JPH0766355A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0766355A JPH0766355A JP5237394A JP23739493A JPH0766355A JP H0766355 A JPH0766355 A JP H0766355A JP 5237394 A JP5237394 A JP 5237394A JP 23739493 A JP23739493 A JP 23739493A JP H0766355 A JPH0766355 A JP H0766355A
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- semiconductor device
- slits
- slit
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイパッドのデップレス加工精度を安定化し
かつモールド成形時にステイシフトが発生に難いように
改良された半導体装置を提供する。 【構成】 半導体装置１０は、側周部から延びる吊り部
１８、２０によってリードフレームに固定されたダイパ
ッド１２を有する。ダイパッドには長手方向に配列され
たスリット１４と幅方向に配列されたスリット１６が設
けてある。吊り部１８、２０は、各スリット１４、１６
の長手方向仮想延長部分のダイパッド領域１５、２２か
ら離隔した側周部から外方に延びている。
かつモールド成形時にステイシフトが発生に難いように
改良された半導体装置を提供する。 【構成】 半導体装置１０は、側周部から延びる吊り部
１８、２０によってリードフレームに固定されたダイパ
ッド１２を有する。ダイパッドには長手方向に配列され
たスリット１４と幅方向に配列されたスリット１６が設
けてある。吊り部１８、２０は、各スリット１４、１６
の長手方向仮想延長部分のダイパッド領域１５、２２か
ら離隔した側周部から外方に延びている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、更
に詳細には、大型の半導体装置であっても必要なデップ
レス加工精度を維持し、樹脂封止時にステイシフトが発
生し難いようなダイパッド構造を備えた半導体装置に関
するものである。
に詳細には、大型の半導体装置であっても必要なデップ
レス加工精度を維持し、樹脂封止時にステイシフトが発
生し難いようなダイパッド構造を備えた半導体装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年生産量が増大して来た樹脂封止型の
薄型パッケージ（ＴＳＯＰ ＴＱＦＰ）において、パッ
ケージ構造の加工精度及び品質を向上させるには、リー
ドフレームの加工精度を許容値以内に収め、その後の樹
脂封止工程等での加工精度を維持することが重要であ
る。よって、リードフレームの加工精度の管理は、半導
体装置の品質管理上で大変重要なウェイトを占めて来て
いる。ところで、リードフレームの加工精度を向上させ
るには、リードフレームの要部を構成するダイパッド構
造を検討することが重要である。
薄型パッケージ（ＴＳＯＰ ＴＱＦＰ）において、パッ
ケージ構造の加工精度及び品質を向上させるには、リー
ドフレームの加工精度を許容値以内に収め、その後の樹
脂封止工程等での加工精度を維持することが重要であ
る。よって、リードフレームの加工精度の管理は、半導
体装置の品質管理上で大変重要なウェイトを占めて来て
いる。ところで、リードフレームの加工精度を向上させ
るには、リードフレームの要部を構成するダイパッド構
造を検討することが重要である。
【０００３】図６（ａ）は半導体装置の従来のダイパッ
ド構造を示す平面図、及び図６（ｂ）はその斜視図を示
している。従来のダイパッド構造６０では、図６
（ａ）、（ｂ）に示すように、ダイパッド６２にスリッ
ト６４（この場合２個のスリット）が長手方向に配列さ
れた、またスリット６６（この場合２個のスリット）が
幅方向に配列されている。ダイパッド６２の四辺からそ
れぞれ対向して吊り部が延出しており、ダイパッド６２
は、長手方向には対の吊り部６８、幅方向には対の吊り
部７０により支えられている。また、図６（ｂ）に示す
ように、ダイパッド６２の周囲には多数のインナーリー
ド７２が外方に向け延びていて、ダイパッド６２にダイ
ボンドされた半導体チップ（図示せず）は、金線（図示
せず）によりそれらインナーリード７２に接続される。
ド構造を示す平面図、及び図６（ｂ）はその斜視図を示
している。従来のダイパッド構造６０では、図６
（ａ）、（ｂ）に示すように、ダイパッド６２にスリッ
ト６４（この場合２個のスリット）が長手方向に配列さ
