JPH0766889B2 - 軟磁性膜 - Google Patents
軟磁性膜Info
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- JPH0766889B2 JPH0766889B2 JP24492886A JP24492886A JPH0766889B2 JP H0766889 B2 JPH0766889 B2 JP H0766889B2 JP 24492886 A JP24492886 A JP 24492886A JP 24492886 A JP24492886 A JP 24492886A JP H0766889 B2 JPH0766889 B2 JP H0766889B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ヘッドのコア材等として使用される軟磁
性膜に関するものである。
性膜に関するものである。
本発明は、Fe−Ga−Si系合金材料を主体とする軟磁性薄
膜において、 酸化物磁性薄膜を中間層として用い、Fe−Ga−Si系軟磁
性薄膜と酸化物磁性薄膜とを積層することにより、 単層膜では実現されない低保持力化，高透磁率化の軟磁
気特性の向上を図ろうとするものである。
膜において、 酸化物磁性薄膜を中間層として用い、Fe−Ga−Si系軟磁
性薄膜と酸化物磁性薄膜とを積層することにより、 単層膜では実現されない低保持力化，高透磁率化の軟磁
気特性の向上を図ろうとするものである。
〔従来の技術〕 例えばVTR（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再生
装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等が
進められており、この高記録密度化に対応して、磁気記
録媒体として磁性粉にFe,Co,Ni等の強磁性金属の粉末を
用いた、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を蒸
着法等の手法によりベースフィルム状に被着した、いわ
ゆる蒸着テープ等が実用化されつつある。
装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等が
進められており、この高記録密度化に対応して、磁気記
録媒体として磁性粉にFe,Co,Ni等の強磁性金属の粉末を
用いた、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を蒸
着法等の手法によりベースフィルム状に被着した、いわ
ゆる蒸着テープ等が実用化されつつある。
この種の磁気記録媒体は高い抗磁力を有するので、記録
再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料には、高飽和磁束
密度を有することが要求される。例えば、従来ヘッド材
料として多用されているフェライト材では、飽和磁束密
度が低く、この高抗磁力化に対処することができない。
再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料には、高飽和磁束
密度を有することが要求される。例えば、従来ヘッド材
料として多用されているフェライト材では、飽和磁束密
度が低く、この高抗磁力化に対処することができない。
そこで従来、これら高抗磁力磁気記録媒体に対応するた
めに、セラミックス等の非磁性の基板やフェライト等の
磁性基板上に高飽和磁束密度を有する軟磁性膜を被着
し、これら軟磁性膜同士を突き合わせて磁気ギャップを
構成するようにした複合型の磁気ヘッドや、軟磁性膜や
導体薄膜を絶縁膜を介して多層積層構造とした薄膜磁気
ヘッド等が提案されている。
めに、セラミックス等の非磁性の基板やフェライト等の
磁性基板上に高飽和磁束密度を有する軟磁性膜を被着
し、これら軟磁性膜同士を突き合わせて磁気ギャップを
構成するようにした複合型の磁気ヘッドや、軟磁性膜や
導体薄膜を絶縁膜を介して多層積層構造とした薄膜磁気
ヘッド等が提案されている。
そして、上記磁気ヘッドや薄膜磁気ヘッドに用いられる
軟磁性膜としては、熱的に安定で、かつ高飽和磁束密度
を有するFe−Al−Si系合金磁性膜が知られており、さら
に本願出願人は先に特願昭60−77338号，特願昭60−218
737号等においてこれをしのぐ軟磁気特性を示すFe−Ga
−Si系合金磁性膜を提案した。
軟磁性膜としては、熱的に安定で、かつ高飽和磁束密度
を有するFe−Al−Si系合金磁性膜が知られており、さら
に本願出願人は先に特願昭60−77338号，特願昭60−218
737号等においてこれをしのぐ軟磁気特性を示すFe−Ga
−Si系合金磁性膜を提案した。
ところで、このFe−Ga−Si系合金磁性膜は、合金材料で
あるが故に高周波数帯域，特にメガヘルツ域では渦電流
