JPH0770384B2 - Ｍｎ−Ｚｎフェライトの加工方法 - Google Patents
Ｍｎ−Ｚｎフェライトの加工方法Info
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- JPH0770384B2 JPH0770384B2 JP63075744A JP7574488A JPH0770384B2 JP H0770384 B2 JPH0770384 B2 JP H0770384B2 JP 63075744 A JP63075744 A JP 63075744A JP 7574488 A JP7574488 A JP 7574488A JP H0770384 B2 JPH0770384 B2 JP H0770384B2
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、Mn−Znフェライトの単結晶面の化学エッチン
グによる加工方法に係り、特にMn−Znフェライト単結晶
を用いた磁気ヘッド用コアにおいて、その表面に所定の
凹凸形状、例えば固定磁気ディスクヘッド用コアにおけ
る空気浮上面（ABS面）やトラック等を形成するのに好
適に用いられる化学エッチング方法に関するものであ
る。
グによる加工方法に係り、特にMn−Znフェライト単結晶
を用いた磁気ヘッド用コアにおいて、その表面に所定の
凹凸形状、例えば固定磁気ディスクヘッド用コアにおけ
る空気浮上面（ABS面）やトラック等を形成するのに好
適に用いられる化学エッチング方法に関するものであ
る。
（背景技術） 従来から、Mn−Znフェライト単結晶は、磁気ヘッド用コ
ア等の構成材料として用いられてきているが、目的とす
る用途に適用するには、正確な加工が施される必要があ
る場合がある。
ア等の構成材料として用いられてきているが、目的とす
る用途に適用するには、正確な加工が施される必要があ
る場合がある。
例えば、固定磁気ディスク装置（RDD）に使用される磁
気ヘッドの代表的コアとしては、第１図に示される如き
モノリシック型コア１が知られており、かかるコア１の
記録媒体との摺動面は、溝２により形成された空気浮上
面３と信号を記録再生するトラック４とから構成されて
おり、そして磁気ヘッドが記録媒体と摺動する際に、空
気浮上面３及びトラック４のエッジ部の損傷を防止する
ために、それぞれのトラック幅は、傾斜加工された面5,
6,7,8,9,10によって規定されている。
気ヘッドの代表的コアとしては、第１図に示される如き
モノリシック型コア１が知られており、かかるコア１の
記録媒体との摺動面は、溝２により形成された空気浮上
面３と信号を記録再生するトラック４とから構成されて
おり、そして磁気ヘッドが記録媒体と摺動する際に、空
気浮上面３及びトラック４のエッジ部の損傷を防止する
ために、それぞれのトラック幅は、傾斜加工された面5,
6,7,8,9,10によって規定されている。
ところで、かかる磁気ヘッド用コア１の溝２及び傾斜面
５〜10は、一般に、ダイヤモンド砥石等による機械加工
により、それぞれ形成されることとなるところから、チ
ップ１個当たり、合計８ヵ所の砥石加工を施す必要があ
り、そのため全工程の中で最も加工時間を必要とする工
程であったのである。また、傾斜面５〜10の加工におい
ては、ダイヤモンド砥石の割出し誤差に加えて、製品の
高さや接着誤差により、浮上面３及びトラック４の幅に
±10μｍの誤差の発生が避けられ得ず、更に、ダイヤモ
ンド砥石加工面には、大きさ:1μｍ以上のチッピングの
発生が避けられなかったのである。
５〜10は、一般に、ダイヤモンド砥石等による機械加工
により、それぞれ形成されることとなるところから、チ
ップ１個当たり、合計８ヵ所の砥石加工を施す必要があ
り、そのため全工程の中で最も加工時間を必要とする工
程であったのである。また、傾斜面５〜10の加工におい
ては、ダイヤモンド砥石の割出し誤差に加えて、製品の
高さや接着誤差により、浮上面３及びトラック４の幅に
±10μｍの誤差の発生が避けられ得ず、更に、ダイヤモ
ンド砥石加工面には、大きさ:1μｍ以上のチッピングの
発生が避けられなかったのである。
しかしながら、近年、記録密度の向上に伴って、RDD磁
気ヘッド用コア１の浮上量と磁気特性に対する要求が厳
しくなり、これらの幅に±１μｍの精度が要求されるよ
うになってきている。更に、浮上面やトラックに発生し
たチッピングやクラックは、磁気ヘッド用コアの動作時
におけるフェライト片の脱落による磁気ヘッドと磁気記
録媒体の破損の原因となっているのである。そして、そ
れらの問題は、磁気ヘッド用コアの動作時の浮上特性及
び磁気特性等の信頼性に重大な障害となっているのであ
