JPH0767013B2 - 電子回路部品 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえば集積回路（IC）などが実装される電
子回路用基板や、たとえば半導体集積回路素子が格納さ
れるパッケージなどに好適に用いられる電子回路部品に
関する。

従来技術 近年、回路配線基板などにおいて、形成されている回路
配線の微細化、高密度化がますます向上しており、この
ためこのような需要に答える回路配線基板の製造技術が
開発されている。

このような回路配線基板を製造する第１の従来の技術と
しては、たとえばアルミナ系セラミクスなどから成る基
材上に、たとえばモリブデンやタングステンなど高溶点
金属材料をスクリーン印刷した後、これをたとえば1500
℃程度の温度で焼付け加工する技術が知られている。

このような従来技術では、回路配線を形成するにあたっ
てスクリーン印刷技術を用いるため、回路配線の幅とし
て少なくとも100μｍ程度を必要とし、したがってこの
ような回路配線基板の微細化および高密度化に制限が課
されてしまうという問題点がある。また本従来技術の他
の問題点として、基材に用いるセラミクスは、誘電率が
たとえば10程度とむやみに高く、回路中の抵抗分とあい
まって信号の高速伝播が困難となり、このような従来技
術を用いて構成される電子回路などの高速動作が不可能
となってしまうという問題点があった。

このような問題点を解決するめための第２の従来技術と
して、たとえばセラミクスなどの基材上にポリイミド膜
を形成し、その上に金属材料を蒸着し、その後にエッチ
ングして所望のパターンの回路配線を形成し、この工程
を繰返して１層または多層の回路配線基板を形成する技
術が用いられている。

このような従来技術では、前述した第１の従来技術と比
較し、回路配線の幅が25μｍ程度と狭くでき、回路配線
基板などの微細化、高密度化を向上できる利点がある。
また回路配線相互の電気的絶縁を実現するポリイミド膜
はその誘電率が３〜3.5と比較的小さく、したがって第
１の従来技術を用いる場合よりも信号の伝播速度を増大
でき、構成される電子回路の処理速度を向上できる。

また、たとえば集積回路（IC）や大規模集積回路（LS
I）、ハイブリッド集積回路などが実装される電子回路
用基板において、導電体層とその層間絶縁膜や保護膜と
からなる構成もしくは、たとえば半導体集積回路素子な
どが格納されるパッケージなどに、ポリイミド樹脂上に
回路配線として金属薄膜を形成する技術が広く用いられ
ている。ポリイミド樹脂は、電気絶縁性の観点からはポ
リマの中では比較的高い耐熱性と低誘電率とを有してお
り、蒸着、メッキなどの各種加工処理に広い耐性を有す
ることが知られている。

一方、このような第２の従来技術においては、ポリイミ
ド樹脂被膜と回路配線との密着強度の信頼性がむやみに
低いという問題点がある。この問題点の指摘は、後述の
実施例の項目において、本件発明と対比される比較例に
関する実験結果として詳述するが、以下に概略を示す。
たとえばクロム、モリブデン、チタンなどの金属材料か
ら成る回路配線は、150℃での高温放置試験において、
この回路配線金属の酸化により、100時間程度放置した
状態では、ポリイミド樹脂−回路配線金属間の密着強度
が、5kg/mm²から1kg/mm²程度に低下してしまうことが確
認された。

すなわち従来、一般に用いられているポリイミド樹脂
は、一般式、 で示され、官能基R1は、たとえば、 のいずれかであって、官能基R2は、たとえば である。その典型例として、下記の構造式のポリイミド
樹脂が一般的に用いられている。

上記に示した従来から用いられている種類の官能基は電
子供与性であり、このような官能基と金属原子との結合
状態が熱的に不安定なことに起因して、上述のような事
態が発生している。

すなわち、ポリイミド樹脂と金属とは、金属の外殻電子
がポリイミド樹脂のカルボニル基部分に供与されて形成
される、 −Ｃ−Ｏ−金属、または−Ｃ−金属 なる化学結合によって密着している。従来のポリイミド
樹脂では、 構造の電子密度が低い事実が、本件発明者によって確認
された。この事実は、XPS（Ｘ−ray Photoelectron Spe
ctroscope（ESCA））分析によって確認された。

