JPH03216811A - 薄膜磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH03216811A JPH03216811A JP2337014A JP33701490A JPH03216811A JP H03216811 A JPH03216811 A JP H03216811A JP 2337014 A JP2337014 A JP 2337014A JP 33701490 A JP33701490 A JP 33701490A JP H03216811 A JPH03216811 A JP H03216811A
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- Y10T428/12931—Co-, Fe-, or Ni-base components, alternative to each other
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１．産業上の利用分野
本発明は、水平記録用薄膜合金の磁気記録媒体に関し、
殊に高い飽和保磁力及び低い媒体の固有ノイズを有する
コバルト合金のディスク及びそのようなディスクを製造
する方法に関する。
殊に高い飽和保磁力及び低い媒体の固有ノイズを有する
コバルト合金のディスク及びそのようなディスクを製造
する方法に関する。
２．従来の技術
水平記録用のコバルト合金のディスクのような薄膜合金
の磁気記録媒体に関する問題の一つは、線記録密度が増
大するにつれて媒体の固有のノイズが増大することであ
る。媒体のノイズは、磁気トランジッション（ｔｒａｎ
ｓｉｔｉｏｎ）が不規則なために生じ、リードパック信
号のピークがランダムにシフトする結果を引き起こす。
の磁気記録媒体に関する問題の一つは、線記録密度が増
大するにつれて媒体の固有のノイズが増大することであ
る。媒体のノイズは、磁気トランジッション（ｔｒａｎ
ｓｉｔｉｏｎ）が不規則なために生じ、リードパック信
号のピークがランダムにシフトする結果を引き起こす。
これらのランダムなシフトは、「ピークジッタ」又は「
時開ジッタＪの原因となる。従って、媒体のノイズが高
い程、ビット誤り率が高くなる。それ故、データが最大
線密度で記録されつるように、最大許容レベルより低い
レベルのノイズしか生じせしめない薄膜合金の媒体を開
発することが望ましい。ピークジッタ及び媒体のＳＮ比
によって測定されるところの媒体の固有のノイズの磁気
記録システムのビット誤り率に与える影響は、カッズ（
Ｋａｔｚ）らが著した”ビットシフト分布が磁気記録の
誤り率に与える影響（Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆＢｉｔｓｈｉ
ｆｔ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｎ ＥｒｒｏｒＲ
ａｔｅ ｉｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ
）″（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． ｏｎＭａｇｎｅｔｉ
ｃｓ） （１９７９年， ＭＡＧ−１５巻， １０５０
−１０５３頁）に記載されている。媒体のＳＮ比は、ベ
ルク（Ｂｅｌｋ）らが著した”高性能を有する剛性の記
録媒体の固有のＳＮ比の測定（Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ
ｏｆ ｔｂｅ ＩｎｔｒｉｎｓｉｃＳｉｇｎａｌ−ｔ
ｏ−Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ Ｐｅ
ｒｆｏｒｍａｎｃｅＲｉｇｉｄ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ
Ｍｅｄｉａ）″（Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓｉｃｓ．
５９（２）， １９８６年１月１５日． ５５７−５６