損失により、その磁気特性（例えば透磁率）が劣化する
という欠点を有する。この高周波数帯域の磁気特性の劣
化は、高密度記録即ち短波長記録という必然性に鑑みて
極めて不利であると言わざるを得ない。
あるが故に高周波数帯域，特にメガヘルツ域では渦電流
損失により、その磁気特性（例えば透磁率）が劣化する
という欠点を有する。この高周波数帯域の磁気特性の劣
化は、高密度記録即ち短波長記録という必然性に鑑みて
極めて不利であると言わざるを得ない。
一般に、軟磁性合金膜の高周波数帯域における磁気特性
を改善する手法の一つとして、軟磁性合金膜を絶縁膜を
介して多層積層構造とすることが知られている。しかし
ながらこの手法による軟磁性膜では、磁束の流れる向き
によっては磁気抵抗が非常に大きくなり、積層化するこ
とによりかえってその磁気特性を劣化させることにな
る。
を改善する手法の一つとして、軟磁性合金膜を絶縁膜を
介して多層積層構造とすることが知られている。しかし
ながらこの手法による軟磁性膜では、磁束の流れる向き
によっては磁気抵抗が非常に大きくなり、積層化するこ
とによりかえってその磁気特性を劣化させることにな
る。
また、軟磁性合金膜を絶縁膜を介して多層積層構造とす
ることにより、Fe−Ga−Si系軟磁性膜の一層当たりの膜
厚が減少し、積層体としての透磁率が高周波帯域におい
て上昇することになるものの、保磁力は増大することが
予想され、従って積層化の場合、各々の膜厚の最適化が
非常に重要な意義を持つことになる。
ることにより、Fe−Ga−Si系軟磁性膜の一層当たりの膜
厚が減少し、積層体としての透磁率が高周波帯域におい
て上昇することになるものの、保磁力は増大することが
予想され、従って積層化の場合、各々の膜厚の最適化が
非常に重要な意義を持つことになる。
上述の従来の技術からも明らかなように、高飽和磁束密
度を有するFe−Ga−Si系軟磁性膜においては、特に高周
波数帯域における透磁率，保磁力等各種磁気特性の一層
の改善が要望される。
度を有するFe−Ga−Si系軟磁性膜においては、特に高周
波数帯域における透磁率，保磁力等各種磁気特性の一層
の改善が要望される。
そこで本発明は、かかる状況に鑑みて提案されたもの
で、単層膜では実現されない低保持力化，高透磁率を達
成することが可能な軟磁性膜を提供することを目的とす
る。
で、単層膜では実現されない低保持力化，高透磁率を達
成することが可能な軟磁性膜を提供することを目的とす
る。
本発明等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の結
果、主体となる磁性膜にFe−Ga−Si系軟磁性薄膜を用
い、これに酸化物磁性薄膜を積層することが磁気特性の
改善等に有効であることを見出し本発明を完成するに至
ったものであって、Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁
性薄膜を積層したことを特徴とするものである。
果、主体となる磁性膜にFe−Ga−Si系軟磁性薄膜を用
い、これに酸化物磁性薄膜を積層することが磁気特性の
改善等に有効であることを見出し本発明を完成するに至
ったものであって、Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁
性薄膜を積層したことを特徴とするものである。
本発明において、主体となるFe−Ga−Si系軟磁性薄膜に
含まれるFe,Ga,Siの組成範囲としては、Ga含有量が１〜
23重量％、Siの含有量が９〜31重量％、残部がFeである
ことが好ましい。すなわち、上記Fe−Ga−Si系軟磁性薄
膜を FeaGabSic （a,b,cは各成分の重量比を表す。） としたときに、その組成範囲が 68≦ａ≦84 １≦ｂ≦23 ９≦ｃ≦31 ａ＋ｂ＋ｃ＝100 であることが望ましい。上記GaやSiが少なすぎても、ま
た逆に多すぎても磁気特性が劣化してしまう。
含まれるFe,Ga,Siの組成範囲としては、Ga含有量が１〜
23重量％、Siの含有量が９〜31重量％、残部がFeである
ことが好ましい。すなわち、上記Fe−Ga−Si系軟磁性薄
膜を FeaGabSic （a,b,cは各成分の重量比を表す。） としたときに、その組成範囲が 68≦ａ≦84 １≦ｂ≦23 ９≦ｃ≦31 ａ＋ｂ＋ｃ＝100 であることが望ましい。上記GaやSiが少なすぎても、ま
た逆に多すぎても磁気特性が劣化してしまう。
また、上記Feの一部をCoで置換することも可能である。
上記Feの一部をCoで置換することにより、飽和磁束密度
を上げることができる。このCaの置換量としては、Feに
対して０〜20重量％の範囲内とすることが好ましい。
上記Feの一部をCoで置換することにより、飽和磁束密度
を上げることができる。このCaの置換量としては、Feに
対して０〜20重量％の範囲内とすることが好ましい。