上述したような回路配線用基板の製造工程では、フォト
リソグラフィ工程およびポリイミド前駆体をポリイミド
構造とするためのキュア工程が採用されており、これら
には種々の熱処理工程が含まれている。また半導体集積
回路素子をパッケージする工程にも熱処理工程が含まれ
ており、また製品となった集積回路の動作時にも発熱現
象がみられる。したがってこのような熱環境下で前述し
たようなポリイミド樹脂と回路配線などの金属層との密
着強度の劣化が発生すると、回路配線の断線や半導体集
積回路素子のパッケージからの剥離などが発生するとい
う重大な事態となってしまう。

発明が解決しようとする問題点 本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであっ
て、ポリイミド樹脂と金属薄膜との密着強度に関する信
頼性を格段に向上し、熱環境下であってもこの信頼性が
格段に向上された電子回路部品を提供とすることを目的
とする。

問題点を解決するための手段 本発明は、基材表面に形成されたポリイミド樹脂上に金
属薄膜を形成して成る電子回路部品において、 ポリイミド樹脂は、一般式、 で表わされる種類が選らばれ、 官能基R1,R2の少なくとも１つは電子吸引性基が選ばれ
ることを特徴とする電子回路部品である。

本発明の好ましい実施態様は、上記電子吸引性基は一般
式、 で表わされる種類から選ばれるようにしたことを特徴と
する。

他の好ましい実施態様は、上記金属薄膜の少なくともポ
リイミド樹脂に接触する表面は、モリブデン（Mo）、ク
ロム（Cr）、チタン（Ti）、タングステン（Ｗ）の少な
くとも１種の単体、もしくはそれらの２種またはそれ以
上の種類の合金から成ることを特徴とする。

さらに他の好ましい実施態様は、基材材料として、セラ
ミクス、ガラス、金属の少なくともいずれか一つが選ば
れることを特徴とする。

さらに他の好ましい実施態様は、ポリイミド樹脂層は、
層厚２〜50μｍに形成されることを特徴とする。

さらに他の好ましい実施態様は、金属薄膜は膜厚250〜4
000Åに形成されることを特徴とする。

さらに他の好ましい実施態様は、金属薄膜のポリイミド
樹脂層と接触しない部分はアルミニウム（Al）、銅（C
u）、金（Au）の少なくともいずれか一つが選ばれるこ
とを特徴とする。

作 用 本発明に従えば、電子回路部品を構成する基材表面にポ
リイミド樹脂層を形成し、その層上に金属薄膜を形成す
る。このときポリイミド樹脂は、下記一般式、 で表わされる種類が選ばれる。また上記構造式において
官能基R1,R2の少なくとも１つを電子吸引性基に選ぶ。

このように電子吸引性基に選ばれた官能基R1,R2を有す
るポリイミド樹脂において、上記一般構造式の 構造部分における電子密度が低いことが、本件発明者に
よって確認された。これはXPS（Ｘ−ray Photoelectron
Spectroscope（ESCA））分析法によって確認された。
このような場合、ポリイミド樹脂の前記第２式に示され
る構造部分が、ポリイミド樹脂層上に形成される金属薄
膜の金属原子から電子を受取り易くなり、このためポリ
イミド樹脂と金属とは、金属の外殻電子がポリイミドの
カルボニル基に供与されて形成される ≡Ｃ−Ｏ−Ｍ 構造または、 ≡Ｃ−Ｍ 構造の化学結合において、結合エネルギが従来技術の項
で述べた官能基を有するポリイミド樹脂より格段に高く
なる。したがって高温の酸素雰囲気中であっても、ポリ
イミド樹脂と金属との結合は切断されず、密着強度に関
する信頼性が飛躍に向上される。

