JPH0769678A - 紫外線カットガラス - Google Patents
紫外線カットガラスInfo
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- JPH0769678A JPH0769678A JP23566393A JP23566393A JPH0769678A JP H0769678 A JPH0769678 A JP H0769678A JP 23566393 A JP23566393 A JP 23566393A JP 23566393 A JP23566393 A JP 23566393A JP H0769678 A JPH0769678 A JP H0769678A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸化物膜ある
いは酸窒化物膜２がＣｅＯ2 とＴｉを焼結してかためた
ターゲットを用いて直流スパッタリング法により形成さ
れる紫外線カットガラスの製造方法。 【効果】直流スパッタリング法により大面積で均一な成
膜が可能となり、建築用や自動車用等の窓ガラスへの応
用が可能。
いは酸窒化物膜２がＣｅＯ2 とＴｉを焼結してかためた
ターゲットを用いて直流スパッタリング法により形成さ
れる紫外線カットガラスの製造方法。 【効果】直流スパッタリング法により大面積で均一な成
膜が可能となり、建築用や自動車用等の窓ガラスへの応
用が可能。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は紫外線カットガラスの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、建築用、自動車用ガラスに紫外線
カットの機能が要求されてきている。紫外線カットガラ
スは太陽光から有害な紫外線のみをカットし、他の波長
の光は透過させるガラスで、このガラスを使用すると、
室内の内装材の色あせや素肌の日焼けなどを防止するこ
とができる。
カットの機能が要求されてきている。紫外線カットガラ
スは太陽光から有害な紫外線のみをカットし、他の波長
の光は透過させるガラスで、このガラスを使用すると、
室内の内装材の色あせや素肌の日焼けなどを防止するこ
とができる。
【０００３】通常のクリアー色フロート板ガラス自体も
鉄などの不純物の影響により紫外線カットの性質を持っ
ている。例えば厚さ３．５ｍｍのクリアー色ガラスの波
長３００ｎｍにおける透過率は数パーセントである。紫
外線カットガラスはさらに大きい波長（４００ｎｍ程
度）まで紫外線カットの性質を持たせたものである。
鉄などの不純物の影響により紫外線カットの性質を持っ
ている。例えば厚さ３．５ｍｍのクリアー色ガラスの波
長３００ｎｍにおける透過率は数パーセントである。紫
外線カットガラスはさらに大きい波長（４００ｎｍ程
度）まで紫外線カットの性質を持たせたものである。
【０００４】従来、紫外線カットガラスの製法として
は、１）ガラス表面に紫外線をカットする性質を持つ膜
を形成する方法、２）ガラス自体に紫外線を吸収する性
質を持つ材料を混入させる方法、３）紫外線を吸収する
樹脂製の膜をガラス表面に貼りつけたり、２枚のガラス
の間に挟む方法、などが知られている。さらに、１）で
は、膜材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような紫外線
の吸収材料を形成する場合、また、シリカ（ＳｉＯ2 ）
や酸化チタン（ＴｉＯ2 ）のような低屈折率と高屈折率
の材料の皮膜を積層し、干渉によって紫外域の光をカッ
トする方法が知られている。また、膜の形成方法とし
て、有機金属化合物溶液を基板上に塗布し、焼成して形
成する方法（ウェット法）、蒸着やスパッタリングなど
真空プロセスによって形成する方法（ドライ法）などが
知られている。
は、１）ガラス表面に紫外線をカットする性質を持つ膜
を形成する方法、２）ガラス自体に紫外線を吸収する性
質を持つ材料を混入させる方法、３）紫外線を吸収する
樹脂製の膜をガラス表面に貼りつけたり、２枚のガラス
の間に挟む方法、などが知られている。さらに、１）で
は、膜材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような紫外線
の吸収材料を形成する場合、また、シリカ（ＳｉＯ2 ）
や酸化チタン（ＴｉＯ2 ）のような低屈折率と高屈折率
の材料の皮膜を積層し、干渉によって紫外域の光をカッ
トする方法が知られている。また、膜の形成方法とし
て、有機金属化合物溶液を基板上に塗布し、焼成して形
成する方法（ウェット法）、蒸着やスパッタリングなど
真空プロセスによって形成する方法（ドライ法）などが
知られている。
【０００５】しかしながらこれらの製法はいずれも大面
積化に対しては製造方法やコストに難点があった。前記
１）の方法において膜の形成方法として、まずウェット
法にはガラス板を有機金属化合物溶液の中に漬けて引き
上げ、焼成して乾燥させる方法（ディップ法）とフロー
トバスからでてきた直後の高温のフロートガラスに有機
金属化合物溶液を吹き付け、乾燥させる方法（スプレー
法）がある。両者の方法とも大面積で正確かつ均一な膜
厚の制御が困難である。また、ウェット法では有機金属
化合物溶液の品質管理が難しい。
積化に対しては製造方法やコストに難点があった。前記
１）の方法において膜の形成方法として、まずウェット
法にはガラス板を有機金属化合物溶液の中に漬けて引き
上げ、焼成して乾燥させる方法（ディップ法）とフロー
トバスからでてきた直後の高温のフロートガラスに有機
金属化合物溶液を吹き付け、乾燥させる方法（スプレー
法）がある。両者の方法とも大面積で正確かつ均一な膜
厚の制御が困難である。また、ウェット法では有機金属
化合物溶液の品質管理が難しい。
【０００６】ドライ法では蒸着法やスパッタリング法が
あるが、蒸着法では大面積で均一な膜厚制御が困難であ
る。スパッタリング法は大面積に均一に膜を形成する方
法として通常用いられているが、この方法も直流スパッ
タリング法に限られる。材料として紫外線を吸収する材
料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）（特開平１−２４５２０１
号公報）や酸化セリウム（ＣｅＯ2 ）に酸化ニオブ（Ｎ
ｂ2 Ｏ5 ）等を添加した材料（特開平４−７６０８３号
公報）が知られている。
あるが、蒸着法では大面積で均一な膜厚制御が困難であ
る。スパッタリング法は大面積に均一に膜を形成する方
法として通常用いられているが、この方法も直流スパッ
タリング法に限られる。材料として紫外線を吸収する材
料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）（特開平１−２４５２０１
号公報）や酸化セリウム（ＣｅＯ2 ）に酸化ニオブ（Ｎ
ｂ2 Ｏ5 ）等を添加した材料（特開平４−７６０８３号
公報）が知られている。
【０００７】しかし、ＺｎＯは膜の耐擦傷性、耐薬品性
が劣るため膜を直接外部に露出して使用できず、保護膜
をオーバーコートするか、合わせガラスかペアガラスの
内側に膜形成して使用することが必要で、コストがかか
る。また、ＣｅＯ2 にＮｂ2Ｏ5 等を添加した材料はＣ
ｅ金属の単体が空気中では不安定であるため、ターゲッ
トとして酸化物を使用しなければならない。そのため、
直流スパッタリングができず、ＲＦスパッタリングを使
用するため、大面積化が困難である。
が劣るため膜を直接外部に露出して使用できず、保護膜
をオーバーコートするか、合わせガラスかペアガラスの
内側に膜形成して使用することが必要で、コストがかか
る。また、ＣｅＯ2 にＮｂ2Ｏ5 等を添加した材料はＣ
ｅ金属の単体が空気中では不安定であるため、ターゲッ
トとして酸化物を使用しなければならない。そのため、
直流スパッタリングができず、ＲＦスパッタリングを使
用するため、大面積化が困難である。
【０００８】また、ＳｉＯ2 やＴｉＯ2 のような低屈折
率や高屈折率の材料を積層して干渉により紫外線カット
ガラスを製造する方法については、特開平３−８４８４
７号公報などにより知られている。しかし、干渉を用い
る方法では多層に積んだそれぞれの層の膜厚を厳密にコ
ントロールしなければならず、大面積の直流スパッタリ
ング法では現在のところ困難である。
率や高屈折率の材料を積層して干渉により紫外線カット
ガラスを製造する方法については、特開平３−８４８４
７号公報などにより知られている。しかし、干渉を用い
る方法では多層に積んだそれぞれの層の膜厚を厳密にコ
ントロールしなければならず、大面積の直流スパッタリ
ング法では現在のところ困難である。
【０００９】前記２）のガラス中に紫外線吸収材料を混
入させる方法については、ガラス中に酸化セリウム（Ｃ
ｅＯ2 ）を混入させる方法（特公昭６３−５４６５７号
公報）が知られている。しかし、この方法では成形する
ガラス板の組成変更をする際にガラスが無駄になり、ま
た、時間がかかるので、コストがかかる。前記３）の紫
外線吸収樹脂膜をガラスに貼りつける方法は耐久性が悪
く、また、紫外線吸収樹脂膜を２枚のガラスの間に挟む
方法はコストが高くなる。
入させる方法については、ガラス中に酸化セリウム（Ｃ
ｅＯ2 ）を混入させる方法（特公昭６３−５４６５７号
公報）が知られている。しかし、この方法では成形する
ガラス板の組成変更をする際にガラスが無駄になり、ま
た、時間がかかるので、コストがかかる。前記３）の紫
外線吸収樹脂膜をガラスに貼りつける方法は耐久性が悪
く、また、紫外線吸収樹脂膜を２枚のガラスの間に挟む
方法はコストが高くなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、耐久性が優れ、大面
積化が可能な紫外線カットガラスを提供するものであ
る。
を解決すべくなされたものであり、耐久性が優れ、大面
積化が可能な紫外線カットガラスを提供するものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板上
にＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸化物膜あるいは酸
窒化物膜を少なくとも１層有する紫外線カットガラスの
製造方法において、該ＣｅとＴｉを主成分とする金属の
酸化物膜あるいは酸窒化物膜はＣｅＯ2 とＴｉを焼結し
てかためたターゲットを用いて直流スパッタリング法に
より形成されたことを特徴とする紫外線カットガラスの
製造方法を提供するものである。
にＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸化物膜あるいは酸
窒化物膜を少なくとも１層有する紫外線カットガラスの
製造方法において、該ＣｅとＴｉを主成分とする金属の
酸化物膜あるいは酸窒化物膜はＣｅＯ2 とＴｉを焼結し
てかためたターゲットを用いて直流スパッタリング法に
より形成されたことを特徴とする紫外線カットガラスの
製造方法を提供するものである。
【００１２】本発明はガラス基板上に直流スパッタリン
グ法を用いてＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸化物
膜、酸窒化物膜（以下、ＣＴＯ膜という）を少なくとも
１層形成することを主眼としている。
グ法を用いてＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸化物
膜、酸窒化物膜（以下、ＣＴＯ膜という）を少なくとも
１層形成することを主眼としている。
【００１３】ＣＴＯ膜はＣｅＯ2 とＴｉを焼結してかた
めたターゲットからアルゴン（Ａｒ）の雰囲気中、酸素
（Ｏ2 ）の雰囲気中またはＡｒとＯ2 の混合雰囲気中、
酸窒化物膜はＡｒと窒素（Ｎ2 ）の混合雰囲気中、Ｏ2
とＮ2 の混合雰囲気中、またはＡｒとＯ2 とＮ2 の混合
雰囲気中での直流スパッタリング法で得られる。
めたターゲットからアルゴン（Ａｒ）の雰囲気中、酸素
（Ｏ2 ）の雰囲気中またはＡｒとＯ2 の混合雰囲気中、
酸窒化物膜はＡｒと窒素（Ｎ2 ）の混合雰囲気中、Ｏ2
とＮ2 の混合雰囲気中、またはＡｒとＯ2 とＮ2 の混合
雰囲気中での直流スパッタリング法で得られる。
【００１４】従来、ＣｅＯ2 を主成分とする膜をスパッ
タリング法で得るにはＲＦスパッタリング法に限られて
いた。これは金属Ｃｅが空気中で不安定であり、Ｃｅの
金属ターゲットから反応性直流スパッタリングで得るこ
とができず、ターゲットとして絶縁物であるＣｅＯ2 を
用いるしかなかったからであった。本発明者は従来のこ
の欠点を克服し、大面積への成膜を可能とするために、
酸化セリウム（ＣｅＯ2 ）にＴｉを添加して固め、導電
性を持たせたターゲットから直流スパッタリングによっ
てＣｅとＴｉを主成分とする酸化物膜あるいは酸窒化物
膜を得る方法を見いだした。
タリング法で得るにはＲＦスパッタリング法に限られて
いた。これは金属Ｃｅが空気中で不安定であり、Ｃｅの
金属ターゲットから反応性直流スパッタリングで得るこ
とができず、ターゲットとして絶縁物であるＣｅＯ2 を
用いるしかなかったからであった。本発明者は従来のこ
の欠点を克服し、大面積への成膜を可能とするために、
酸化セリウム（ＣｅＯ2 ）にＴｉを添加して固め、導電
性を持たせたターゲットから直流スパッタリングによっ
てＣｅとＴｉを主成分とする酸化物膜あるいは酸窒化物
膜を得る方法を見いだした。
【００１５】固める方法は焼結法や、ＣＩＰ法（冷間等
方性プレス）などを使用できる。この方法では、Ｔｉを
添加量を自由に調節することができる。このようにして
作成したターゲットの導電率は添加する金属の量によっ
て決まる。Ｔｉは、ＣｅとＴｉの総量に対して少なくと
も３５％以上ないと、直流スパッタリングが可能な十分
な導電率が得られない。このターゲットを使って成膜し
た膜におけるＣｅとＴｉの組成はほぼターゲットのＣｅ
とＴｉの組成に等しくなる。ターゲットにおけるＴｉの
最大量はターゲットの導電率の上からは制限はないが、
Ｔｉが多すぎると、膜がＴｉの酸化物あるいは酸窒化物
膜に近くなり、紫外線カット性能が低下する。
方性プレス）などを使用できる。この方法では、Ｔｉを
添加量を自由に調節することができる。このようにして
作成したターゲットの導電率は添加する金属の量によっ
て決まる。Ｔｉは、ＣｅとＴｉの総量に対して少なくと
も３５％以上ないと、直流スパッタリングが可能な十分
な導電率が得られない。このターゲットを使って成膜し
た膜におけるＣｅとＴｉの組成はほぼターゲットのＣｅ
とＴｉの組成に等しくなる。ターゲットにおけるＴｉの
最大量はターゲットの導電率の上からは制限はないが、
Ｔｉが多すぎると、膜がＴｉの酸化物あるいは酸窒化物
膜に近くなり、紫外線カット性能が低下する。
【００１６】図１、２は本発明の膜構成例の断面図であ
るが、必ずしもこれだけに限定されるものではない。１
はガラス基板、２はＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸
化物膜あるいは酸窒化物膜、３はガラスの色調を調整し
たり膜の耐久性をさらに向上させるための保護膜であ
る。
るが、必ずしもこれだけに限定されるものではない。１
はガラス基板、２はＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸
化物膜あるいは酸窒化物膜、３はガラスの色調を調整し
たり膜の耐久性をさらに向上させるための保護膜であ
る。
【００１７】ＣＴＯ膜２は、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓ
ｎ）、シリコン（Ｓｉ）など他の元素を含んでいてもよ
い。ＣｅとＴｉの割合は特に限定されないが、ＣｅとＴ
ｉの総量に対して、Ｔｉの原子比で３５〜９５原子％、
好ましくは、４０〜９０原子％がよい。Ｔｉの割合が小
さくなりすぎると直流スパッタリングが不可能になり、
Ｔｉの量が大きくなりすぎると紫外線カット性能が低下
する。
ｎ）、シリコン（Ｓｉ）など他の元素を含んでいてもよ
い。ＣｅとＴｉの割合は特に限定されないが、ＣｅとＴ
ｉの総量に対して、Ｔｉの原子比で３５〜９５原子％、
好ましくは、４０〜９０原子％がよい。Ｔｉの割合が小
さくなりすぎると直流スパッタリングが不可能になり、
Ｔｉの量が大きくなりすぎると紫外線カット性能が低下
する。
【００１８】３の保護コート膜は、ガラスの色調を調整
したり膜の耐久性をさらに向上させるためのものであ
り、紫外線カットガラスにさらに十分な耐擦傷性、耐薬
品性を付与させたい場合には必要に応じて適当な酸化物
膜をすることができる。保護コート膜３は、特に限定さ
れず、例えば、ジリコニウム（Ｚｒ）および／またはシ
リコン（Ｓｉ）の酸化物などを挙げることができる。
したり膜の耐久性をさらに向上させるためのものであ
り、紫外線カットガラスにさらに十分な耐擦傷性、耐薬
品性を付与させたい場合には必要に応じて適当な酸化物
膜をすることができる。保護コート膜３は、特に限定さ
れず、例えば、ジリコニウム（Ｚｒ）および／またはシ
リコン（Ｓｉ）の酸化物などを挙げることができる。
【００１９】
【作用】本発明による紫外線カットガラスでは、ＣｅＯ
2 とＴｉを焼結してかためたターゲットを用いた直流ス
パッタリング法により基板上に形成されたＣｅとＴｉを
主成分とする金属の酸化物膜あるいは酸窒化物膜が紫外
線を吸収する。基板にブルー色、グリーン色、ブロンズ
色等の熱線吸収ガラスを使用することにより、紫外線カ
ット性能はさらに向上する。
2 とＴｉを焼結してかためたターゲットを用いた直流ス
パッタリング法により基板上に形成されたＣｅとＴｉを
主成分とする金属の酸化物膜あるいは酸窒化物膜が紫外
線を吸収する。基板にブルー色、グリーン色、ブロンズ
色等の熱線吸収ガラスを使用することにより、紫外線カ
ット性能はさらに向上する。
【００２０】
（実施例１）洗浄した厚さ２ｍｍのクリアーのフロート
ガラスをスパッタリングチャンバー中に基板として設置
し、真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ台まで排気した。次に
Ａｒをチャンバー中に導入し、圧力を２×１０-3Ｔｏｒ
ｒに保持した。次にチャンバー中に設置してある、Ｃｅ
Ｏ2 とＴｉを原子比１：１で固めたターゲットから電力
密度１．５Ｗ／ｃｍ2 で直流スパッタリングを行い、ガ
ラス基板上にＣｅとＴｉの原子比が１：１の金属の酸化
物を厚さ１００ｎｍ成膜した。このようにして作成した
紫外線カットガラスの分光特性を図３の曲線４に示す。
測定装置は日立製作所（株）製３０４分光透過率計であ
る。図３の曲線５には比較のため、クリアーの厚さ２ｍ
ｍのガラスの分光特性を示す。作成した紫外線カットガ
ラスはクリアーのガラスに比べ、３００〜４００ｎｍで
著しい遮断特性を示した。
ガラスをスパッタリングチャンバー中に基板として設置
し、真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ台まで排気した。次に
Ａｒをチャンバー中に導入し、圧力を２×１０-3Ｔｏｒ
ｒに保持した。次にチャンバー中に設置してある、Ｃｅ
Ｏ2 とＴｉを原子比１：１で固めたターゲットから電力
密度１．５Ｗ／ｃｍ2 で直流スパッタリングを行い、ガ
ラス基板上にＣｅとＴｉの原子比が１：１の金属の酸化
物を厚さ１００ｎｍ成膜した。このようにして作成した
紫外線カットガラスの分光特性を図３の曲線４に示す。
測定装置は日立製作所（株）製３０４分光透過率計であ
る。図３の曲線５には比較のため、クリアーの厚さ２ｍ
ｍのガラスの分光特性を示す。作成した紫外線カットガ
ラスはクリアーのガラスに比べ、３００〜４００ｎｍで
著しい遮断特性を示した。
【００２１】（実施例２）洗浄した厚さ２ｍｍのクリア
ーのフロートガラスをスパッタリングチャンバー中に基
板として設置し、真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ台まで排
気した。次にＡｒとＮ2 を流量比１：１でチャンバー中
に導入し、圧力を２×１０-3Ｔｏｒｒに保持した。次に
チャンバー中に設置してあるＣｅＯ2 とＴｉを原子比
１：１で固めたターゲットから電力密度１．５Ｗ／ｃｍ
2 で直流スパッタリングを行い、ガラス基板上にＣｅと
Ｔｉの原子比が１：１の金属の酸窒化物を厚さ１００ｎ
ｍ成膜した。このようにして作成した紫外線カットガラ
スの分光特性を図３の曲線６に示す。測定装置は実施例
１の場合と同じである。この紫外線ガットガラスは吸収
があり、透過色は緑色を呈する。実施例１の紫外線カッ
トガラスに比べ、３００〜４００ｎｍでの透過率はさら
に低下していた。
ーのフロートガラスをスパッタリングチャンバー中に基
板として設置し、真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ台まで排
気した。次にＡｒとＮ2 を流量比１：１でチャンバー中
に導入し、圧力を２×１０-3Ｔｏｒｒに保持した。次に
チャンバー中に設置してあるＣｅＯ2 とＴｉを原子比
１：１で固めたターゲットから電力密度１．５Ｗ／ｃｍ
2 で直流スパッタリングを行い、ガラス基板上にＣｅと
Ｔｉの原子比が１：１の金属の酸窒化物を厚さ１００ｎ
ｍ成膜した。このようにして作成した紫外線カットガラ
スの分光特性を図３の曲線６に示す。測定装置は実施例
１の場合と同じである。この紫外線ガットガラスは吸収
があり、透過色は緑色を呈する。実施例１の紫外線カッ
トガラスに比べ、３００〜４００ｎｍでの透過率はさら
に低下していた。
【００２２】（実施例３）洗浄した厚さ２ｍｍのクリア
ーのフロートガラスをスパッタリングチャンバー中に基
板として設置し、真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ台まで排
気した。次にＡｒをチャンバー中に導入し、圧力を２×
１０-3Ｔｏｒｒに保持した。次にチャンバー中に設置し
てあるＣｅＯ2 とＴｉを原子比２：３で固めたターゲッ
トから電力密度１．５Ｗ／ｃｍ2 で直流スパッタリング
を行い、ガラス基板上にＣｅとＴｉの原子比が２：３の
金属の酸化物膜を厚さ１００ｎｍ成膜した。このように
して作成した紫外線カットガラスの分光特性を図４の曲
線７に示す。測定装置は実施例１の場合と同じである。
この紫外線カットガラスの３００〜４００ｎｍの透過率
は実施例１の紫外線カットガラスの示す透過率とクリア
ーのガラスの透過率の中間の値を示した。
ーのフロートガラスをスパッタリングチャンバー中に基
板として設置し、真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ台まで排
気した。次にＡｒをチャンバー中に導入し、圧力を２×
１０-3Ｔｏｒｒに保持した。次にチャンバー中に設置し
てあるＣｅＯ2 とＴｉを原子比２：３で固めたターゲッ
トから電力密度１．５Ｗ／ｃｍ2 で直流スパッタリング
を行い、ガラス基板上にＣｅとＴｉの原子比が２：３の
金属の酸化物膜を厚さ１００ｎｍ成膜した。このように
して作成した紫外線カットガラスの分光特性を図４の曲
線７に示す。測定装置は実施例１の場合と同じである。
この紫外線カットガラスの３００〜４００ｎｍの透過率
は実施例１の紫外線カットガラスの示す透過率とクリア
ーのガラスの透過率の中間の値を示した。
【００２３】（実施例４）洗浄した厚さ２ｍｍのクリア
ーのフロートガラスをスパッタリングチャンバー中に基
板として設置し、真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ台まで排
気した。次にＡｒをチャンバー中に導入し、圧力を２×
１０-3Ｔｏｒｒに保持した。次にチャンバー中に設置し
てあるＣｅＯ2 とＴｉを原子比１：１で固めたターゲッ
トから電力密度１．５Ｗ／ｃｍ2 で直流スパッタリング
を行い、ガラス基板上にＣｅとＴｉの原子比が１：１の
金属の酸化物膜を厚さ１００ｎｍ成膜した。次にチャン
バーにＡｒとＯ2 を流量比１：１で導入し、圧力はその
まま２×１０-3Ｔｏｒｒに保持し、チャンバー中に設置
したジルコン（Ｚｒ）とシリコン（Ｓｉ）を原子比１：
２で固めたターゲットから電力密度５．０Ｗ／ｃｍ2 で
直流スパッタリングをおこない、ＺｒとＳｉの原子比が
１：２の金属の酸化物膜を厚さ１０ｎｍ成膜した。この
ようにして作成した２層構成の紫外線カットガラスの分
光特性を図４の曲線８に示す。３００〜４００ｎｍの透
過率は実施例１の紫外線カットガラスの場合とほぼ同じ
であった。
ーのフロートガラスをスパッタリングチャンバー中に基
板として設置し、真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ台まで排
気した。次にＡｒをチャンバー中に導入し、圧力を２×
１０-3Ｔｏｒｒに保持した。次にチャンバー中に設置し
てあるＣｅＯ2 とＴｉを原子比１：１で固めたターゲッ
トから電力密度１．５Ｗ／ｃｍ2 で直流スパッタリング
を行い、ガラス基板上にＣｅとＴｉの原子比が１：１の
金属の酸化物膜を厚さ１００ｎｍ成膜した。次にチャン
バーにＡｒとＯ2 を流量比１：１で導入し、圧力はその
まま２×１０-3Ｔｏｒｒに保持し、チャンバー中に設置
したジルコン（Ｚｒ）とシリコン（Ｓｉ）を原子比１：
２で固めたターゲットから電力密度５．０Ｗ／ｃｍ2 で
直流スパッタリングをおこない、ＺｒとＳｉの原子比が
１：２の金属の酸化物膜を厚さ１０ｎｍ成膜した。この
ようにして作成した２層構成の紫外線カットガラスの分
光特性を図４の曲線８に示す。３００〜４００ｎｍの透
過率は実施例１の紫外線カットガラスの場合とほぼ同じ
であった。
【００２４】
【発明の効果】従来、ＣｅＯ2 を主成分とする酸化物膜
は紫外線吸収性能に優れた材料としてよく知られてい
た。しかし、唯一の欠点として直流スパッタリング法に
よる成膜は不可能と考えられてきた。本発明はこの欠点
を克服し、ＣｅＯ2 を主成分として酸化物膜をＣｅＯ2
とＴｉを焼結してかためたターゲットを用いた直流スパ
ッタリング法により得ることを可能としたものである。
また、本発明はターゲットに始めからＣｅＯ2 として酸
素（Ｏ）が含まれているため、スパッタリング中の雰囲
気ガスがＡｒ１００％の場合でも吸収のほとんどない酸
化物膜を成膜することができ、安定した成膜に非常に有
利である。
は紫外線吸収性能に優れた材料としてよく知られてい
た。しかし、唯一の欠点として直流スパッタリング法に
よる成膜は不可能と考えられてきた。本発明はこの欠点
を克服し、ＣｅＯ2 を主成分として酸化物膜をＣｅＯ2
とＴｉを焼結してかためたターゲットを用いた直流スパ
ッタリング法により得ることを可能としたものである。
また、本発明はターゲットに始めからＣｅＯ2 として酸
素（Ｏ）が含まれているため、スパッタリング中の雰囲
気ガスがＡｒ１００％の場合でも吸収のほとんどない酸
化物膜を成膜することができ、安定した成膜に非常に有
利である。
【００２５】直流スパッタリング法により大面積で均一
な成膜がはじめて可能となり、建築用や自動車用等の窓
ガラスへの応用が可能となった。また、窒化チタン（Ｔ
ｉＮまたはＴｉＮx ）やシリカ（ＳｉＯ2 ）等他の材料
と組み合わせ、多層膜構成にすることにより、高い紫外
線カット性能を示すとともに、さまざまな分光特性をも
つ膜系を構成することができる。その際、同一の真空装
置で異なる膜材料を連続的に成膜することにより、膜同
士の界面の強い付着力を実現し、高い機械的耐久性をも
った膜系を実現できる。
な成膜がはじめて可能となり、建築用や自動車用等の窓
ガラスへの応用が可能となった。また、窒化チタン（Ｔ
ｉＮまたはＴｉＮx ）やシリカ（ＳｉＯ2 ）等他の材料
と組み合わせ、多層膜構成にすることにより、高い紫外
線カット性能を示すとともに、さまざまな分光特性をも
つ膜系を構成することができる。その際、同一の真空装
置で異なる膜材料を連続的に成膜することにより、膜同
士の界面の強い付着力を実現し、高い機械的耐久性をも
った膜系を実現できる。
【図１】本発明に係る第１の紫外線カットガラスの断面
図
図
【図２】本発明に係る第２の紫外線カットガラスの断面
図
図
【図３】実施例１、２の紫外線カットガラスの分光特性
図
図
【図４】実施例３、４の紫外線カットガラスの分光特性
図
図
１：ガラス基板 ２：ＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸化物膜あるいは
酸窒化物膜 ３：保護膜 ４：実施例１の紫外線カットガラスの分光特性曲線 ５：クリアー２ｍｍ厚のガラスの分光特性曲線 ６：実施例２の紫外線カットガラスの分光特性曲線 ７：実施例３の紫外線カットガラスの分光特性曲線 ８：実施例４の紫外線カットガラスの分光特性曲線
酸窒化物膜 ３：保護膜 ４：実施例１の紫外線カットガラスの分光特性曲線 ５：クリアー２ｍｍ厚のガラスの分光特性曲線 ６：実施例２の紫外線カットガラスの分光特性曲線 ７：実施例３の紫外線カットガラスの分光特性曲線 ８：実施例４の紫外線カットガラスの分光特性曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多賀 直昭 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス基板上にセリウム（Ｃｅ）とチタン
（Ｔｉ）を主成分とする金属の酸化物膜あるいは酸窒化
物膜を少なくとも１層有する紫外線カットガラスの製造
方法において、該ＣｅとＴｉを主成分とする金属の酸化
物膜あるいは酸窒化物膜はＣｅＯ2 とＴｉを焼結してか
ためたターゲットを用いて直流スパッタリング法により
形成されたことを特徴とする紫外線カットガラスの製造
方法。 - 【請求項２】ＣｅとＴｉの原子比（Ｔｉ／（Ｃｅ＋Ｔ
ｉ））が、０．３５〜０．９５であることを特徴とする
請求項１の紫外線カットガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23566393A JPH0769678A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 紫外線カットガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23566393A JPH0769678A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 紫外線カットガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0769678A true JPH0769678A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=16989359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23566393A Pending JPH0769678A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 紫外線カットガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769678A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704880A3 (en) * | 1994-09-28 | 1998-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure discharge lamp, method for manufacturing a discharge tube body for high-pressure discharge lamps and method for manufacturing a hollow tube body |
| JP2008218423A (ja) * | 2003-03-27 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2010123516A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導導体用基材の製造方法と酸化物超電導導体の製造方法及び酸化物超電導導体用キャップ層の形成装置 |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP23566393A patent/JPH0769678A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704880A3 (en) * | 1994-09-28 | 1998-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure discharge lamp, method for manufacturing a discharge tube body for high-pressure discharge lamps and method for manufacturing a hollow tube body |
| US5897754A (en) * | 1994-09-28 | 1999-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a hollow tube body |
| US5924904A (en) * | 1994-09-28 | 1999-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a discharge tube body for high-pressure discharge lamps and method for manufacturing a hollow tube body |
| JP2008218423A (ja) * | 2003-03-27 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2010123516A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導導体用基材の製造方法と酸化物超電導導体の製造方法及び酸化物超電導導体用キャップ層の形成装置 |
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