JPH0766544B2 - 薄膜磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH0766544B2 JPH0766544B2 JP2337014A JP33701490A JPH0766544B2 JP H0766544 B2 JPH0766544 B2 JP H0766544B2 JP 2337014 A JP2337014 A JP 2337014A JP 33701490 A JP33701490 A JP 33701490A JP H0766544 B2 JPH0766544 B2 JP H0766544B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 6
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Co].[Pt].[Pt].[Pt] GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- HBXWYZMULLEJSG-UHFFFAOYSA-N chromium vanadium Chemical compound [V][Cr][V][Cr] HBXWYZMULLEJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910002070 thin film alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 241001254116 Gillenia stipulata Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
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- Y10T428/12771—Transition metal-base component
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Description
【発明の詳細な説明】 1.産業上の利用分野 本発明は、水平記録用薄膜合金の磁気記録媒体に関し、
殊に高い飽和磁力及び低い媒体の固有ノイズを有するコ
バルト合金のディスク及びそのようなディスクを製造す
る方法に関する。
殊に高い飽和磁力及び低い媒体の固有ノイズを有するコ
バルト合金のディスク及びそのようなディスクを製造す
る方法に関する。
2.従来の技術 水平記録用のコバルト合金のディスクのような薄膜合金
の磁気記録媒体に関する問題の一つは、線記録密度が増
大するにつれて媒体の固有のノイズが増大することであ
る。媒体のノイズは、磁気トランジッション（transiti
on）が不規則なために生じ、リードバック信号のピーク
がランダムにシフトする結果を引き起こす。これらのラ
ンダムなシフトは、「ピークジッタ」又は「時間ジッ
タ」の原因となる。従って、媒体のノイズが高い程、ビ
ット誤り率が高くなる。それ故、データが最大線密度で
記録されうるように、最大許容レベルより低いレベルの
ノイズしか生じせしめない薄膜合金の媒体を開発するこ
とが望ましい。ピークジッタ及び媒体のSN比によって測
定されるところの媒体の固有のノイズの磁気記録システ
ムのビット誤り率に与える影響は、カッズ（Katz）らが
著した“ビットシフト分布が磁気記録の誤り率に与える
影響（Effect of Bitshift Distribution on Error Rat
e in Magnetic Recording）”（IEEE Trans.on Magneti
cs）（1979年,MAG−15巻,1050−1053頁）に記載されて
いる。媒体のSH比は、ベルク（Belk）らが著した“高性
能を有する剛性の記録媒体の固有のSN比の測定（Measur
ement of the Intrinsic Signal−to−Noise Ratio for
High Performance Rigid Recording Media）”（J.App
l.Physics,59（２）,1986年１月15日,557−532頁）に記
載されている。酸素を磁気層に組み込むことによって、
薄膜のコバルト合金の媒体のSN比を改善することが提案
されている。例えば、我々の係属中の米国特許出願第07
