JPH0766265A - 製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】被処理物に施す一連の処理の工完を短縮するこ
とが可能で、被処理物の良品率を向上させることが可能
な製造装置を提供する。 【構成】半導体ウエハに継続的に処理を施す複数の処理
部門間が半導体ウエハを一つずつ搬送可能な枚葉搬送機
構で結ばれ、処理部門群には半導体ウエハを製造装置に
ロードまたはアンロードするための処理部門が具備され
る。処理部門から複数の半導体ウエハを製造装置に導入
し、一枚ずつ処理し、処理部門群での処理を終えた半導
体ウエハをロードまたはアンロードするための機構から
取りだす。一枚の半導体ウエハの処理が終了したら次の
処理部門に、順次、枚葉搬送して次に続く処理を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は被処理物にそれぞれ異な
る多くの処理を施して製品群を製造するために用いる製
造装置、特に、半導体工業における半導体ウエハの処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置，ＩＣ（集積回路），ＬＳＩ
（大規模集積回路）等の組立に用いる回路素子は一般に
少なくとも一つの半導体小片（ペレット）で形成されて
いる。このペレットは半導体ウエハに縦横に整列配置形
成された回路素子領域をその境界で切断することによっ
て得られるのが一般的である。

【０００３】半導体ウエハに回路素子領域を作るには極
めて多くの処理を必要とする。半導体ウエハに各種処理
を施すのに用いる処理部門は多種にわたり、しかも同一
の半導体ウエハに対して二度以上施される処理もある。
また、半導体ウエハに施される各種処理の回数，順序は
製造される製品の種類によって少なくとも一部が異なる
のが一般的である。

【０００４】このような処理を多数の半導体ウエハに施
すのに効率のよい形態として従来採用されていたのは、
半導体ウエハに共通的な処理を施す処理部門群をまとめ
て配置するジョブ・ショップ型(Job-Shop-Type）の製造
装置である。この配置を採用して各処理部門群で一度に
多数多品種の半導体ウエハを処理する。しかし、常に高
い清浄度に保つ必要がある半導体ウエハを処理する処理
部門を配した清浄空間中を多数の作業員が動き回るた
め、被服や床に付着した塵埃や汚染物質が清浄空間中を
飛散して、半導体ウエハに付着，吸着して、良品率が低
下する問題があった。

【０００５】半導体ウエハ処理の自動化はこのような問
題を解決するために有効である。自動化を進めて、特開
昭64−6540号公報に記載されているように、半導体ウエ
ハ処理を無人化装置内で行うことにより半導体ウエハへ
の塵埃や汚染物質の付着，吸着を防止し、半導体ウエハ
に施す一連の処理を有機的に制御して多数多品種の半導
体ウエハの製品管理を行うことで、製品の工完短縮，良
品率向上，作業人員低減を図ることも既に一部で行われ
ている。しかしここまで自動化を進めても工完短縮の効
果や良品率向上の効果は十分な水準に達していなかっ
た。その最も大きな原因は、従来の技術では一般に複数
の処理部門間の搬送はロットと呼ばれる複数の半導体ウ
エハを単位としてバッチ搬送されるためである。

【０００６】半導体ウエハは生産性を向上させるため次
第に大口径化されつつある。このような半導体ウエハに
対してより高精度な処理を施す必要から各処理部門は従
来のバッチ処理から枚葉処理に移行しつつあり、処理部
門内の搬送も枚葉搬送として複数の処理室を一体化した
クラスタツールが一般化しつつある。

【０００７】しかし、たとえ処理部門がクラスタツール
等の枚葉処理部門であってもバッチ単位で処理される限
り一つの処理に１ロットの半導体ウエハ枚数分の処理時
間を要し、次に続く処理までの待ち時間が長くなる。こ
のため、いかにコンピュータ化による製品管理，工程管
理を高度化しても原理的に工完の短縮には限界があっ
た。さらに、ある特定の継続する二つの処理の間の待ち
時間はロット毎に大きく異なり、したがって半導体ウエ
ハ毎にも大きく異なっていて、しかもその時間が長いこ
とも問題であった。これが高精度な制御を必要とする半
導体ウエハの処理に影響を与えたり、半導体ウエハへの
塵埃や汚染物質の付着，吸着をもたらして良品率低下の
原因になるからである。

