JPS61250945A - 放射線イメ−ジインテンシフアイヤ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、真空ハウジングと、入力放射線像を電子像に
変換する入力スクリーンと、入射電子像を検出する出力
スクリーンと、入力スクリーンから放出された電子を出
力スクリーン上に加速集束する手段とを具え、前記入力
スクリーンは支持基板と、該基板上に被着された層であ
って入射放射像を形成する光子を低エネルギーの光子に
変換する放射変換層と、該低エネルギーの光子に対し略
々透明な導電性障壁層と、前記低エネルギーの光子の入
射に応答してハウジング内の真空空間内に電子を放出す
る光電陰極層とを具えている、Ｘ線又はγ線のような透
過性放射線により形成される像を検出する放射線イメー
ジインテンシファイヤに関するものである。

障壁層を金属層とした斯かる装置はドイツ国特許出願公
告第２．３２１．８６９号に開示されている。

米国特許第３．８３８．２７３号に開示されているよう
な既知のＸ線イメージインテンシファイヤにおいては、
入力スクリーンはガラス又はアルミニウムのような基板
上に、例えば活性剤で活性化されたアルカリハロゲン化
物（好ましくはナトリウム又はタリウム活性化セシウム
沃化物）から成るＸ線感応放射変換層（一般にけい光層
又はシンチレータと称されている）を堆積している。斯
かる変換層は通常約３００　　ミクロンの厚さを有し、
粒状構造をしていて表面がかなりでこぼこしている。こ
の表面には２つの理由から光電陰極層を被着する前に透
明障壁層を被着する。その第１の理由は、光電子の脱出
深さの関係で極めて薄く（即ち５〜２５ｎｍ）する必要
がある光電陰極層のための一様な下地を与えるためであ
り、第２の理由は、放射変換層と光電陰極層との間に化
学的な障壁を形成してこれら両層もしくは何れか一方の
層の感度を低減する惧れのある不所望な化学反応の発生
（斯かる化学反応は装置の製造中にも装置の寿命中にも
発生し得る）を防止するためであり、この障壁層はこれ
らの層と不所望に反応しないものとする必要があること
勿論である。上述の米用特許においては、障壁層は０．
１〜１．０ミクロンの酸化アルミニウム又は二酸化シリ
コンの層上に０．５〜３ミクロンの酸化インジウムの導
電層を形成して構成し、その上に、光電陰極層を被着し
て光電陰極層の全体が光電子放出中均−な電位に維持さ
れるようにしている。

しかし、直径が３５ｎｍｍにのぼる大型の入力スクリー
ンを導入する場合、この構成の障壁層の導電率は高強度
写真記録中光電陰極層をその表面全体に亘って一様な電
位に維持するには不十分であることが確かめられている
。これがため、例えば前記のドイツ国特許出願公告第２
．３２１．８９６号に開示されているようにアルミニウ
ムのような薄い導電性透明金属層を化学障壁層の少なく
とも一部分として用いるか、或いは米国特許第３．８２
５．７６３号の再発行特許第２９９５６号に開示されて
いるように酸化アルミニウム障壁層上に光電陰極層を被
着する前に薄いアルミニウム層を形成するのが好適であ
るとされてきている。

しかし、アルミニウムのような金属又は金属性の導電層
の場合には、肢射変換層のでこぼこ表面上に電気的に連
続な層を与えるのに十分であると共に十分な光を透過す
る薄さでしかも十分な導電率を与えるのに十分な厚さの
この層は４〜１０ｎｍの厚さにする必要があり、この層
はナトリウム活性化Ｃｓｌから成る放射変換層からの４
２０ｎｍの波長（タリウム活性化Ｃｓｌの場合には約４
５０１１ｍ）の入射光の約２０〜５０％を反射すると共
にこの光の約１８％を吸収する。