上記第１式に示す本発明に用いられるポリイミド樹脂の
構造において、官能基R1,R2の少なくとも１つは、下記
の一般式で示される電子吸引性基 の中から選ばれる。

またポリイミド樹脂層上に形成される金属薄膜におい
て、少なくともポリイミド樹脂層に接触する表面はモリ
ブデン（Mo）、クロム（Cr）、チタン（Ti）、タングス
テン（Ｗ）の少なくとも１種類の単体もしくは、それら
の２種またはそれ以上の合金から形成される。このよう
な種類の金属は前記金属薄膜においてポリイミド樹脂層
と接触しない分を構成するアルミニウム（Al）、銅（C
u）、金（Au）よりも、前記ポリイミド樹脂層への密着
強度が大きいことが確認されている。

このポリイミド樹脂層は後述するポリイミド樹脂前駆体
を用い、これをいわゆるスピンナ法またはスプレー法な
どによって基材表面に塗布し、300℃〜400℃で熱処理を
行なうことにより、ポリイミド構造を有する２〜50μｍ
の膜厚を形成する。次いで、ホトリソグラフィ技術など
により多層構造とする場合の接続用スルーホールなどを
形成する。

この上に形成される金属薄膜はスパッタリング法、イオ
ンプレーティング法などを用いて、ポリイミド樹脂層上
に塗布され、ホトリソグラフィ技術によりエッチングさ
れ、この際マスクとして用いられているホトレジスト層
を剥離除去することにより、所望の回路配線パターンを
実現する。このような工程を繰返すことにより、多層配
線回路基板を実現することができる。

実施例 （Ｉ）回路基板１の製造工程 第１図は本発明の一実施例の多層配線回路基板（以下、
回路基板と略す）１の断面図である。第１図を参照し
て、回路基板１は、たとえばスラミクス材料から成る絶
縁基板２上に、後述するような構造を有する第１配線層
３が形成されており、その上に形成されたポリイミド樹
脂層４のスルーホール５を介して、第２配線層６と所望
の位置で接続される。この第２配線層６と第１配線層３
とは、ポリイミド樹脂層４によって基本的には絶縁され
ている。

またこの第２配線層６上にポリイミド樹脂層７を形成
し、このポリイミド樹脂層７のスルーホール８を介し
て、第３配線層９が所望の位置で第２配線層６と接続さ
れる。このような配線層3,6とその上に形成されるポリ
イミド樹脂層4,7との組み合わせは、本実施例では２層
として説明するが、一般に３層以上の多層構造であって
も本発明は同様に実施される。

第２図は第１図の切断面線II−IIから見た断面図であ
る。第２図を参照して、ポリイミド樹脂層4,7に挟まれ
る第２配線層６はそのポリイミド樹脂4,7に接触する側
の表面である密着層10,11と、密着層10,11の間に形成さ
れる配線層12から成る。前記密着層10,11はモリブデ
ン、クロム、チタン、タングステンの少なくとも１種の
単体もしくは、それらの２種またはそれ以上の種類の合
金から成る。本実施例では密着層10をモリブデンMoの単
体から形成し、密着層11をクロムCrの単体から形成す
る。また配線層12はアルミニウムAl、銅Cu、金Auの少な
くともいずれか１つから形成される。本実施例では配線
層12は銅Cuの単体から形成する。

第１図および第２図を参照して、説明した構造を有する
回路基板１の製造工程について説明する。

（１）第１配線層３の製造工程 まず第１図に示す絶縁基板２上にモリブデン−銅をスパ
ッタリング法で形成する。これはモリブデンを膜厚0.2
μｍおよび銅を膜厚0.4μｍに同一バッチ連続スパッタ
リングで行なう。引続いて膜厚３μｍに銅の電解メッキ
を行なう。続いて膜厚0.1μｍにクロムをスパッタリン
グで形成する。

（２）第１配線層３の加工工程 上述のようにして得られた多層金属薄膜上に、いわゆる
ネガ系レジストをスピンナ法で塗布する。スピンナ法
は、前記多層金属薄膜が形成されている絶縁基板２を、
所定のステージ上に吸着固定し、液体状の前記レジスト
を滴下し、次にこのステージをたとえば1000rpmで10秒
間回転させる。このときの遠心力により液体状のレジス
トが半径方向外方に均一に拡散し、前記金属薄膜上に均
一な膜厚でレジストを塗布できる。このとき、塗布され
るのはいわゆるレジスト前駆体であり、この前駆体から
溶媒を揮散させる必要がある。したがってたとえば大気
雰囲気中で80℃、40分間の加熱、いわゆるプレベーク処
理を行ない、前記液状レジストを半乾燥させる。

次に、所定の配線パターンを形成するために、所定の配
線パターンが描画されたマスクを前記レジスト上に密着
させ、光を照射させてレジスト層を露光させる。このよ
うないわゆるコンタクト露光により、該マストの寸法通
りのレジストパターンが得られる。このように露光され
たレジスト層を含む構成をたとえばキシレン系現像液に
よって現像し、次にレジスト材料を後述するエッチング
処理に耐える構造とするため、いわゆるポストベーク処
理を行なう。すなわち大気雰囲気中で130℃、30分間の
加熱を行ない、レジスト材料を熱架橋させ、強固な膜と
する。さらに、これによって下地である前記多層金属薄
膜層との密着性が向上される。

次に、上述したように構成されたクロム層のエッチング
を行なうが、これは前記金属薄膜層とレジスト層とが形
成された基板を、30％塩酸に浸漬することによって行な
われる。次にクロム層の下層の銅層のエッチングを行な
う。これは過硫酸アンモニウム水溶液に浸漬することに
よって行なわれ、引続きモリブデン層のエッチングを行
なう。これはフェリシアン化カリウム水溶液に浸漬する
ことによって行なわれる。このようにして金属薄膜層が
全てエッチングされ終わった後、レジスト層を剥離する
ため80℃の剥離液に20分間浸漬する。ここで用いられる
剥離液は通常市販されている種類で行なわれる。

（３）絶縁層（ポリイミド樹脂層７）成膜工程 後述するような組成のポリイミド前駆体を、前記エッチ
ング工程終了後の回路基板１上に塗布する。これはたと
えば、前述したようなスピンナ法によって行なわれ、ス
テーズをたとえば2000rpmで10秒間回転させる。これに
よってポリイミド前駆体が均一な膜厚で塗布される。続
いて大気雰囲気中で80℃、40分間の加熱を行ない、ポリ
イミド前駆体から溶媒を揮散させ、半乾燥させる。

続いて、半乾燥されたポリイミド前駆体に対してキュア
工程を施す。これはポリイミド前駆体を加熱処理するこ
とにより、前駆体を構成する分子をイミド化させ、所望
のポリイミド構造とするためである。その処理条件は、
たとえばコンベア式の連続炉を用い、窒素ガス雰囲気中
で400℃最大１時間の加熱を行なう。これによってポリ
イミド前駆体は所望のポリイミド構造となり、膜厚10μ
ｍの前記絶縁膜（ポリイミド樹脂層７）が得られる。

（４）絶縁層（ポリイミド樹脂層７）の加工工程 この工程は第１図に示すように、ポリイミド樹脂層４の
スルーホール５などを形成する処理工程である。前記キ
ュア処理後のポリイミド膜上に、酸化シリコンSiO₂を３
μｍの膜厚となるようにスパッタリングする。続いて前
記スピンナ法（1200rpm、10秒間の回転）により、ポジ
系レジストを塗布し、大気雰囲気中で85℃、90分間の加
熱を行ないレジスト全体を半乾燥させる。次に前述した
コンタクト露光を行ない、所定のスルーホール５などを
形成するパターンを形成し、アルカリ系現像液によって
現像を行なう。その後、大気雰囲気中で135℃、30分間
の加熱処理（前記ポストベーク処理）を行ない、レジス
ト材料を熱架橋させる。

この後、フッ化水素アンモニウム水溶液に浸漬させ、酸
化シリコンがエッチングされる。続いてレジスト層を剥
離するために、60℃の市販の剥離液中に20分間浸漬され
る。この後、酸化シリコンのパターンに従ってポリイミ
ド樹脂層４をエッチングする。これは反応性イオンエッ
チング装置を用いて行なわれる。次にポリイミド樹脂層
のエッチングのためのマスク層となっていた酸化シリコ
ンを剥離する。これは前記フッ化水素アンモニウム水溶
液に浸漬することによって行なわれる。

（５）第２配線層６の成膜工程 これは前記（Ｉ）−（１）項に示す第１配線層３の成膜
工程と同様であり、以下、第１項〜第４項の処理工程を
繰返し行なうことによって、多層配線回路基板１を製造
することができる。

（II）ポリイミド前駆体の製造工程 前記第（Ｉ）項で説明した回路基板１の製造工程におい
て用いられたポリイミド前駆体の製造方法を説明する。

Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶媒700gを２フラスコに
秤取する。これに２、５ジアミノニトロベンゼン92gを5
0℃で溶媒を撹拌しながら加え完全に溶解する。２、５
ジアミノニトロベンゼンが完全に溶解した後、無水ピロ
メリット酸124gを溶液を、撹拌しながら少しずつ加え
る。30分間この状態で反応させる。その後、80℃に系温
度を昇温し、さらに30分間反応させる。この反応系内は
窒素ガス雰囲気とする。こうして得られたポリアミドカ
ルボン酸を、ポリイミド前駆体として用いる。

このようなポリイミド前駆体を用いて製造されたポリイ
ミド樹脂層4,7は、下記の第１表のような特性を示すこ
とが本件発明者によって確認された。

（III）ポリイミド樹脂層4,7および配線層3,6,9の膜厚
限定理由について （１）ポリイミド樹脂層4,7について （ア）ポリイミド樹脂層4,7の膜厚が２μｍ以下の場合 ポリイミド樹脂層4,7に発生するピンホールを介し
て、その上下の配線層3,6,9間で短絡状態が発生する危
険性がある。

第１図示の回路基板１を多層構造とした場合、或るポ
リイミド樹脂層の絶縁基板２側の配線層のパターン形成
に伴う凹凸や、同様のポリイミド樹脂層のスルーホール
などによる凹凸を平坦化できず、上層の金属層を微細加
工することが困難となる。

キャパシタンスが増大し、高周波信号が用いられる場
合には、信号の波形歪みを発生させる。

特性インピーダンスの制御が困難となる。すなわち、
集積回路チップに適合した特性インピーダンス（30〜15
0Ω）に抑制するためには、２〜50μｍのポリイミド樹
脂層の膜厚が必要であることが、本件発明者によって確
認されている。

（イ）膜厚が50μｍ以上の場合 ポリイミド樹脂層の体積応力が増大し、ポリイミド樹
脂層の密着性が低下し、剥離を生じてしまう。

ポリイミド樹脂層の熱応力によって、回路基板１を多
層構造とした場合には、第１図に示すようなスルーホー
ル８内の配線層にストレスが加わり、第１図の構成例で
は、第２配線層６と第１配線層３と電気的導通の信頼性
が失われてしまう。

（２）密着層10,11（第２図参照）の膜厚（250〜4000
Å）について （イ）250Å以下の場合 密着層10,11（モリブデン、クロム、チタン、タング
ステンなど）と配線層12（銅、アルミニウム、金など）
とが熱によって相互の内部に拡散し、カーケンドール効
果により、配線層12とその下地となる絶縁基板２あるい
はポリイミド樹脂層4,7とが接触する事態となり、密着
強度の劣化が発生する。

（ロ）膜厚4000Å以上の場合 密着層10,11の残留応力（引っ張り応力）が大きくな
り、所定のパターンで形成された配線層3,6,9の隅部な
ど、応力が集中する部分で下地となるポリイミド樹脂層
にクラックが発生してしまう。

（３）配線層12の膜厚0.5〜15μｍについて （イ）膜厚0.5μｍ以下の場合 電気抵抗値は断面積に反比例するため、この場合、電
気抵抗値がむやみに大きくなってしまい、回線基板１と
して使用できなくなってしまう。

（ロ）膜厚15μｍ以上の場合 この配線層12を含んで形成される配線層4,6,9の残留
応力が大きくなり、下地となるポリイミド樹脂層4,7な
どにクラックが発生してしまう。

配線層12の加工（エッチング）時、膜厚が大きいと幅
方向へのエッチングの程度がむやみと大きくなってしま
い、微細な配線加工が困難となってしまう。

（IV）密着強度実験方法について 本発明は、前記第１図および第２図を参照して説明した
回路基板１をその一実施例とするが、本発明の目的とす
るところは、たとえば第１図におけるポリイミド樹脂層
4,7と、その上下の配線層3,6,9との間の密着強度の向上
にあり、したがって第３図に示すような試験片13を作成
して、ポリイミド樹脂層14と金属層15との密着強度を測
定した。

（１）試験片13の作成方法 ポリイミド樹脂層14の成膜工程 上記（II）項で製造工程を説明したポリイミド前駆体
を、たとえばセラミクス材料から成る絶縁基板16上に、
前述したスピンナ法（2000rpmで10秒間）で塗布する。
次に、大気雰囲気中で80℃40分間の加熱（プレベーク）
を行ない、前記ポリイミド前駆体半乾燥させる。この
後、前述したキュア処理を行なう。すなわちコンベア式
連続炉を用いて、窒素ガス雰囲気中で400℃最大１時間
の加熱を行ない、熱架橋して膜厚10μｍのポリイミド樹
脂層14を形成する。

金属層15の成膜工程 前記ポリイミド樹脂層14上に、モリブデンを0.2μｍお
よび銅を0.4μｍの膜厚にスパッタリング法によって形
成する。その上に銅を３μｍの膜厚に電解メッキで形成
する。

金属層15の加工工程 前記金属層15上にスピンナ法（1000rpmで10秒間）によ
って、ネガ系レジストの前駆体を塗布する。その後、大
気雰囲気中で80℃、40分間の加熱（プレベーク）を行な
い、１μm²のドットパターンマスクを用いて、前述した
コンタクト露光を行なう。この後、キシレン系現像液を
用いて現像し、大気雰囲気中で30℃30分間の加熱（ポス
トベーク）を行ない、レジストを熱架橋させる。

このように所望の回路配線パターンが焼き付けられたレ
ジストに対して、銅のエッチングを行なう。これは過硫
酸アンモニウム水溶液に浸漬することによって行ない、
モリブデン層のエッチングはフェリシアン化カリウム水
溶液に浸漬することによって行なう。しかる後にレジス
ト層を剥離するために、通常の市販の剥離液（80℃）に
20分間浸漬する。

はんだのディッピング工程 溶融はんだ（Pb:Sn＝60:40、250℃）に５秒間浸漬して
ディッピングを行なう。

測定方法 直径1.5μｍの銅線を上記1mm²の金属層15に垂直にはん
だ付けする。次に、絶縁基板16を固定した後、前記銅線
を絶縁基板16と反対方向に垂直に引上げる。このように
して金属層15の剥離時に銅線に加えられている荷重を密
着強度とする。

（Ｖ）測定結果 の一般式で示されるポリイミド樹脂を用いて150℃の空
気雰囲気中で高温放置試験を行なう。このとき下記第３
表に示されるような各時間経過毎に、上記「（Ｖ）測定
方法」の項目で説明したような試験および密着強度の測
定を行なう。このとき本件発明に従って用いられるポリ
イミド樹脂と、比較例として用いられた従来技術のポリ
イミド樹脂とに用いられる官能基R1,R2は、下記の第２
表のとおりである。

官能基R1,R2における各種組合わせについて上述したよ
うな密着強度試験を行なった結果を、下記の第３表に示
す。

第３表中のポリイミド構造の欄における記号「−」は、
第２表に示す従来技術の電子供与性基である各官能基
を、任意の組合わせで用いたものである。

以上のように本実施例の回路基板１では、ポリイミド樹
脂層4,7と、配線層3,6,9との間の密着強度が向上され、
しかも熱環境下においても密着強度に関する信頼性が向
上されたので、多層配線回路基板１を格段に長寿命化す
ることができる。

上述したようにポリイミド樹脂層4,7と、配線層3,6,9と
が相互に安定な化学結合を実現しているため、多層配線
化の製造工程におけるホトリソグラフィ工程およびポリ
イミドキュア工程などにおける熱処理においても密着強
度の劣化が防がれ、製造工程中の配線層3,6,9の剥離が
防がれる。