２頁）に記載されている。酸素を磁気層に組み込むこと
によって、薄膜のｑバルト合金の媒体のＳＮ比を改善す
ることが提案されている。例えば、我々の係属中の米国
特許出願第０７／３９４． ７８４号（出願日１９８９
年８月１６日）の明細書は、酸素の存在下においてコバ
ルト合金をスパッターリング法でめっきすることによっ
て、低いノイズしか発生しないコバルト一白金（ＣｏＰ
ｔ）又はコバルトーニッケル（ＣｏＮｉ）合金ディスク
を形成する方法を詳述している。特開昭６１−２７６１
１６号は、アルマイトで被覆された基板上にＣｏＮｉ磁
気層が酸素又は窒素のいずれかの存在下においてスパッ
ターリング法でめっきし、その後に、ディスクを熱処理
することによって製造される、高いＳＮ比を有するＣｏ
Ｎｉ合金ディスクを記載している。コバルト合金の磁気
層へ酸素ドーピングすることによってＳＮ比が改善され
るが、同時に飽和保磁力をかなり低減する結果を招く。
時開ジッタＪの原因となる。従って、媒体のノイズが高
い程、ビット誤り率が高くなる。それ故、データが最大
線密度で記録されつるように、最大許容レベルより低い
レベルのノイズしか生じせしめない薄膜合金の媒体を開
発することが望ましい。ピークジッタ及び媒体のＳＮ比
によって測定されるところの媒体の固有のノイズの磁気
記録システムのビット誤り率に与える影響は、カッズ（
Ｋａｔｚ）らが著した”ビットシフト分布が磁気記録の
誤り率に与える影響（Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆＢｉｔｓｈｉ
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−１０５３頁）に記載されている。媒体のＳＮ比は、ベ
ルク（Ｂｅｌｋ）らが著した”高性能を有する剛性の記
録媒体の固有のＳＮ比の測定（Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ
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５９（２）， １９８６年１月１５日． ５５７−５６
２頁）に記載されている。酸素を磁気層に組み込むこと
によって、薄膜のｑバルト合金の媒体のＳＮ比を改善す
ることが提案されている。例えば、我々の係属中の米国
特許出願第０７／３９４． ７８４号（出願日１９８９
年８月１６日）の明細書は、酸素の存在下においてコバ
ルト合金をスパッターリング法でめっきすることによっ
て、低いノイズしか発生しないコバルト一白金（ＣｏＰ
ｔ）又はコバルトーニッケル（ＣｏＮｉ）合金ディスク
を形成する方法を詳述している。特開昭６１−２７６１
１６号は、アルマイトで被覆された基板上にＣｏＮｉ磁
気層が酸素又は窒素のいずれかの存在下においてスパッ
ターリング法でめっきし、その後に、ディスクを熱処理
することによって製造される、高いＳＮ比を有するＣｏ
Ｎｉ合金ディスクを記載している。コバルト合金の磁気
層へ酸素ドーピングすることによってＳＮ比が改善され
るが、同時に飽和保磁力をかなり低減する結果を招く。
３．発明の解決しようとする課題
従って、高い飽和保磁力及び低い媒体の固有ののノイズ
を有するコバルト合金媒体を開発することが望まれてい
る。
を有するコバルト合金媒体を開発することが望まれてい
る。
４．課題を解決するための手段、作用及び効果本発明は
、高い記録密度で、高い保磁力及び低いノイズの両方を
有する水平記録用コバルト合金ディスクに関するもので
ある。ディスク中の磁気層は、コバルト合金材料に加え
て、１種又は２種以上の不純物元素の酸化物を含有して
いる。これらの元素は、１）酸素に対して高い親和力、
及び、ｉｉ）コバルトと非常に異なる原子半径を有する
ためにコバルト中における比較的低い溶解度を示す。こ
のような元素には、イットリウム（Ｙ）、珪素（Ｓｉ）
、稀土類元素、ハフニウム（Ｈｆ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、すず（Ｓｎ）及びジルコニア（Ｚｒ）がある。デ
ィスクは、コバルト合金材料及び１種又は２種以上の不
純物元素を共にスパッターリング法でめっきし、その後