本発明の目的は放射変換層から略々透明な導電性障壁層
を経て光電陰極に伝達される光の伝達効率を増大し最大
にし得る上述した種類の放射線イメージインテンシファ
イヤを提供することにある。

本発明は上述した種類の放射線イメージインテンシファ
イヤにおいて、１より大きい屈折率を有する第１及び第
２中間層を放射変換層と導電性障壁層との間及び導電性
障壁層と光電陰極層との間にそれぞれ介挿してあり、第
２中間層は導電性障壁層から隣接の光電陰極層へと電子
を容易に通すのに十分な電子透過率を有すると共に、前
記第１及び第２中間層は隣接の放射線変換層及び光電陰
極層の感度を化学的に殆ど低下しないものにしてあり、
且つ第１中間層と導電性障壁層の複合層と第２中間層と
の界面における前記低エネルギー光子に対する反射係数
が光電陰極層とハウジング内の真空空間との界面におけ
る反射係数と略々同一にしてあると共に、第２中間層の
厚さをそれぞれの反射波間の総合位相差が（２Ｎ−１）
λ／２の総合光路差に略々等価となるようにしてあり（
ここではλは関連する層内における低エネルギーの光子
の波長、Ｎは零を含まない正の整数）、これにより導電
性障壁層による低エネルギー光子の反射を減少し、入力
スクリーンの総合光放出感度を前記導電性障壁層を含み
前記第１及び第２中間層を含まない入力スクリーンに対
し光学的に最大にしてあることを特徴とする。

放射変換層は沃化セシウムのようなアルカリノーロゲン
化物で形成することができ、光電陰極層はＣｓ＋５ｂ（
Ｓ９）のようなアルカリアンチモン化物又はＮａＪＳｂ
　（Ｃｓ）　（３２０）のようなトリアルカリアンチモ
ン化物で構成することができる。導電性障壁層は４〜１
０ｎｍの範囲内の厚さ、好ましくは５層ｍの厚さを有す
る金属層、例えばアルミニウム層で形成することができ
る。第１及び第２中間層は金属酸化物層で形成すること
ができ、例えば第１中間層は厚さ２２．５層ｍのＴｉｎ
２層、第２中間層は厚さ３ＱｎｍのＭｎＯ層とすること
ができる。

本発明は、上述した種類のＸ線イメージインテンシフア
イにおいては金属又は金属性の物質（例えばアルミニウ
ム）から成る高い導電率を有する障壁層による反射及び
場合によりその内部での吸収により主として生ずる大き
な光損失及び従って総合感度の低下を、導電性障壁層の
前面に透明層を配置し、その屈折率及び厚さを導電性障
壁層界面における反射係数の大きさが光電陰極層と管内
の真゛空空間との界面にあける反射係数と略々同一にな
るよう選択調整すると共に、導電性障壁層の後面に電子
を十分に透過して導電性障壁層と光電陰極層との間に十
分な導電性を維持する透明層を配置し、その厚さを光電
陰極−真空界面からの反射波の位相が導電性障壁層界面
にあける反射波に対し略々逆位相になるように選択する
ことによって減少させ、最小にすることができるという
事実に基づくものである。更に、この第２中間層は導電
性障壁層内で吸収される光量を僅かだが低減する効果も
有し、従って光電陰極層の光放出領域に到達し得るけい
光の割合が増大することが確かめられた。

また、電流は入力スクリーンの周縁にある接続端子から
導電性障壁層中をかなり長い、即ち約２０ｎｍｍの導電
路を経て流れる必要がある力く、光電陰極に到達するた
めに流れなければならない追加の距離は僅かに第２中間
層の厚さにすぎず、この第２層の厚さはかなり小さく、
例えば２０〜３Ｑｎｍにすることができるため、この第
２層の導電率を大きくしなくても導電性障壁層と光電陰
極層との間の電圧降下を無視し得るものとすることがで
き、動作状態、即ち撮影中に高輝度像部分に対し所要の
最大光放出を得ることができ、本発明の構成においては
ＭｎＯやＴｉＯ２のような所定の半導体材料により十分
な導電率を達成することができる。斯かる半導体材料の
場合には光電陰極層との接合面において第２中間層から
光電陰極層への電子の流入を高めるようなエネルギー帯
の曲がりを発生する材料、例えばＣｓ３Ｓｂの光電陰極
に対しＭｎＯを選択することができる。

