ駆動電源が印加するよう
に構成したので、ＥＬ発光時にスイッチング素子の特性
の影響を与えることがなく、薄膜トランジスタの半導体
層の材料の選択幅を広げることができる。
請求項２の発明によれば、アモルファスシリコン（ａ−
８ｉ）を用いることによりドレイン電圧−ドレイン電流
特性の経時変化が少なく且つ製造が容易な大面積デバイ
スを得ることができる。
８ｉ）を用いることによりドレイン電圧−ドレイン電流
特性の経時変化が少なく且つ製造が容易な大面積デバイ
スを得ることができる。
請求項３の発明によれば、ドレイン電極側をオフセット
構造としたことにより高耐圧のスイッチング素子を得る
ことができる。
構造としたことにより高耐圧のスイッチング素子を得る
ことができる。
（実施例）
本発明の一実施例について第１図を参照しながら説明す
る。
る。
ｍ１図は本発明の実施例に係るＥＬ駆勤回路の回路図で
あり、マトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬ発光素子アレ
イの１ビット分のＥＬ駆勤回路を示すものである。
あり、マトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬ発光素子アレ
イの１ビット分のＥＬ駆勤回路を示すものである。
第１のスイッチング素子Ｑ、は、ドレイン側の情報信号
線Ｘに発光信号ＤＡＴＡが供給されるように構成され、
ソース側には一端が接地された蓄積用コンデンサＣｓが
接続されている。第１のスイッチング素子Ｑ、のゲート
に接続されたスイッチング信号線Ｙには、スイッチング
信号ＳＣＡＭが印加されるようになっている。また、第
１のスイッチング素子Ｑ、のソース側は第２のスイッチ
ング素子Ｑ、のゲートに接続されている。第２のスイッ
チング素子Ｑ、のドレイン側には分割コンデンサＣｄｖ
を介してＥＬ駆動電源Ｖａ（Ｖａ−Ｖｐｋ ｓｉｎ （
ω１））が接続されている。また、第２のスイッチング
素子Ｑ、のソース側は接地されるとともに、第２のスイ
ッチング素子Ｑ、のドレイン、ソース間にＥＬ発光素子
Ｃａが接続されている。
線Ｘに発光信号ＤＡＴＡが供給されるように構成され、
ソース側には一端が接地された蓄積用コンデンサＣｓが
接続されている。第１のスイッチング素子Ｑ、のゲート
に接続されたスイッチング信号線Ｙには、スイッチング
信号ＳＣＡＭが印加されるようになっている。また、第
１のスイッチング素子Ｑ、のソース側は第２のスイッチ
ング素子Ｑ、のゲートに接続されている。第２のスイッ
チング素子Ｑ、のドレイン側には分割コンデンサＣｄｖ
を介してＥＬ駆動電源Ｖａ（Ｖａ−Ｖｐｋ ｓｉｎ （
ω１））が接続されている。また、第２のスイッチング
素子Ｑ、のソース側は接地されるとともに、第２のスイ
ッチング素子Ｑ、のドレイン、ソース間にＥＬ発光素子
Ｃａが接続されている。
第２のスイッチング素子Ｑ、は、第２図に示すように、
基板１上にクロム（Ｃ「）等の金属からなるゲート電極
２，５ＬＮｘからなる絶縁層３゜アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層４．上部絶縁層５．ドレ
イン電極６ａおよびソース電極６ｂを順次積層して構成
されている。
基板１上にクロム（Ｃ「）等の金属からなるゲート電極
２，５ＬＮｘからなる絶縁層３゜アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層４．上部絶縁層５．ドレ
イン電極６ａおよびソース電極６ｂを順次積層して構成
されている。
このスイッチング素子Ｑ、は、ドレイン電極５ａとゲー
ト電極２とが重なり合わないように構成し、ドレイン電
極側にオフセット構造とすることにより、高耐圧とする
ことができる。オフセット構造のａ−８Ｌスイッチング
素子Ｑ、のドレイン電圧−ドレイン電流特性は、第３図
に示すように、オフ時の耐圧及びオフ電流については充
分な特性をもつが、ドレイン電圧が負極性のときにドレ
イン電流の電流値が小さいという性質を有している。
ト電極２とが重なり合わないように構成し、ドレイン電
極側にオフセット構造とすることにより、高耐圧とする
ことができる。オフセット構造のａ−８Ｌスイッチング
素子Ｑ、のドレイン電圧−ドレイン電流特性は、第３図
に示すように、オフ時の耐圧及びオフ電流については充
分な特性をもつが、ドレイン電圧が負極性のときにドレ
イン電流の電流値が小さいという性質を有している。
次に上述の駆勤回路の動作について第４図の駆動波形を
用いて説明する。
用いて説明する。
第４図（ａ）に示すようにフレーム時間Ｆ、の時間ｔ、
において、第１のスイッチング素子Ｑ。
において、第１のスイッチング素子Ｑ。