さらに、上述のFe−Ga−Si系軟磁性薄膜には、耐摩耗性
や軟磁気特性を一層改善するために各種元素を添加剤と
して加えてもよい。上記添加剤として使用される元素と
しては、Ti,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,Ta,W,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,P
t,Hf,Vのうち１種または２種以上をくみあわせて0.5〜
6.0重量％の範囲で添加する。すなわち上記添加剤をＭ
とし、Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜を式 FeaCobGacSidMe （a,b,c,dは各成分の重量比を表す。） で表したときに、その組成範囲が 68≦ａ≦84 ０≦ｂ≦15 １≦ｃ≦23 ６≦ｄ≦31 0.5≦ｅ≦6.0 を満足することが望ましい。上記添加剤の添加量が所定
の範囲を越えると磁気特性を劣化してしまう。
や軟磁気特性を一層改善するために各種元素を添加剤と
して加えてもよい。上記添加剤として使用される元素と
しては、Ti,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,Ta,W,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,P
t,Hf,Vのうち１種または２種以上をくみあわせて0.5〜
6.0重量％の範囲で添加する。すなわち上記添加剤をＭ
とし、Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜を式 FeaCobGacSidMe （a,b,c,dは各成分の重量比を表す。） で表したときに、その組成範囲が 68≦ａ≦84 ０≦ｂ≦15 １≦ｃ≦23 ６≦ｄ≦31 0.5≦ｅ≦6.0 を満足することが望ましい。上記添加剤の添加量が所定
の範囲を越えると磁気特性を劣化してしまう。
なお、上述した各組成式中、Gaの一部がAlで置換されて
いてもよく、またSiの一部がGeで置換されていてもよ
い。
いてもよく、またSiの一部がGeで置換されていてもよ
い。
一方、中間膜として積層される酸化物磁性薄膜の材料と
しては、Cu−Znフェライト,Mg−Znフェライト,Mg−Nn−
Alフェライト,Mn−Znフェライト,Ni−Znフェライト,Mg
−Mnフェライト,Cu−Mgフェライト等の、いわゆるソフ
トフェライトが用いられる。
しては、Cu−Znフェライト,Mg−Znフェライト,Mg−Nn−
Alフェライト,Mn−Znフェライト,Ni−Znフェライト,Mg
−Mnフェライト,Cu−Mgフェライト等の、いわゆるソフ
トフェライトが用いられる。
上記Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁性薄膜とは、ス
パッタリング，真空蒸着，イオンプレーティング等の真
空薄膜形成技術によって交互に積層形成され、本発明の
軟磁性膜を構成する。積層形成の方法としては、例えば
第６図に示すようなスパッタ装置を使用すればよい。こ
のスパッタ装置は、真空チャンバ（図示は省略する。）
内に略円盤状の基台（11）を設置するとともに、この基
台（11）の下面側に基板（12）を取付け、さらに、前記
基台（11）の中心部分を仕切り板（13）によって仕切
り、左右両側にFe−Ga−Si系軟磁性合金の合金ターゲッ
ト（14）と酸化物磁性材料ターゲット（15）を設置して
なるもので、上記合金ターゲット（14）と酸化物磁性材
料ターゲット（15）の両ターゲットに同時にプラズマを
生じさせておき、基台（11）を回転させることによって
基板（12）を移動させ各々のターゲット上での基板（1
2）の滞在時間を調整することによって所望の膜厚を有
する膜を形成するというものである。なお、積層数は基
台（11）の回転回数によって決定する。
パッタリング，真空蒸着，イオンプレーティング等の真
空薄膜形成技術によって交互に積層形成され、本発明の
軟磁性膜を構成する。積層形成の方法としては、例えば
第６図に示すようなスパッタ装置を使用すればよい。こ
のスパッタ装置は、真空チャンバ（図示は省略する。）
内に略円盤状の基台（11）を設置するとともに、この基
台（11）の下面側に基板（12）を取付け、さらに、前記
基台（11）の中心部分を仕切り板（13）によって仕切
り、左右両側にFe−Ga−Si系軟磁性合金の合金ターゲッ
ト（14）と酸化物磁性材料ターゲット（15）を設置して
なるもので、上記合金ターゲット（14）と酸化物磁性材
料ターゲット（15）の両ターゲットに同時にプラズマを
生じさせておき、基台（11）を回転させることによって
基板（12）を移動させ各々のターゲット上での基板（1
2）の滞在時間を調整することによって所望の膜厚を有
する膜を形成するというものである。なお、積層数は基