また、第２中間層としては突き抜けにより対応する適度
の電子透過率を生ずる約２５ｎｍの厚さまでにするなら
酸化アルミニウムのような非導電材料も使用することが
できる。

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

第１図はＸ線源１により被検体２を照射する慣例の放射
線撮影システムを線図的に示すものである。被検体２の
照射部分の放射像はＸ線イメージインテンシファイヤ４
の入力スクリーン３上に、排気又は真空管器６の端面及
び入射窓を構成する薄いチタン膜５を経て投射される。

慣例の入力スクリーンの構造は第２図に詳細断面図とし
て示してあり、このスクリーンは薄いアルミニウム支持
板７を具え、その上にアルカリハロゲン化物、好ましく
はナトリウム又はタリウムで活性化されたセシウム沃化
物から成る層であって入力Ｘ線光子をナトリウム活性化
の場合には４２０ｎｍの波長に、タリウム活性化の場合
には約４５０ｎｍの波長に対応する低エネルギーの光子
に変換する放射変換層８が被着される。

次に、金属から成る導電性障壁層９、好ましくはアルミ
ニウム層がセシウム沃化物層８上に直接或いは酸化アル
ミニウムの初期層の被着後に例えば７ｎｍの厚さに被着
されて略々透明な導電性障壁が形成される。次に、Ｓ−
９型と称されているＣｓ３Ｓｂのようなアルカリアンチ
モン化物又は５−２０型と称されているＮａ２ＫＳｂ（
Ｃｓ）のようなトリアルカリアンチモン化物から成る層
であって被検体２の入射放射像に対応する層８からの光
子変換された光に応答して電子像を発する光電陰極層１
０がアルミニウム層９上に被着される。この光電陰極層
はＣｓ３Ｓｂの場合には８〜１２ｎｍの厚さにすること
ができ、この厚さはその光電子の脱出深さが約１５ｎｍ
であることから主として決まる。セシウム−アンチモン
光電陰極層は光を吸収するため、この層は自由表面から
の電子放出を最大にする条件を満足させながらできるだ
け薄くして発生光電子を最も放出し易い自由表面の隣接
領域に到達する前に吸収される光量をできるだけ僅かに
すると共に散乱の結果層内にとどまる光電子を最少にす
るのが望ましい。

絶縁被覆電気接続リード１１と支持板７、アルミニウム
層９及び従って光電陰極層１０の隣接表面を適当な電位
、例えば大地に接続する。金属管器６の壁は補助電極を
構成し、適当な電位に接続される。イメージインテンシ
ファイヤは更に電子像を集束し増強する集束陽極１２及
び最終陽極１３を具える。後者の電極は接続線１８を経
て、電子像を光像に変換する出力スクリーン１４を構成
するけい光層上に形成されたアルミ化層に接続される。

これにより形成された光像は光フアイバプレート１５を
経て出力窓の、外面１６に導かれ、ここから出力像をレ
ンズ系１７によりビデオカメラ又はフィルムカメラのよ
うな光撮影装置又は記録装置上に必要に応じ選択装置（
図示せず）を介して投射することができる。絶縁被覆り
一下１９及び２０は陽極１２及び１３を慣例の電源（図
示せず〉から得られる適当な集束電位及び電子加速電位
に接続する。