れた、またスリット６６（この場合２個のスリット）が
幅方向に配列されている。ダイパッド６２の四辺からそ
れぞれ対向して吊り部が延出しており、ダイパッド６２
は、長手方向には対の吊り部６８、幅方向には対の吊り
部７０により支えられている。また、図６（ｂ）に示す
ように、ダイパッド６２の周囲には多数のインナーリー
ド７２が外方に向け延びていて、ダイパッド６２にダイ
ボンドされた半導体チップ（図示せず）は、金線（図示
せず）によりそれらインナーリード７２に接続される。
【０００４】尚、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び
（ｄ）は、それぞれ図６に示す吊り部とスリットとの配
置とは異なる配置のダイパッド構造又は大型ダイパッド
のスリットと吊り部の配置を示す。
（ｄ）は、それぞれ図６に示す吊り部とスリットとの配
置とは異なる配置のダイパッド構造又は大型ダイパッド
のスリットと吊り部の配置を示す。
【０００５】ダイパッド６２に設けたスリット６４、６
６は、基板実装時のリフローによる熱応力を分散させ、
これにより封止樹脂にクラックが発生するのを抑制して
いる。従って、スリットは、薄型の樹脂封止型パッケー
ジにおいてクラックの発生を防止して製品歩留りを向上
させるのに必須なものである。また、近年の半導体チッ
プの大型化により、ダイパッドの長手方向の対の吊り部
６８だけでは、大型のダイパッド構造を支えきれず、後
の工程である金線を接続するワイヤボンディング工程、
或いは樹脂封止工程での精度保証が難しくなったため、
ダイパッドの幅方向端縁にも対の吊り部７０を設けて、
ダイパッド構造の吊り強度を補強している。
６は、基板実装時のリフローによる熱応力を分散させ、
これにより封止樹脂にクラックが発生するのを抑制して
いる。従って、スリットは、薄型の樹脂封止型パッケー
ジにおいてクラックの発生を防止して製品歩留りを向上
させるのに必須なものである。また、近年の半導体チッ
プの大型化により、ダイパッドの長手方向の対の吊り部
６８だけでは、大型のダイパッド構造を支えきれず、後
の工程である金線を接続するワイヤボンディング工程、
或いは樹脂封止工程での精度保証が難しくなったため、
ダイパッドの幅方向端縁にも対の吊り部７０を設けて、
ダイパッド構造の吊り強度を補強している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体装置の
大型化に伴い、ダイパッド自体が益々大型化すると共
に、上述の従来のダイパッド構造では、必要なダイパッ
ド強度及びデップレス加工精度を維持することが困難に
なり、そのためモールド成形時にステイシフトが発生す
ると言う問題が生じていた。
大型化に伴い、ダイパッド自体が益々大型化すると共
に、上述の従来のダイパッド構造では、必要なダイパッ
ド強度及びデップレス加工精度を維持することが困難に
なり、そのためモールド成形時にステイシフトが発生す
ると言う問題が生じていた。
【０００７】ここで、デップレス加工とは、リードフレ
ームの吊り部にプレスによるスタンピング加工により施
されていて、デップレスの加工位置は、ダイパッドを吊
る吊りの位置に応じて決められるものである。デップレ
ス加工精度とは、デップレス加工の寸法精度を意味す
る。また、ステイシフトとは、モールド樹脂をモールド
金型に注入して、モールド成形する時、モールド樹脂の
注入圧力によりリードフレームがモールド金型の当初設
定位置より上下方向に移動する現象を言う。
ームの吊り部にプレスによるスタンピング加工により施
されていて、デップレスの加工位置は、ダイパッドを吊
る吊りの位置に応じて決められるものである。デップレ
ス加工精度とは、デップレス加工の寸法精度を意味す
る。また、ステイシフトとは、モールド樹脂をモールド
金型に注入して、モールド成形する時、モールド樹脂の
注入圧力によりリードフレームがモールド金型の当初設
定位置より上下方向に移動する現象を言う。
【０００８】以上の問題に鑑み、本発明の目的は、必要
なデップレス加工精度を維持して、モールド成形時にス
テイシフトが発生し難いように改良されたダイパッド構
造を備えた半導体装置を提供することである。
なデップレス加工精度を維持して、モールド成形時にス
テイシフトが発生し難いように改良されたダイパッド構
造を備えた半導体装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、大型半導
体装置、即ち大型ダイパッド構造のデップレス加工精度
について研究し、次の知見を得た。第１として、デップ
レス加工時に発生する応力は、主として吊り部７０に発
生する引張応力等であって、図４（ａ）を参照して説明
すると、吊り部７０を介して吊り部基端のダイパッド部
