JPH0769798A - ＣｄＴｅ結晶の製造方法 - Google Patents
ＣｄＴｅ結晶の製造方法Info
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- JPH0769798A JPH0769798A JP24621693A JP24621693A JPH0769798A JP H0769798 A JPH0769798 A JP H0769798A JP 24621693 A JP24621693 A JP 24621693A JP 24621693 A JP24621693 A JP 24621693A JP H0769798 A JPH0769798 A JP H0769798A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 結晶成長容器内に塩素を溶解させたＴｅ過剰
のＣｄ−Ｔｅ融液と化学的量論組成のＣｄＴｅ原料とを
互いに接触する状態に保持した後、該Ｔｅ過剰Ｃｄ−Ｔ
ｅ融液を該化学的量論組成のＣｄＴｅ原料が接触してい
る方向と反対の方向から冷却凝固させる。 【効果】 ＴＨＭより生産性良く同等の品質の結晶を製
造することができる。
のＣｄ−Ｔｅ融液と化学的量論組成のＣｄＴｅ原料とを
互いに接触する状態に保持した後、該Ｔｅ過剰Ｃｄ−Ｔ
ｅ融液を該化学的量論組成のＣｄＴｅ原料が接触してい
る方向と反対の方向から冷却凝固させる。 【効果】 ＴＨＭより生産性良く同等の品質の結晶を製
造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣｄＴｅ結晶の製造方法
に関し、特に放射線検出素子として有用な塩素ド−プＣ
ｄＴｅ結晶を生産性良く製造する方法に関するものであ
る。
に関し、特に放射線検出素子として有用な塩素ド−プＣ
ｄＴｅ結晶を生産性良く製造する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＴｅはＳｉやＧｅなどに比べて放射
線の吸収係数が高く、しかも常温でのエルギ−ギャップ
が大きい半導体であるため、これを放射線検出素子とし
て使用すると特性の良い素子を得ることができる。
線の吸収係数が高く、しかも常温でのエルギ−ギャップ
が大きい半導体であるため、これを放射線検出素子とし
て使用すると特性の良い素子を得ることができる。
【０００３】ＣｄＴｅ放射線検出素子は、結晶の相対す
る２面にバイアス電圧を印加するための電極を形成した
構造のものが一般的であり、ＣｄＴｅ結晶に放射線が照
射されたときに生じる正負のキャリア（電子−正孔対）
が電極に引き寄せられることによって生じる電流を検出
するものである。従って、使用されるＣｄＴｅ結晶に
は、放射線が照射されていないときに電流が流れないよ
うに電気的に高抵抗であることと、放射線−電流変換効
率を高めるために放射線照射によって発生する正負のキ
ャリアの寿命が長いことが重要である。
る２面にバイアス電圧を印加するための電極を形成した
構造のものが一般的であり、ＣｄＴｅ結晶に放射線が照
射されたときに生じる正負のキャリア（電子−正孔対）
が電極に引き寄せられることによって生じる電流を検出
するものである。従って、使用されるＣｄＴｅ結晶に
は、放射線が照射されていないときに電流が流れないよ
うに電気的に高抵抗であることと、放射線−電流変換効
率を高めるために放射線照射によって発生する正負のキ
ャリアの寿命が長いことが重要である。
【０００４】上記要求を満たす高抵抗のＣｄＴｅ結晶
は、高純度のＣｄとＴｅを原料とし、インクル−ジョン
と称する介在物が発生しないような条件で数ｐｐｍ程度
の塩素をド−プしながら成長する方法で得られており、
最も一般的なものは、ＴＨＭ（トラベリングヒ−タ法）
である。
は、高純度のＣｄとＴｅを原料とし、インクル−ジョン
と称する介在物が発生しないような条件で数ｐｐｍ程度
の塩素をド−プしながら成長する方法で得られており、
最も一般的なものは、ＴＨＭ（トラベリングヒ−タ法）
である。
【０００５】この方法では先ず、原料となる円柱状のＣ
ｄＴｅ多結晶インゴットの下端に微量の塩素を含むＴｅ
を溶媒として配置した石英アンプルを準備し、加熱幅の
狭いヒ−タを用いてアンプルの下端を加熱してＴｅを融
解することによって同時にその直上のＣｄＴｅをその温
度における溶解度だけ溶解したＴｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融