既知の装置のアルミニウム層９は放射変換層８と光電陰
極層１０との間の化学障壁として作用するのみならず、
導電率が極めて小さい光電陰極材料の広い層に対する高
導電性の裏地も与える。この要素はＸ線透視及びＸ線写
真用に広範囲に亘り電子放出する３６０＋ｍｍ程度のス
クリーン直径が必要とされる時に重要になる。その理由
は、光電陰極層の種々の部分を変化する像状態の下で略
々同一の電位に維持するためにはリード１１に接続され
た障壁９にその周縁の接続端子から供給される光電陰極
層のための電子補充電流がアルミニウム障壁層９内を１
８ｎｍｍの長さまでの導電路に沿って流れるようにする
必要があるためである。

しかし、第２図に示す従来の構造の入力スクリーンはシ
ンチレータ層８により光電陰極層１０の方向に発生され
た光のかなりの部分が金属層９により反射され、吸収さ
れるという欠点を生ずる。

この伝達損失を低減し、シンチレータ光電陰極の総合感
度を金属層９がない場合に得られる値に回復させるため
に、本発明では第３図に示すように放射変換層８と金属
障壁層９との間に介挿した第１中間層２１と、金属障壁
層９と光電陰極層１０との間に介挿した第２中間層２２
とを設ける。両層２１及び２２とも１より大きい屈折率
ｎを有する材料から成り、換言すれば何れの層も屈折率
ｎが１より小さい金属（アルミニウムの場合ｎ＝０．４
３）の層゛にしないと共に何れの層も隣接の放射変換層
８又は光電陰極層１０を形成する材料と製造処理中も装
置の動作寿命中も化学的に反応しないようにして層８や
層１０の感度を低減しないようにする必要がある。

第２中間層２２は電子が金属障壁層９から光電陰極層１
０へと容易に通過して層１０の種々の部分を、イメージ
インテンシファイヤの所望の動作ｆｆ１Ｅ囲に亘って略
々同電位、即ち金属障壁層９の電位に維持するような層
の厚さに比例する導電率又は突き抜けによる電子透過率
を有するものとする必要がある。この条件は後述の層厚
の範囲に対して半導電性の金属酸化物により満足させる
ことができると共に、突き抜けが生ずる厚さの範囲（酸
化アルミニウムＡ１□０．の場合には約２５ｎｍまで）
に対しては非導電性のいくつかの酸化物により満足させ
ることもできる。

金属障壁層９に対する第１中間層２１の光学定数（主と
して屈折率）及び厚さは層２１と９の複合層の第２中間
層２２との界面における反射係数が第２中間層２２と光
電陰極層１０の複合層の真空空間２４との界面（層１０
の自由表面）における反射係数と略々同一になるように
選択し調整する。この後者の反射係数は第２中間層２２
の屈折率と光電陰極層１０の厚さとにより決まる。更に
、第２中藺層２２の厚さは前者の界面の反射波と後者の
界面の反射波との間における総合位相シフトが（２Ｎ−
１）λ／２の光路差に等価となるように調整する必要が
ある。ここで、λは低エネルギーの光子、即ちシンチレ
ータ層８により入射Ｘ線光子に応答して発生されたシン
チレーション光の波長であり（例えばナトリウム又はタ
リウム活性化セシウム沃化爽の場合にはそれぞれ４２０
ｎｍ又は４５０ｎｍである）、Ｎは正の整数（零は含ま
ない）である。この構成によれば光電陰極１０と排気空
間との界面において通常中ずる反射波を用いて金属層９
からの反射波を相殺することができる。第１中間層２１
の厚さの調整により金属層からの反射波の振幅が調整さ
れるため、層２１を振幅調整層とみなすことができ、同
様に層２２を位相調整層とみなすことができる。

導電性障壁層９が４〜１０ｎｍの範囲内の厚さく好まし
くは５　ｎｍ　）を有するアルミニウム層である本発明
の一例においては、振幅調整用の第１中間層２１を１０
〜３０ｎｍの範囲の厚さを有するＴｉＯ□の層とし、位
相調整用の第２中間層２２は２０〜５Ｑｎｍの範囲内の
厚さを有するＭｎＯの層とし、光電陰極層１０を８〜１
２ｎｍの範囲内の厚さを有するＣｓ３Ｓｂの層とする。