/394,784号（出願日1989年８月16日）の明細書は、酸素
の存在下においてコバルト合金をスパッターリング法で
めっきすることによって、低いノイズしか発生しないコ
バルト−白金（CoPt）又はコバルト−ニッケル（CoNi）
合金ディスクを形成する方法を詳述している。特開昭61
−276116号は、アルマイトで被覆された基板上にCoNi磁
気層が酸素又は窒素のいずれかの存在下においてスパッ
ターリング法でめっきし、その後に、ディスクを熱処理
することによって製造される、高いSN比を有するCoNi合
金ディスクを記載している。コバルト合金の磁気層へ酸
素ドーピングすることによってSN比が改善されるが、同
時に飽和保持力をかなり提言する結果を招く。
の磁気記録媒体に関する問題の一つは、線記録密度が増
大するにつれて媒体の固有のノイズが増大することであ
る。媒体のノイズは、磁気トランジッション（transiti
on）が不規則なために生じ、リードバック信号のピーク
がランダムにシフトする結果を引き起こす。これらのラ
ンダムなシフトは、「ピークジッタ」又は「時間ジッ
タ」の原因となる。従って、媒体のノイズが高い程、ビ
ット誤り率が高くなる。それ故、データが最大線密度で
記録されうるように、最大許容レベルより低いレベルの
ノイズしか生じせしめない薄膜合金の媒体を開発するこ
とが望ましい。ピークジッタ及び媒体のSN比によって測
定されるところの媒体の固有のノイズの磁気記録システ
ムのビット誤り率に与える影響は、カッズ（Katz）らが
著した“ビットシフト分布が磁気記録の誤り率に与える
影響（Effect of Bitshift Distribution on Error Rat
e in Magnetic Recording）”（IEEE Trans.on Magneti
cs）（1979年,MAG−15巻,1050−1053頁）に記載されて
いる。媒体のSH比は、ベルク（Belk）らが著した“高性
能を有する剛性の記録媒体の固有のSN比の測定（Measur
ement of the Intrinsic Signal−to−Noise Ratio for
High Performance Rigid Recording Media）”（J.App
l.Physics,59（２）,1986年１月15日,557−532頁）に記
載されている。酸素を磁気層に組み込むことによって、
薄膜のコバルト合金の媒体のSN比を改善することが提案
されている。例えば、我々の係属中の米国特許出願第07
/394,784号（出願日1989年８月16日）の明細書は、酸素
の存在下においてコバルト合金をスパッターリング法で
めっきすることによって、低いノイズしか発生しないコ
バルト−白金（CoPt）又はコバルト−ニッケル（CoNi）
合金ディスクを形成する方法を詳述している。特開昭61
−276116号は、アルマイトで被覆された基板上にCoNi磁
気層が酸素又は窒素のいずれかの存在下においてスパッ
ターリング法でめっきし、その後に、ディスクを熱処理
することによって製造される、高いSN比を有するCoNi合
金ディスクを記載している。コバルト合金の磁気層へ酸
素ドーピングすることによってSN比が改善されるが、同
時に飽和保持力をかなり提言する結果を招く。
3.発明の解決しようとする課題 従って、高い飽和保持力及び低い媒体の固有ののノイズ
を有するコバルト合金媒体を開発することが望まれてい
る。
を有するコバルト合金媒体を開発することが望まれてい
る。
4.課題を解決するための手段、作用及び効果 本発明は、高い記録密度で、高い保持力及び低いノイズ
の両方を有する水平記録用コバルト合金ディスクに関す
るものである。ディスク中の磁気層は、コバルト合金材
料に加えて、１種又は２種以上の不純物元素の酸化物を
含有している。これらの元素は、ｉ）酸素に対して高い
親和力、及び、ii）コバルトと非常に異なる原子半径を
有するためにコバルト中における比較的低い溶解度を示
す。このような元素には、イットリウム（Ｙ）、珪素
（Si）、稀土類元素、ハフニウム（Hf）、ゲルマニウム
（Ge）、すず（Sn）及びジルコニア（Zr）がある。ディ
スクは、コバルト合金材料及び１種又は２種以上の不純
物元素を共にスパッターリング法でめっきし、その後、
不純物元素を酸化することによって形成されうる。酸化
は、磁気層を酸素若しくは空気に暴露しながらディスク