のゲートに接続されたスイッチング信号線Ｙにパルス幅
ｗ２．パルス電圧Ｖ、からなるスイッチング信号５ＣＡ
Ｎが印加されると、第１のスイッチング素子Ｑ、が導通
（オン）状態となる。同時に情報信号線Ｘに第４図（ｂ
）に示すようなパルス幅Ｗ２．パルス電圧Ｖ、からなる
発光信号ＤＡＴＡが印加されると、パルス幅Ｗｌに対応
する時間ｔ、において第１のスイッチング素子Ｑ１のオ
ン抵抗（Ｒｏｎ）を通して蓄積用コンデンサＣｓが充電
される。このとき、蓄積用コンデンサＣｓの両端の電圧
Ｖｅｓは、第４図（ｄ）のように、Ｖｃｓ−Ｖ、 （１
−０Ｘ９（−ｔ ／τ、）にしたがって変化する（τ、
−Ｒｏｎ−Ｃｓ）。
ｗ２．パルス電圧Ｖ、からなるスイッチング信号５ＣＡ
Ｎが印加されると、第１のスイッチング素子Ｑ、が導通
（オン）状態となる。同時に情報信号線Ｘに第４図（ｂ
）に示すようなパルス幅Ｗ２．パルス電圧Ｖ、からなる
発光信号ＤＡＴＡが印加されると、パルス幅Ｗｌに対応
する時間ｔ、において第１のスイッチング素子Ｑ１のオ
ン抵抗（Ｒｏｎ）を通して蓄積用コンデンサＣｓが充電
される。このとき、蓄積用コンデンサＣｓの両端の電圧
Ｖｅｓは、第４図（ｄ）のように、Ｖｃｓ−Ｖ、 （１
−０Ｘ９（−ｔ ／τ、）にしたがって変化する（τ、
−Ｒｏｎ−Ｃｓ）。
次に時間日経過後には、情報信号線Ｘの電圧Ｖ、は０と
なり、第１のスイッチング素子Ｑ、は遮断（オフ）状態
になる。このとき、蓄積用コンデンサＣｓに充電されて
いる電荷は、第１のスイッチング素子Ｑ１のオフ抵抗Ｃ
Ｒｏｒｒ ）を通して放電を開始する。ゲート電圧Ｖｇ
２は蓄積用コンデンサＣｓの両端の電圧Ｖｃｓに等しく
、第４図（ｄ）ノヨうに、時間ｔ、におイテ、Ｙｅｓ−
Ｖａ２−Ｖ。
なり、第１のスイッチング素子Ｑ、は遮断（オフ）状態
になる。このとき、蓄積用コンデンサＣｓに充電されて
いる電荷は、第１のスイッチング素子Ｑ１のオフ抵抗Ｃ
Ｒｏｒｒ ）を通して放電を開始する。ゲート電圧Ｖｇ
２は蓄積用コンデンサＣｓの両端の電圧Ｖｃｓに等しく
、第４図（ｄ）ノヨうに、時間ｔ、におイテ、Ｙｅｓ−
Ｖａ２−Ｖ。
ｅｘｐ（−ｔ ／τ、）にしたがって変化する（τ、−
Ｒｏｒｒ −Ｃｓ）。
Ｒｏｒｒ −Ｃｓ）。
次のフレーム時間Ｆ、において再び第１のスイッチング
素子Ｑ、のゲートにパルス幅ｗ０．パルス電圧ｖｌから
なるスイッチング信号５ＣＡＮが印加されても、発光信
号ＤＡＴＡの電圧がＯであれば蓄積用コンデンサＣｓに
蓄積されている電荷は時間ｔ６期間において放電され（
時定数τ、）、蓄積用コンデンサＣｓの電圧Ｖｃｓは０
となる（第４図（ｄ））。
素子Ｑ、のゲートにパルス幅ｗ０．パルス電圧ｖｌから
なるスイッチング信号５ＣＡＮが印加されても、発光信
号ＤＡＴＡの電圧がＯであれば蓄積用コンデンサＣｓに
蓄積されている電荷は時間ｔ６期間において放電され（
時定数τ、）、蓄積用コンデンサＣｓの電圧Ｖｃｓは０
となる（第４図（ｄ））。
上述した電圧Ｖｃｓは、第１図から明らかなように、第
２のスイッチング素子Ｑ、のゲート電圧Ｖｇ２に等しい
。したがって、電圧Ｖｃｓ （Ｖａ２）が高電位になれ
ば、第２のスイッチング素子Ｑ、が導通（オン）状態と
なり低抵抗となるため、１１発光素子Ｃａの両端にかか
る電圧ＶＥＬが変化する。
２のスイッチング素子Ｑ、のゲート電圧Ｖｇ２に等しい
。したがって、電圧Ｖｃｓ （Ｖａ２）が高電位になれ
ば、第２のスイッチング素子Ｑ、が導通（オン）状態と
なり低抵抗となるため、１１発光素子Ｃａの両端にかか
る電圧ＶＥＬが変化する。
すなわち、第２のスイッチング素子Ｑ２が非導通（オフ
）状態のときは、ＥＬ発光素子ＣＥＬの両端にかかる電
圧ＶＥＬは、ＥＬ駆動電源Ｖａ（第４図（Ｃ））をＥＬ
発光素子ＣＥＬと分割コンデンサＣｄｖとで分割した値
（ＶＥＬ＝ （Ｖａ−Ｃｄｖ） ／ （ＣＨ＋ＣｄＶ）
）である。また、第２のトランジスタＱ、が導通（オン
）状態のときは低抵抗となるため、ＥＬ発光素子ＣＥＬ
の両端にかかる電圧ＶＥＬは低下する。すなわち、ＥＬ
発光素子ＣＥＬの発光しきい値を電圧Ｖ 置とすれば、
発光状態時の１１発光素子Ｃａの両端にかかる電圧ＶＥ
Ｌ（ＶＥＬ−（Ｖ ａ−Ｃｄｖ） ／ （ＣＥＬ ＋
Ｃｄｖ） ）を、しきい値電圧Ｖ 置から所望の発光輝
度を得るまでさらに上げた変調電圧Ｖ ＭＯＤを加えた
値より大きい値にし、非発光状態時の電圧ＶＥＬをしき
い値電圧Ｖ置より小さい値になるように設計すればよい
。その結果、−１１発光素子Ｃａの両端にかかる電圧Ｖ
ａは、第４図（ｅ）のように、第２のスイッチング素子
Ｑ、が導通（オン）状態のときに正極性側の振幅が小さ
い波形となり、第２のスイッチング素子Ｑ、が非導通（
オフ）状態のときには両極に対称的な波形となる。した