第２中間層２２はＴｉｎ２又はＳｌＯ□で形成すること
もできる。実際上、ＭｎＯ層は上記範囲内の厚さを有す
る光電陰極層と相まって真空界面において極めて低い反
射率を与える。ＴｌＯ２層にすると、その屈折率ｎ＝２
．６がＭｎＯの屈折率（ｎ＝２．２）より高いため、特
に薄い光電陰極層に対して高い反射係数を達成すること
ができ、このことは金属層からの反射を一層有効に相殺
し得ることを意味する。しかし、低い屈折率を有する第
２中間層、例えばＳｌＯ□（ｎ＝１．５）を使用する場
合には厚い光電陰極層を使用すると高い反射係数のマツ
チングを達成することができる。第２中間層にＭｎＯを
使用する利点は、ＭｎＯ層と光電陰極層との接合面に、
光電陰極への電子の流入を高めるエネルギー帯の曲がり
を発生する点にある。

第３図に示す本発明による入力スクリーンの第１実施例
における種々の層の材料と厚さを表Ｉに示してあり、こ
れらはナトリウム活性化Ｃｓｌ放射変換層に対応する４
２０１ｍの波長のけい光に対し最適な特性を示すもので
ある。

表　　　１ 実施例Ｉ　　　　　　　　　　λ＝４２０ｎｍ第３図に
示す本発明による入力スクリーンの第２実施例を表■に
示してあり、本例も４２０ｎｍの波長の光に対応するも
のである。

表　　　■ 実施例■　　　　　　　　　　λ＝４２０ｎｍ種々の層
はアルミニウム支持板７上に、関連する層とその基板に
適する慣例の堆積技術、例えば蒸着、真空中又は必要に
応じ微量の適当なガス（例えば酸素）の存在中で適当な
低圧下で行われる直流又は高周波マグネトロンスパッタ
リングを含む′スパッタリングにより順次に堆積するこ
とができる。例えば放射変換層８は再発行米国特許第２
９９５６号明細書に開示されているように蒸着及び熱処
理により製造することがで、きる。

本発明の他の実施例にふいては、第１及び第２中間層２
１．２２を両方とも酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で
形成し、導電性障壁層９をアルミニウムで形成する。こ
れらの層の形成においてはアルミニウムをＣｓＩ層８上
に直流又は高周波マグネトロンスパッタリングにより堆
積するのが好適である。この場合、上記の３層２１，９
及び２２の形成を、第１及び第２中間層の形成中は酸素
を与え、アルミニウム層９の形成中は酸素を与えないこ
とにより単一処理で行うことができる。Ａｌ２Ｏ３の第
２中間層の厚さは約２５ｎｍより小さくして電子が層２
２を突き抜けにより十分に自由に通過して光電陰極層１
０の全ての部分をアルミニウム層９と略々同一の電位に
維持すると共に前述したように光電陰極層１０の真空界
面からの戻り反射波に対し満足な位相マツチングを与え
るようにする。