【０００８】バッチ搬送に伴うこの問題を解決するため
に処理部門間の搬送を枚葉搬送とする試みも一部ではな
されている。枚葉搬送を基本とする従来の製造装置につ
いては、例えば、特開平4−130618号，特開平4−199709
号公報に詳述されている。これらの装置の第一の問題点
は種々の製造工程に対応できない点である。枚葉搬送路
で結合されたがために製造方法に自由度がなくなると、
製造方法が異なる多品種を同一装置で製造することが非
常に困難となる。第二の問題点は、枚葉搬送路が複雑な
ことである。搬送路が複雑化すると、製造装置が高価と
なるのに加えて、故障の頻度が大きくなり、製造装置の
生産性が著しく低下する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来の問題を解決し、工完を短縮し良品率を向上するこ
とが可能な製造装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の製造装置では、半導体ウエハに継続的に処
理を施す複数の処理部門間が半導体ウエハを一つずつ搬
送可能な枚葉搬送機構で結ばれて少なくとも一つの処理
部門群を構成していて、個々の処理部門が枚葉搬送機構
から必要に応じて選択的に非処理物を受け取って処理部
門にロードしたり、アンロードして枚葉搬送機構に受け
渡す機構を有する。さらに望ましくは、処理部門群外か
ら被処理物を処理部門群にロードしたり、処理部門群か
ら処理部門群外にアンロードする処理を行う処理部門が
処理部門群に少なくとも一つ具備されていることであ
る。

【００１１】

【作用】個々の処理部門が枚葉搬送機構から必要に応じ
て選択的に被処理物を受け取って処理部門にロードした
り、処理部門からアンロードして枚葉搬送機構に受け渡
す機構を有することは、枚葉搬送路の単純化に有効であ
る。処理部門群外から被処理物を処理部門群にロードし
たり、処理部門群から処理部門群外にアンロードする処
理を行う処理部門が処理部門群に少なく一つ具備されて
いることも搬送機構の単純化につながる。すなわち、処
理部門群に被処理物をロードしたり、処理部門群からア
ンロードする機能はそのための処理部門が有し、処理部
門に被処理物をロードしたり、処理部門からアンロード
する機能は処理部門が有するようにすれば、枚葉搬送機
構は搬送のみの機能とできるからである。また、枚葉搬
送路上の物理的にロード可能な位置にある特定の被処理
物を受け取るか否かは処理部門のロード，アンロード機
能を働かせるか否かで選択可能であるから、一つの製造
装置で様々な製造方法によって多品種を製造可能とな
る。

【００１２】半導体ウエハに継続的に処理を施す複数の
処理部門間が半導体ウエハを一つずつ搬送可能な枚葉搬
送機構で結ばれて少なくとも一つの処理部門群を構成し
ていることは、従来バッチ単位で処理されていて一つの
処理に１ロットの半導体ウエハの枚数分の処理時間を要
したのとは異なり、一枚の半導体ウエハの処理が終了し
たら次の処理部門に順次枚葉搬送して次に続く処理を施
すことを可能とする。これによりある特定の継続する二
つの処理の間の待ち時間が半導体ウエハ間で概ね統一さ
れ、しかもその時間は短くなるので、工完を短縮し良品
率を向上させることが可能となる。

【００１３】最も望ましいのは半導体ウエハに継続的に
処理を施す全ての処理部門が枚葉搬送機構で結ばれてい
て一つの処理部門群となっている製造装置であるが、複
数の処理部門群からなる製造装置でも工完短縮と良品率
向上の効果はある。