を加熱することによって、又は磁気層を酸素又は酸素−
アルゴンプラズマに暴露することによって起こる。
の両方を有する水平記録用コバルト合金ディスクに関す
るものである。ディスク中の磁気層は、コバルト合金材
料に加えて、１種又は２種以上の不純物元素の酸化物を
含有している。これらの元素は、ｉ）酸素に対して高い
親和力、及び、ii）コバルトと非常に異なる原子半径を
有するためにコバルト中における比較的低い溶解度を示
す。このような元素には、イットリウム（Ｙ）、珪素
（Si）、稀土類元素、ハフニウム（Hf）、ゲルマニウム
（Ge）、すず（Sn）及びジルコニア（Zr）がある。ディ
スクは、コバルト合金材料及び１種又は２種以上の不純
物元素を共にスパッターリング法でめっきし、その後、
不純物元素を酸化することによって形成されうる。酸化
は、磁気層を酸素若しくは空気に暴露しながらディスク
を加熱することによって、又は磁気層を酸素又は酸素−
アルゴンプラズマに暴露することによって起こる。
本発明のコバルト合金のディスクは、磁気層中に不純物
の酸化物を含有せずにに形成された比較材とのディスク
に比べて高い線密度で実質的に低い媒体の固有のノイズ
及び高い飽和保持力を有する。不純物元素のコバルトに
おける溶解度が低くかつ磁気層の粒界域がエネルギーの
高い場所であるため、不純物元素は恐らく粒界で集まる
であろう。不純物元素が酸化することによって、粒界の
間のカップリングを破断すると考えられる。従って、飽
和保持力の増大及びノイズの低減は（飽和保磁力矩形比
の低下によって確認されるように）、磁気層の内部粒子
のカップリングが低減することが原因であると考えられ
る。
の酸化物を含有せずにに形成された比較材とのディスク
に比べて高い線密度で実質的に低い媒体の固有のノイズ
及び高い飽和保持力を有する。不純物元素のコバルトに
おける溶解度が低くかつ磁気層の粒界域がエネルギーの
高い場所であるため、不純物元素は恐らく粒界で集まる
であろう。不純物元素が酸化することによって、粒界の
間のカップリングを破断すると考えられる。従って、飽
和保持力の増大及びノイズの低減は（飽和保磁力矩形比
の低下によって確認されるように）、磁気層の内部粒子
のカップリングが低減することが原因であると考えられ
る。
本発明の特性及び有利性を完全に理解するために、図面
を添付すると共に以下に本発明の内容を詳細に記載す
る。
を添付すると共に以下に本発明の内容を詳細に記載す
る。
本発明に実施によってつくられたディスクの構造は、実
質的に半導体級の単結晶シリコンの基板、スパッターリ
ング法でめっきされたクロム−バナジウム（CrV）、す
ず（Sn）又はタングステン（Ｗ）のいずれかの下地層、
Ｙ又はSiのいずれか一方の酸化物を含むCoPt又はCoNi合
金のいずれか一方からなる磁気層、及び、スパッターリ
ング法でめっきされたカーボンの保護皮膜からなる。
質的に半導体級の単結晶シリコンの基板、スパッターリ
ング法でめっきされたクロム−バナジウム（CrV）、す
ず（Sn）又はタングステン（Ｗ）のいずれかの下地層、
Ｙ又はSiのいずれか一方の酸化物を含むCoPt又はCoNi合
金のいずれか一方からなる磁気層、及び、スパッターリ
ング法でめっきされたカーボンの保護皮膜からなる。
ディスクは、スパッタードフィルムズ会社（Sputtered
Films,Inc）のRF−DCマグネトロンスパッターリングシ
ステムで作製された。Arのベース圧力は、めっきする前
は約1.5×10-7Torrであって、それぞれのめっきの間は
約3.25mTorrに保持された。システムに供給する電力は4
00Wで、Arの流量は30sccmであった。すべてのめっき
は、基板を加熱しないで行われた。基板は、記録測定用
に2.54cm（１インチ）のシリコンウエーハ及び130mmの
直径のシリコンディスクであった。シリコン基板の表面
は、高周波放電で清浄にされ、CrVSn又はＷの下地層が
シリコン基板の上に種々の厚さで形成された。磁気層
は、CoPt又はCoNi合金のいずれかのターゲットをYSn又
はSi不純物元素のいずれかのターゲットと共にスパッタ
ーリングすることによって、下地層の上に種々の厚さで
形成された。スパッターリング法でめっきされた磁気層
中に存在する不純物元素の原子％は、不純物元素のター
ゲットへ供給する電力を制御することによって調整され
た。その後、複数のディスクは処理温度及び時間をそれ