帯を形成する。その加熱温度を保ったままアンプルを低
速で降下させると、Ｃｄ−Ｔｅ融帯はその上方のＣｄＴ
ｅ多結晶を溶解しながら組成を保ったまま上方に移動
し、下方には塩素がド−プされたＣｄＴｅ結晶が成長す
る。Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融液からＣｄＴｅ結晶を析出
させる場合、融液からＣｄＴｅ結晶への塩素の偏析係数
が０．００３〜０．００６と小さく、融液の量が結晶成
長中ほぼ一定であるために、成長方向に均一に塩素がド
−プされたＣｄＴｅ結晶を得ることができる。
ｄＴｅ多結晶インゴットの下端に微量の塩素を含むＴｅ
を溶媒として配置した石英アンプルを準備し、加熱幅の
狭いヒ−タを用いてアンプルの下端を加熱してＴｅを融
解することによって同時にその直上のＣｄＴｅをその温
度における溶解度だけ溶解したＴｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融
帯を形成する。その加熱温度を保ったままアンプルを低
速で降下させると、Ｃｄ−Ｔｅ融帯はその上方のＣｄＴ
ｅ多結晶を溶解しながら組成を保ったまま上方に移動
し、下方には塩素がド−プされたＣｄＴｅ結晶が成長す
る。Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融液からＣｄＴｅ結晶を析出
させる場合、融液からＣｄＴｅ結晶への塩素の偏析係数
が０．００３〜０．００６と小さく、融液の量が結晶成
長中ほぼ一定であるために、成長方向に均一に塩素がド
−プされたＣｄＴｅ結晶を得ることができる。
【０００６】さらに、ＴＨＭで得られた塩素ド−プＣｄ
Ｔｅ結晶は、ブリッジマン法などの化学的量論組成のＣ
ｄＴｅ融液から得られた塩素ド−プＣｄＴｅ結晶に比べ
て、放射線検出素子として使用した場合に高エネルギ−
の放射線が照射された場合に検出性能の劣化が小さいと
いう点でも優れている。
Ｔｅ結晶は、ブリッジマン法などの化学的量論組成のＣ
ｄＴｅ融液から得られた塩素ド−プＣｄＴｅ結晶に比べ
て、放射線検出素子として使用した場合に高エネルギ−
の放射線が照射された場合に検出性能の劣化が小さいと
いう点でも優れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＴＨＭによって放射線検出素子用の塩素ド−プＣｄＴｅ
結晶を製造する場合には、アンプルに隙間なく挿入でき
る円柱状の原料ＣｄＴｅ多結晶を調整する工程が別途に
必要であることに加えて、結晶の直径が３０ｍｍ程度と
大きくなると狭い融帯幅で成長するために、成長速度を
３〜４ｍｍ／日（０．１２〜０．１７ｍｍ／Ｈｒ）程度
と低くしなければならず、生産性が低く、製造コストが
嵩むという問題があった。
ＴＨＭによって放射線検出素子用の塩素ド−プＣｄＴｅ
結晶を製造する場合には、アンプルに隙間なく挿入でき
る円柱状の原料ＣｄＴｅ多結晶を調整する工程が別途に
必要であることに加えて、結晶の直径が３０ｍｍ程度と
大きくなると狭い融帯幅で成長するために、成長速度を
３〜４ｍｍ／日（０．１２〜０．１７ｍｍ／Ｈｒ）程度
と低くしなければならず、生産性が低く、製造コストが
嵩むという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は上記
問題点を解決したものであって、結晶成長容器内にＴｅ
過剰のＣｄ−Ｔｅ融液と化学的量論組成のＣｄＴｅ原料
とを互いに接触する状態に保持した後、該Ｔｅ過剰Ｃｄ
−Ｔｅ融液を該化学的量論組成のＣｄＴｅ原料が接触し
ている方向と反対の方向から冷却凝固させることを特徴
とするＣｄＴｅ結晶の製造方法を提供するものである。
問題点を解決したものであって、結晶成長容器内にＴｅ
過剰のＣｄ−Ｔｅ融液と化学的量論組成のＣｄＴｅ原料
とを互いに接触する状態に保持した後、該Ｔｅ過剰Ｃｄ
−Ｔｅ融液を該化学的量論組成のＣｄＴｅ原料が接触し
ている方向と反対の方向から冷却凝固させることを特徴
とするＣｄＴｅ結晶の製造方法を提供するものである。
【０００９】さらに、上記のＴｅ過剰Ｃｄ−Ｔｅ融液に
塩素を溶解させておくことを特徴とするＣｄＴｅ結晶の
製造方法を提供するものである。先ず、本発明者は、前
述のようにＴＨＭで製造した塩素ド−プＣｄＴｅ結晶を
放射線検出素子として使用した場合にその性能がブリッ