、不純物元素を酸化することによって形成されうる。酸
化は、磁気層を酸素若しくは空気に暴露しなからディス
夕を加熱することによって、又は磁気層を酸素又は酸素
−アルゴンプラズマに暴露することによって起こる。
、高い記録密度で、高い保磁力及び低いノイズの両方を
有する水平記録用コバルト合金ディスクに関するもので
ある。ディスク中の磁気層は、コバルト合金材料に加え
て、１種又は２種以上の不純物元素の酸化物を含有して
いる。これらの元素は、１）酸素に対して高い親和力、
及び、ｉｉ）コバルトと非常に異なる原子半径を有する
ためにコバルト中における比較的低い溶解度を示す。こ
のような元素には、イットリウム（Ｙ）、珪素（Ｓｉ）
、稀土類元素、ハフニウム（Ｈｆ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、すず（Ｓｎ）及びジルコニア（Ｚｒ）がある。デ
ィスクは、コバルト合金材料及び１種又は２種以上の不
純物元素を共にスパッターリング法でめっきし、その後
、不純物元素を酸化することによって形成されうる。酸
化は、磁気層を酸素若しくは空気に暴露しなからディス
夕を加熱することによって、又は磁気層を酸素又は酸素
−アルゴンプラズマに暴露することによって起こる。
本発明のコバルト合金のディスクは、磁気層中に不純物
の酸化物を含有せずにに形成された比較材とのディスク
に比べて高い線密度で実質的に低い媒体の固有のノイズ
及び高い飽和保磁力を有する。不純物元素のコバルトに
おける溶解度が低くかつ磁気層の粒界域がエネルギーの
高い場所であるため、不純物元素は恐らく粒界で集まる
であろう。不純物元素が酸化することによって、粒界の
間のカップリングを破断すると考えられる。従って、飽
和保磁力の増大及びノイズの低減は（飽和保磁力矩形比
の低下によって確認されるように）、磁気層の内部粒子
のカップリングが低減することが原因であると考えられ
る。
の酸化物を含有せずにに形成された比較材とのディスク
に比べて高い線密度で実質的に低い媒体の固有のノイズ
及び高い飽和保磁力を有する。不純物元素のコバルトに
おける溶解度が低くかつ磁気層の粒界域がエネルギーの
高い場所であるため、不純物元素は恐らく粒界で集まる
であろう。不純物元素が酸化することによって、粒界の
間のカップリングを破断すると考えられる。従って、飽
和保磁力の増大及びノイズの低減は（飽和保磁力矩形比
の低下によって確認されるように）、磁気層の内部粒子
のカップリングが低減することが原因であると考えられ
る。
本発明の特性及び有利性を完全に理解するために、図面
を添付すると共に以下に本発明の内容を詳細に記載する
。
を添付すると共に以下に本発明の内容を詳細に記載する
。
本発明の実施によってつくられたディスクの構造は、実
質的に半導体級の単結晶シリコンの基板、スパッターリ
ング法でめっきされたクロムーバナシウム（ＣｒＶ）、
すず（Ｓｎ）又はタングステン（Ｗ）のいずれかの下地
層、Ｙ又はＳｉのいずれか一方の酸化物を含むＣｏＰｔ
又はＣｏＮｉ合金のいずれか一方からなる磁気層、及び
、スパッターリング法でめっきされたカーボンの保護皮
膜からなる。
質的に半導体級の単結晶シリコンの基板、スパッターリ
ング法でめっきされたクロムーバナシウム（ＣｒＶ）、
すず（Ｓｎ）又はタングステン（Ｗ）のいずれかの下地
層、Ｙ又はＳｉのいずれか一方の酸化物を含むＣｏＰｔ
又はＣｏＮｉ合金のいずれか一方からなる磁気層、及び
、スパッターリング法でめっきされたカーボンの保護皮
膜からなる。
ディスクは、スパッタードフィルムズ会社（Ｓｐｕｔｔ
ｅｒｅｄ Ｆｉｌｍｓ．Ｉｎｃ）のＲＦ−ＤＣ？グネト
ロンスパッターリングシステムで作製された。Ａｒのベ
ース圧力は、めっきする前は約１．５Ｘ１０−’Ｔｏｒ
ｒてあって、それぞれのめっきの間は約３ ． ２ ５
ｍＴｏｒｒに保持された。システムに供給する電力は
４００Ｗで、Ａｒの流量は３ Ｑ ｓｅｅｍであった。
ｅｒｅｄ Ｆｉｌｍｓ．Ｉｎｃ）のＲＦ−ＤＣ？グネト
ロンスパッターリングシステムで作製された。Ａｒのベ
ース圧力は、めっきする前は約１．５Ｘ１０−’Ｔｏｒ
ｒてあって、それぞれのめっきの間は約３ ． ２ ５
ｍＴｏｒｒに保持された。システムに供給する電力は
４００Ｗで、Ａｒの流量は３ Ｑ ｓｅｅｍであった。
すべてのめっきは、基板を加熱しないで行われた。基板
は、記録測定用に２．５４ｃｍ（１インチ）のシリコン
ウエーハ及び１３０ｍｍの直径のシリコンディスクであ
った。シリコン基板の表面は、高周波放電で清浄にされ
、ＣｒＶＳｎ又はＷの下地層がシリコン基板の上に種々
の厚さで形成された。磁気層は、ＣｏＰｔ又はＣｏＮｉ
合金のいずれかのターゲットをＹＳｎ又はＳｉ不純物元
素のいずれかのターゲットと共にスパッターリングする
ことによって、下地層の上に種々の厚さで形成された。
は、記録測定用に２．５４ｃｍ（１インチ）のシリコン
ウエーハ及び１３０ｍｍの直径のシリコンディスクであ
った。シリコン基板の表面は、高周波放電で清浄にされ
、ＣｒＶＳｎ又はＷの下地層がシリコン基板の上に種々
の厚さで形成された。磁気層は、ＣｏＰｔ又はＣｏＮｉ
合金のいずれかのターゲットをＹＳｎ又はＳｉ不純物元
素のいずれかのターゲットと共にスパッターリングする
ことによって、下地層の上に種々の厚さで形成された。
スパッターリング法でめっきされた磁気層中に存在する
不純物元素の原子％は、不純物元素のターケットへ供給
する電力を制御することによって調整された。
不純物元素の原子％は、不純物元素のターケットへ供給
する電力を制御することによって調整された。
その後、複数のディスクは処理温度及び時間をそれぞれ
に変えて空気中で焼きなましされ、磁気層中にＹＳｎ又
はＳｉのいずれかの酸化物が形成された。その後、生に
カーボンからなる保護被膜が、磁気層の上にスパッター
リング法てめっきされた。
に変えて空気中で焼きなましされ、磁気層中にＹＳｎ又
はＳｉのいずれかの酸化物が形成された。その後、生に
カーボンからなる保護被膜が、磁気層の上にスパッター
リング法てめっきされた。
第１図は、ＣｒＶ下地層の上にスパッターリング法でめ
っきされるがその後の酸化処理を受けないｃ ｏｅｏＰ
ｔ ，ｏ及びＣ ｏ＠ｏＰ ｔ ２ｏ磁気層の飽和保
磁力に与えるＹ添加の影響を表した図面である。
っきされるがその後の酸化処理を受けないｃ ｏｅｏＰ
ｔ ，ｏ及びＣ ｏ＠ｏＰ ｔ ２ｏ磁気層の飽和保
磁力に与えるＹ添加の影響を表した図面である。
飽和保磁力（Ｈｃ）は約１２〜１６に至る程度のＹの原
子％ては影響を受けないが、その後、急激に低下するこ
とに注目されたい。１６原子％を超える場合の飽和保磁
力（Ｈｃ）の低下は、粒度が小さくなる結果てあること
がＸ線回折によって確認されている。しかしながら、残
留磁気一厚さの積（Ｍｒ． ｔ）及び飽和保磁力矩形比
（Ｓ＊）（第２図を見られたい。）は、Ｙのレベルが比
較的高くても、Ｙに影響されることはない。
子％ては影響を受けないが、その後、急激に低下するこ
とに注目されたい。１６原子％を超える場合の飽和保磁
力（Ｈｃ）の低下は、粒度が小さくなる結果てあること
がＸ線回折によって確認されている。しかしながら、残
留磁気一厚さの積（Ｍｒ． ｔ）及び飽和保磁力矩形比
（Ｓ＊）（第２図を見られたい。）は、Ｙのレベルが比
較的高くても、Ｙに影響されることはない。
しかしながら、３１０オングストロームの厚さの（Ｃ
ｏｓｏＰ ｔ ２０） ８８ＹＩ２磁気層に２００℃の
空気焼きなましを行うことによって、Ｈｃがかなり増大
しかつＳ＊が低下した。３時間焼きなましを行った後、
この磁気層のＶＳＭ測定ループに基づき、Ｈｃは２．０
００から２，７５００ｅまで増大し、一方Ｓ＊は０．９
から０．７８まで低下した。３ ０ ０ ０ ｆｒ／ｍ
ｍにおける標準化媒体のノイズ（絶縁されたパルス振幅
／ＲＭＳ媒体ノイズ）川のプロットは、（磁気層の酸化
前の）Ｓ＊＝０．９０におけるノイズの最小感度が０．
０８であるのに対し、（磁気層の酸化後の） Ｓ＊＝０
． ７８におけるノイズの最小感度は約０．０２であ
った。
ｏｓｏＰ ｔ ２０） ８８ＹＩ２磁気層に２００℃の
空気焼きなましを行うことによって、Ｈｃがかなり増大
しかつＳ＊が低下した。３時間焼きなましを行った後、
この磁気層のＶＳＭ測定ループに基づき、Ｈｃは２．０
００から２，７５００ｅまで増大し、一方Ｓ＊は０．９