ぞれに変えて空気中で焼きなましされ、磁気層中にYSn
又はSiのいずれかの酸化物が形成された。その後、主に
カーボンからなる保護被膜が、磁気層の上にスパッター
リング法でめっきされた。
Films,Inc）のRF−DCマグネトロンスパッターリングシ
ステムで作製された。Arのベース圧力は、めっきする前
は約1.5×10-7Torrであって、それぞれのめっきの間は
約3.25mTorrに保持された。システムに供給する電力は4
00Wで、Arの流量は30sccmであった。すべてのめっき
は、基板を加熱しないで行われた。基板は、記録測定用
に2.54cm（１インチ）のシリコンウエーハ及び130mmの
直径のシリコンディスクであった。シリコン基板の表面
は、高周波放電で清浄にされ、CrVSn又はＷの下地層が
シリコン基板の上に種々の厚さで形成された。磁気層
は、CoPt又はCoNi合金のいずれかのターゲットをYSn又
はSi不純物元素のいずれかのターゲットと共にスパッタ
ーリングすることによって、下地層の上に種々の厚さで
形成された。スパッターリング法でめっきされた磁気層
中に存在する不純物元素の原子％は、不純物元素のター
ゲットへ供給する電力を制御することによって調整され
た。その後、複数のディスクは処理温度及び時間をそれ
ぞれに変えて空気中で焼きなましされ、磁気層中にYSn
又はSiのいずれかの酸化物が形成された。その後、主に
カーボンからなる保護被膜が、磁気層の上にスパッター
リング法でめっきされた。
第１図は、CrV下地層の上にスパッターリング法でめっ
きされるがその後の酸化処理を受けないCo90Pt10及びCo
80Pt20磁気層の飽和保磁力に与えるＹ添加の影響を表し
た図面である。飽和保磁力（HC）は約12〜16に至る程度
のＹの原子％では影響を受けないが、その後、急激に低
下することに注目されたい。16原子％を超える場合の飽
和保磁力（HC）の低下は、粒度が小さくなる結果である
ことがＸ線回折によって確認されている。しかしなが
ら、残留磁気−厚さの積（Mr.t）及び飽和保磁力矩形比
（Ｓ＊）（第２図を見られたい。）は、Ｙのレベルが比
較的高くても、Ｙに影響されることはない。
きされるがその後の酸化処理を受けないCo90Pt10及びCo
80Pt20磁気層の飽和保磁力に与えるＹ添加の影響を表し
た図面である。飽和保磁力（HC）は約12〜16に至る程度
のＹの原子％では影響を受けないが、その後、急激に低
下することに注目されたい。16原子％を超える場合の飽
和保磁力（HC）の低下は、粒度が小さくなる結果である
ことがＸ線回折によって確認されている。しかしなが
ら、残留磁気−厚さの積（Mr.t）及び飽和保磁力矩形比
（Ｓ＊）（第２図を見られたい。）は、Ｙのレベルが比
較的高くても、Ｙに影響されることはない。
しかしながら、310オングストロークの厚さの（CO80Pt
20）88Y12磁気層に200℃の空気焼きなましを行うことに
よって、HCがかなり増大しかつＳ＊が低下した。３時間
焼きなましを行った後、この磁気層のVSM測定ループに
基づき、HCは2,000から2,750Oeまで増大し、一方Ｓ＊は
0.9から0.78まで低下した。3000fr/mmにおける標準化媒
体のノイズ（絶縁されたパルス振幅/RMS媒体ノイズ）-1
のプロットは、（磁気層の酸化前の）Ｓ＊＝0.90におけ
るノイズの最小感度が0.08であるのに対し、（磁気層の
酸化後の）Ｓ＊＝0.78におけるノイズの最小感度は約0.
02であった。比較するためにスパッターリング法でめっ
きされたγFe2O3はＳ＊＝0.7−0.78で媒体のノイズが低
く、最小感度が0.01であった。高いノイズのCo80Pt10合
金（Ｓ＊＝0.9−0.95）は、0.09−0.1の最小感度を示
す。
20）88Y12磁気層に200℃の空気焼きなましを行うことに
よって、HCがかなり増大しかつＳ＊が低下した。３時間
焼きなましを行った後、この磁気層のVSM測定ループに
基づき、HCは2,000から2,750Oeまで増大し、一方Ｓ＊は
0.9から0.78まで低下した。3000fr/mmにおける標準化媒
体のノイズ（絶縁されたパルス振幅/RMS媒体ノイズ）-1
のプロットは、（磁気層の酸化前の）Ｓ＊＝0.90におけ
るノイズの最小感度が0.08であるのに対し、（磁気層の
酸化後の）Ｓ＊＝0.78におけるノイズの最小感度は約0.