ジマン法などで得られる結晶より優れていることから、
放射線検出素子用のＣｄＴｅ結晶の製造においては化学
的量論組成よりもＴｅが過剰な組成のＣｄ−Ｔｅ融液即
ちＴｅを溶媒としてＣｄを溶解した状態の溶液からＣｄ
Ｔｅ結晶が析出するという機構が重要であると考えた。
塩素を溶解させておくことを特徴とするＣｄＴｅ結晶の
製造方法を提供するものである。先ず、本発明者は、前
述のようにＴＨＭで製造した塩素ド−プＣｄＴｅ結晶を
放射線検出素子として使用した場合にその性能がブリッ
ジマン法などで得られる結晶より優れていることから、
放射線検出素子用のＣｄＴｅ結晶の製造においては化学
的量論組成よりもＴｅが過剰な組成のＣｄ−Ｔｅ融液即
ちＴｅを溶媒としてＣｄを溶解した状態の溶液からＣｄ
Ｔｅ結晶が析出するという機構が重要であると考えた。
【００１０】ところが、ＴＨＭのように連続的に原料と
なるＣｄＴｅを供給することなく簡単にＴｅ過剰のＣｄ
−Ｔｅ溶液から結晶が得られる方法として、たとえば３
５モル％Ｃｄ−６５モル％Ｔｅの融液を一端から冷却す
ることによって化学的量論組成のＣｄＴｅ結晶を析出さ
せようとすると、Ｃｄ−Ｔｅ２元系の状態図（Ｔ−ｘ線
図）が示す液相線に従って最初の結晶は１０００℃の融
液から析出するが、次第に融液中のＣｄの濃度が小さく
なるに従って結晶の析出温度が下がってくる。即ち、結
晶成長とともに結晶成長境界面付近の融液が構造的過冷
却の状態になり易くなるため、時間とともにアンプルの
降下速度を徐々に遅くするかアンプルの加熱温度分布を
変化させるかしなければ結晶に融液が取り込まれてイン
クル−ジョンが発生するなどして著しく品質の劣る結晶
しか得られないようになる。
なるＣｄＴｅを供給することなく簡単にＴｅ過剰のＣｄ
−Ｔｅ溶液から結晶が得られる方法として、たとえば３
５モル％Ｃｄ−６５モル％Ｔｅの融液を一端から冷却す
ることによって化学的量論組成のＣｄＴｅ結晶を析出さ
せようとすると、Ｃｄ−Ｔｅ２元系の状態図（Ｔ−ｘ線
図）が示す液相線に従って最初の結晶は１０００℃の融
液から析出するが、次第に融液中のＣｄの濃度が小さく
なるに従って結晶の析出温度が下がってくる。即ち、結
晶成長とともに結晶成長境界面付近の融液が構造的過冷
却の状態になり易くなるため、時間とともにアンプルの
降下速度を徐々に遅くするかアンプルの加熱温度分布を
変化させるかしなければ結晶に融液が取り込まれてイン
クル−ジョンが発生するなどして著しく品質の劣る結晶
しか得られないようになる。
【００１１】また、上記の方法では、融液に塩素を溶解
させておくことによって放射線検出素子用の塩素ド−プ
ＣｄＴｅ結晶を得ようとした場合、結晶の析出が進行す
るにつれて結晶中への塩素のド−プ量が増加するため
に、高性能の放射線検出素子用に使用できる結晶の歩留
まりが低くなる。因みに、３５モル％Ｃｄ−６５モル％
ＴｅにＴｅに対する濃度で約６００ｐｐｍの塩素を溶解
した融液を一端から一定速度で冷却することによって得
られた結晶中の塩素のド−プ量は、最初２ｐｐｍ程度で
あるものが後半には１０ｐｐｍ以上にまで増加してしま
い、この結晶を用いて放射線検出素子を作製し、その性
能を調べた結果、満足できる特性を示したのは最初に成
長した約３０％の部分にしかすぎなかった。
させておくことによって放射線検出素子用の塩素ド−プ
ＣｄＴｅ結晶を得ようとした場合、結晶の析出が進行す
るにつれて結晶中への塩素のド−プ量が増加するため
に、高性能の放射線検出素子用に使用できる結晶の歩留
まりが低くなる。因みに、３５モル％Ｃｄ−６５モル％
ＴｅにＴｅに対する濃度で約６００ｐｐｍの塩素を溶解
した融液を一端から一定速度で冷却することによって得
られた結晶中の塩素のド−プ量は、最初２ｐｐｍ程度で
あるものが後半には１０ｐｐｍ以上にまで増加してしま
い、この結晶を用いて放射線検出素子を作製し、その性
能を調べた結果、満足できる特性を示したのは最初に成
長した約３０％の部分にしかすぎなかった。
【００１２】以上の考察から本発明者は、Ｔｅ過剰のＣ
ｄ−Ｔｅ融液に化学的量論組成のＣｄＴｅ原料が浸され
た状態からＣｄＴｅ結晶を成長することによって、結晶
中への塩素ド−プ量の増加を抑え、かつ融液組成の変化
による構造的過冷却を抑えることができると考え、本発
明をなした。
ｄ−Ｔｅ融液に化学的量論組成のＣｄＴｅ原料が浸され
た状態からＣｄＴｅ結晶を成長することによって、結晶
中への塩素ド−プ量の増加を抑え、かつ融液組成の変化
による構造的過冷却を抑えることができると考え、本発
明をなした。
【００１３】本発明方法では、Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融
液はＣｄＴｅ結晶が成長することによってＴｅ濃度が上
昇するのを化学的量論組成のＣｄＴｅ原料が融液中に融
解されることによって防止されて、ＣｄＴｅ原料がすべ
て融解されるまでは融液組成が加熱温度における液相線
上の組成に保たれる。また、ＴＨＭのように融帯幅を狭
くする必要がないので、結晶を大型化でき、成長速度を
大きくすることができる。なお、ＣｄＴｅ原料の化学的
量論組成は厳密なものではなく、±１ａｔ％程度の範囲
内であれば、特に問題はない。
液はＣｄＴｅ結晶が成長することによってＴｅ濃度が上
昇するのを化学的量論組成のＣｄＴｅ原料が融液中に融
解されることによって防止されて、ＣｄＴｅ原料がすべ
て融解されるまでは融液組成が加熱温度における液相線
上の組成に保たれる。また、ＴＨＭのように融帯幅を狭
くする必要がないので、結晶を大型化でき、成長速度を
大きくすることができる。なお、ＣｄＴｅ原料の化学的
量論組成は厳密なものではなく、±１ａｔ％程度の範囲
内であれば、特に問題はない。
【００１４】
【実施例】図１に示したような形状（下部内径３０ｍｍ
長さ１７０ｍｍ、上部内径３５ｍｍ長さ１６０ｍｍ）の
石英アンプルと、そのアンプルの内径が狭くなる部分で
支えられる構造で直径３ｍｍの通液孔を多数有する石英
製保持具を準備し、石英アンプルの内面および石英製保
持具の表面に黒鉛皮膜を形成した。
長さ１７０ｍｍ、上部内径３５ｍｍ長さ１６０ｍｍ）の
石英アンプルと、そのアンプルの内径が狭くなる部分で
支えられる構造で直径３ｍｍの通液孔を多数有する石英
製保持具を準備し、石英アンプルの内面および石英製保
持具の表面に黒鉛皮膜を形成した。
【００１５】石英アンプルに下から、融液に対する重量
濃度で約３００ｐｐｍの塩素を含むように塩化カドミウ
ムを溶解させたＣｄ：Ｔｅのモル比で４０：６０のＴｅ
過剰のＣｄ−Ｔｅ合金のインゴット５００ｇ、石英製保
持具、Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ合金のインゴット２５０
ｇ、２８０ｇのＣｄＴｅインゴットの順で挿入し、真空
排気した後Ａｒガスを１００Ｔｏｒｒの圧力まで導入し
た状態でアンプルを封入した。
濃度で約３００ｐｐｍの塩素を含むように塩化カドミウ
ムを溶解させたＣｄ：Ｔｅのモル比で４０：６０のＴｅ
過剰のＣｄ−Ｔｅ合金のインゴット５００ｇ、石英製保
持具、Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ合金のインゴット２５０
ｇ、２８０ｇのＣｄＴｅインゴットの順で挿入し、真空
排気した後Ａｒガスを１００Ｔｏｒｒの圧力まで導入し
た状態でアンプルを封入した。
【００１６】このアンプル全体を電気炉で先ず、図１に
示したような温度分布の下に加熱してＴｅ過剰のＣｄ−
Ｔｅ融液を形成し、その温度分布を保ったまま０．５ｍ
ｍ／Ｈｒの速度でアンプルを２００ｍｍ降下させ、その
後全体を２０℃／Ｈｒの速度で室温まで冷却した。取り
出したアンプルを内容物ごと先端から１３０ｍｍの位置
で切断し、下部の結晶を抜き出した。結晶の先端から１
１０ｍｍ以上の部分には少量のインクル−ジョンが認め
られたので、その部分は切断し、先端から１００ｍｍ、
約４５０ｇのＣｄＴｅ結晶について塩素ド−プ量の分布
を調べたところ、はぼ全体にわたって２．５±０．５ｐ
ｐｍの範囲内にあり均一であった。
示したような温度分布の下に加熱してＴｅ過剰のＣｄ−
Ｔｅ融液を形成し、その温度分布を保ったまま０．５ｍ
ｍ／Ｈｒの速度でアンプルを２００ｍｍ降下させ、その
後全体を２０℃／Ｈｒの速度で室温まで冷却した。取り
出したアンプルを内容物ごと先端から１３０ｍｍの位置
で切断し、下部の結晶を抜き出した。結晶の先端から１
１０ｍｍ以上の部分には少量のインクル−ジョンが認め
られたので、その部分は切断し、先端から１００ｍｍ、
約４５０ｇのＣｄＴｅ結晶について塩素ド−プ量の分布
を調べたところ、はぼ全体にわたって２．５±０．５ｐ
ｐｍの範囲内にあり均一であった。
【００１７】この塩素ド−プＣｄＴｅ結晶から放射線検
出素子を作製して、その放射線検出性能をＴＨＭで得ら
れた結晶と比較したところ、全長１００ｍｍのいずれの
位置から切り出した結晶ともＴＨＭ結晶と同等の性能を
示した。実施例では、Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融液作製の
ために、Ｔｅ過剰組成のＣｄ−Ｔｅ合金を用いたが、こ
れに限定されずＴｅが過剰となる比率でＣｄとＴｅを入
れておくようにしても良い。
出素子を作製して、その放射線検出性能をＴＨＭで得ら
れた結晶と比較したところ、全長１００ｍｍのいずれの
位置から切り出した結晶ともＴＨＭ結晶と同等の性能を
示した。実施例では、Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融液作製の
ために、Ｔｅ過剰組成のＣｄ−Ｔｅ合金を用いたが、こ
れに限定されずＴｅが過剰となる比率でＣｄとＴｅを入
れておくようにしても良い。
【００１８】また、Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融液組成とし
てＣｄのモル濃度で３５％の例を示したが、２０％以上
４５％以下、つまり結晶の析出温度として８００℃以上
１０５０℃以下であれば本発明が適用できることはいう
までもない。なお、Ｃｄのモル濃度２０％以下の融液即
ち結晶析出温度８００℃未満の融液からインクルル−ジ
ョンを含まないＣｄＴｅを実用的な速度で成長させるこ
とは困難であり、Ｃｄのモル濃度５０％即ち結晶析出温
度１０９２℃の化学的量論組成の融液から成長させた結
晶からは高性能のＣｄＴｅ放射線検出素子が得られない
ためである。
てＣｄのモル濃度で３５％の例を示したが、２０％以上
４５％以下、つまり結晶の析出温度として８００℃以上
１０５０℃以下であれば本発明が適用できることはいう
までもない。なお、Ｃｄのモル濃度２０％以下の融液即
ち結晶析出温度８００℃未満の融液からインクルル−ジ
ョンを含まないＣｄＴｅを実用的な速度で成長させるこ
とは困難であり、Ｃｄのモル濃度５０％即ち結晶析出温
度１０９２℃の化学的量論組成の融液から成長させた結
晶からは高性能のＣｄＴｅ放射線検出素子が得られない
ためである。
【００１９】さらに、結晶の析出速度を０．５ｍｍ／Ｈ
ｒとしているが、１ｍｍ／Ｈｒ以下の範囲で選択可能で
ある。なお、１ｍｍ／Ｈｒを超えるとインクル−ジョン
が発生するからである。さらに、融液中にＣｄＴｅ原料
を接触保持する方法として通液孔を有する石英性保持具
を示したが、適宜材質や形状を変形したものが使用可能
なことは自明である。
ｒとしているが、１ｍｍ／Ｈｒ以下の範囲で選択可能で
ある。なお、１ｍｍ／Ｈｒを超えるとインクル−ジョン
が発生するからである。さらに、融液中にＣｄＴｅ原料
を接触保持する方法として通液孔を有する石英性保持具
を示したが、適宜材質や形状を変形したものが使用可能
なことは自明である。
【００２０】さらに、実施例ではアンプルを移動させた
が、ヒ−タを移動させても良く、また温度制御で温度分
布を変えていっても良い。さらに、実施例では融液上面
からＣｄＴｅ原料を接触させ、融液下面から冷却凝固さ
せたが、逆に融液下面からＣｄＴｅ原料を接触させ、融
液上面から冷却凝固させても良い。
が、ヒ−タを移動させても良く、また温度制御で温度分
布を変えていっても良い。さらに、実施例では融液上面
からＣｄＴｅ原料を接触させ、融液下面から冷却凝固さ
せたが、逆に融液下面からＣｄＴｅ原料を接触させ、融
液上面から冷却凝固させても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、結晶成
長容器内にＴｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融液と化学的量論組成
のＣｄＴｅ原料とを互いに接触する状態に保持した後、
該Ｔｅ過剰Ｃｄ−Ｔｅ融液を該化学的量論組成のＣｄＴ
ｅ原料が接触している方向と反対の方向から冷却凝固さ
せるアンプル中でＴｅ過剰組成のＣｄ−Ｔｅの融液を一
方から冷却してＣｄＴｅ結晶を成長させるようにしたの
で、ＴＨＭより生産性良く同等の品質の結晶が製造でき
るという効果がある。
長容器内にＴｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融液と化学的量論組成
のＣｄＴｅ原料とを互いに接触する状態に保持した後、
該Ｔｅ過剰Ｃｄ−Ｔｅ融液を該化学的量論組成のＣｄＴ
ｅ原料が接触している方向と反対の方向から冷却凝固さ
せるアンプル中でＴｅ過剰組成のＣｄ−Ｔｅの融液を一
方から冷却してＣｄＴｅ結晶を成長させるようにしたの
で、ＴＨＭより生産性良く同等の品質の結晶が製造でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＣｄＴｅ結晶の製造方法を示す概
略図である。
略図である。
１ 石英アンプル ２ 化学的量論組成のＣｄＴｅ原料 ３ 保持具 ４ Ｔｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ融液 ５ ＣｄＴｅ結晶
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶成長容器内にＴｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ
融液と化学的量論組成のＣｄＴｅ原料とを互いに接触す
る状態に保持した後、該Ｔｅ過剰Ｃｄ−Ｔｅ融液を該化
学的量論組成のＣｄＴｅ原料が接触している方向と反対
の方向から冷却凝固させることを特徴とするＣｄＴｅ結
晶の製造方法。 - 【請求項２】 上記のＴｅ過剰Ｃｄ−Ｔｅ融液に塩素を
溶解させておくことを特徴とする請求項１記載のＣｄＴ
ｅ結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24621693A JPH0769798A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24621693A JPH0769798A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0769798A true JPH0769798A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=17145246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24621693A Pending JPH0769798A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769798A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009101670A1 (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Shimadzu Corporation | 放射線検出器の製造方法及び、放射線検出器並びに放射線撮像装置 |
| CN103114335A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-05-22 | 通用电气公司 | 生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法 |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP24621693A patent/JPH0769798A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009101670A1 (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Shimadzu Corporation | 放射線検出器の製造方法及び、放射線検出器並びに放射線撮像装置 |
| US8405037B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-03-26 | Shimadzu Corporation | Radiation detector manufacturing method, a radiation detector, and a radiographic apparatus |
| CN103114335A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-05-22 | 通用电气公司 | 生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法 |
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