る。
気ヘッド用コア１の浮上量と磁気特性に対する要求が厳
しくなり、これらの幅に±１μｍの精度が要求されるよ
うになってきている。更に、浮上面やトラックに発生し
たチッピングやクラックは、磁気ヘッド用コアの動作時
におけるフェライト片の脱落による磁気ヘッドと磁気記
録媒体の破損の原因となっているのである。そして、そ
れらの問題は、磁気ヘッド用コアの動作時の浮上特性及
び磁気特性等の信頼性に重大な障害となっているのであ
る。
一方、同形状の磁気ヘッド用コアをフォトリソグラフィ
ーとエッチング工程により製造する方法が、特開昭62−
234214号公報等に開示されている。
ーとエッチング工程により製造する方法が、特開昭62−
234214号公報等に開示されている。
すなわち、第２図（ａ）に示されるように、モノリシッ
ク型RDD磁気ヘッド用コアを製造するに際しては、先
ず、所定間隙の磁気ギャップ11を有する、環状の磁路が
形成された、所謂ギャップバー12をフェライト単結晶に
て作製した後、その摺動面13を鏡面研磨し、更にその表
面の加工歪を除去した後、かかる摺動面13にレジスト14
によって所定のエッチングパターン、換言すればマスク
パターンが付与される。そして、このエッチングパター
ンの形成されたギャップバー12を、化学エッチングせし
めることにより、該エッチングパターンに対応した凹凸
パターンがギャップバー12の摺動面13に形成され、以
て、そこに空気浮上面３やトラック４が生ぜしめられる
のである。
ク型RDD磁気ヘッド用コアを製造するに際しては、先
ず、所定間隙の磁気ギャップ11を有する、環状の磁路が
形成された、所謂ギャップバー12をフェライト単結晶に
て作製した後、その摺動面13を鏡面研磨し、更にその表
面の加工歪を除去した後、かかる摺動面13にレジスト14
によって所定のエッチングパターン、換言すればマスク
パターンが付与される。そして、このエッチングパター
ンの形成されたギャップバー12を、化学エッチングせし
めることにより、該エッチングパターンに対応した凹凸
パターンがギャップバー12の摺動面13に形成され、以
て、そこに空気浮上面３やトラック４が生ぜしめられる
のである。
ところで、このような手法によって、フェライト単結晶
に所定の寸法精度の凹凸形状（パターン）を形成せしめ
るに際しては、第２図（ｂ）に示されるように、そのサ
イドエッチング量（Ｗ）及びエッチングエッジ部15の直
線性を、より一層寸法精度よく、安定して得ることが望
ましい。特に、前述のように、±１μｍの寸法精度を安
定的に達成することは、磁気ヘッド用コアの記録密度、
磁気特性、信頼性等を高める上においても、重要なこと
なのである。
に所定の寸法精度の凹凸形状（パターン）を形成せしめ
るに際しては、第２図（ｂ）に示されるように、そのサ
イドエッチング量（Ｗ）及びエッチングエッジ部15の直
線性を、より一層寸法精度よく、安定して得ることが望
ましい。特に、前述のように、±１μｍの寸法精度を安
定的に達成することは、磁気ヘッド用コアの記録密度、
磁気特性、信頼性等を高める上においても、重要なこと
なのである。
しかしながら、磁気ヘッド用コアにおける磁気ギャップ
等、ガラス接合部を有するMn−Znフェライトの単結晶面
に凹凸パターンを形成する場合において、化学エッチン
グの途中で、レジストの如きマスクとMn−Znフェライト
単結晶との密着性が低下し、形成されたMn−Znフェライ
トの単結晶面の凹凸パターンは、サイドエッチング量が
大きく、直線性も悪く、従って充分なパターン精度を得
ることが困難であるという問題があったのである。
等、ガラス接合部を有するMn−Znフェライトの単結晶面
に凹凸パターンを形成する場合において、化学エッチン
グの途中で、レジストの如きマスクとMn−Znフェライト
単結晶との密着性が低下し、形成されたMn−Znフェライ
トの単結晶面の凹凸パターンは、サイドエッチング量が
大きく、直線性も悪く、従って充分なパターン精度を得
ることが困難であるという問題があったのである。
また、ギャップバー12を、化学エッチングではなく、逆
にスパッタリングやイオンビームエッチング等のドライ
エッチング法にて処理して、同様の凹凸パターンを形成
する手法が、特開昭51−114111号公報や特開昭54−1281
9号公報に開示されているが、このドライエッチング法
ではエッチング速度が非常に遅く、工業的に実施するの
は困難であった。
にスパッタリングやイオンビームエッチング等のドライ
エッチング法にて処理して、同様の凹凸パターンを形成
する手法が、特開昭51−114111号公報や特開昭54−1281
9号公報に開示されているが、このドライエッチング法
ではエッチング速度が非常に遅く、工業的に実施するの