分（図４（ａ）に示すＡ領域）に集中する。従来の半導
体装置では、ダイパッド領域Ｂ（スリット６６の長手方
向仮想延長部分）から吊り部７０が延出しているため、
その部分にデップレス加工による応力が集中し、しかも
その部分は、スリットの開口により強度が低下している
ため、変形が生じ易く、よってデップレス加工の精度が
低下する。また、ダイパッドのスリットと吊り部との位
置関係によりダイパッド側の応力集中状態、従って変形
程度が異なることを見い出した。
体装置、即ち大型ダイパッド構造のデップレス加工精度
について研究し、次の知見を得た。第１として、デップ
レス加工時に発生する応力は、主として吊り部７０に発
生する引張応力等であって、図４（ａ）を参照して説明
すると、吊り部７０を介して吊り部基端のダイパッド部
分（図４（ａ）に示すＡ領域）に集中する。従来の半導
体装置では、ダイパッド領域Ｂ（スリット６６の長手方
向仮想延長部分）から吊り部７０が延出しているため、
その部分にデップレス加工による応力が集中し、しかも
その部分は、スリットの開口により強度が低下している
ため、変形が生じ易く、よってデップレス加工の精度が
低下する。また、ダイパッドのスリットと吊り部との位
置関係によりダイパッド側の応力集中状態、従って変形
程度が異なることを見い出した。
【００１０】第２として、ステイシフトの現象を研究し
た。以下に添付図面を参照してステイシフトの現象を説
明する。図５（ａ）は半導体装置の斜視図、図５（ｂ）
は図５（ａ）の半導体装置のＹ−Ｙ′断面の断面図及び
図５（ｃ）は図５（ａ）の半導体装置のＸ−Ｘ′断面の
断面図である。図５（ｂ）及び（ｃ）に示すように、半
導体装置ではダイパッド７０上に半導体素子７２が固定
されており、半導体チップ７２は金線７４によりインナ
ーリード７６に接続され、その周囲はアウターリード７
８を露出するようにして封止用樹脂８０で被覆されてい
る。尚、８２は、吊り部を示す。このようなパッケージ
構造を生成するに際し、ステイシフトの発生を抑制する
には、図５（ｃ）に示すａ寸法とｂ寸法がａ≒ｂである
ことが必要であり、ステイシフトは、ｂ側にダイパッド
７０が移動してａ＞ｂになったり、ａ側にダイパッド７
０が移動してａ＜ｂになったりして、ａとｂとの寸法が
異なると発生する。
た。以下に添付図面を参照してステイシフトの現象を説
明する。図５（ａ）は半導体装置の斜視図、図５（ｂ）
は図５（ａ）の半導体装置のＹ−Ｙ′断面の断面図及び
図５（ｃ）は図５（ａ）の半導体装置のＸ−Ｘ′断面の
断面図である。図５（ｂ）及び（ｃ）に示すように、半
導体装置ではダイパッド７０上に半導体素子７２が固定
されており、半導体チップ７２は金線７４によりインナ
ーリード７６に接続され、その周囲はアウターリード７
８を露出するようにして封止用樹脂８０で被覆されてい
る。尚、８２は、吊り部を示す。このようなパッケージ
構造を生成するに際し、ステイシフトの発生を抑制する
には、図５（ｃ）に示すａ寸法とｂ寸法がａ≒ｂである
ことが必要であり、ステイシフトは、ｂ側にダイパッド
７０が移動してａ＞ｂになったり、ａ側にダイパッド７
０が移動してａ＜ｂになったりして、ａとｂとの寸法が
異なると発生する。
【００１１】上述の図５において、リードフレームのダ
イパッド７０のｃ寸法、即ちデップレス加工の寸法が許
容加工精度内にあれば、ａ≒ｂになり、ステイシフトは
殆ど発生しない。ところが、デップレス加工精度がバラ
ツキ、リードフレームのダイパッド７０のｃ寸法の誤差
が指定公差以上になるとａとｂとが異なって、モールド
金型内において上下のバランスが崩れる。それにより、
モールド樹脂を注入した時、注入圧力が隙間の大きい側
に強く働いて隙間の少ない側にリードフレームを押しつ
け、ステイシフトが生じる。
イパッド７０のｃ寸法、即ちデップレス加工の寸法が許
容加工精度内にあれば、ａ≒ｂになり、ステイシフトは
殆ど発生しない。ところが、デップレス加工精度がバラ
ツキ、リードフレームのダイパッド７０のｃ寸法の誤差
が指定公差以上になるとａとｂとが異なって、モールド
金型内において上下のバランスが崩れる。それにより、
モールド樹脂を注入した時、注入圧力が隙間の大きい側
に強く働いて隙間の少ない側にリードフレームを押しつ
け、ステイシフトが生じる。
【００１２】以上の知見に基づいて、目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体装置は、側周部から延びる吊
り部によってリードフレームに固定されたダイパッドを
有し、ダイパッドにはスリットが長手方向及び幅方向に
配列されている半導体装置において、吊り部が、スリッ
トの長手方向仮想延長部分の領域から離隔したダイパッ
ド側周部から外方に延びていることを特徴としている。
めに、本発明に係る半導体装置は、側周部から延びる吊
り部によってリードフレームに固定されたダイパッドを
有し、ダイパッドにはスリットが長手方向及び幅方向に
配列されている半導体装置において、吊り部が、スリッ
トの長手方向仮想延長部分の領域から離隔したダイパッ
ド側周部から外方に延びていることを特徴としている。
【００１３】本発明の改変例では、上述の半導体装置に
おいて、スリットが並列で複数列に配列されており、吊
り部がスリットの長手方向仮想延長部分の領域から離隔
したダイパッド側周部から外方に延びていることを特徴
としてる。
おいて、スリットが並列で複数列に配列されており、吊
り部がスリットの長手方向仮想延長部分の領域から離隔
したダイパッド側周部から外方に延びていることを特徴
としてる。
【００１４】
【作用】請求項１及び２の発明では、従来のダイパッド
構造と異なり、図４（ｂ）に示すようにスリット６６の
仮想延長部分の領域Ｂには吊り部７０が存在していない
ので、吊り部７０に生じた応力はその基端を介して広い
領域（図４（ｂ）のｂは図４（ａ）のａより長い）に分
散される。よって、デップレス加工による応力集中の程
度が従来のものに比べて小さく、従ってその領域に変形
が殆ど発生せず、加工精度が大幅に改善される。
構造と異なり、図４（ｂ）に示すようにスリット６６の
仮想延長部分の領域Ｂには吊り部７０が存在していない
ので、吊り部７０に生じた応力はその基端を介して広い
領域（図４（ｂ）のｂは図４（ａ）のａより長い）に分
散される。よって、デップレス加工による応力集中の程
度が従来のものに比べて小さく、従ってその領域に変形
が殆ど発生せず、加工精度が大幅に改善される。
【００１５】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に係
る半導体装置の実施例のスリットと吊り部の配置を示す
ダイパッドの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す半
導体装置要部の斜視図である。本実施例の半導体装置１
０のダイパッド１２は、図１（ａ）に示すように、ダイ
パッド１２の長手方向中心線に沿って配置されたスリッ
ト列１４、幅方向に２列並列に配列されたスリット列１
６、長手方向端部に対向して設けられた２個の吊り部１
８及び幅方向端縁に対向して設けられた２個の吊り部２
０を備えている。
本発明をより詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に係
る半導体装置の実施例のスリットと吊り部の配置を示す
ダイパッドの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す半
導体装置要部の斜視図である。本実施例の半導体装置１
０のダイパッド１２は、図１（ａ）に示すように、ダイ
パッド１２の長手方向中心線に沿って配置されたスリッ
ト列１４、幅方向に２列並列に配列されたスリット列１
６、長手方向端部に対向して設けられた２個の吊り部１
８及び幅方向端縁に対向して設けられた２個の吊り部２
０を備えている。
【００１６】長手方向のスリット列１４は、長手方向に
一列に配置された３個のスリット１４Ａ、１４Ｂ及び１
４Ｃからなり、幅方向のスリット列１６は、２個づつ２
列並列に配置されたスリット１６Ａ及び１６Ｂと、１６
Ｃ及び１６Ｄとからなっていて、それぞれの幅方向スリ
ット列は、長手方向スリット１４の丁度中間にあるよう
に配置されている。
一列に配置された３個のスリット１４Ａ、１４Ｂ及び１
４Ｃからなり、幅方向のスリット列１６は、２個づつ２
列並列に配置されたスリット１６Ａ及び１６Ｂと、１６
Ｃ及び１６Ｄとからなっていて、それぞれの幅方向スリ
ット列は、長手方向スリット１４の丁度中間にあるよう
に配置されている。
【００１７】ダイパッド１２の長手方向端部から外方に
延びる長手方向の吊り部１８は、その基端２２が二股に
形成されていて、それによって長手方向スリット１４の
仮想延長部分のダイパッド領域１５から離隔するよう形
成されている。一方、ダイパッド１２の幅方向側縁から
外方に延びる幅方向の吊り部２０は、２列並列に配置さ
れた幅方向のスリット１６列の丁度中間に位置する。換
言すれば、スリット１４の長手方向仮想延長部分のダイ
パッド領域２２から離隔した端縁から外方に延出してい
る。尚、７２はインナーリードである。
延びる長手方向の吊り部１８は、その基端２２が二股に
形成されていて、それによって長手方向スリット１４の
仮想延長部分のダイパッド領域１５から離隔するよう形
成されている。一方、ダイパッド１２の幅方向側縁から
外方に延びる幅方向の吊り部２０は、２列並列に配置さ
れた幅方向のスリット１６列の丁度中間に位置する。換
言すれば、スリット１４の長手方向仮想延長部分のダイ
パッド領域２２から離隔した端縁から外方に延出してい
る。尚、７２はインナーリードである。
【００１８】以上の構成により、従来の半導体装置に比
べて、幅方向の吊り部２０の基端は幅方向のスリット１
６から遙に離隔した位置にあり、また長手方向の吊り部
１８の基端も長手方向のスリット１４から離隔してい
る。これによって、以下にその理由を説明するように、
リードフレームのデップレス加工の必要な精度が維持さ
れ、モールド成形時のステイシフトが抑制される。即
ち、図４（ｂ）を参照し、図４（ａ）に示す従来のダイ
パッド構造に比較して説明すると、本実施例では、図４
（ｂ）に示すようにスリット６６の仮想延長部分の領域
Ｂには吊り部７０が存在していないので、吊り部７０に
生じた応力はその基端を介して広い領域（図４（ｂ）の
ｂは図４（ａ）のａより長い）に分散される。よって、
デップレス加工による応力集中の程度が従来のものに比
べて小さく、従って変形が殆ど発生せず、加工精度が大
幅に改善される。
べて、幅方向の吊り部２０の基端は幅方向のスリット１
６から遙に離隔した位置にあり、また長手方向の吊り部
１８の基端も長手方向のスリット１４から離隔してい
る。これによって、以下にその理由を説明するように、
リードフレームのデップレス加工の必要な精度が維持さ
れ、モールド成形時のステイシフトが抑制される。即
ち、図４（ｂ）を参照し、図４（ａ）に示す従来のダイ
パッド構造に比較して説明すると、本実施例では、図４
（ｂ）に示すようにスリット６６の仮想延長部分の領域
Ｂには吊り部７０が存在していないので、吊り部７０に
生じた応力はその基端を介して広い領域（図４（ｂ）の
ｂは図４（ａ）のａより長い）に分散される。よって、
デップレス加工による応力集中の程度が従来のものに比
べて小さく、従って変形が殆ど発生せず、加工精度が大
幅に改善される。
【００１９】図２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）並びに図３
（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）は、図１の改変例であって、
図７に示した従来のスリットと吊り部との位置関係とは
異なる種々のスリットと吊り部との配置を示す。いずれ
の配置においても、吊り部は、スリット列の長手方向仮
想延長部分のダイパッド領域から離隔したダイパッド側
縁から延出している。
（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）は、図１の改変例であって、
図７に示した従来のスリットと吊り部との位置関係とは
異なる種々のスリットと吊り部との配置を示す。いずれ
の配置においても、吊り部は、スリット列の長手方向仮
想延長部分のダイパッド領域から離隔したダイパッド側
縁から延出している。
【００２０】
【発明の効果】請求項１及び２の発明によれば、吊り部
が、スリットの長手方向仮想延長部分の領域から離隔し
たダイパッド側周部から外方に延びていることにより、
デップレス加工時に発生する応力が広い領域に分散して
集中することなく、また吊り部基端近傍のダイパッド領
域が変形しない。よって、大型半導体装置であっても、
必要なデップレス加工精度を維持することが可能にな
り、かつ樹脂封止時にもステイシフトが発生しない。本
発明に係る半導体装置を製造することにより、大型半導
体パッケージの歩留りが向上する。
が、スリットの長手方向仮想延長部分の領域から離隔し
たダイパッド側周部から外方に延びていることにより、
デップレス加工時に発生する応力が広い領域に分散して
集中することなく、また吊り部基端近傍のダイパッド領
域が変形しない。よって、大型半導体装置であっても、
必要なデップレス加工精度を維持することが可能にな
り、かつ樹脂封止時にもステイシフトが発生しない。本
発明に係る半導体装置を製造することにより、大型半導
体パッケージの歩留りが向上する。
【図１】図１（ａ）は本発明に係る半導体装置の実施例
のスリットと吊り部の配置を示すダイパッドの平面図、
図１（ｂ）は図１（ａ）に示す半導体装置要部の斜視図
である。
のスリットと吊り部の配置を示すダイパッドの平面図、
図１（ｂ）は図１（ａ）に示す半導体装置要部の斜視図
である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ図
１の半導体装置の改変例のスリットと吊り部の配置を示
す。
１の半導体装置の改変例のスリットと吊り部の配置を示
す。
【図３】図３（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）は、それぞれ図