02であった。比較するためにスパッターリング法でめっ
きされたγFe2O3はＳ＊＝0.7−0.78で媒体のノイズが低
く、最小感度が0.01であった。高いノイズのCo80Pt10合
金（Ｓ＊＝0.9−0.95）は、0.09−0.1の最小感度を示
す。
別の実施例では、コバルト合金媒体に対するSi酸化物の
添加の影響が調べられた。SiがCo74Pt9Cr17に添加され
た場合、磁気特性（HC,Mr.t,S＊）は、約10原子％以下
のSiを添加することによって影響は受けない。Siを添加
するがその後酸化されない場合はCoPtCrに影響を与えな
いため、その後、スパッターリング法によるめっき処理
の間にCo72.5Ni20Cr7.5合金にSiが添加された。CoNiCr
磁気層は、タングステン（Ｗ）下地層の上に形成され
た。第３図は、（Co72.5Ni20Cr7.5）（Si）磁気層をそ
の後250℃で約２時間空気焼きなましすることによっ
て、HCが700Oeから1300Oe近くまで増大する一方Ｓ＊は
0.825から0.74まで低下したことを示している。
添加の影響が調べられた。SiがCo74Pt9Cr17に添加され
た場合、磁気特性（HC,Mr.t,S＊）は、約10原子％以下
のSiを添加することによって影響は受けない。Siを添加
するがその後酸化されない場合はCoPtCrに影響を与えな
いため、その後、スパッターリング法によるめっき処理
の間にCo72.5Ni20Cr7.5合金にSiが添加された。CoNiCr
磁気層は、タングステン（Ｗ）下地層の上に形成され
た。第３図は、（Co72.5Ni20Cr7.5）（Si）磁気層をそ
の後250℃で約２時間空気焼きなましすることによっ
て、HCが700Oeから1300Oe近くまで増大する一方Ｓ＊は
0.825から0.74まで低下したことを示している。
CoPt及びCoNi合金に添加されるＹ及びSiの不純物が焼き
なまし後にHcの増大及びＳ＊の低下に対して影響を与え
うることを立証するために、（カーボン保護皮膜を有す
るものと該皮膜を有さないものの）それぞれのCoPtCr及
びCoNiCr磁気層を有する複数のディスクが空気中で250
℃において４時間以下で熱処理された。第４図は、これ
らの調整された薄膜のHcは空気焼きなましに影響されな
いことを示している。従って、磁気特性に対する焼きな
ましの効果は、不純物Y,Siの添加材の選択的な酸化を原
因とする。磁気特性が変化するのは反応性成分（Y,Si）
が酸化する結果であることを実際に立証するために、焼
きなまし処理の前にCoPt−Ｙ及びCoNiCr−Si磁気層が50
〜75オングストロークの厚さの密着層（CrV,W）及び150
〜165オングストロークの厚さスパッターリング法でめ
っきされたカーボンの保護被膜で被覆された。第５図
は、CoPtCr−Ｙ（1100〜1240 Oe）についてはHcが若干
増大したがCoNiCr−Siについては全く増大しなかったこ
とを示している。
なまし後にHcの増大及びＳ＊の低下に対して影響を与え
うることを立証するために、（カーボン保護皮膜を有す
るものと該皮膜を有さないものの）それぞれのCoPtCr及
びCoNiCr磁気層を有する複数のディスクが空気中で250
℃において４時間以下で熱処理された。第４図は、これ
らの調整された薄膜のHcは空気焼きなましに影響されな
いことを示している。従って、磁気特性に対する焼きな
ましの効果は、不純物Y,Siの添加材の選択的な酸化を原
因とする。磁気特性が変化するのは反応性成分（Y,Si）
が酸化する結果であることを実際に立証するために、焼
きなまし処理の前にCoPt−Ｙ及びCoNiCr−Si磁気層が50
〜75オングストロークの厚さの密着層（CrV,W）及び150
〜165オングストロークの厚さスパッターリング法でめ
っきされたカーボンの保護被膜で被覆された。第５図
は、CoPtCr−Ｙ（1100〜1240 Oe）についてはHcが若干
増大したがCoNiCr−Siについては全く増大しなかったこ
とを示している。
この試験データから、Ｓ＊の低下によって示されるよう
に、Hcをかなり増大させかつ媒体のノイズをかなり低減
する効果を生じせしめるのはコバルト合金の粒界におけ
るＹ及びSi添加剤の酸化によるものであると考えられ
る。この推論に基づき、本発明はＹ又はSiの酸化物を有
するディスクには限定されず、コバルト合金媒体が改善
された高い飽和保磁力及び低いノイズを有する同様な結
果が、コバルト中における比較的低い溶解度及び酸素に
対して比較的高い親和力を有する元素であればいかなる
元素の酸化物を用いても達成されうることは明らかであ
ろう。このような元素の例としては、稀土類元素、更に
Hf、Ge及びZrがある。酸素若しくはアルゴン−酸素プラ
ズマ又は空気よりむしろ酸素に対する暴露を用いる方法
のような他の方法、上述の空気焼きなまし酸化工程の代
わりに用いてもよい。反応性雰囲気（空気、O2、Ar−
O2）下でのディスク構成物の急熱（rapid thermal）焼
きなましも、ディスク合金の反応性成分を酸化する別法
の一つである。
に、Hcをかなり増大させかつ媒体のノイズをかなり低減
する効果を生じせしめるのはコバルト合金の粒界におけ
るＹ及びSi添加剤の酸化によるものであると考えられ
る。この推論に基づき、本発明はＹ又はSiの酸化物を有
するディスクには限定されず、コバルト合金媒体が改善
された高い飽和保磁力及び低いノイズを有する同様な結
果が、コバルト中における比較的低い溶解度及び酸素に
対して比較的高い親和力を有する元素であればいかなる
元素の酸化物を用いても達成されうることは明らかであ
ろう。このような元素の例としては、稀土類元素、更に
Hf、Ge及びZrがある。酸素若しくはアルゴン−酸素プラ
ズマ又は空気よりむしろ酸素に対する暴露を用いる方法
のような他の方法、上述の空気焼きなまし酸化工程の代