がって、それぞれの波形のｐｏａｋ−ｐｏａｋ値が、前
記した（しきい値電圧Ｖ置 ）及び（しきい値電圧Ｖ
置十変調電圧ＶＭＯＤ）に対応するようにすれば、第２
のスイッチング素子Ｑ、が導通（オン）状態のときにＥ
Ｌ発光素子ＣＥＬを非発光とし、第２のスイッチング素
子Ｑ、が非導ａ（オフ）状態のときにＥＬ発光素子ＣＥ
Ｌを発光するように動作させることができる。
）状態のときは、ＥＬ発光素子ＣＥＬの両端にかかる電
圧ＶＥＬは、ＥＬ駆動電源Ｖａ（第４図（Ｃ））をＥＬ
発光素子ＣＥＬと分割コンデンサＣｄｖとで分割した値
（ＶＥＬ＝ （Ｖａ−Ｃｄｖ） ／ （ＣＨ＋ＣｄＶ）
）である。また、第２のトランジスタＱ、が導通（オン
）状態のときは低抵抗となるため、ＥＬ発光素子ＣＥＬ
の両端にかかる電圧ＶＥＬは低下する。すなわち、ＥＬ
発光素子ＣＥＬの発光しきい値を電圧Ｖ 置とすれば、
発光状態時の１１発光素子Ｃａの両端にかかる電圧ＶＥ
Ｌ（ＶＥＬ−（Ｖ ａ−Ｃｄｖ） ／ （ＣＥＬ ＋
Ｃｄｖ） ）を、しきい値電圧Ｖ 置から所望の発光輝
度を得るまでさらに上げた変調電圧Ｖ ＭＯＤを加えた
値より大きい値にし、非発光状態時の電圧ＶＥＬをしき
い値電圧Ｖ置より小さい値になるように設計すればよい
。その結果、−１１発光素子Ｃａの両端にかかる電圧Ｖ
ａは、第４図（ｅ）のように、第２のスイッチング素子
Ｑ、が導通（オン）状態のときに正極性側の振幅が小さ
い波形となり、第２のスイッチング素子Ｑ、が非導通（
オフ）状態のときには両極に対称的な波形となる。した
がって、それぞれの波形のｐｏａｋ−ｐｏａｋ値が、前
記した（しきい値電圧Ｖ置 ）及び（しきい値電圧Ｖ
置十変調電圧ＶＭＯＤ）に対応するようにすれば、第２
のスイッチング素子Ｑ、が導通（オン）状態のときにＥ
Ｌ発光素子ＣＥＬを非発光とし、第２のスイッチング素
子Ｑ、が非導ａ（オフ）状態のときにＥＬ発光素子ＣＥ
Ｌを発光するように動作させることができる。
第５図は本発明をｍｘｎ個のビット数を有するマトリッ
クス型ＥＬ表示装置に応用したときの駆勤回路を示して
いる。すなわち、第１図に示した一画素の駆勤回路を上
下、左右に複数個並べ、左右方向に並んだ各駆勤回路の
ゲートをスイッチング信号線Ｙに接続し、上下方向に並
んだ各駆勤回路の情報信号線Ｘを共通にしたものである
。第１図と同一部分については、同一符号を付して詳細
な説明を省略する。
クス型ＥＬ表示装置に応用したときの駆勤回路を示して
いる。すなわち、第１図に示した一画素の駆勤回路を上
下、左右に複数個並べ、左右方向に並んだ各駆勤回路の
ゲートをスイッチング信号線Ｙに接続し、上下方向に並
んだ各駆勤回路の情報信号線Ｘを共通にしたものである
。第１図と同一部分については、同一符号を付して詳細
な説明を省略する。
以上述べた駆勤回路によると、次のような効果を奏する
ことができる。
ことができる。
第２のスイッチング素子Ｑ２ （ＴＰＴ）の半導体層
としてアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を使用するこ
とができる。ａ−３ｉを使用する場合、スイッチング素
子Ｑ、の耐圧を高めるためにオフセット構造をとらなけ
ればならない。しかしオフセット構造のＴＰＴは、第３
図に示したようにドレイン電圧負極性側の電流が小さく
なるという性質がある。従来例で示した駆勤回路のスイ
ッチング素子Ｑ、にオフセット構造をとるａ−８ｉＴＦ
Ｔを用いると、スイッチング素子Ｑ、が導通（オン）状
態時のドレイン電圧が負極性の際の電流が小さいので、
しきい値電圧以上の電圧をＥＬ発光素子ＣＥＬの両端に
印加させるためにＥＬ駆動電源Ｖａをさらに高くしなけ
ればならない。そのため、スイッチング素子Ｑ、にもさ
らに高い耐圧性が要求される。本実施例の駆勤回路によ
ると、第２のスイッチング素子Ｑ、が非導Ｎ１（オフ）
状態のときにＥＬ発光素子ＣＥＬが発光するように構成
し、スイッチング素子Ｑ、の正極性の導通、非導通で１
１発光素子Ｃａの発光を制御を可能とするので、１１発
光素子Ｃａを駆動する第２のスイッチング素子Ｑ、の半
導体層として種々の材料、例えばアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）を使用することができる。
としてアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を使用するこ
とができる。ａ−３ｉを使用する場合、スイッチング素
子Ｑ、の耐圧を高めるためにオフセット構造をとらなけ
ればならない。しかしオフセット構造のＴＰＴは、第３
図に示したようにドレイン電圧負極性側の電流が小さく
なるという性質がある。従来例で示した駆勤回路のスイ