【００１４】また、本発明の製造装置では、処理部門間
の搬送が自動化され、半導体ウエハは窒素中もしくは真
空中等の局所清浄空間を搬送されるので、半導体ウエハ
への塵埃の付着や汚染物質の吸着を防止するために、従
来のような大きくて超高清浄度の清浄空間を必要としな
い作用もある。

【００１５】

【実施例】（実施例１）図１を用いて説明する。本実施
例は本発明をシリコンの論理ＬＳＩを製造するための製
造装置に適用した実施例である。製造する論理ＬＳＩは
二層金属配線を有する相補型ＭＯＳ ＬＳＩである。

【００１６】図１は本実施例の製造装置を示す斜視図で
ある。レジスト塗布処理，レジストベーク処理，水銀の
ｉ線ランプ光源による露光処理，レジスト現像処理等を
含む一連のリソグラフィー工程に関する処理を行う複数
の処理部門１０１の周囲に、ウエハを枚葉搬送する機構
を具備するリング状搬送路１０２が備えられている。リ
ソグラフィー工程に関する処理を行う複数の処理部門１
０１は微細パターン用とラフパターン用の二系統の一連
の処理を別々の半導体ウエハに並行して施せるようにな
っていて、継続する二つの処理を施す処理部門の間はウ
エハを大気圧以上の圧力の清浄な窒素中を枚葉搬送する
機構で結ばれている。リング状搬送路１０２の内部の一
部には大気圧以上の圧力の清浄な窒素が満たされてい
て、他の一部は真空である。リソグラフィー工程に関す
る処理を行う複数の処理部門101とリング状搬送路１０
２との間は直線状搬送路１０３ａ，１０３ｂによって結
合されている。直線状搬送路１０３ａ，１０３ｂはとも
にウエハを窒素中枚葉搬送する機構を備えている。リソ
グラフィー工程に関する処理を行う複数の処理部門１０
１は、直線搬送路１０３ａ，１０３ｂの定められた位置
にあるウエハを処理部門１０１にロードしたり、逆に処
理部門１０１から直線搬送路１０３ａ,103ｂの定められ
た位置にウエハをアンロードする機構を有する。

【００１７】リング状搬送路１０２には種々の処理部門
１０４〜１０７，１０９〜１１２，１１４〜１１９が結
合されている。各処理部門はリング状搬送路１０２のそ
れぞれの処理部門毎に定められた位置にあるウエハを各
処理部門にロードしたり、逆に各処理部門からリング状
搬送路１０２の定められた位置にウエハをアンロードす
る機構を有する。

【００１８】リング状搬送路１０２と直線状搬送路１０
３ａ，１０３ｂと各処理部門の有するロード，アンロー
ド機構によりウエハは任意の２処理部門間を移動可能で
ある。従って、全ての処理部門における種々の条件での
処理のうちから選択された処理を必要に応じて任意の順
番に組み合わせて製造することができるので、種々の製
造方法による多品種の製造が可能である。

【００１９】ドライエッチング処理部門１０４は、アル
ミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金，タン
グステンまたはチタンタングステン等のタングステンを
主成分とする合金，窒化チタン、もしくはチタンシリサ
イド，タングステンシリサイド等の金属シリサイド，銅
または銅を主成分とする合金等の、回路素子の電極配線
層に用いられる種々の金属または金属化合物のドライエ
ッチング処理をウエハに施すことが可能な処理部門であ
る。

【００２０】ドライエッチング処理部門１０５は、シリ
コンまたは必要に応じてボロン，リン，砒素等の不純物
を導入されたシリコン，二酸化シリコンまたは必要に応
じてボロン，リン，砒素，ゲルマニウム等の不純物を導
入された二酸化シリコン，窒化シリコン等の回路素子の
電極配線層，ＭＯＳトランジスタやキャパシタの絶縁膜
層，素子分離領域または層間絶縁膜層等に用いられる種
々のシリコンまたはシリコン化合物のドライエッチング
処理をウエハに施すことが可能な処理部門である。