所定の金属酸化物、例えばインジウム酸化物（ｘｎｚｏ
３）及びインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）　と屡々称され
ている錫添加インジウム酸化物も導電性で略々化学的に
不活性の侵入型化合物を構成し、これらを本発明Ｘ線イ
メージインテンシファイヤの第３図に示す導電性障壁層
９を形成するのに用いることもできる。これらの場合に
も前述の半導電性又は非導電性金属酸化物を第１及び第
２中間層を形成するのに用いることができる。好適例で
は第１及び第２中間層をＡ１□０３で形成し、第２中間
層の厚さを約２５ｎｍより小さくして電子の突き抜けが
容易に生じ得るようにして導電性障壁層９と光電陰極層
１０との間に良好な導電接続が得られるようにする。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による入力スクリーンを組込み得るＸ線
イメージインテンシファイヤを示す図、第２図はＸ線イ
メージインテンシファイヤの慣例の入力スクリーンの一
部の断面図、 第３図は第１図に示す本発明によるＸ線イメージインテ
ンシファイヤの入力スクリーンの一部の断面図である。 １・・・Ｘ線管　　　　　２・・・被検体３・・・入力
スクリーン ４・・・Ｘ線イメージインテンシファイヤ訃・・チタン
膜　　　　６・・・排気金属管器７・・・アルミニウム
支持板 ８・・・放射変換層　　　９・・・導電性障壁層１０・
・・光電陰極層 １１、１９．２０・・・絶縁被覆リード１２・・・集束
陽極　　　　１３・・・最終陽極１４・・・出力スクリ
ーン １５・・・光フアイバプレート