ッチング素子Ｑ、にオフセット構造をとるａ−８ｉＴＦ
Ｔを用いると、スイッチング素子Ｑ、が導通（オン）状
態時のドレイン電圧が負極性の際の電流が小さいので、
しきい値電圧以上の電圧をＥＬ発光素子ＣＥＬの両端に
印加させるためにＥＬ駆動電源Ｖａをさらに高くしなけ
ればならない。そのため、スイッチング素子Ｑ、にもさ
らに高い耐圧性が要求される。本実施例の駆勤回路によ
ると、第２のスイッチング素子Ｑ、が非導Ｎ１（オフ）
状態のときにＥＬ発光素子ＣＥＬが発光するように構成
し、スイッチング素子Ｑ、の正極性の導通、非導通で１
１発光素子Ｃａの発光を制御を可能とするので、１１発
光素子Ｃａを駆動する第２のスイッチング素子Ｑ、の半
導体層として種々の材料、例えばアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）を使用することができる。
また、第２のスイッチング素子Ｑ、の半導体層として用
いるアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）は・低温プロセ
スで形成可能なので、ＥＬｉ光素子とスイッチング素子
とを一体形成するマトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬ発
光素子アレイの大面積化に適している。
いるアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）は・低温プロセ
スで形成可能なので、ＥＬｉ光素子とスイッチング素子
とを一体形成するマトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬ発
光素子アレイの大面積化に適している。
更に、従来例の第７図の駆勤回路によると、スイッチン
グ素子Ｑ、がオンからオフになる場合、分割コンデンサ
Ｃｄｖに蓄積された電荷による直流成分を駆動電源Ｖａ
に加えた電圧がスイッチング素子Ｑ、のドレイン−ソー
ス間に印加される。これに対して本実施例の駆勤回路に
よると、スイッチング素子Ｑ、のオフ時において直流成
分が低減されるので電気化学反応促進要因がなくなり、
スイッチング素子Ｑ、の信頼性の向上を図ることができ
る。
グ素子Ｑ、がオンからオフになる場合、分割コンデンサ
Ｃｄｖに蓄積された電荷による直流成分を駆動電源Ｖａ
に加えた電圧がスイッチング素子Ｑ、のドレイン−ソー
ス間に印加される。これに対して本実施例の駆勤回路に
よると、スイッチング素子Ｑ、のオフ時において直流成
分が低減されるので電気化学反応促進要因がなくなり、
スイッチング素子Ｑ、の信頼性の向上を図ることができ
る。
（発明の効果）
請求項１の発明によれば、第２のスイッチング素子がオ
フときに１１発光素子にＥＬ駆動電源が印加するように
構成したので、ＥＬ発光時にスイッチング素子の特性の
影響を与えることがなく、薄膜トランジスタの半導体層
として各種の材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−
３ｉ）を使用することができる。
フときに１１発光素子にＥＬ駆動電源が印加するように
構成したので、ＥＬ発光時にスイッチング素子の特性の
影響を与えることがなく、薄膜トランジスタの半導体層
として各種の材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−
３ｉ）を使用することができる。
請求項２の発明によれば、アモルファスシリコン（ａ−
３ｔ）を用いることにより経時変化が少なく且つ製造が
容易な大面積デバイスを得ることができ、マトリックス
型ＥＬ表示装置やＥＬ発光素子アレイの製造に適してい
るという効果がある。
３ｔ）を用いることにより経時変化が少なく且つ製造が
容易な大面積デバイスを得ることができ、マトリックス
型ＥＬ表示装置やＥＬ発光素子アレイの製造に適してい
るという効果がある。
請求項３の発明によれば、ドレイン電極側をオフセット
構造としたことにより高耐圧のスイッチング素子を得る
ことができ、高電圧で駆動する１１発光素子のスイッチ
ング素子として用いることができる。
構造としたことにより高耐圧のスイッチング素子を得る
ことができ、高電圧で駆動する１１発光素子のスイッチ
ング素子として用いることができる。
第１図は本発明の一実施例に係るＥＬ駆勤回路図、第２
図は本実施例におけるオフセット構造のスイッチング素
子の断面説明図、第３図はオフセット構造のスイッチン
グ素子のドレイン電圧−ドレイン電流特性図、第４図は
本実施例のＥＬ駆勤回路の動作を示すタイミングチャー
ト図、第５図は本実施例をマトリックス型ＥＬ表示装置
