JPH0766758B2 - 放射線イメ−ジインテンシフアイヤ - Google Patents

放射線イメ−ジインテンシフアイヤ

Info

Publication number
JPH0766758B2
JPH0766758B2 JP61093518A JP9351886A JPH0766758B2 JP H0766758 B2 JPH0766758 B2 JP H0766758B2 JP 61093518 A JP61093518 A JP 61093518A JP 9351886 A JP9351886 A JP 9351886A JP H0766758 B2 JPH0766758 B2 JP H0766758B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
radiation image
image intensifier
photocathode
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61093518A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61250945A (ja
Inventor
ヨハニー・ウイルヘルムス・ファン・デル・フェルデン
Original Assignee
エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン filed Critical エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン
Publication of JPS61250945A publication Critical patent/JPS61250945A/ja
Publication of JPH0766758B2 publication Critical patent/JPH0766758B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
    • H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation

Landscapes

  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、真空ハウジングと、入力放射線像を電子像に
変換する入力スクリーンと、入射電子像を検出する出力
スクリーンと、入力スクリーンから放出された電子を出
力スクリーン上に加速集束する手段とを具え、前記入力
スクリーンは支持基板と、該基板上に被着された層であ
って入射放射像を形成する光子を低エネルギーの光子に
変換する放射変換層と、該低エネルギーの光子に対し略
々透明な導電性障壁層と、前記低エネルギーの光子の入
射に応答してハウジング内の真空空間内に電子を放出す
る光電陰極層とを具えている、Ｘ線又はγ線のような透
過性放射線により形成される像を検出する放射線イメー
ジインテンシファイヤに関するものである。
障壁層を金属層とした斯かる装置はドイツ国特許出願公
告第2,321,869号に開示されている。
米国特許第3,838,273号に開示されているような既知の
Ｘ線イメージインテンシファイヤにおいては、入力スク
リーンはガラス又はアルミニウムのような基板上に、例
えば活性剤で活性化されたアルカリハロゲン化物（好ま
しくはナトリウム又はタリウム活性化セシウム沃化物）
から成るＸ線感応放射変換層（一般にけい光層又はシン
チレータと称されている）を堆積している。斯かる変換
層は通常約300ミクロンの厚さを有し、粒状構造をして
いて表面がかなりでこぼこしている。この表面には２つ
の理由から光電陰極層を被着する前に透明障壁層を被着
する。その第１の理由は、光電子の脱出深さの関係で極
めて薄く（即ち５〜25nm）する必要がある光電陰極層の
ための一様な下地を与えるためであり、第２の理由は、
放射変換層と光電陰極層との間に化学的な障壁を形成し
てこれら両層もしくは何れか一方の層の感度を低減する
惧れのある不所望な化学反応の発生（斯かる化学反応は
装置の製造中にも装置の寿命中にも発生し得る）を防止
するためであり、この障壁層はこれらの層と不所望に反
応しないものとする必要があること勿論である。上述の
米国特許においては、障壁層は0.1〜1.0ミクロンの酸化
アルミニウム又は二酸化シリコンの層上に0.5〜３ミク
ロンの酸化インジウムの導電層を形成して構成し、その
上に、光電陰極層を被着して光電陰極層の全体が光電子
放出中均一な電位に維持されるようにしている。
しかし、直径が350nmにのぼる大型の入力スクリーンを
導入する場合、この構成の障壁層の導電率は高強度写真
記録中光電陰極層をその表面全体に亘って一様な電位に
維持するには不十分であることが確かめられている。こ
れがため、例えば前記のドイツ国特許出願公告第2,321,
896号に開示されているようにアルミニウムのような薄
い導電性透明金属層を化学障壁層の少なくとも一部分と
して用いるか、或いは米国特許第3,825,763号の再発行
特許第29956号に開示されているように酸化アルミニウ
ム障壁層上に光電陰極層を被着する前に薄いアルミニウ
ム層を形成するのが好適であるとされてきている。
しかし、アルミニウムのような金属又は金属性の導電層
の場合には、放射変換層のでこぼこ表面上に電気的に連
続な層を与えるのに十分であると共に十分な光を透過す
る薄さでしかも十分な導電率を与えるのに十分な厚さの
この層は４〜10nmの厚さにする必要があり、この層はナ
トリウム活性化CsIから成る放射変換層からの420nmの波
長（タリウム活性化CsIの場合には約450nm）の入射光の
約20〜50％を反射すると共にこの光の約18％を吸収する
ので、放射変換層から光電陰極層に到達する光を減少
し、入力スクリーンの総合光電子放出感度を減少する。
本発明の目的は放射変換層から略々透明な導電性障壁層
を経て光電陰極に伝達される光の伝達効率を増大し最大
にし得る上述の種類の放射線イメージインテンシファイ
ヤを提供することにある。
本発明は上述した種類の放射線イメージインテンシファ
イヤにおいて、１より大きい屈折率を有する第１及び第
２中間層を放射変換層と導電性障壁層との間及び導電性
障壁層と光電陰極層との間にそれぞれ介挿してあり、第
２中間層は導電性障壁層から隣接の光電陰極層へと電子
を容易に通すのに十分な電子透過率を有すると共に、前
記第１及び第２中間層は隣接の放射線変換層及び光電陰
極層の感度を化学的に殆ど低下しないものにしてあり、
且つ第１及び第２中間層の屈折率及び厚さを、導電性障
壁層と第２中間層との界面における前記低エネルギー光
子に対する反射係数が光電陰極層とハウジング内の真空
空間との界面における反射係数と略々同一になるように
選択してあると共に、第２中間層の厚さをそれぞれの反
射波間の総合位相差が（2N-1）λ/2の総合光路差（ここ
でλは関連する層内における低エネルギーの光子の波
長、Ｎは零を含まない正の整数）に略々等価となるよう
にしてあることを特徴とし、この構成によれば、導電性
障壁層による低エネルギー光子の反射が減少するので、
入力スクリーンの総合光電子放出感度が前記導電性障壁
層を含み前記第１及び第２中間層を含まない従来のイメ
ージインテンシファイアの入力スクリーンよりも大きく
なる。
放射変換層は沃化セシウムのようなアルカリハロゲン化
物で形成することができ、光電陰極層はCs3Sb(S9)のよ
うなアルカリアンチモン化物又はKa2KSb(Cs)(S20)のよ
うなトリアルカルアンチモン化物で構成することができ
る。導電性障壁層は４〜10nmの範囲内の厚さ、好ましく
は5nmの厚さを有する金属層、例えばアルミニウム層で
形成することができる。第１及び第２中間層は金属酸化
物層で形成することができ、例えば第１中間層は厚さ2
2.5nmのTiO2層、第２中間層は厚さ30nmのMnO層とするこ
とができる。
本発明は、上述した種類のＸ線イメージインテンシファ
イにおいては金属又は金属性の物質（例えばアルミニウ
ム）から成る高い導電率を有する障壁層による反射及び
場合によりその内部での吸収により主として生ずる大き
な光損失及び従って総合感度の低下を、導電性障壁層の
前面に透明層を配置し、その屈折率及び厚さを導電性障
壁層界面における反射係数の大きさが光電陰極層と管内
の真空空間との界面における反射係数と略々同一になる
よう選択調整すると共に、導電性障壁層の後面に電子を
十分に透過して導電性障壁層と光電陰極層との間に十分
な導電性を維持する透明層を配置し、その厚さを光電陰
極−真空界面からの反射波の位相が導電性障壁層界面に
おける反射波に対し略々逆位相になるように、即ち両反
射波間の位相差が（2N-1）λ/2になるように選択するこ
とによって減少させ、最小にすることができるという事
実に基づくものである。更に、この第２中間層は導電性
障壁層内で吸収される光量を僅かだが低減する効果も有
し、従って光電陰極層の光放出領域に到達し得るけい光
の割合が増大することが確かめられた。
また、電流は入力スクリーンの周縁にある接続端子から
導電性障壁層中をかなり長い、即ち約200mmの導電路を
経て流れる必要があるが、光電陰極に到達するために流
れなければならない追加の距離は僅かに第２中間層の厚
さにすぎず、この第２層の厚さはかなり小さく、例えば
20〜30nmにすることができるため、この第２層の導電率
を大きくしなくても導電性障壁層と光電陰極層との間の
電圧降下を無視し得るものとすることができ、動作状
態、即ち撮影中に高輝度像部分に対し所要の最大光放出
を得ることができ、本発明の構成においてはMnOやTiO2
のような所定の半導体材料により十分な導電率を達成す
ることができる。斯かる半導体材料の場合には光電陰極
層との接合面において第２中間層から光電陰極層への電
子の流入を高めるようなエネルギー帯の曲がりを発生す
る材料、例えばCs3Sbの光電陰極に対しMnOを選択するこ
とができる。
また、第２中間層としては突き抜けにより対応する適度
の電子透過率を生ずる約25nmの厚さまでにするなら酸化
アルミニウムのような非導電材料も使用することができ
る。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
第１図はＸ線源１により被検体２を照射する慣例の放射
線撮影システムを線図的に示すものである。被検体２の
照射部分は放射像はＸ線イメージインテンシファイヤ４
の入力スクリーン３上に、排気又は真空管器６の端面及
び入射窓を構成する薄いチタン膜５を経て投射される。
慣例の入力スクリーンの構造は第２図に詳細断面図とし
て示してあり、このスクリーンは薄いアルミニウム支持
板７を具え、その上にアルカリハロゲン化物、好ましく
はナトリウム又はタリウムで活性化されたセシウム沃化
物から成る層であって入力Ｘ線光子をナトリウム活性化
の場合には420nmの波長に、タリウム活性化の場合には
約450nmの波長に対応する低エネルギーの光子に変換す
る放射変換層８が被着される。
次に、金属から成る導電性障壁層９、好ましくはアルミ
ニウム層がセシウム沃化物層８上に直接或いは酸化アル
ミニウムの初期層の被着後に例えば7nmの厚さに被着さ
れて略々透明な導電性障壁が形成される。次に、Ｓ−９
型と称されているCs3Sbのようなアルカリアンチモン化
物又はS-20型と称されているNa2KSb(Cs)のようなトリア
ルカリアンチモン化物から成る層であって被検体２の入
射放射像に対応する層８からの光子変換された光に応答
して電子像を発生する光電陰極層10がアルミニウム層９
上に被着される。この光電陰極層はCs3Sbの場合には８
〜12nmの厚さにすることができ、この厚さはその光電子
の脱出深さが約15nmであることから主として決まる。セ
シウム−アンチモン光電陰極層は光を吸収するため、こ
の層は自由表面からの電子放出を最大にする条件を満足
させながらできるだけ薄くして発生光電子を最も放出し
易い自由表面の隣接領域に到達する前に吸収される光量
をできるだけ僅かにすると共に散乱の結果層内にとどま
る光電子を最少にするのが望ましい。
絶縁被覆電気接続リード11と支持板７、アルミニウム層
９及び従って光電陰極層10の隣接表面を適当な電位、例
えば大地に接続する。金属管器の壁は補助電極を構成
し、適当な電位に接続される。イメージインテンシファ
イヤは更に電子像を集束し増強する集束陽極12及び最終
陽極13を具える。後者の電極は接続線18を経て、電子像
を光像に変換する出力スクリーン14を構成するけい光層
上に形成されたアルミ化層に接続される。これにより形
成された光像は光ファイバプレート15を経て出力窓の外
面16に導かれ、ここから出力像をレンズ系17によりビデ
オカメラ又はフィルムカメラのような光撮影装置又は記
録装置上に必要に応じ選択装置（図示せず）を介して投
射することができる。絶縁被覆リード19及び20は陽極12
及び13を慣例の電源（図示せず）から得られる適当な集
束電位及び電子加速電位に接続する。
既知の装置のアルミニウム層９は放射変換層８と光電極
層10との間の化学障壁として作用するのみならず、導電
率が極めて小さい光電陰極材料の広い層に対する高導電
性の裏地も与える。この要素はＸ線透視及びＸ線写真用
に広範囲に亘り電子放出する360nm程度のスクリーン直
径が必要とされる時に重要になる。その理由は、光電陰
極層の種々の部分を変化する像状態の下で略々同一の電
位に維持するためにはリード11に接続された障壁９にそ
の周縁の接続端子から供給される光電陰極層のための電
子補充電流がアルミニウム障壁層９内を180mmの長さま
での導電路に沿って流れるようにする必要があるためで
ある。
しかし、第２図に示す従来の構造の入力スクリーンはシ
ンチレータ層８により光電陰極層10の方向に発生された
光のかなりの部分が金属層９により反射され、吸収され
るという欠点を生ずる。
この伝達損失を低減し、シンチレータ光電陰極の総合感
度を金属層９がない場合に得られる値に回復させるため
に、本発明では第３図に示すように放射変換層８と金属
障壁層９との間に介挿した第１中間層21と、金属障壁層
９と光電陰極層10との間に介挿した第２中間層22とを設
ける。両層21及び22とも１より大きい屈折率ｎを有する
材料から成り、換言すれば何れの層も屈折率ｎが１より
小さい金属（アルミニウムの場合ｎ＝0.43）の層にしな
いと共に何れの層も隣接の放射変換層８又は光電陰極層
10を形成する材料と製造処理中も装置の動作寿命中も化
学的に反応しないようにして層８や層10の感度を低減し
ないようにする必要がある。
第２中間層22は電子が金属障壁層９から光電陰極層10へ
と容易に通過して層10の種々の部分を、イメージインテ
ンシファイヤの所望の動作範囲に亘って略々同電位、即
ち金属障壁層９の電位に維持するような層の厚さに比例
する導電率又は突き抜けによる電子透過率を有するもの
とする必要がある。この条件は後述の層厚の範囲に対し
て半導電性の金属酸化物により満足させることができる
と共に、突き抜けが生ずる厚さの範囲（酸化アルミニウ
ムAl2O3の場合には約25nmまで）に対しては非導電性の
いくつかの酸化物により満足させることもできる。
金属障壁層９に対する第１中間層21の光学定数（主とし
て屈折率）及び厚さは層21と９の複合層の第２中間層22
との界面における反射係数が第２中間層22と光電陰極層
10の複合層の真空空間24との界面（層10の自由表面）に
おける反射係数と略々同一になるように選択し調整す
る。この後者の反射係数は第２中間層22の屈折率と光電
陰極層10の厚さとにより決まる。更に、第２中間層22の
厚さは前者の界面の反射波と後者の界面の反射波との間
における総合位相シフトが（2N-1）λ/2の光路差に等価
となるように調整する必要がある。ここで、λは低エネ
ルギーの光子、即ちシンチレータ層８により入射Ｘ線光
子に応答して発生されたシンチレーション光の波長であ
り（例えばナトリウム又はタリウム活性化セシウム沃化
物の場合にはそれぞれ420nm又は450nmである）、Ｎは正
の整数（零は含まない）である。この構成によれば光電
陰極10と排気空間との界面において通常生ずる反射波を
用いて金属層９からの反射波を相殺することができる。
第１中間層21の厚さの調整により金属層からの反射波の
振幅が調整されるため、層21を振幅調整層とみなすこと
ができ、同様に層22を位相調整層とみなすことができ
る。
導電正障壁層９が４〜10nmの範囲内の厚さ（好ましくは
5nm）を有するアルミニウム層である本発明の一例にお
いては、振幅調整用の第１中間層21を10〜30nmの範囲の
厚さを有するTiO2の層とし、位相調整用の第２中間層22
は20〜50nmの範囲内の厚さを有するMnOの層とし、光電
陰極層10を８〜12nmの範囲内の厚さを有するCs2Sbの層
とする。
第２中間層22はTiO2又はSiO2で形成することもできる。
実際上、MnO層は上記範囲内の厚さを有する光電陰極層
と相まって真空界面において極めて低い反射率を与え
る。TiO2層にすると、その屈折率ｎ＝2.6がMnOの屈折率
（ｎ＝2.2）より高いため、特に薄い光電陰極層に対し
て高い反射係数を達成することができ、このことは金属
層からの反射を一層有効に相殺し得ることを意味する。
しかし、低い屈折率を有する第２中間層、例えばSiO
2（ｎ＝1.5）を使用する場合には厚い光電陰極層を使用
すると高い反射係数のマッチングを達成することができ
る。第２中間層にMnOを使用する利点は、MnO層と光電陰
極層との接合面に、光電陰極への電子の流入を高めるエ
ネルギー帯の曲がりを発生する点にある。
第３図に示す本発明による入力スクリーンの第１実施例
における種々の層の材料と厚さを表Ｉに示してあり、こ
れらはナトリウム活性化CsI放射変換層に対応する420nm
の波長のけい光に対し最適な特性を示すものである。
第３図に示す本発明による入力スクリーンの第２実施例
を表IIに示してあり、本例も420nmの波長の光に対応す
るものである。
種々の層はアルミニウム支持板７上に、関連する層とそ
の基板に敵する慣例の堆積技術、例えば蒸着、真空中又
は必要に応じ微量の適当なガス（例えば酸素）の存在中
で適当な低圧下で行われる直流又は高周波マグネトロン
スパッタリングを含むスパッタリングにより順次に堆積
することができる。例えば放射変換層８は再発行米国特
許第29956号明細書に開示されているように蒸着及び熱
処理により製造することができる。
本発明の他の実施例においては、第１及び第２中間層2
1,22を両方とも酸化アルミニウム（Al2O3）で形成し、
導電性障壁層９をアルミニウムで形成する。これらの層
の形成においてはアルミニウムをCsI層８上に直流又は
高周波マグネトロンスパッタリングにより堆積するのが
好適である。この場合、上記の３層21,9及び22の形成
を、第１及び第２中間層の形成中は酸素を与え、アルミ
ニウム層９の形成中は酸素を与えないことにより単一処
理で行うことができる。Al2O3の第２中間層の厚さは約2
5nmより小さくして電子が層22を突き抜けにより十分に
自由に通過して光電陰極層10の全ての部分をアルミニウ
ム層９と略々同一の電位に維持すると共に前述したよう
に光電陰極層10の真空界面からの戻り反射波に対し満足
な位相マッチングを与えるようにする。
所定の金属酸化物、例えばインジウム酸化物（In2O3）
及びインジウム錫酸化物（ITO）と屡々称されている錫
添加インジウム酸化物も導電性で略々化学的に不活性の
侵入型化合物を構成し、これらを本発明Ｘ線イメージイ
ンテンシファイヤの第３図に示す導電性障壁層９を形成
するのに用いることもできる。これらの場合にも前述の
半導電性又は非導電性金属酸化物を第１及び第２中間層
を形成するのに用いることができる。好適例では第１及
び第２中間層をAl2O3で形成し、第２中間層の厚さを約2
5nmより小さくして電子の突き抜けが容易に生じ得るよ
うにして導電性障壁層９と光電陰極層10との間に良好な
導電接続が得られるようにする。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による入力スクリーンを組込み得るＸ線
イメージインテンシファイヤを示す図、 第２図はＸ線イメージインテンシファイヤの慣例の入力
スクリーンの一部の断面図、 第３図は第１図に示す本発明によるＸ線イメージインテ
ンシファイヤの入力スクリーンの一部の断面図である。 １……Ｘ線管、２……被検体 ３……入力スクリーン ４……Ｘ線イメージインテンシファイヤ ５……チタン膜、６……排気金属管器 ７……アルミニウム支持板 ８……放射変換層、９……導電性障壁層 10……光電陰極層 11,19,20……絶縁被覆リード 12……集束陽極、13……最終陽極 14……出力スクリーン 15……光ファイバプレート 16……出力表面、17……レンズ系 18……接続線、21……第１中間層 22……第２中間層、24……真空空間

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空ハウジングと、入力放射線像を電子像
    に変換する入力スクリーンと、入射電子像を検出する出
    力スクリーンと、入力スクリーンから放出された電子を
    出力スクリーン上に加速集束する手段とを具え、前記入
    力スクリーンは支持基板と、該基板上に被着された層で
    あって入射放射像を形成する光子を低エネルギーの光子
    に変換する放射変換層と、該低エネルギーの光子に対し
    略々透明な導電性障壁層と、前記低エネルギーの光子の
    入射に応答してハウジング内の真空空間内に電子を放出
    する光電陰極層とを具えている、Ｘ線又はγ線のような
    透過性放射線により形成される像を検出する放射線イメ
    ージインテンシファイヤにおいて、１より大きい屈折率
    を有する第１及び第２中間層を放射変換層と導電性障壁
    層との間及び導電性障壁層と光電陰極層との間にそれぞ
    れ介挿してあり、第２中間層は導電性障壁層から隣接の
    光電陰極層へと電子を容易に通すのに十分な電子透過率
    を有すると共に、前記第１及び第２中間層は隣接の放射
    線変換層及び光電陰極層の感度を化学的に殆ど低下しな
    いものにしてあり、且つ第１及び第２中間層の屈折率及
    び厚さを、導電性障壁層と第２中間層との界面における
    前記低エネルギー光子に対する反射係数が光電陰極層と
    ハウジング内の真空空間との界面における反射係数と略
    々同一になるように選択してあると共に、第２中間層の
    厚さをそれぞれの反射波間の総合位相差が（2N-1）λ/2
    の総合光路差（ここでλは関連する層内における低エネ
    ルギーの光子の波長、Ｎは零を含まない正の整数）に略
    々等価となるように選択してあることを特徴とする放射
    線イメージインテンシファイヤ。
  2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の放射線イメー
    ジインテンシファイヤにおいて、前記第２中間層は良好
    な電子透過率が電子の突き抜け作用により得られる厚さ
    の非導電層であることを特徴とする放射線イメージイン
    テンシファイヤ。
  3. 【請求項３】特許請求の範囲第１又は２項の何れかに記
    載の放射線イメージインテンシファイヤにおいて、前記
    放射変換層はアルカリハロゲン化物から成り、前記光電
    陰極層はアルカリアンチモン化物から成ることを特徴と
    する放射線イメージインテンシファイヤ。
  4. 【請求項４】特許請求の範囲第１〜３項の何れかに記載
    の放射線イメージインテンシファイヤにおいて、前記第
    １及び第２中間層は各別の金属酸化物層であることを特
    徴とする放射線イメージインテンシファイヤ。
  5. 【請求項５】特許請求の範囲第１〜４項の何れかに記載
    の放射線イメージインテンシファイヤにおいて、前記導
    電性障壁層は金属層であることを特徴とする放射線イメ
    ージインテンシファイヤ。
  6. 【請求項６】特許請求の範囲第５項記載の放射線イメー
    ジインテンシファイヤにおいて、前記金属層は４〜10nm
    の範囲内の厚さを有するアルミニウム層であることを特
    徴とする放射線イメージインテンシファイヤ。
  7. 【請求項７】特許請求の範囲第２〜６項の何れかに記載
    の放射線イメージインテンシファイヤにおいて、前記第
    ２中間層は25nm以下の厚さでAl2O3層であることを特徴
    とする放射線イメージインテンシファイヤ。
  8. 【請求項８】特許請求の範囲第７項記載の放射線イメー
    ジインテンシファイヤにおいて、前記第１中間層もAl2O
    3から成ることを特徴とする放射線イメージインテンシ
    ファイヤ。
  9. 【請求項９】特許請求の範囲第６項記載の放射線イメー
    ジインテンシファイヤにおいて、前記第１中間層はTiO2
    から成り、前記第２中間層はMnOから成ることを特徴と
    する放射線イメージインテンシファイヤ。
  10. 【請求項１０】特許請求の範囲第１項記載の放射線イメ
    ージインテンシファイヤにおいて、前記放射変換層はCs
    I層から成り、前記第１中間層は厚さ22.5nmのTiO2層か
    ら成り、前記導電性障壁層は厚さ5nmのアルミニウム層
    から成り、前記第２中間層は厚さ30nmのMnO層から成
    り、前記光電陰極層は８〜12nmの範囲内の厚さのCs3Sb
    層から成ることを特徴とする放射線イメージインテンシ
    ファイヤ。
  11. 【請求項１１】特許請求の範囲第５項記載の放射線イメ
    ージインテンシファイヤにおいて、前記金属層は８〜20
    nmの範囲内の厚さを有する銀層から成ることを特徴とす
    る放射線イメージインテンシファイヤ。
  12. 【請求項１２】特許請求の範囲第11項記載の放射線イメ
    ージインテンシファイヤにおいて、前記第１及び第２中
    間層はともにTiO2層から成ることを特徴とする放射線イ
    メージインテンシファイヤ。
  13. 【請求項１３】特許請求の範囲第１項記載の放射線イメ
    ージインテンシファイヤにおいて、前記放射変換層はCs
    I層から成り、前記第１中間層は厚さ20nmのTiO2層から
    成り、前記導電性障壁層は厚さ10nmの銀層から成り、前
    記第２中間層は厚さ22.5nmのTiO2層から成り、前記光電
    陰極層は８〜12nmの範囲内の厚さのCs3Sb層から成るこ
    とを特徴とする放射線イメージインテンシファイヤ。
  14. 【請求項１４】特許請求の範囲第１〜５項の何れかに記
    載の放射線イメージインテンシファイヤにおいて、導電
    性障壁層は導電性侵入型金属酸化物から成ることを特徴
    とする放射線イメージインテンシファイヤ。
  15. 【請求項１５】特許請求の範囲第14項記載の放射線イメ
    ージインテンシファイヤにおいて、前記導電性侵入型金
    属酸化物はIn2O3及びインジウム錫酸化物（ITO）の群か
    ら選択してあることを特徴とする放射線イメージインテ
    ンシファイヤ。
  16. 【請求項１６】特許請求の範囲第15項記載の放射線イメ
    ージインテンシファイヤにおいて、前記第１及び第２中
    間層はともにAl2O3から成り、前記第２中間層の厚さは2
    5nm以下にしてあることを特徴とする放射線イメージイ
    ンテンシファイヤ。
JP61093518A 1985-04-26 1986-04-24 放射線イメ−ジインテンシフアイヤ Expired - Lifetime JPH0766758B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB08510701A GB2175129A (en) 1985-04-26 1985-04-26 Radiographic image intensifier
GB8510701 1985-04-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61250945A JPS61250945A (ja) 1986-11-08
JPH0766758B2 true JPH0766758B2 (ja) 1995-07-19

Family

ID=10578267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61093518A Expired - Lifetime JPH0766758B2 (ja) 1985-04-26 1986-04-24 放射線イメ−ジインテンシフアイヤ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4725724A (ja)
EP (1) EP0199426B1 (ja)
JP (1) JPH0766758B2 (ja)
CN (1) CN1003025B (ja)
DE (1) DE3676219D1 (ja)
GB (1) GB2175129A (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0668559B2 (ja) * 1987-01-21 1994-08-31 富士写真フイルム株式会社 放射線増感スクリ−ン
US4912737A (en) * 1987-10-30 1990-03-27 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray image observing device
FR2625838B1 (fr) * 1988-01-13 1996-01-26 Thomson Csf Scintillateur d'ecran d'entree de tube intensificateur d'images radiologiques et procede de fabrication d'un tel scintillateur
EP0403802B1 (en) * 1989-06-20 1997-04-16 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray image intensifier and method of manufacturing input screen
US5225670A (en) * 1991-03-06 1993-07-06 Csl Opto-Electronics Corp. X-ray to visible image converter with a cathode emission layer having non-uniform density profile structure
EP0536830B1 (en) * 1991-10-10 1996-08-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray image intensifier tube
BE1007286A3 (nl) * 1993-07-13 1995-05-09 Philips Electronics Nv Röntgenbeeldversterkerbuis.