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空ハウジングと、入力放射線像を電子像に変換す
   る入力スクリーンと、入射電子像を検出する出力スクリ
   ーンと、入力スクリーンから放出された電子を出力スク
   リーン上に加速集束する手段とを具え、前記入力スクリ
   ーンは支持基板と、該基板上に被着された層であって入
   射放射像を形成する光子を低エネルギーの光子に変換す
   る放射変換層と、該低エネルギーの光子に対し略々透明
   な導電性障壁層と、前記低エネルギーの光子の入射に応
   答してハウジング内の真空空間内に電子を放出する光電
   陰極層とを具えている、Ｘ線又はγ線のような透過性放
   射線により形成される像を検出する放射線イメージイン
   テンシファイヤにおいて、１より大きい屈折率を有する
   第１及び第２中間層を放射変換層と導電性障壁層との間
   及び導電性障壁層と光電陰極層との間にそれぞれ介挿し
   てあり、第２中間層は導電性障壁層から隣接の光電陰極
   層へと電子を容易に通すのに十分な電子透過率を有する
   と共に、前記第１及び第２中間層は隣接の放射線変換層
   及び光電陰極層の感度を化学的に殆ど低下しないものに
   してあり、且つ第１中間層と導電性障壁層の複合層と第
   ２中間層との界面における前記低エネルギー光子に対す
   る反射係数が光電陰極層とハウジング内の真空空間との
   界面における反射係数と略々同一にしてあると共に、第
   ２中間層の厚さをそれぞれの反射波間の総合位相差が（
   ２Ｎ−１）λ／２の総合光路差に略々等価となるように
   してあり （ここではλは関連する層内における低エネルギーの光
   子の波長、Ｎは零を含まない正の整数）、これにより導
   電性障壁層による低エネルギー光子の反射を減少し、入
   力スクリーンの総合光放出感度を前記導電性障壁層を含
   み前記第１及び第２中間層を含まない入力スクリーンに
   対し光学的に最大にしてあることを特徴とする放射線イ
   メージインテンシファイヤ。 ２、特許請求の範囲第１項記載の放射線イメージインテ
   ンシファイヤにおいて、前記第２中間層は良好な電子透
   過率が電子の突き抜け作用により得られる厚さの非導電
   層であることを特徴とする放射線イメージインテンシフ
   ァイヤ。 ３、特許請求の範囲第２項記載の放射線イメージインテ
   ンシファイヤにおいて、前記第２中間層は２５ｎｍ以下
   の厚さのＡｌ＿２Ｏ＿３層であることを特徴とする放射
   線イメージインテンシファイヤ。 ４、特許請求の範囲第１〜３項の何れかに記載の放射線
   イメージインテンシファイヤにおいて、前記放射変換層
   はアルカリハロゲン化物から成り、前記光電陰極層はア
   ルカリアンチモン化物から成ることを特徴とする放射線
   イメージインテンシファイヤ。 ５、特許請求の範囲第１〜４項の何れかに記載の放射線
   イメージインテンシファイヤにおいて、前記第１及び第
   ２中間層は各別の金属酸化物層であることを特徴とする
   放射線イメージインテンシファイヤ。 ６、特許請求の範囲第１〜５項の何れかに記載の放射線
   イメージインテンシファイヤにおいて、前記導電性障壁
   層は金属層であることを特徴とする放射線イメージイン
   テンシファイヤ。 ７、特許請求の範囲第６項記載の放射線イメージインテ
   ンシファイヤにおいて、前記金属層は４〜１０ｎｍの範
   囲内の厚さを有するアルミニウム層であることを特徴と
   する放射線イメージインテンシファイヤ。 ８、特許請求の範囲第７項記載の放射線イメージインテ
   ンシファイヤにおいて、前記第１及び第２中間層はとも
   にＡｌ＿２Ｏ＿３から成り、第２中間層の厚さは２５ｎ
   ｍ以下にしてあることを特徴とする放射線イメージイン
   テンシファイヤ。 ９、特許請求の範囲第７項記載の放射線イメージインテ
   ンシファイヤにおいて、前記第１中間層はＴｉＯ＿２か
   ら成り、前記第２中間層はＭｎＯから成ることを特徴と
   する放射線イメージインテンシファイヤ。 １０、特許請求の範囲第１項記載の放射線イメージイン
   テンシファイヤにおいて、前記放射変換層はＣｓＩ層か
   ら成り、前記第１中間層は厚さ２２．５ｎｍのＴｉＯ＿
   ２層から成り、前記導電性障壁層は厚さ５ｎｍのアルミ
   ニウム層から成り、前記第２中間層は厚さ３０ｎｍのＭ
   ｎＯ層から成り、前記光電陰極層は８〜１２ｎｍの範囲
   内の厚さのＣｓ＿３Ｓｂ層から成ることを特徴とする放
   射線イメージインテンシファイヤ。 １１、特許請求の範囲第６項記載の放射線イメージイン
   テンシファイヤにおいて、前記金属層は８〜２０ｎｍの
   範囲内の厚さを有する銀層から成ることを特徴とする放
   射線イメージインテンシファイヤ。 １２、特許請求の範囲第１１項記載の放射線イメージイ
   ンテンシファイヤにおいて、前記第１及び第２中間層は
   ともにＴｉＯ＿２層から成ることを特徴とする放射線イ
   メージインテンシファイヤ。 １３、特許請求の範囲第１項記載の放射線イメージイン
   テンシファイヤにおいて、前記放射変換層はＣｓＩ層か
   ら成り、前記第１中間層は厚さ２０ｎｍのＴｉＯ＿２層
   から成り、前記導電性障壁層は厚さ１０ｎｍの銀層から
   成り、前記第２中間層は厚さ２２．５ｎｍのＴｉＯ＿２
   層から成り、前記光電陰極層は８〜１２ｎｍの範囲内の
   厚さのＣｓ＿３Ｓｂ層から成ることを特徴とする放射線
   イメージインテンシファイヤ。 １４、特許請求の範囲第１〜５項の何れかに記載の放射
   線イメージインテンシファイヤにおいて、導電性障壁層
   は導電性侵入型金属酸化物から成ることを特徴とする放
   射線イメージインテンシファイヤ。 １５、特許請求の範囲第１４項記載の放射線イメージイ
   ンテンシファイヤにおいて、前記金属酸化物はＩｎ＿２
   Ｏ＿３及びインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の群から選択
   してあることを特徴とする放射線イメージインテンシフ
   ァイヤ。 １６、特許請求の範囲第１５項記載の放射線イメージイ
   ンテンシファイヤにおいて、前記第１及び第２中間層は
   ともにＡｌ＿２Ｏ＿３から成り、前記第２中間層の厚さ
   は２５ｎｍ以下にしてあることを特徴とする放射線イメ
   ージインテンシファイヤ。