に応用した場合の駆勤回路図、第６図および′！８７図
は従来のＥＬ駆勤回路図である。 Ｑ、・・・・・・第１のスイッチング素子Ｑ、・・・・
・・第２のスイッチング素子Ｃａ・・・・・・１１発光
素子 Ｃｓ・・・・・・蓄積コンデンサ Ｃｄｖ・・・・・・分割コンデンサ Ｖａ・・・・・・ＥＬ駆動電源 ２・・・・・・ゲート電極 ４・・・・・・半導体層（アモルファスシリコン）６ａ
・・・・・・ドレイン電極 ６ｂ・・・・・・ソース電極 出 願 人 富士ゼロックス株式会社第 図 第 図 第 ３ 図 第 図 ！１１発九Ｘ８間
号ヒた其月問第 図 第 図 第 図
図は本実施例におけるオフセット構造のスイッチング素
子の断面説明図、第３図はオフセット構造のスイッチン
グ素子のドレイン電圧−ドレイン電流特性図、第４図は
本実施例のＥＬ駆勤回路の動作を示すタイミングチャー
ト図、第５図は本実施例をマトリックス型ＥＬ表示装置
に応用した場合の駆勤回路図、第６図および′！８７図
は従来のＥＬ駆勤回路図である。 Ｑ、・・・・・・第１のスイッチング素子Ｑ、・・・・
・・第２のスイッチング素子Ｃａ・・・・・・１１発光
素子 Ｃｓ・・・・・・蓄積コンデンサ Ｃｄｖ・・・・・・分割コンデンサ Ｖａ・・・・・・ＥＬ駆動電源 ２・・・・・・ゲート電極 ４・・・・・・半導体層（アモルファスシリコン）６ａ
・・・・・・ドレイン電極 ６ｂ・・・・・・ソース電極 出 願 人 富士ゼロックス株式会社第 図 第 図 第 ３ 図 第 図 ！１１発九Ｘ８間
号ヒた其月問第 図 第 図 第 図
Claims (3)
- （１）スイツチング信号に応じてオンし、発光信号に応
じて蓄積用コンデンサを充放電する第１のスイツチング
素子と、前記蓄積用コンデンサからの放電電圧に応じて
オン，オフし、ＥＬ発光素子の発光，非発光を制御する
第２のスイツチング素子とを具備するＥＬ駆動回路にお
いて、 前記ＥＬ発光素子は一方の端子を第２のスイツチング素
子のドレイン端子側に、他方の端子をアースにそれぞれ
接続するとともに、前記ＥＬ発光素子の第２のスイツチ
ング素子側の端子に分割容量を介してＥＬ駆動電源を接
続したことを特徴とするＥＬ駆動回路。 - （２）第２のスイツチング素子の半導体層をアモルフア
スシリコン（ａ−Ｓｉ）で形成する請求項１記載のＥＬ
駆勤回路。 - （３）第２のスイツチング素子は、ドレイン電極側をオ
フセツト構造とした請求項２記載のＥＬ駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325310A JPH0766246B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Ｅｌ駆動回路 |
| US07/596,493 US5079483A (en) | 1989-12-15 | 1990-10-12 | Electroluminescent device driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325310A JPH0766246B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Ｅｌ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185491A true JPH03185491A (ja) | 1991-08-13 |
| JPH0766246B2 JPH0766246B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=18175392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325310A Expired - Fee Related JPH0766246B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Ｅｌ駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5079483A (ja) |
| JP (1) | JPH0766246B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001222255A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2005189673A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302966A (en) * | 1992-06-02 | 1994-04-12 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Active matrix electroluminescent display and method of operation |
| JPH08241057A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
| US5952789A (en) * | 1997-04-14 | 1999-09-14 | Sarnoff Corporation | Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor |
| US6229506B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-05-08 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method |
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| US6856383B1 (en) | 1997-09-05 | 2005-02-15 | Security First Corp. | Relief object image generator |
| US6091838A (en) * | 1998-06-08 | 2000-07-18 | E.L. Specialists, Inc. | Irradiated images described by electrical contact |
| JP2000310969A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Canon Inc | 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法 |
| JP3259774B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2002-02-25 | 日本電気株式会社 | 画像表示方法および装置 |
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| KR20030086166A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
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| US7633470B2 (en) | 2003-09-29 | 2009-12-15 | Michael Gillis Kane | Driver circuit, as for an OLED display |
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| TWI775226B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-08-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微發光二極體顯示裝置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4602192A (en) * | 1983-03-31 | 1986-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film integrated device |
| JPS59208590A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-26 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動回路 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP1325310A patent/JPH0766246B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-12 US US07/596,493 patent/US5079483A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766246B2 (ja) | 1995-07-19 |
| US5079483A (en) | 1992-01-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |