JPH0768195B2 - 新規なシクロブテンジオン誘導体 - Google Patents
新規なシクロブテンジオン誘導体Info
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- JPH0768195B2 JPH0768195B2 JP30586687A JP30586687A JPH0768195B2 JP H0768195 B2 JPH0768195 B2 JP H0768195B2 JP 30586687 A JP30586687 A JP 30586687A JP 30586687 A JP30586687 A JP 30586687A JP H0768195 B2 JPH0768195 B2 JP H0768195B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電気写真感光材料、光ディスク用記録材料、
太陽電池、赤外線カットフィルターの分野で有用なスク
エアリリウム化合物の合成原料となる新規なシクロブテ
ンジオンに関する。
太陽電池、赤外線カットフィルターの分野で有用なスク
エアリリウム化合物の合成原料となる新規なシクロブテ
ンジオンに関する。
従来の技術 近年、ある種のスクアリリウム化合物が優れた光導電性
を示し、電子写真感光材料その他の用途に使用できるこ
とが報告されている（例えば、特開昭60−136452号公
報、同60−142946号公報、同60−142947号公報、同61−
10540号公報、同62−450号公報参照）。
を示し、電子写真感光材料その他の用途に使用できるこ
とが報告されている（例えば、特開昭60−136452号公
報、同60−142946号公報、同60−142947号公報、同61−
10540号公報、同62−450号公報参照）。
これらのスクアリリウム化合物は、原料物質として、ジ
クロロブテンジオンを用いて合成される。
クロロブテンジオンを用いて合成される。
従来3,4−ジクロロ−３−シクロブテン1,2−ジオン（ス
クエアリック酸塩化物）は、下記反応式（１）及び
（２）で示させるように、ルイス酸触媒の存在下で芳香
族化合物と反応して、対応する３−アリール−４−クロ
ロ−３−シクロブテン１、２−ジオンを生成することが
知られている。
クエアリック酸塩化物）は、下記反応式（１）及び
（２）で示させるように、ルイス酸触媒の存在下で芳香
族化合物と反応して、対応する３−アリール−４−クロ
ロ−３−シクロブテン１、２−ジオンを生成することが
知られている。
これらの反応では、選択性に問題があり、特に（２）の
反応では、目的化合物（収率34％）のほかに、次式に示
される１、２−付加体（収率３％）が副成する。
反応では、目的化合物（収率34％）のほかに、次式に示
される１、２−付加体（収率３％）が副成する。
発明が解決しようとする問題点 芳香族化合物として、N,N−ジメチルアニリン等の第三
級芳香族アミンを用いてスクエアリック酸塩化物とのフ
リーデルクラフツ反応を試みた例は、これまで報告され
ていない。
級芳香族アミンを用いてスクエアリック酸塩化物とのフ
リーデルクラフツ反応を試みた例は、これまで報告され
ていない。
本発明者等は、一群の第三級芳香族アミンを用い、シク
ロブテンジオン誘導体を合成することについて検討した
結果、特定の第三級芳香族アミンを用いると、電子写真
感光材料その他の用途に使用できる新規なスクアリリウ
ム化合物を製造するための中間体となる新規なシクロブ
テンジオン誘導体が得られたことを見出だした。
ロブテンジオン誘導体を合成することについて検討した
結果、特定の第三級芳香族アミンを用いると、電子写真
感光材料その他の用途に使用できる新規なスクアリリウ
ム化合物を製造するための中間体となる新規なシクロブ
テンジオン誘導体が得られたことを見出だした。
したがって、本発明の目的は、電子写真感光材料その他
の用途に使用できる新規なスクアリリウム化合物を製造
するための中間体となり新規なシクロブテンジオン誘導
体を提供することにある。
の用途に使用できる新規なスクアリリウム化合物を製造
するための中間体となり新規なシクロブテンジオン誘導
体を提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明の新規なシクロブテンジオン誘導体は、下記一般
式（Ｉ） （式中、R1、R2及びR3は、それぞれメチル基、エチル
基、プロピル基又はブチル基を表わし、Ｘは塩素原子又
は水酸基を表わす） で示される。
式（Ｉ） （式中、R1、R2及びR3は、それぞれメチル基、エチル
基、プロピル基又はブチル基を表わし、Ｘは塩素原子又
は水酸基を表わす） で示される。
上記のシクロブテンジオン誘導体は、下記構造式（Ia）
及び（Ib）が含まれる。
及び（Ib）が含まれる。
（式中、R1、R2及びR3は、それぞれ前記と同じ意味を表
わす） これ等の更に具体的な化合物としては、下記構造式のシ
クロブテンジオン誘導体を例示することができる。
わす） これ等の更に具体的な化合物としては、下記構造式のシ
クロブテンジオン誘導体を例示することができる。
（式中、R1及びR2は、それぞれ前記と同じ意味を表わ
す） 上記一般式（Ｉ）で示されるシクロブテンジオン誘導体
は、次のようにして製造することができる。
す） 上記一般式（Ｉ）で示されるシクロブテンジオン誘導体
は、次のようにして製造することができる。
下記構造式（II） で示される3,4−ジクロロ−３−シクロブテン−1,2−ジ
オンと、下記一般式（III） （式中、R1、R2及びR3は、それぞれ前記と同じ意味を表
わす） で示されるアニリン誘導体とを反応させてクロロシクロ
ブテンジオン誘導体を合成し、所望により、加水分解す
ることによって得ることができる。
オンと、下記一般式（III） （式中、R1、R2及びR3は、それぞれ前記と同じ意味を表
わす） で示されるアニリン誘導体とを反応させてクロロシクロ
ブテンジオン誘導体を合成し、所望により、加水分解す
ることによって得ることができる。
上記の反応は、公知の類似の反応に準じて実施すること
ができる。
ができる。
即ち、まず、3,4−ジクロロ−３−シクロブテン−1,2−
ジオンと一般式（III）で示されるアニリン誘導体とを
反応させる。この反応は、それ等を、適当な溶剤、例え
ば塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素、ニトロベンゼン、エチルエーテル、アセ
トニトリル等の通常のフリーデルクラフツ反応溶媒に溶
解し、所望ならば触媒、例えば三フッ化硼素エチルエー
テル錯体、塩化アルミニウム、塩化アンチモン、塩化鉄
（II）又は（III）、塩化チタン（IV）、塩化錫（I
V）、塩化ビスマス（IV）、塩化亜鉛（II）、塩化水銀
等の存在下、０〜40℃において撹拌することによって行
うことができる。
ジオンと一般式（III）で示されるアニリン誘導体とを
反応させる。この反応は、それ等を、適当な溶剤、例え
ば塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素、ニトロベンゼン、エチルエーテル、アセ
トニトリル等の通常のフリーデルクラフツ反応溶媒に溶
解し、所望ならば触媒、例えば三フッ化硼素エチルエー
テル錯体、塩化アルミニウム、塩化アンチモン、塩化鉄
（II）又は（III）、塩化チタン（IV）、塩化錫（I
V）、塩化ビスマス（IV）、塩化亜鉛（II）、塩化水銀
等の存在下、０〜40℃において撹拌することによって行
うことができる。
合成されたクロロシクロブテンジオン誘導体は、所望に
より加水分解されるが、加水分解は、適当な酸、例えば
酢酸を含む水中で、加熱することによって実施される。
より加水分解されるが、加水分解は、適当な酸、例えば
酢酸を含む水中で、加熱することによって実施される。
本発明のシクロブテンジオン誘導体は、電子写真感光材
料、光ディスク用記録材料、太陽電池、赤外線カットフ
ィルターの分野で有用なスクエアリリウム化合物の合成
原料として有用である。例えば、本発明のシクロブテン
ジオン誘導体を、下記一般式（IV）で示されるアニリン
誘導体と縮合させることにより、種々のスクアリリウム
化合物を製造することができる。
料、光ディスク用記録材料、太陽電池、赤外線カットフ
ィルターの分野で有用なスクエアリリウム化合物の合成
原料として有用である。例えば、本発明のシクロブテン
ジオン誘導体を、下記一般式（IV）で示されるアニリン
誘導体と縮合させることにより、種々のスクアリリウム
化合物を製造することができる。
（式中、Ｘは水素原子、メチル基、フッ素原子又は水酸
基を表わす） 実施例 以下、本発明の実施例を示す。
基を表わす） 実施例 以下、本発明の実施例を示す。
実施例１ 3,4−ジクロロ−３−シクロブテン−1,2−ジオン1.93g
（12.8ミリモル）及び３−アセチルアミノ−Ｎ−,N−ジ
メチルアニリン4.52g（25.4ミリモル）を塩化メチレン2
0mlに溶解し、室温で２時間撹拌し、反応を行なった。
反応終了後、反応混合物を希塩酸、次いで水で洗浄し、
カラムクロマトグラフィーを用いて分離精製を行ない、
下記構造式で示されるクロロシクロブテンジオン化合物
2.16g（収率58％）を得た。融点:mp＝218℃ この化合物の赤外吸収スペクトルは第１図に示す通りで
あり、紫外吸収スペクトル（最大）は、UV（CH2Cl2）:4
34nmであった。又、元素分析値は、C14H13ClN2O3とし
て、次の通りであった。
（12.8ミリモル）及び３−アセチルアミノ−Ｎ−,N−ジ
メチルアニリン4.52g（25.4ミリモル）を塩化メチレン2
0mlに溶解し、室温で２時間撹拌し、反応を行なった。
反応終了後、反応混合物を希塩酸、次いで水で洗浄し、
カラムクロマトグラフィーを用いて分離精製を行ない、
下記構造式で示されるクロロシクロブテンジオン化合物
2.16g（収率58％）を得た。融点:mp＝218℃ この化合物の赤外吸収スペクトルは第１図に示す通りで
あり、紫外吸収スペクトル（最大）は、UV（CH2Cl2）:4
34nmであった。又、元素分析値は、C14H13ClN2O3とし
て、次の通りであった。
計算値(%) 実測値(%) Ｃ 57.45 57.27 Ｈ 4.48 4.36 Ｎ 9.57 9.75 実施例２ 実施例１において得られたクロロシクロブテンジオン化
合物1.00g（3.42ミリモル）に酢酸10ml及び水1mlを加
え、10分間加熱還流させた後、放冷し、析出する沈澱物
を濾別し、下記構造式で示されるヒドロキシシクロブテ
ンジオン化合物0.86gを（収率92％）を得た。融点:mp＝
280℃（分解） この化合物の赤外吸収スペクトルは第２図に示す通りで
あり、紫外吸収スペクトル（最大）は、UV（CH2Cl2）:4
15nmであった。又、元素分析値は、C14H14N2O4として、
次の通りであった。
合物1.00g（3.42ミリモル）に酢酸10ml及び水1mlを加
え、10分間加熱還流させた後、放冷し、析出する沈澱物
を濾別し、下記構造式で示されるヒドロキシシクロブテ
ンジオン化合物0.86gを（収率92％）を得た。融点:mp＝
280℃（分解） この化合物の赤外吸収スペクトルは第２図に示す通りで
あり、紫外吸収スペクトル（最大）は、UV（CH2Cl2）:4
15nmであった。又、元素分析値は、C14H14N2O4として、
次の通りであった。
計算値(%) 実測値(%) Ｃ 61.31 61.29 Ｈ 5.15 5.10 Ｎ 10.21 10.09 実施例３〜８ 目的化合物に対応する原料物質を選択し、実施例１にお
けると同様にして3,4−ジクロロ−３−シクロブテン−
1,2−ジオンと反応させ、第１表に示す化合物を製造し
た。これ等の化合物の紫外吸収スペクトル（最大）も又
第１表に示す。
けると同様にして3,4−ジクロロ−３−シクロブテン−
1,2−ジオンと反応させ、第１表に示す化合物を製造し
た。これ等の化合物の紫外吸収スペクトル（最大）も又
第１表に示す。
実施例９〜14 実施例３〜５によって得られた化合物を、実施例２にお
けると同様に処理して第２表に示す化合物を製造した。
これ等の化合物の紫外吸収スペクトル（最大）も又第２
表に示す。
けると同様に処理して第２表に示す化合物を製造した。
これ等の化合物の紫外吸収スペクトル（最大）も又第２
表に示す。
発明の効果 本発明のジクロブテンジオン誘導体は、新規な化合物で
あって、電子写真感光材料、光ディスク用記録材料、太
陽電池、赤外線カットフィルターの分野で有用なスクエ
アリリウム化合物の合成原料として使用することができ
る。本発明のジクロブテンジオン誘導体を用い、例えば
N,N−ジアルキルアニリン誘導体と反応させることによ
って合成されたスクアリリウム化合物を含有する電子写
真感光体は、可視領域から近赤外領域までの広い範囲に
わたって感度を有するものとなる。
あって、電子写真感光材料、光ディスク用記録材料、太
陽電池、赤外線カットフィルターの分野で有用なスクエ
アリリウム化合物の合成原料として使用することができ
る。本発明のジクロブテンジオン誘導体を用い、例えば
N,N−ジアルキルアニリン誘導体と反応させることによ
って合成されたスクアリリウム化合物を含有する電子写
真感光体は、可視領域から近赤外領域までの広い範囲に
わたって感度を有するものとなる。
第１図は実施例１のシクロブテンジオン化合物の赤外吸
収スペクトル図であり、第２図は実施例２のシクロブテ
ンジオン化合物の赤外吸収スペクトル図である。
収スペクトル図であり、第２図は実施例２のシクロブテ
ンジオン化合物の赤外吸収スペクトル図である。
Claims (5)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ） （式中、R1、R2及びR3は、それぞれメチル基、エチル
基、プロピル基又はブチル基を表わし、Ｘは塩素原子又
は水酸基を表わす） で示されるシクロブテンジオン誘導体。 - 【請求項２】下記構造式（Ia） （式中、R1、R2及びR3は、それぞれ前記と同じ意味を表
わす） で示される特許請求の範囲第１項に記載のシクロブテン
ジオン誘導体。 - 【請求項３】下記構造式（Ib） （式中、R1、R2及びR3は、それぞれ前記と同じ意味を表
わす） で示される特許請求の範囲第１項に記載のシクロブテン
ジオン誘導体。 - 【請求項４】下記構造式（Ic） （式中、R1及びR2は、それぞれ前記と同じ意味を表わ
す） で示される特許請求の範囲第１項に記載のシクロブテン
ジオン誘導体。 - 【請求項５】下記構造式（Id） （式中、R1及びR2は、それぞれ前記と同じ意味を表わ
す） で示される特許請求の範囲第１項に記載のシクロブテン
ジオン誘導体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30586687A JPH0768195B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 新規なシクロブテンジオン誘導体 |
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| JP30586687A JPH0768195B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 新規なシクロブテンジオン誘導体 |
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Family Applications (1)
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1987
- 1987-12-04 JP JP30586687A patent/JPH0768195B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH01146852A (ja) | 1989-06-08 |
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