から０．７８まで低下した。３ ０ ０ ０ ｆｒ／ｍ
ｍにおける標準化媒体のノイズ（絶縁されたパルス振幅
／ＲＭＳ媒体ノイズ）川のプロットは、（磁気層の酸化
前の）Ｓ＊＝０．９０におけるノイズの最小感度が０．
０８であるのに対し、（磁気層の酸化後の） Ｓ＊＝０
． ７８におけるノイズの最小感度は約０．０２であ
った。
比較するためにスパッターリング法でめっきされた７Ｆ
ｅｚＯｓはＳ＊＝０．７−０．７８で媒体のノイズが低
《、最小感度が０．０１であった。高いノイズのＣ ｏ
ｓｏＰ ｔ ，。合金（Ｓ＊＝０．９−０．９５）は、
０．０９−０．１の最小感度を示す。
ｅｚＯｓはＳ＊＝０．７−０．７８で媒体のノイズが低
《、最小感度が０．０１であった。高いノイズのＣ ｏ
ｓｏＰ ｔ ，。合金（Ｓ＊＝０．９−０．９５）は、
０．０９−０．１の最小感度を示す。
別の実施例では、コバルト合金媒体に対するＳ１酸化物
の添加の影響が調べられた。Ｓ１がＣ Ｏ ７４Ｐ ｔ
ｓＣ ｒ １７に添加された場合、磁気特性（Ｈｃ，
Ｍｒ．ｔ，ｓ＊）は、約１０原子％以下のＳｉを添加す
ることによっては影響を受けない。
の添加の影響が調べられた。Ｓ１がＣ Ｏ ７４Ｐ ｔ
ｓＣ ｒ １７に添加された場合、磁気特性（Ｈｃ，
Ｍｒ．ｔ，ｓ＊）は、約１０原子％以下のＳｉを添加す
ることによっては影響を受けない。
Ｓｉを添加するがその後酸化されない場合はＣｏＰｔＣ
ｒに影響を与えないため、その後、スパッターリング法
によるめっき処理の間にＣｏ７。５Ｎｊ２ｏｃｒ７．ｓ
合金に８１が添加された。ＣｏＮｉＣｒ磁気層は、タン
グステン（Ｗ）下地層の上に形成された。第３図は、（
ＣＯ７２ ５Ｎ ｊ２ｏｃ ｒｔ ｓ）（Ｓ１）磁気層
をその後２５０℃で約２時間空気焼きなましすることに
よって、Ｈ，が７０００ｅから１３０００ｅ近くまで増
大する一方Ｓ＊は０．８２５から０．７４まで低下した
ことを示している。
ｒに影響を与えないため、その後、スパッターリング法
によるめっき処理の間にＣｏ７。５Ｎｊ２ｏｃｒ７．ｓ
合金に８１が添加された。ＣｏＮｉＣｒ磁気層は、タン
グステン（Ｗ）下地層の上に形成された。第３図は、（
ＣＯ７２ ５Ｎ ｊ２ｏｃ ｒｔ ｓ）（Ｓ１）磁気層
をその後２５０℃で約２時間空気焼きなましすることに
よって、Ｈ，が７０００ｅから１３０００ｅ近くまで増
大する一方Ｓ＊は０．８２５から０．７４まで低下した
ことを示している。
ＣｏＰｔ及びＣｏＮｉ合金に添加されるＹ及びＳｉの不
純物が焼きなまし後にＨｃの増大及びＳ＊の低下に対し
て影響を与えうろことを立証するために、（カーボン保
護皮膜を有するものと該皮膜を有さないものの）それぞ
れのＣｏＰｔＣｒ及びＣｏＮ ｉ Ｃ ｒ磁気層を有す
る複数のディスクが空気中で２５０°Ｃにおいて４時間
以下で熱処理された。第４図は、これらの調整された薄
膜のＨｃは空気焼きなましに影響されないことを示して
いる。従って、磁気特性に対する焼きなましの効果は、
不純物Ｙ．Ｓｉの添加剤の選択的な酸化を原因とする。
純物が焼きなまし後にＨｃの増大及びＳ＊の低下に対し
て影響を与えうろことを立証するために、（カーボン保
護皮膜を有するものと該皮膜を有さないものの）それぞ
れのＣｏＰｔＣｒ及びＣｏＮ ｉ Ｃ ｒ磁気層を有す
る複数のディスクが空気中で２５０°Ｃにおいて４時間
以下で熱処理された。第４図は、これらの調整された薄
膜のＨｃは空気焼きなましに影響されないことを示して
いる。従って、磁気特性に対する焼きなましの効果は、
不純物Ｙ．Ｓｉの添加剤の選択的な酸化を原因とする。
磁気特性が変化するのは反応性成分（ＹＳｉ）が酸化す
る結果てあることを実際に立証するために、焼きなまし
処理の前にＣｏＰｔ−Ｙ及びＣｏＮｉＣｒ−Ｓｉ磁気層
が５０〜７５オングストロームの厚さの密着層（ＣｒＶ
．Ｗ）及び１５０〜１６５オングストロームの厚さのス
パッターリング法でめっきされたカーボンの保護被膜で
被覆された。第５図は、ＣｏＰｔＣｒ−Ｙ （１１００
〜１２４０ ０ｅ）についてはＨｃが若干増大したがＣ
ｏＮｉＣｒ−Ｓｉについては全《増大しなかったことを
示している。
る結果てあることを実際に立証するために、焼きなまし