台（11）の回転回数によって決定する。
積層するFe−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁性薄膜の各
膜厚は、各々100〜10000Å,20〜5000Åの範囲内とし、
積層膜の総膜厚は0.3〜30μｍとすることが好ましく、F
e−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁性薄膜の膜厚の比は
任意に設定すればよい。
膜厚は、各々100〜10000Å,20〜5000Åの範囲内とし、
積層膜の総膜厚は0.3〜30μｍとすることが好ましく、F
e−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁性薄膜の膜厚の比は
任意に設定すればよい。
上記膜厚の範囲を外れると積層膜とした効果が期待でき
なくなる虞がある。
なくなる虞がある。
本発明においては、Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁
性薄膜とを積層しているので、Fe−Ga−Si系軟磁性膜の
一層当たりの膜厚が減少して高周波数帯域での軟磁気特
性，特に透磁率が向上する。
性薄膜とを積層しているので、Fe−Ga−Si系軟磁性膜の
一層当たりの膜厚が減少して高周波数帯域での軟磁気特
性，特に透磁率が向上する。
このとき、Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜が中間膜である酸化
物磁性薄膜を介して磁気的に結合され、膜厚方向の磁気
抵抗の増大が抑えられ、同時に単層膜で得られる以上の
軟磁気特性が達成される。
物磁性薄膜を介して磁気的に結合され、膜厚方向の磁気
抵抗の増大が抑えられ、同時に単層膜で得られる以上の
軟磁気特性が達成される。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものではないことはい
うまでもない。
発明がこれら実施例に限定されるものではないことはい
うまでもない。
先ず、Fe74Ru4Ga8Si14合金（組成は原子％）及びMn−Zn
フェライトをターゲットとして用い、第６図に示すよう
な２元スパッタ装置によりスパッタリングを行い、第１
図に示すように、円盤状のガラスセラミック（GaTiO3）
基板（１）上にFe−Ga−Si系軟磁性薄膜（２）及び酸化
物磁性薄膜（３）を積層した。このときFe−Ga−Si系軟
磁性薄膜（２）の膜厚は、1600Åとし、Mn−Znフェライ
ト層の厚みを0,50,90,120,500Åと変化させ、Fe−Ga−S
i系軟磁性薄膜（２）とMn−Znフェライト層（３）を各5
0層交互に積層し軟磁性膜を作成した。
フェライトをターゲットとして用い、第６図に示すよう
な２元スパッタ装置によりスパッタリングを行い、第１
図に示すように、円盤状のガラスセラミック（GaTiO3）
基板（１）上にFe−Ga−Si系軟磁性薄膜（２）及び酸化
物磁性薄膜（３）を積層した。このときFe−Ga−Si系軟
磁性薄膜（２）の膜厚は、1600Åとし、Mn−Znフェライ
ト層の厚みを0,50,90,120,500Åと変化させ、Fe−Ga−S
i系軟磁性薄膜（２）とMn−Znフェライト層（３）を各5
0層交互に積層し軟磁性膜を作成した。
上述のようにして作成した軟磁性膜のスパッタリング後
の保磁力を測定した。結果を第２図に示す。この第２図
からスパッタリング後の保磁力とMn−Znフェライト層の
厚みとの間に特に関係性が見られなかった。
の保磁力を測定した。結果を第２図に示す。この第２図
からスパッタリング後の保磁力とMn−Znフェライト層の
厚みとの間に特に関係性が見られなかった。
続いて、上記軟磁性膜を560℃で１時間熱処理し、得ら
れた軟磁性膜についてMn−Znフェライト層（２）の各厚
みについて保磁力を測定したところ第３図に示すような
結果が得られた。これより、熱処理を加えた場合には、
Mn−Znフェライト層（２）の各厚みによって顕著な差が
みられ、Mn−Znフェライト層（２）が50Åの時に保磁力
がもっとも低く、500Åの時が最も大きな値となり、略
比例関係にあることがわかった。
れた軟磁性膜についてMn−Znフェライト層（２）の各厚
みについて保磁力を測定したところ第３図に示すような
結果が得られた。これより、熱処理を加えた場合には、
Mn−Znフェライト層（２）の各厚みによって顕著な差が
みられ、Mn−Znフェライト層（２）が50Åの時に保磁力
がもっとも低く、500Åの時が最も大きな値となり、略
比例関係にあることがわかった。
以上の結果を考慮して次のような軟磁性膜を作成した。
Fe74Ru4Ga8Si14合金（組成は原子％）及びMn−Znフェラ
イトをターゲットとして用い、第６図に示すような２元
スパッタ装置によりアルゴン分圧５×10-3Torr,投入電