前述したようなポリイミド樹脂層４のスルーホール部で
の接続不良となる事態が防がれる。また、本実施例の回
路基板１を用いる集積回路のチップ付け熱処理工程など
における金属膜密着強度の劣化が防がれる。

前述の集積回路素子におけるダイボンディング部、ワイ
ヤボンディング用パッドおよびはんだバンプ部の金属膜
密着強度の劣化が防がれる。

また、回路基板１に電子回路などを実装する場合の熱工
程によっても、ポリイミド樹脂−金属間の結合は安定で
あり、その後の信頼性が格段に向上される。

第４図は本発明の他の実施例に従う集積回路素子17の平
面図であり、第５図は第４図の切断面線Ｖ−Ｖから見た
断面図である。第４図および第５図を参照して、本実施
例について説明する。セラミクス材料などから成る絶縁
基板19上にポリイミド樹脂層20、配線層21およびポリイ
ミド樹脂層22を、前述の第１実施例の製造工程と同様な
工程を経て形成する。このような絶縁基板19、ポリイミ
ド樹脂層20,22および配線層21から成るパッケージ18に
おいて、最上層のポリイミド樹脂層22の集積回路素子17
側の周縁部を第５図示のように剥離除去し、集積回路素
子17と配線層21とを、たとえばワイヤボンディングす
る。

このように集積回路素子17を格納するパッケージ18の製
造工程においても、各種熱雰囲気による処理が行なわれ
ており、前述の第１実施例で示した製造工程を採用する
ことによって、このパッケージ18についても、前述の実
施例で述べた効果と同様の効果を実現することができ
る。

効 果 以上のように本発明に従えば、ポリイミド樹脂層と、そ
の表面に形成される金属薄膜との密着強度が格段に向上
され、しかもこの密着強度に関する信頼性は熱環境下で
あっても、従来技術と比較して格段に高められたものと
なっている。したがって、電子回路部品を製造する工程
における各種熱処理工程や、製品となった電子回路部品
を使用するに当たっての発熱条件処理工程下であって
も、回路配線などとして実現される金属薄膜がポリイミ
ド樹脂層から剥離することがなく、品質と信頼性とを格
段に向上できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の回路基板１の断面図、第２
図は第２配線層６付近の断面図、第３図は密着強度を測
定する試験片13の断面図、第４図は本発明の他の実施例
として用いられる集積回路素子17のパッケージ18の簡略
化した平面図、第５図は第４図の切断面線Ｖ−Ｖから見
た断面図である。 １……回路基板、2,16……絶縁基板、３……第１配線
層、4,7,14,20,22……ポリイミド樹脂層、5,8……スル
ーホール、６……第２配線層、９……第３配線層、10,1
1……接解層、12……配線層、17……集積回路素子、18
……パッケージ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基材表面に形成されたポリイミド樹脂上に
   金属薄膜を形成して成る電子回路部品において、 ポリイミド樹脂は、一般式、 で表わされる種類が選ばれ、 官能基R1,R2の少なくとも１つは電子吸引性基が選ばれ
   ることを特徴とする電子回路部品。
2. 【請求項２】上記電子吸引性基は一般式、 で表わされる種類から選ばれるようにしたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電子回路部品。
3. 【請求項３】上記金属薄膜の少なくともポリイミド樹脂
   に接触する表面は、モリブデン（Mo）、クロム（Cr）、
   チタン（Ti）、タングステン（Ｗ）の少なくとも１種の
   単体、もしくはそれらの２種またはそれ以上の種類の合
   金から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の電子回路部品。
4. 【請求項４】基材材料として、セラミクス、ガラス、金
   属の少なくともいずれか一つが選ばれることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の電子回路部品。
5. 【請求項５】ポリイミド樹脂層は、層厚２〜50μｍに形
   成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   電子回路部品。
6. 【請求項６】金属薄膜は膜厚250〜4000Åに形成される
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項および第３項記
   載の電子回路部品。
7. 【請求項７】金属薄膜のポリイミド樹脂層と接触しない
   部分はアルミニウム（Al）、銅（Cu）、金（Au）の少な
   くともいずれか一つが選ばれることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項および第３項記載の電子回路部品。