処理の前にＣｏＰｔ−Ｙ及びＣｏＮｉＣｒ−Ｓｉ磁気層
が５０〜７５オングストロームの厚さの密着層（ＣｒＶ
．Ｗ）及び１５０〜１６５オングストロームの厚さのス
パッターリング法でめっきされたカーボンの保護被膜で
被覆された。第５図は、ＣｏＰｔＣｒ−Ｙ （１１００
〜１２４０ ０ｅ）についてはＨｃが若干増大したがＣ
ｏＮｉＣｒ−Ｓｉについては全《増大しなかったことを
示している。
この試験データから、Ｓ＊の低下によって示されるよう
に、Ｈｅをかなり増大させかつ媒体のノイズをかなり低
減する効果を生じせしめるのはコバルト合金の粒界にお
けるＹ及びＳｉ添加剤の酸化によるものであると考えら
れる。この推論に基づき、本発明はＹ又はＳｉの酸化物
を有するディスクには限定されず、コバルト合金媒体が
改善された高い飽和保磁力及び低いノイズを有する同様
な結果が、コバルト中における比較的低い溶解度及び酸
素に対して比較的高い親和力を有する元素であればいか
なる元素の酸化物を用いても達成されうろことは明らか
であろう。このような元素の例としては、稀土類元素、
更にＨｆ，Ｇｅ及びＺｒがある。酸素若しくはアルゴン
ー酸素プラズマ又は空気よりむしろ酸素に対する暴露を
用いる方法のような他の方法を、上述の空気焼きなまし
酸化工程の代わりに用いてもよい。反応性雰囲気（空気
、０２、Ａｒ ０２）下でのディスク構成物の急熱（
ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ）焼きなましも、ディスク
合金の反応性成分を酸化する別法の一つである。
に、Ｈｅをかなり増大させかつ媒体のノイズをかなり低
減する効果を生じせしめるのはコバルト合金の粒界にお
けるＹ及びＳｉ添加剤の酸化によるものであると考えら
れる。この推論に基づき、本発明はＹ又はＳｉの酸化物
を有するディスクには限定されず、コバルト合金媒体が
改善された高い飽和保磁力及び低いノイズを有する同様
な結果が、コバルト中における比較的低い溶解度及び酸
素に対して比較的高い親和力を有する元素であればいか
なる元素の酸化物を用いても達成されうろことは明らか
であろう。このような元素の例としては、稀土類元素、
更にＨｆ，Ｇｅ及びＺｒがある。酸素若しくはアルゴン
ー酸素プラズマ又は空気よりむしろ酸素に対する暴露を
用いる方法のような他の方法を、上述の空気焼きなまし
酸化工程の代わりに用いてもよい。反応性雰囲気（空気
、０２、Ａｒ ０２）下でのディスク構成物の急熱（
ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ）焼きなましも、ディスク
合金の反応性成分を酸化する別法の一つである。
コバルト合金が含有する低い溶解度の（粒界に集まる傾
向がある）反応性不純物の粒界におけるめっき後の酸化
は、粒界のカップリングを破断して、粒度及び飽和保磁
力を低減させることなくトランシッションノイズを低減
させる。粒界の酸化物はかなり静磁場のカップリングの
低減をもたらし、磁気記録用のコバルト合金の飽和保磁
力の値をかなり増大させる。選択的な粒界の酸化はコバ
ルト合金の耐食性をも改善しつる。加えて、ＣＯＮｉＣ
ｒ−ＳｉのＨｅの増大（及びＳ＊の低下）（第３図）は
、ｐｔを含有しないコバルト合金でも高い飽和保磁力（
低いノイズ）を有しうろことを示している。
向がある）反応性不純物の粒界におけるめっき後の酸化
は、粒界のカップリングを破断して、粒度及び飽和保磁
力を低減させることなくトランシッションノイズを低減
させる。粒界の酸化物はかなり静磁場のカップリングの
低減をもたらし、磁気記録用のコバルト合金の飽和保磁
力の値をかなり増大させる。選択的な粒界の酸化はコバ
ルト合金の耐食性をも改善しつる。加えて、ＣＯＮｉＣ
ｒ−ＳｉのＨｅの増大（及びＳ＊の低下）（第３図）は
、ｐｔを含有しないコバルト合金でも高い飽和保磁力（
低いノイズ）を有しうろことを示している。
上述の詳細な説明は、記録媒体の一部分を形成する創作
性のある構成要件のみに関するものであり、媒体及びそ
の製造方法の一般に知られている部分に関しては省略さ
れている。例えば、薄膜コバルト合金ディスクの製造に
関しては、磁気層の上にスパッターされたカーボンフィ