力300Wの条件でスパッタリングを行い、第１図に示すよ
うに、円盤状のガラスセラミック（GaTiO3）基板（１）
上にFe−Ga−Si系軟磁性薄膜（２）及び酸化物磁性薄膜
（３）を積層した後、350℃で１時間熱処理して軟磁性
膜とした。なお、Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜（２）の膜厚
は1600Å，中間層となる酸化物磁性薄膜（３）は50Åと
し、その積層数はFe−Ga−Si系軟磁性薄膜（２）と酸化
物磁性薄膜（３）の積層膜を一層として50層とした。
イトをターゲットとして用い、第６図に示すような２元
スパッタ装置によりアルゴン分圧５×10-3Torr,投入電
力300Wの条件でスパッタリングを行い、第１図に示すよ
うに、円盤状のガラスセラミック（GaTiO3）基板（１）
上にFe−Ga−Si系軟磁性薄膜（２）及び酸化物磁性薄膜
（３）を積層した後、350℃で１時間熱処理して軟磁性
膜とした。なお、Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜（２）の膜厚
は1600Å，中間層となる酸化物磁性薄膜（３）は50Åと
し、その積層数はFe−Ga−Si系軟磁性薄膜（２）と酸化
物磁性薄膜（３）の積層膜を一層として50層とした。
上述のようにしてスパッタリングを行い、得られた軟磁
性膜について、磁化曲線（Ｍ−Ｈ曲線）を測定した。結
果を第４図に示す。
性膜について、磁化曲線（Ｍ−Ｈ曲線）を測定した。結
果を第４図に示す。
この第４図より、上記軟磁性膜の保磁力を求めたとこ
ろ、0.4（Oe）と極めて小さな値を示した。なお、スパ
ッタリング後，熱処理前の保磁力は3.2（Oe）であっ
た。
ろ、0.4（Oe）と極めて小さな値を示した。なお、スパ
ッタリング後，熱処理前の保磁力は3.2（Oe）であっ
た。
また、Fe74Ru4Ga8Si14合金（組成は原子％，膜厚1600
Å）及びMn−Znフェライト（膜厚50Å）を50層交互に重
ね、総厚10μｍとした積層体を２元スパッタにより得、
350℃で１時間熱処理して軟磁性膜としたものと、Fe74R
u4Ga8Si14の膜厚5,10,15μｍの単層膜をスパッタリング
によって得、550℃で１時間熱処理して軟磁性膜とした
ものについて、各周波数における透磁率の値を測定し
た。その結果を第５図に示す。なお、図中ａはFeRuGaSi
合金とMn−Znフェライトを積層した軟磁性膜を表し、ｂ
は膜厚５μｍのFeRuGaSiの単層膜,cは膜厚10μｍのFeRu
GaSiの単層膜,dは膜厚15μｍのFeRuGaSiの単層膜の特性
を表している。この結果より、単層膜は周波数が高くな
るに従い透磁率が急激に低下しているのに対して、軟磁
性膜は周波数の高低にあまり影響されず広い範囲で良好
な透磁率を有していることがわかる。また、層厚の等し
い軟磁性膜ａと単層膜ｃを比較すると、軟磁性膜は、単
層膜より周波数の低い所では透磁率がやや低いものの、
周波数の高い部分，すなわち20MHzにおいて略等しい値
となり、さらに高周波数域100MHzでは単層膜よりもかな
り良好な透磁率を示している。したがって、本発明にか
かる軟磁性膜は、高周波数に対する特性に優れているこ
とがわかる。
Å）及びMn−Znフェライト（膜厚50Å）を50層交互に重
ね、総厚10μｍとした積層体を２元スパッタにより得、
350℃で１時間熱処理して軟磁性膜としたものと、Fe74R
u4Ga8Si14の膜厚5,10,15μｍの単層膜をスパッタリング
によって得、550℃で１時間熱処理して軟磁性膜とした
ものについて、各周波数における透磁率の値を測定し
た。その結果を第５図に示す。なお、図中ａはFeRuGaSi
合金とMn−Znフェライトを積層した軟磁性膜を表し、ｂ
は膜厚５μｍのFeRuGaSiの単層膜,cは膜厚10μｍのFeRu
GaSiの単層膜,dは膜厚15μｍのFeRuGaSiの単層膜の特性
を表している。この結果より、単層膜は周波数が高くな
るに従い透磁率が急激に低下しているのに対して、軟磁
性膜は周波数の高低にあまり影響されず広い範囲で良好
な透磁率を有していることがわかる。また、層厚の等し
い軟磁性膜ａと単層膜ｃを比較すると、軟磁性膜は、単
層膜より周波数の低い所では透磁率がやや低いものの、
周波数の高い部分，すなわち20MHzにおいて略等しい値
となり、さらに高周波数域100MHzでは単層膜よりもかな
り良好な透磁率を示している。したがって、本発明にか
かる軟磁性膜は、高周波数に対する特性に優れているこ
とがわかる。
以上の説明からも明らかなように、本発明の軟磁性膜は
Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁性薄膜を積層した構
造としているので、特に高周波数帯域での高透磁率化が
達成される等、良好な軟磁気特性が得られる。
Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁性薄膜を積層した構
造としているので、特に高周波数帯域での高透磁率化が
達成される等、良好な軟磁気特性が得られる。
また、中間膜を酸化膜一膜としているので、膜厚方向で
の磁気抵抗が抑えられると同時に、保磁力も極めて小さ
なものとすることができる。特に、積層する各膜の膜厚
を最適化することにより、非常に優れた軟磁気特性が低
温処理で得られる。
の磁気抵抗が抑えられると同時に、保磁力も極めて小さ
なものとすることができる。特に、積層する各膜の膜厚
を最適化することにより、非常に優れた軟磁気特性が低
温処理で得られる。
したがって、高記録密度化に対応可能な磁気ヘッド材料
の提供が可能となる。
の提供が可能となる。
第１図は本発明を適用した軟磁性膜の構成例を示す要部
拡大断面図である。 第２図はFe−Ga−Si系軟磁性薄膜を主体とする軟磁性膜
において中間層であるMnZnフェライトの厚さを変えたと
きの熱処理前の保磁力の変化を示す特性図であり、第３
図は熱処理後の保磁力の変化を示す特性図である。 第４図は本発明を適用した軟磁性膜のＭ−Ｈ曲線を示す
特性図、第５図は本発明を適用した軟磁性膜の透磁率の
周波数依存性をFe−Ga−Si系軟磁性膜の単層膜のそれと
比べて示す特性図である。 第６図は積層膜を作成する際に用いるスパッタリング装
置の一例を示す概略構成図である。 １……基板 ２……Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜 ３……酸化物磁性薄膜
拡大断面図である。 第２図はFe−Ga−Si系軟磁性薄膜を主体とする軟磁性膜
において中間層であるMnZnフェライトの厚さを変えたと
きの熱処理前の保磁力の変化を示す特性図であり、第３
図は熱処理後の保磁力の変化を示す特性図である。 第４図は本発明を適用した軟磁性膜のＭ−Ｈ曲線を示す
特性図、第５図は本発明を適用した軟磁性膜の透磁率の
周波数依存性をFe−Ga−Si系軟磁性膜の単層膜のそれと
比べて示す特性図である。 第６図は積層膜を作成する際に用いるスパッタリング装
置の一例を示す概略構成図である。 １……基板 ２……Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜 ３……酸化物磁性薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿蘇 興一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−104108（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Fe−Ga−Si系軟磁性薄膜と酸化物磁性薄膜
を積層したことを特徴とする軟磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24492886A JPH0766889B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 軟磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24492886A JPH0766889B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 軟磁性膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399507A JPS6399507A (ja) | 1988-04-30 |
| JPH0766889B2 true JPH0766889B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=17126052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24492886A Expired - Fee Related JPH0766889B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 軟磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766889B2 (ja) |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24492886A patent/JPH0766889B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6399507A (ja) | 1988-04-30 |
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