１の半導体装置の改変例のスリットと吊り部の配置を示
す。
１の半導体装置の改変例のスリットと吊り部の配置を示
す。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ樹
脂封止型半導体装置の斜視図及び断面図を示す。
脂封止型半導体装置の斜視図及び断面図を示す。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）はデップレス加工による
応力集中を説明する図である。
応力集中を説明する図である。
【図６】図６（ａ）は従来の半導体装置ののスリットと
吊り部の配置を示すダイパッドの平面図、図６（ｂ）は
図６（ａ）に示す半導体装置要部の斜視図である。
吊り部の配置を示すダイパッドの平面図、図６（ｂ）は
図６（ａ）に示す半導体装置要部の斜視図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ従
来の半導体装置のスリットと吊り部の別の配置を示す。
来の半導体装置のスリットと吊り部の別の配置を示す。
１０ 本発明に係る半導体装置 １２ ダイパッド １４ ダイパッドの長手方向中心線に沿って配置された
スリット列 １６ ダイパッドの幅方向に２列並列に配列されたスリ
ット列 １８ ダイパッドの長手方向端部に対向して設けられた
吊り部 ２０ ダイパッドの幅方向端縁に対向して設けられた吊
り部
スリット列 １６ ダイパッドの幅方向に２列並列に配列されたスリ
ット列 １８ ダイパッドの長手方向端部に対向して設けられた
吊り部 ２０ ダイパッドの幅方向端縁に対向して設けられた吊
り部
Claims (2)
- 【請求項１】 側周部から延びる吊り部によってリード
フレームに固定されたダイパッドを有し、ダイパッドに
はスリットが長手方向及び幅方向に配列されている半導
体装置において、 前記吊り部が、前記スリットの長手方向仮想延長部分の
領域から離隔したダイパッド側周部から外方に延びてい
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記スリットが並列で複数列に配列され
ており、吊り部が前記スリットの長手方向仮想延長部分
の領域から離隔したダイパッド側周部から外方に延びて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5237394A JPH0766355A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5237394A JPH0766355A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766355A true JPH0766355A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=17014747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5237394A Pending JPH0766355A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766355A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010111767A (ko) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 |
| US6953987B2 (en) | 2002-07-31 | 2005-10-11 | Denso Corporation | Composite integrated circuit device having restricted heat conduction |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP5237394A patent/JPH0766355A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010111767A (ko) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 |
| US6953987B2 (en) | 2002-07-31 | 2005-10-11 | Denso Corporation | Composite integrated circuit device having restricted heat conduction |
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