ルムのような保護皮膜を付与することは知られている。
性のある構成要件のみに関するものであり、媒体及びそ
の製造方法の一般に知られている部分に関しては省略さ
れている。例えば、薄膜コバルト合金ディスクの製造に
関しては、磁気層の上にスパッターされたカーボンフィ
ルムのような保護皮膜を付与することは知られている。
本発明の好適な実施態様が詳細に例を挙げて説明されて
いるが、本発明の技術分野における当業者がそれら実施
態様の変更及び改変を特許請求の範囲に記載される本発
明の範囲から逸脱することなしに行いうろことは明らか
である。
いるが、本発明の技術分野における当業者がそれら実施
態様の変更及び改変を特許請求の範囲に記載される本発
明の範囲から逸脱することなしに行いうろことは明らか
である。
第１図は、磁気層におけるＹ添加剤の関数として、Ｃｏ
Ｐｔ−Ｙディスクの飽和保磁力をプロットしたものであ
る。 第２図は、磁気層におけるＹ添加剤の関数として、Ｃｏ
Ｐｔ−Ｙのディスクの残留磁気一厚さの積及び飽和保磁
力矩形比をプロットしたものである。 第３図は、空気焼きなまし時間の関数として、ＣｏＮｉ
Ｃｒ−Ｓｉディスクの飽和保磁力及び飽和保磁力矩形比
をプロットしたものである。 第４図は、空気焼きなまし時間の関数として、（不純物
元素を含有しない）種々のＣｏＰｔ及びＣｏＮ ｉ合金
のディスクの飽和保磁力をプロットしたものである。 第５図は、空気焼きなまし時間の関数として、密着層及
び保護皮膜が磁気層全体にわたって形成されている（不
純物元素が添加されている）種々のＣｏＰｔ及びＣｏＮ
ｉ合金のディスクの飽和保磁力をプロットしたものであ
る。 第 １ 図１１ｆ＃（酊゜ぱ２′》 第 ２ 司 ｏａ ＝ Ｓｉ／ＣｒＶ／（ＣｏＢｏＰｔ２ｏ１＋ｏｏ
−，ｙ×ぶ壬％Ｙ 弟 ３ 目 ＋ｏｏｏλ／ＣｏＮｉ２０Ｃｒ？５ Ｓ２５０’Ｃｌ：
あ１ナろ誠尭きなまし時間（６資）半 ４ 凹 ２５００Ｃ１：ちける！麹熱処理ｃ時間》第 ５ 国 ７ｂ・，ト ４３０Ｘ ４．５ｉ／４（ＸｌλＣｒＶ／ＩＣｔｒｐ４ ＰｔｇＣ
Ｂ）６６ Ｙ１４／７５Ｊ ＣｒＶ／１６５スＣｏ＝ｓ
ｉ７４ｃｃＫ）λＷ／（ＣｏＮＩＣｒ）ｇ５Ｓｉ５／５
０ＡＷ／１５０ 人Ｃ２５０’Ｃｌ：工ける空気１ｔぎ
３まＬ（時間）手 続 補 正 書 平成 ２年１２月／７日
Ｐｔ−Ｙディスクの飽和保磁力をプロットしたものであ
る。 第２図は、磁気層におけるＹ添加剤の関数として、Ｃｏ
Ｐｔ−Ｙのディスクの残留磁気一厚さの積及び飽和保磁
力矩形比をプロットしたものである。 第３図は、空気焼きなまし時間の関数として、ＣｏＮｉ
Ｃｒ−Ｓｉディスクの飽和保磁力及び飽和保磁力矩形比
をプロットしたものである。 第４図は、空気焼きなまし時間の関数として、（不純物
元素を含有しない）種々のＣｏＰｔ及びＣｏＮ ｉ合金
のディスクの飽和保磁力をプロットしたものである。 第５図は、空気焼きなまし時間の関数として、密着層及
び保護皮膜が磁気層全体にわたって形成されている（不
純物元素が添加されている）種々のＣｏＰｔ及びＣｏＮ
ｉ合金のディスクの飽和保磁力をプロットしたものであ
る。 第 １ 図１１ｆ＃（酊゜ぱ２′》 第 ２ 司 ｏａ ＝ Ｓｉ／ＣｒＶ／（ＣｏＢｏＰｔ２ｏ１＋ｏｏ
−，ｙ×ぶ壬％Ｙ 弟 ３ 目 ＋ｏｏｏλ／ＣｏＮｉ２０Ｃｒ？５ Ｓ２５０’Ｃｌ：
あ１ナろ誠尭きなまし時間（６資）半 ４ 凹 ２５００Ｃ１：ちける！麹熱処理ｃ時間》第 ５ 国 ７ｂ・，ト ４３０Ｘ ４．５ｉ／４（ＸｌλＣｒＶ／ＩＣｔｒｐ４ ＰｔｇＣ
Ｂ）６６ Ｙ１４／７５Ｊ ＣｒＶ／１６５スＣｏ＝ｓ
ｉ７４ｃｃＫ）λＷ／（ＣｏＮＩＣｒ）ｇ５Ｓｉ５／５
０ＡＷ／１５０ 人Ｃ２５０’Ｃｌ：工ける空気１ｔぎ
３まＬ（時間）手 続 補 正 書 平成 ２年１２月／７日
Claims (7)
- １．基板及び該基板上に形成された磁気層からなる水平
記録用磁気記録媒体であって、 該磁気層は、コバルト合金並びにコバルト中における比
較的低い溶解度及び酸素に対して比較的高い親和力を有
する元素の酸化物からなる組成を有するものである、前