EP0777908A2 (en) * 1995-06-27 1997-06-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray detector
FR2794565B1 (fr) * 1999-06-01 2001-08-03 Commissariat Energie Atomique Ecran de conversion de rayonnements x en photons lumineux de grande dimension et systeme de radiologie comportant cet ecran
DE10120627A1 (de) 2001-04-26 2002-10-31 Cmi Ag Verwendung von Phyllanthusbestandteilen zur Behandlung oder Prophylaxe von Infekten durch Hepatitis B-Viren
US7446474B2 (en) * 2002-10-10 2008-11-04 Applied Materials, Inc. Hetero-junction electron emitter with Group III nitride and activated alkali halide
US7015467B2 (en) * 2002-10-10 2006-03-21 Applied Materials, Inc. Generating electrons with an activated photocathode
CN106353222A (zh) * 2016-08-12 2017-01-25 江苏大学 一种螺旋加料机粉体输送的扩散系数检测装置及方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2134110B2 (de) * 1971-07-08 1978-09-14 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Eingangsschirm für elektronenoptischen Bildverstärker und Verfahren zur Herstellung einer verlaufenden Schicht des Eingangsschirms
US3838273A (en) * 1972-05-30 1974-09-24 Gen Electric X-ray image intensifier input
DE2321869A1 (de) * 1973-04-30 1974-11-07 Siemens Ag Roentgenbildverstaerker
US4002938A (en) * 1974-07-12 1977-01-11 Thomson-Csf X-ray or γ-ray image tube
FR2300413A1 (fr) * 1975-02-04 1976-09-03 Labo Electronique Physique Fenetre
JPS53122356A (en) * 1977-04-01 1978-10-25 Hitachi Ltd X-ray fluorescent film

Also Published As

Publication number Publication date
GB8510701D0 (en) 1985-06-05
CN1003025B (zh) 1989-01-04
GB2175129A (en) 1986-11-19
US4725724A (en) 1988-02-16
EP0199426B1 (en) 1990-12-19
EP0199426A3 (en) 1988-05-04
JPS61250945A (ja) 1986-11-08
CN86102865A (zh) 1986-12-03
DE3676219D1 (de) 1991-01-31
EP0199426A2 (en) 1986-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3838273A (en) X-ray image intensifier input
US4208577A (en) X-ray tube having scintillator-photocathode segments aligned with phosphor segments of its display screen
US4725724A (en) Radiographic image intensifier
US4140900A (en) Panel type x-ray image intensifier tube and radiographic camera system
JP2994032B2 (ja) 放射線像増倍管用入力スクリーン
US3473066A (en) X-ray image intensifier tube having a non-specular backing for the scintillator layer
JPS6340351B2 (ja)
US4300046A (en) Panel type X-ray image intensifier tube and radiographic camera system
JPS5828700B2 (ja) 発光スクリ−ン
US4104516A (en) Direct view, panel type x-ray image intensifier tube
US4820926A (en) Radiation conversion screen
US4186302A (en) Panel type X-ray image intensifier tube and radiographic camera system
US5256870A (en) Input screen of a radiographic image intensifying tube having a radially variable thickness intermediary layer
US4002938A (en) X-ray or γ-ray image tube
EP0197597B1 (en) X-ray image intensifier tube including a luminescent layer which absorbs secondary radiation
JP2930342B2 (ja) Ｘ線像増倍管
USRE31691E (en) Panel type x-ray image intensifier tube and radiographic camera system
JPH07260940A (ja) 輝度増倍管
GB1605127A (en) X-ray image intensifier tube and radiographic camera incorporating same
JPH0341935B2 (ja)
EP0399378B1 (en) X-ray image intensifier
JPH11500857A (ja) Ｘ線検出器
JP2809689B2 (ja) Ｘ線像増倍管用入力面の製造方法
JPS635853B2 (ja)
JP2575359B2 (ja) Ｘ線イメ−ジインテンシフアイア