わりに用いてもよい。反応性雰囲気（空気、O2、Ar−
O2）下でのディスク構成物の急熱（rapid thermal）焼
きなましも、ディスク合金の反応性成分を酸化する別法
の一つである。
コバルト合金が含有する低い溶解度の（粒界に集まる傾
向がある）反応性不純物の粒界におけるめっき後の酸化
は、粒界のカップリングを破断して、粒度及び飽和保磁
力を低減させることなくトランジッションノイズを低減
させる。粒界の酸化物はかなり静磁場のカップリングの
低減をもたらし、磁気記録用のコバルト合金の飽和保磁
力の値をかなり増大させる。選択的な粒界の酸化はコバ
ルト合金の耐食性をも改善しうる。加えて、CoNiCr−Si
のHcの増大（及びＳ＊の低下）（第３図）は、Ptを含有
しないコバルト合金でも高い飽和保磁力（低いノイズ）
を有しうることを示している。
向がある）反応性不純物の粒界におけるめっき後の酸化
は、粒界のカップリングを破断して、粒度及び飽和保磁
力を低減させることなくトランジッションノイズを低減
させる。粒界の酸化物はかなり静磁場のカップリングの
低減をもたらし、磁気記録用のコバルト合金の飽和保磁
力の値をかなり増大させる。選択的な粒界の酸化はコバ
ルト合金の耐食性をも改善しうる。加えて、CoNiCr−Si
のHcの増大（及びＳ＊の低下）（第３図）は、Ptを含有
しないコバルト合金でも高い飽和保磁力（低いノイズ）
を有しうることを示している。
上述の詳細な説明は、記録媒体の一部分を形成する創作
性のある構成要件のみに関するものであり、媒体及びそ
の製造方法の一般に知られている部分に関しては省略さ
れている。例えば、薄膜コバルト合金ディスクの製造に
関しては、磁気層の上にスパッターされたカーボンフィ
ルムのような保護皮膜を付与することは知られている。
性のある構成要件のみに関するものであり、媒体及びそ
の製造方法の一般に知られている部分に関しては省略さ
れている。例えば、薄膜コバルト合金ディスクの製造に
関しては、磁気層の上にスパッターされたカーボンフィ
ルムのような保護皮膜を付与することは知られている。
本発明の好適な実施態様が詳細に例を挙げて説明されて
いるが、本発明の技術分野におる当業者がそれら実施態
様の変更及び改変を特許請求の範囲に記載される本発明
の範囲から逸脱することなしに行いうることは明らかで
ある。
いるが、本発明の技術分野におる当業者がそれら実施態
様の変更及び改変を特許請求の範囲に記載される本発明
の範囲から逸脱することなしに行いうることは明らかで
ある。
第１図は、磁気層におけるＹ添加剤の関数として、CoPt
−Ｙディスクの飽和保磁力をプロットしたものである。 第２図は、磁気層におけるＹ添加剤の関数として、CoPt
−Ｙのディスクの残留磁気−厚さの積及び飽和保磁力矩
形比をプロットしたものである。 第３図は、空気焼きなまし時間の関数として、CoNiCr−
Siディスクの飽和保磁力及び飽和保磁力矩形比をプロッ
トしたものである。 第４図は、空気焼きなまし時間の関数として、（不純物
元素を含有しない）種々のCoPt及びCoNi合金のディスク
の飽和保磁力をプロットしたものである。 第５図は、空気焼きなまし時間の関数として、密着層及
び保護皮膜が磁気層全体にわたって形成されている（不
純物元素が添加されている）種々のCoPt及びCoNi合金の
ディスクの飽和保磁力をプロットしたものである。
−Ｙディスクの飽和保磁力をプロットしたものである。 第２図は、磁気層におけるＹ添加剤の関数として、CoPt
−Ｙのディスクの残留磁気−厚さの積及び飽和保磁力矩
形比をプロットしたものである。 第３図は、空気焼きなまし時間の関数として、CoNiCr−
Siディスクの飽和保磁力及び飽和保磁力矩形比をプロッ
トしたものである。 第４図は、空気焼きなまし時間の関数として、（不純物
元素を含有しない）種々のCoPt及びCoNi合金のディスク
の飽和保磁力をプロットしたものである。 第５図は、空気焼きなまし時間の関数として、密着層及
び保護皮膜が磁気層全体にわたって形成されている（不
純物元素が添加されている）種々のCoPt及びCoNi合金の
ディスクの飽和保磁力をプロットしたものである。
Claims (1)
- 【請求項１】スパッタリング法による付着によって形成
されるコバルト合金から成る磁気層を有する水平磁気記
録用の薄膜磁気記録ディスクの製造方法であって、 （ａ）コバルト合金をを構成する元素をスパッタリング
法で付着する間に、Ｙ、Si、希土類元素、Hf、Ge、Sn及
びZrから成る群から選択された不純物元素をスパッタリ
ング法で付着させ、 （ｂ）こうして形成された磁気層の上記不純物元素を酸
化させるため上記磁気層を酸素の存在で加熱する、 ことからなる薄膜磁気ディスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/464,842 US5062938A (en) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | High coercivity low noise cobalt alloy magnetic recording medium and its manufacturing process |
| US464842 | 1990-01-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216811A JPH03216811A (ja) | 1991-09-24 |