記媒体。 - ２．前記元素はＹ、Ｓｉ、稀土類元素、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ及びＺｒからなる群から選択されたものである、請求
項１記載の媒体。 - ３．更に基板と磁気層の間に非磁性の下地層を包含する
、請求項１記載の媒体。 - ４．コバルト合金は白金又はニッケルを含有する、請求
項１記載の媒体。 - ５．更に磁気層の上に形成される保護皮膜を包含する、
請求項１記載の媒体。 - ６．スパッターリング法によるめっきによって形成され
るコバルト合金からなる磁気層を有する種類の薄膜磁気
記録ディスクの製造方法であって、（ａ）コバルト合金
を構成する各元素をスパッターリング法でめっきする間
に、コバルト中における比較的低い溶解度及び酸素に対
して比較的高い親和力を有する不純物元素をスパッター
リング法でめっきさせ、（ｂ）その後、スパッターリン
グ法でめっきされた磁気層を酸素に暴露する各工程から
なることを特徴とする、前記製造方法。 - ７．不純物元素をスパッターリング法でめっきする工程
は、Ｙ、Ｓｉ、稀土類元素、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＺｒ
からなる群から選択された不純物元素をスパッターリン
グ法でめっきすることからなる、請求項６記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/464,842 US5062938A (en) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | High coercivity low noise cobalt alloy magnetic recording medium and its manufacturing process |
| US464842 | 1990-01-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216811A true JPH03216811A (ja) | 1991-09-24 |
| JPH0766544B2 JPH0766544B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=23845467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2337014A Expired - Fee Related JPH0766544B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-11-30 | 薄膜磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5062938A (ja) |
| EP (1) | EP0438212B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0766544B2 (ja) |
| DE (1) | DE69126450T2 (ja) |
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| US5363794A (en) * | 1992-12-02 | 1994-11-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Uniaxial thin film structures formed from oriented bilayers and multilayers |
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| US5846648A (en) * | 1994-01-28 | 1998-12-08 | Komag, Inc. | Magnetic alloy having a structured nucleation layer and method for manufacturing same |
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