は困難であった。
（解決課題） ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為さ
れたものであって、その解決すべき課題とするところ
は、Mn−Znフェライトの単結晶面に対して化学エッチン
グにて凹凸パターンを形成するに際して、そのエッチン
グエッジ部の直線性がよく、しかも精度の高いパターン
を形成し得る加工方法を提供することにある。
れたものであって、その解決すべき課題とするところ
は、Mn−Znフェライトの単結晶面に対して化学エッチン
グにて凹凸パターンを形成するに際して、そのエッチン
グエッジ部の直線性がよく、しかも精度の高いパターン
を形成し得る加工方法を提供することにある。
（解決手段） そして、本発明にあっては、かかる課題解決のために、
Mn−Znフェライトの単結晶面に所定のマスクパターンを
付与し、次いで化学エッチングによって、該マスクパタ
ーンに対応した凹凸パターンを前記Mn−Znフェライトの
単結晶面に形成するに際して、該マスクパターンを付与
するに先立ち、前記Mn−Znフェライトの被エッチング単
結晶面を、アミン化合物を含む溶液で処理するようにし
たことを、その要旨とするものである。
Mn−Znフェライトの単結晶面に所定のマスクパターンを
付与し、次いで化学エッチングによって、該マスクパタ
ーンに対応した凹凸パターンを前記Mn−Znフェライトの
単結晶面に形成するに際して、該マスクパターンを付与
するに先立ち、前記Mn−Znフェライトの被エッチング単
結晶面を、アミン化合物を含む溶液で処理するようにし
たことを、その要旨とするものである。
また、本発明にあっては、かかる課題解決のために、Mn
−Znフェライトの単結晶面に所定のマスクパターンを付
与し、次いで化学エッチングによって、該マスクパター
ンに対応した凹凸パターンを前記Mn−Znフェライトの単
結晶面に形成するに際して、該マスクパターンを付与す
るに先立ち、前記Mn−Znフェライトの被エッチング単結
晶面を、リン酸水溶液中において、少なくとも10Åエッ
チング処理するようにしたことをも、その要旨とするも
のである。
−Znフェライトの単結晶面に所定のマスクパターンを付
与し、次いで化学エッチングによって、該マスクパター
ンに対応した凹凸パターンを前記Mn−Znフェライトの単
結晶面に形成するに際して、該マスクパターンを付与す
るに先立ち、前記Mn−Znフェライトの被エッチング単結
晶面を、リン酸水溶液中において、少なくとも10Åエッ
チング処理するようにしたことをも、その要旨とするも
のである。
要するに、本発明は、Mn−Znフェライトの単結晶面上に
レジストの塗布等によって所定のマスクパターンを付与
する前に、通常行なわれている有機溶剤、純水による洗
浄等の他に、アミン化合物を含む溶液にて、かかる単結
晶面の前処理を行なうようにしたものであり、更に好ま
しくは、Mn−Znフェライト単結晶のアニール（焼鈍）を
行なった後、そのようなアミン化合物の溶液にて前処理
を行なうようにしたものであり、或いは前記の如き有機
溶剤、純水による洗浄等の処理の後に、レジストが塗布
されるフェライト表面を、リン酸水溶液中にて、少なく
とも10Åの予備エッチング処理を行なうようにしたもの
であり、これによって、マスクパターンとMn−Znフェラ
イト単結晶面との密着性が向上し、エッチングエッジ部
の直線性が大幅に改善されて、直線性のよい、しかも精
度の高い凹凸パターンを実現し得ることとなったのであ
る。
レジストの塗布等によって所定のマスクパターンを付与
する前に、通常行なわれている有機溶剤、純水による洗
浄等の他に、アミン化合物を含む溶液にて、かかる単結
晶面の前処理を行なうようにしたものであり、更に好ま
しくは、Mn−Znフェライト単結晶のアニール（焼鈍）を
行なった後、そのようなアミン化合物の溶液にて前処理
を行なうようにしたものであり、或いは前記の如き有機
溶剤、純水による洗浄等の処理の後に、レジストが塗布
されるフェライト表面を、リン酸水溶液中にて、少なく
とも10Åの予備エッチング処理を行なうようにしたもの
であり、これによって、マスクパターンとMn−Znフェラ
イト単結晶面との密着性が向上し、エッチングエッジ部
の直線性が大幅に改善されて、直線性のよい、しかも精
度の高い凹凸パターンを実現し得ることとなったのであ
る。
ところで、かかる本発明に従う加工手法が適用されるMn
−Znフェライトとしては、全体が一つの単結晶体から構
成されるものの他、その一部に単結晶部分を有するMn−
Znフェライト部材がある。そして、そのようなMn−Znフ
ェライト部材の単結晶部分の露出された単結晶面は、一