| JPH0766544B2 true JPH0766544B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=23845467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2337014A Expired - Fee Related JPH0766544B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-11-30 | 薄膜磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5062938A (ja) |
| EP (1) | EP0438212B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0766544B2 (ja) |
| DE (1) | DE69126450T2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH087859B2 (ja) * | 1991-09-06 | 1996-01-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5363794A (en) * | 1992-12-02 | 1994-11-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Uniaxial thin film structures formed from oriented bilayers and multilayers |
| US5478661A (en) * | 1993-04-01 | 1995-12-26 | Ag Technology Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for its production |
| US5658659A (en) | 1994-01-28 | 1997-08-19 | Komag, Inc. | Magnetic alloy and method for manufacturing same |
| US5846648A (en) * | 1994-01-28 | 1998-12-08 | Komag, Inc. | Magnetic alloy having a structured nucleation layer and method for manufacturing same |
| US5736013A (en) * | 1994-04-06 | 1998-04-07 | Komag, Inc. | Method for forming an improved magnetic media including sputtering of selected oxides or nitrides in the magnetic layer, and apparatus for same |
| US5989728A (en) * | 1994-11-02 | 1999-11-23 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording medium having high coercivity |
| US5774783A (en) * | 1995-03-17 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| JP3669457B2 (ja) | 1996-03-19 | 2005-07-06 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6632520B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-10-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic film |
| AU3596400A (en) * | 1999-02-16 | 2000-09-04 | Hyundai Electronics America, Inc. | Magnetic recording medium with improved performance properties and methods |
| ATE333487T1 (de) * | 2000-02-07 | 2006-08-15 | Nagoya Oilchemical | Harzzusammensetzung, formmaterial und geformter gegenstand |
| US6821618B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-11-23 | Toda Kogyo Corporation | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| SG103871A1 (en) * | 2001-07-03 | 2004-05-26 | Toda Kogyo Corp | Magnetic recording medium and products for producing the same |
| US6808741B1 (en) * | 2001-10-26 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | In-line, pass-by method for vapor lubrication |
| US6723450B2 (en) | 2002-03-19 | 2004-04-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium with antiparallel coupled ferromagnetic films as the recording layer |