【００２１】成膜処理部門１０６は、シリコンまたは必
要に応じてボロン，リン，砒素等の不純物を導入された
シリコン，二酸化シリコンまたは必要に応じてボロン，
リン，砒素，ゲルマニウム等の不純物を導入された二酸
化シリコン，窒化シリコン等の回路素子の電極配線層，
ＭＯＳトランジスタやキャパシタの絶縁膜層，素子分離
領域または層間絶縁膜層等に用いられる種々のシリコン
またはシリコン化合物の成膜処理をウエハに施すことが
可能な処理部門である。処理部門１０６でウエハに施さ
れる成膜処理はＣＶＤ法によるものでシリコンを含む原
料ガスはシラン，ジシラン，ジクロロシラン等の無機化
合物が用いられる。

【００２２】成膜処理部門１０７は、二酸化シリコンま
たは必要に応じてボロン，リン，砒素，ゲルマニウム等
の不純物を導入された二酸化シリコン，窒化シリコン等
の、回路素子の層間絶縁膜層またはパッシベーションの
ための保護膜層等に用いられるシリコン化合物の成膜処
理をウエハに施すことが可能な処理部門である。処理部
門１０７でウエハに施される成膜処理はプラズマＣＶＤ
法によるものでシリコンを含む原料ガスはシラン，ジシ
ラン，ジクロロシラン等の無機化合物とTEOS等の有機化
合物が用いられる。四つの処理部門１０４ないし１０７
の処理室の排気は排気系１０８によって行われる。

【００２３】成膜処理部門１１１は、アルミニウムまた
はアルミニウムを主成分とする合金，タングステンまた
はチタンタングステン等のタングステンを主成分とする
合金，窒化チタン，チタンシリサイド，タングステンシ
リサイド等の金属シリサイド，銅または銅を主成分とす
る合金等の回路素子の電極配線層に用いられる種々の金
属または金属化合物の成膜処理をウエハに施すことが可
能な処理部門である。処理部門１１１でウエハに施され
る成膜処理はスパッタ法によるものである。

【００２４】成膜処理部門１１２は、アルミニウム，タ
ングステン，銅等の回路素子の電極配線層に用いられる
種々の金属の成膜処理をウエハに施すことが可能な処理
部門である。処理部門１１２でウエハに施される成膜処
理はＣＶＤ法によるものである。

【００２５】洗浄処理，ウェットエッチング処理をウエ
ハに施す処理部門１０９，酸化のための熱処理をウエハ
に施す処理部門１１０，成膜処理部門１１１，１１２は
制御系１１３によって制御されている。制御系１１３は
各処理部門１０９，１１０，１１１，１１２の各処理
室，ガス供給系，排気系，給電系等の状態を検知する機
構を有し、各処理の制御または各処理部門の制御に検知
結果をフィードバックする機構を具備している。

【００２６】イオン打込みによる不純物導入処理をウエ
ハに施す処理部門１１４，洗浄処理，ウェットエッチン
グ処理をウエハに施す処理部門１１５，レジスト除去処
理をウエハに施す処理部門１１６がそれぞれリング状搬
送路１０２に結合されている。処理部門１１６における
枚葉アッシャによるレジスト除去処理と処理部門115に
おける洗浄により一連のレジスト除去工程に関する全て
の処理が可能である。

【００２７】熱処理をウエハに施す処理部門１１７は窒
素，水素，酸素，アルゴン等の雰囲気中でのＲＴＡ(Rap
id Thermal Annealing）処理をウエハに施すことが可能
な処理部門である。ウエハのロード・アンロード処理部
門１１８は製造装置外から本製造装置へのウエハのロー
ド，本製造装置から製造装置外へのアンロードを行う処
理部門である。本実施例の製造装置のロード・アンロー
ド処理部門１１８は複数のウエハを一度に設置すると一
枚ずつ製造装置にロードする機能を有し、逆に製造装置
から一枚ずつアンロードして複数のウエハを一度に外部
に取り出させる機能も有する。