| US7081268B2 (en) * | 2003-06-03 | 2006-07-25 | Seagate Technology Llc | In-situ post-deposition oxidation treatment for improved magnetic recording media |
| US7482071B2 (en) * | 2005-05-24 | 2009-01-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording disk with improved recording layer having high oxygen content |
| US7491452B2 (en) | 2005-08-12 | 2009-02-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording disk with recording layer containing selected metal oxides and formed on a reduced-thickness exchange-break layer |
| US8043734B2 (en) * | 2008-07-23 | 2011-10-25 | Seagate Technology Llc | Oxidized conformal capping layer |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-06 | Ulvac Corp | Vacuum-evaporated film type magnetic recording substance and its manufacture |
| JPS57192009A (en) * | 1981-05-21 | 1982-11-26 | Nippon Gakki Seizo Kk | Tape for magnetic recording |
| JPS57198615A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| JPS5883328A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS59119531A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119532A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59160828A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS60170213A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Yoshifumi Sakurai | 磁性薄膜およびその製法 |
| JPS61224126A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
| EP0261240B1 (en) * | 1985-06-21 | 1992-05-06 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Magnetic recording medium |
| JPS62117135A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6365611A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 強磁性薄膜の形成方法 |
| US4789598A (en) * | 1987-01-20 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer |
| US4792497A (en) * | 1987-01-29 | 1988-12-20 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording |
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| JPS63237210A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-01-16 US US07/464,842 patent/US5062938A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-30 JP JP2337014A patent/JPH0766544B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-04 DE DE69126450T patent/DE69126450T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-04 EP EP91300079A patent/EP0438212B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69126450D1 (de) | 1997-07-17 |
| JPH03216811A (ja) | 1991-09-24 |
| EP0438212B1 (en) | 1997-06-11 |
| DE69126450T2 (de) | 1997-12-11 |
| US5062938A (en) | 1991-11-05 |
| EP0438212A1 (en) | 1991-07-24 |
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