【００２８】成膜処理部門１１９は層間絶縁膜平坦化の
ための塗布膜を形成する処理をウエハに施す処理部門で
ある。処理部門１１９は塗布のみならず必要に応じて塗
布膜にベークを施す処理を行うことが可能な機構を具備
している。図１に示した本実施例の製造装置の処理部門
は全て枚葉処理部門である。継続する全ての枚葉処理部
門の間は枚葉搬送機構で結ばれていて、製造装置全体が
一つの処理部門群となっている。

【００２９】次に本発明の製造装置による一連のウエハ
処理について説明する。始めにウエハはロード・アンロ
ード処理部門１１８から製造装置に入る。ロード・アン
ロード処理部門１１８に一度に２５枚のウエハをまとめ
て設置すると一枚ずつ適当な間隔をおいて製造装置にロ
ードされる。この間隔は本実施例では平均２４分であ
る。本実施例の製造装置のロード・アンロード処理部門
１１８では複数のウエハは大気圧以上の圧力の清浄な窒
素を満たされた空間に一旦収納され、一枚ずつ取り出さ
れたウエハは同じく清浄な窒素を満たされたリング状搬
送路１０２を介して処理部門１０９に搬送されウエット
洗浄を施される。さらに隣接する処理部門１１０で酸化
処理を施される。

【００３０】次に再びリング状搬送路１０２を経由して
搬送されたウエハは成膜処理部門１０６でＣＶＤ法によ
って窒化シリコン膜が形成される。続いてリング状搬送
路１０２，直線状搬送路１０３ｂを経てリソグラフィー
工程に関する処理を行う複数の処理部門１０１に入った
ウエハはレジスト塗布処理，レジストベーク処理，水銀
のｉ線ランプ光源による露光処理、レジスト現像処理等
を含む一連のリソグラフィー工程に関する処理を施され
る。この後、ウエハは直線状搬送路１０３ａ，リング状
搬送路１０２を経由してドライエッチング処理部門１０
６に搬送され、そこでシリコン窒化膜の一部がレジスト
をマスクとするドライエッチングによって選択的に除去
される。次にウエハはリング状搬送路１０２を通って処
理部門１１４に搬送され、イオン打込み処理を施され、
その後、処理部門１１６でレジストが除去される。レジ
スト除去以降のウエハ処理も上記の一連の処理と同様に
順次施される。

【００３１】図１の製造装置の各処理部門群での全ての
処理を終えたウエハは再びロード・アンロード処理部門
１１８に搬送され大気圧以上の圧力の清浄な窒素を満た
された空間に一旦収納される。本実施例では収納された
ウエハが２５枚溜った時点で製造装置からまとめて取り
だしている。

【００３２】本実施例の製造装置ではロード・アンロー
ド処理部門１１８は製造装置にウエハをロードする機能
と製造装置からウエハをアンロードする機能を併せて有
しているが、個別の機能を有する処理部門を製造装置に
具備させても同等の機能を果たせる。またウエハを製造
装置にロードまたはアンロードするための処理部門は各
処理部門群に少なくとも一つは必要であるが、二つ以上
備えてもよい。

【００３３】本実施例の製造装置による二層金属配線を
有する相補型ＭＯＳ ＬＳＩの製造では、２５枚のウエ
ハの処理時間は１０.１時間となった。従来のバッチ搬
送のラインの場合の１３５時間と比べて１／１０以下に
工完が短縮された。

【００３４】多数のウエハを処理する場合には、本実施
例の製造装置では処理部門の共用化が図られているため
多少の処理時間低下がもたらされる。最も多く共用化さ
れるリソグラフィー処理部門では微細パターン用とラフ
パターン用それぞれ六層と八層のパターニングのための
リソグラフィー処理が一枚のウエハに対して施される。
すなわち８処理での一処理部門の共用が本実施例の装置
による本実施例の二層金属配線を有する相補型ＭＯＳ
ＬＳＩの製造における最大の共有である。他の処理部門
の共用化の程度はこれよりも低く抑えているため、処理
時間の低下は大きなものではない。３分／枚で八層のパ
ターニングに対応するリソグラフィー処理を行うと２４
分／枚で一日２４時間での処理能力は６０枚となる。こ
れが本実施例の製造設備の処理能力を規定する。より多
くの処理が必要な場合は本実施例の製造設備を複数台備
えればよい。

【００３５】この６０枚／日（＝１８００枚／月）の処
理を行った場合、１ロット２５枚の全処理の処理時間の
平均は１７時間である。これは高度にコンピュータ化さ
れた最適生産管理システムによって全装置が最も効率的
に稼働するように管理されているためである。従来のバ
ッチ搬送を基本とした製造装置ではいかにコンピュータ
化しても６０枚／日の処理を行うと処理時間の平均が約
４００時間まで低下していた。枚葉搬送を行うことでよ
り完全に近い最適化が可能となったためである。

【００３６】工完の短縮と、枚葉搬送路の具備により、
本実施例の製造装置は従来のような高清浄度の清浄空間
に収める必要がなくなり、従来の清浄空間よりも格段に
低クラスの清浄空間で製造を行っても同等以上の良品率
が得られる効果もあった。クラス１００００のクリーン
ルームに設置した本実施例の製造装置を用いるにより、
最小設計寸法０.３μｍ の二層金属配線を有する相補型
ＭＯＳ論理ＬＳＩの良品率は、従来の装置を用いてクラ
ス１００のクリーンルームで製造していた場合の７８％
から９２％に向上した。これらの効果はいずれも本発明
によって適用が可能となった単機能化され単純化された
搬送機構が低い故障頻度を有することによってはじめて
もたらされた効果である。

【００３７】（実施例２）図２を用いて説明する。実施
例２は本発明をシリコンのメモリＬＳＩを製造するため
の製造装置に適用した実施例である。本実施例の製造装
置は二層金属配線を有する相補型ＭＯＳ ＬＳＩの配線
工程に係る一連の処理をウエハに施す製造装置である。

【００３８】図２は本実施例の製造装置を示すブロック
図である。処理部門２０１，２０２はレジスト塗布処
理，レジストベーク処理，水銀のｉ線ランプ光源による
露光処理，レジスト現像処理等を含む一連のリソグラフ
ィー工程に関する処理を行う複数の処理部門である。配
線層のドライエッチングに関する処理を行う処理部門２
０３は、アルミニウムを主成分とする合金，タングステ
ン，窒化チタン等の金属または金属化合物のドライエッ
チング処理をウエハに施すことが可能なクラスタツール
で、エッチング処理室の他に防食処理をウエハに施す防
食処理室を有している。さらにこの処理部門２０３には
レジスト除去処理をウエハに施すことが可能なアッシャ
ー処理室も具備されている。

【００３９】レジスト除去に関しては、実施例１の製造
装置のように独立した処理部門としても、本実施例の製
造装置のようにその少なくとも一部がドライエッチング
処理部門のような他の処理部門の一部に含まれていても
よい。これは洗浄処理，熱処理についても同様である。
これらの処理をウエハに施す処理部門の少なくとも一部
である、処理を一処理室で施すことが可能な部分は、本
実施例の製造装置に備えられたクラスタツールのような
複数処理室を有する処理部門へ付加することが容易だか
らである。

【００４０】層間絶縁膜層のドライエッチングに関する
処理を行う処理部門２０４は、二酸化シリコンまたは必
要に応じてボロン，リン，砒素，ゲルマニウム等の不純
物を導入された二酸化シリコン，窒化シリコンのドライ
エッチング処理をウエハに施すことが可能なクラスタツ
ールで、この処理部門にも、二つのエッチング処理室の
他にレジスト除去処理をウエハに施すことが可能なアッ
シャー処理室が具備されている。

【００４１】成膜処理部門２０５は、二酸化シリコンま
たは必要に応じてボロン，リン，砒素，ゲルマニウム等
の不純物を導入された二酸化シリコン，窒化シリコンの
成膜処理をウエハに施すことが可能なクラスタツールで
ある。ＣＶＤ法による成膜を行う処理室の他、ＳＯＧ(S
pin On Glass）の塗布，ベークを行う複数の処理室も備
えている。ＣＶＤ成膜では、二酸化シリコンは主として
ＴＥＯＳを原料とするプラズマＣＶＤ法で形成し、窒化
シリコンはモノシランとアンモニアを原料とするプラズ
マＣＶＤ法で形成する。さらにこの処理部門２０５には
必要に応じて熱処理をウエハに施すことが可能な熱処理
室も具備されている。

【００４２】成膜処理部門２０６はアルミニウムを主成
分とする合金，タングステン，窒化チタン等の金属また
は金属化合物の成膜処理をウエハに施すことが可能なク
ラスタツールである。成膜処理部門２０６でウエハに施
される成膜処理はスパッタ法によるものとＣＶＤ法によ
るものがある。スパッタ法によるタングステン，窒化チ
タン等の成膜を行う処理室では成膜に先立って必要に応
じてウエハにアルゴン等のプラズマを用いたソフトエッ
チングによる洗浄処理を施すこともできる。スパッタ法
によるアルミニウムを主成分とする合金の成膜，ＣＶＤ
法によるタングステンの成膜，熱処理はそれぞれ別の処
理室で行う。二つの洗浄処理室を有する洗浄処理の処理
部門が２０７である。

【００４３】本実施例の製造装置では処理部門間の搬送
は全て枚葉搬送である。枚葉搬送路２０８はループ状の
搬送路であり、この枚葉搬送路２０８と各処理部門の間
は共通化されたロードロック室を含むインターフェース
２１１，２１２で結ばれている。インターフェース２１
１は枚葉搬送路から処理部門にウエハをロードする機構
を備え、インターフェース２１２は逆に処理部門から枚
葉搬送路にウエハをアンロードする機構を備え、一連の
リソグラフィー工程に関する処理を行う複数の処理部門
２０１，２０２と枚葉搬送路２０８との間はウエハを二
つの処理部門２０１，２０２に割り振る特別なインター
フェース２０９が設けられている。

【００４４】ロード・アンロード処理部門２１０は図２
に示した一つの処理部門群からなる製造装置の備えるス
トッカ機能を併せて有するロード・アンロード処理部門
であり、配線工程前までの処理を終えたウエハが常に一
定量以上蓄えられていて、いつでも配線工程に着工可能
な状態で清浄な窒素を満たした空間内に収納されてい
る。

【００４５】本実施例ではロード・アンロード処理部門
２１０に常に５０枚以上のウエハが蓄えられているよう
に配線工程前までのウエハ処理を管理している。ウエハ
はロード・アンロード処理部門２１０により一枚ずつ製
造装置にロードされ、図２の装置による配線工程におけ
る処理を全て終えたウエハは再びこのロード・アンロー
ド処理部門２１０に搬送され清浄な窒素を満たした空間
内に収納される。ロード・アンロード処理部門２１０は
処理を終えたウエハを２５枚ずつ外部に取り出す機能を
有していて、配線工程後の半導体製造工程の処理のため
にウエハが必要と成る度にこのロード・アンロード処理
部門２１０からウエハが２５枚を単位として自動的に取
り出されていく。配線工程が完了したウエハをも収納す
る機能を有することにより、ロード・アンロード処理部
門２１０は配線工程後の半導体製造工程の最初の処理に
とってのストッカの機能も果たすわけである。

【００４６】本実施例の製造装置によれば、従来の製造
装置に比較して格段に工完が短縮され、ウエハによる工
完の違いも小さい。二層金属配線を有する相補型ＭＯＳ
ＬＳＩの配線工程に係る一連の処理をウエハ１５０枚／
日で行った場合、全てのウエハの配線工程の工完は４時
間から４時間３０分の間であった。また。これに対して
従来の製造装置で同じ処理を同じウエハ１５０枚／日で
行った場合は３３時間から４３時間であった。継続する
二つの工程間の待ち時間は搬送に要する時間を含めて最
大２時間程度である。

【００４７】継続する二つの工程間の待ち時間が５分以
内と短く、しかも概ね全てのウエハで統一されたことに
よる効果，全ての継続する処理の間が清浄な窒素を満た
した枚葉搬送路で結ばれたことによる効果，配線工程前
までの処理を終えたウエハ，配線工程の処理を終えたウ
エハが共にロード・アンロード処理部門２１０内の清浄
な窒素を満たした空間内に収納されることによる効果等
により、従来の製造装置によるよりも良品率が向上し
た。最少設計寸法０.２５μｍ で二層金属配線を有する
相補型ＭＯＳ メモリＬＳＩを製造した場合、本実施例
の製造装置によると、同クラス清浄度を有するクリーン
ルームに設置した従来の製造装置で６７％であった配線
工程の良品率が８７％まで向上した。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、被処理物に施す一連の
処理の工完を短縮することが可能で、しかも被処理物の
良品率を向上させることが可能な製造装置を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の斜視図。

【図２】本発明の一実施例のブロック図。

【符号の説明】 １０１…リソグラフィー工程に関する処理を行う複数の
処理部門、１０２…リング状搬送路、１０３ａ，１０３
ｂ…直線状搬送路、１０４，１０５…ドライエッチング
処理部門、１０６，１０７…成膜処理部門、１０８…排
気系、１０９…洗浄、ウェットエッチング処理部門、１
１０…酸化熱処理部門、１１１，１１２…成膜処理部
門、１１３…制御系、１１４…イオン打込み処理部門、
１１５…ウェットエッチング処理部門、１１６…レジス
ト除去処理部門、１１７…熱処理部門、１１８…ロード
・アンロード処理部門、１１９…塗布膜形成処理部門。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の異なった処理を被処理物に施すこと
   ができる複数の処理部門を有する製造装置において、前
   記被処理物に継続して処理を施す複数の処理部門間が被
   処理物を一つずつ搬送可能な枚葉搬送機構で結ばれて少
   なくとも一つの処理部門群を構成していて、個々の処理
   部門が枚葉搬送機構から必要に応じて選択的に被処理物
   を受け取って処理部門にロードしたり、アンロードして
   枚葉搬送機構に受け渡す機構を有することを特徴とする
   製造装置。
2. 【請求項２】請求項１において、前記被処理物が半導体
   ウエハであって、複数の処理部門が、洗浄処理，ＣＶＤ
   膜形成またはスパッタ膜形成または塗布膜形成等の成膜
   処理，拡散または酸化または窒化またはレジストベーク
   等の熱処理，光線または電子線またはＸ線による露光処
   理，レジスト塗布処理，レジスト現像処理，レジスト除
   去処理，ドライエッチングまたはウェットエッチング等
   のエッチング処理，イオン打込み等による不純物導入処
   理，測長検査または異物検査等の検査処理等のＬＳＩ製
   造において半導体ウエハに施されるいずれかの処理を被
   処理物にそれぞれ施す処理部門である製造装置。
3. 【請求項３】請求項２において、前記処理部門群外から
   前記被処理物を処理部門群にロードしたり、前記処理部
   門群から処理部門群外にアンロードする処理を行う処理
   部門が処理部門群に少なくとも一つ具備されている製造
   装置。
4. 【請求項４】請求項３において、前記処理部門群外から
   前記被処理物を処理部門群にロードしたり、前記処理部
   門群から前記処理部門群外にアンロードする処理を行う
   処理部門が、複数の半導体ウエハを収納する機能を合わ
   せて有する製造装置。