般に、常法に従って、ダイヤモンド砥粒等にて鏡面研磨
され、予め平滑な被処理面とされることとなる。けだ
し、後の化学エッチング処理におけるエッチングの均一
性の如何に拘わらず、エッチング処理されるべき単結晶
面の表面形態も、また、生じるエッチング面の表面性状
に影響するからである。なお、鏡面研磨には、有利に
は、粒度が４μｍ以下のダイヤモンド砥粒を用いた研磨
加工が採用されることとなる。
−Znフェライトとしては、全体が一つの単結晶体から構
成されるものの他、その一部に単結晶部分を有するMn−
Znフェライト部材がある。そして、そのようなMn−Znフ
ェライト部材の単結晶部分の露出された単結晶面は、一
般に、常法に従って、ダイヤモンド砥粒等にて鏡面研磨
され、予め平滑な被処理面とされることとなる。けだ
し、後の化学エッチング処理におけるエッチングの均一
性の如何に拘わらず、エッチング処理されるべき単結晶
面の表面形態も、また、生じるエッチング面の表面性状
に影響するからである。なお、鏡面研磨には、有利に
は、粒度が４μｍ以下のダイヤモンド砥粒を用いた研磨
加工が採用されることとなる。
また、かかるMn−Znフェライトには、そのエッチングさ
れるべき単結晶面に、本発明に従うところの加工が施さ
れるに先立って、好ましくはN2等の不活性な雰囲気中に
おいて、焼鈍処理（熱処理）が施される。なお、この焼
鈍処理は、一般に200〜600℃程度、好ましくは250〜550
℃程度の温度において、少なくとも10分以上、好ましく
は30分以上の時間の間、行なわれることとなるが、Mn−
Znフェライトにギャップガラス等のガラスが用いられて
おれば、そのようなガラスの融点以下の温度が採用され
ることは、言うまでもないところである。
れるべき単結晶面に、本発明に従うところの加工が施さ
れるに先立って、好ましくはN2等の不活性な雰囲気中に
おいて、焼鈍処理（熱処理）が施される。なお、この焼
鈍処理は、一般に200〜600℃程度、好ましくは250〜550
℃程度の温度において、少なくとも10分以上、好ましく
は30分以上の時間の間、行なわれることとなるが、Mn−
Znフェライトにギャップガラス等のガラスが用いられて
おれば、そのようなガラスの融点以下の温度が採用され
ることは、言うまでもないところである。
そして、本発明にあっては、上記の如き処置が為された
Mn−Znフェライトの単結晶面に対して所定のマスクパタ
ーンが付与されるに先立って、その前処理として、アミ
ン化合物を含む溶液による処理が施されるようにしたも
のであり、これによって、Mn−Znフェライトの単結晶面
に形成される凹凸パターンのサイドエッチング量を効果
的に減少せしめ、直線性を大幅に改善すると共に、パタ
ーン精度の向上に大きく寄与せしめ得たのである。な
お、ここで用いられ得るアミン化合物としては、エタノ
ールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン等のアルカノールアミンが好適であるが、また他のア
ミン化合物、例えばエチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン等の脂肪族第一アミン；ジエチルアミン、ジ
プロピルアミン等の脂肪族第二アミン，トリエチルアミ
ン等の脂肪族第三アミン；アリルアミン等の脂肪族不飽
和アミン；脂環式アミン；ジアミン；トリアミン；アニ
リン、トルイジン、ベンジルアミン等の芳香族アミン等
であっても、何等差支えない。
Mn−Znフェライトの単結晶面に対して所定のマスクパタ
ーンが付与されるに先立って、その前処理として、アミ
ン化合物を含む溶液による処理が施されるようにしたも
のであり、これによって、Mn−Znフェライトの単結晶面
に形成される凹凸パターンのサイドエッチング量を効果
的に減少せしめ、直線性を大幅に改善すると共に、パタ
ーン精度の向上に大きく寄与せしめ得たのである。な
お、ここで用いられ得るアミン化合物としては、エタノ
ールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン等のアルカノールアミンが好適であるが、また他のア
ミン化合物、例えばエチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン等の脂肪族第一アミン；ジエチルアミン、ジ
プロピルアミン等の脂肪族第二アミン，トリエチルアミ
ン等の脂肪族第三アミン；アリルアミン等の脂肪族不飽
和アミン；脂環式アミン；ジアミン；トリアミン；アニ
リン、トルイジン、ベンジルアミン等の芳香族アミン等
であっても、何等差支えない。
また、このようなアミン化合物を含む溶液は、一般に、
水溶液の形態において用いられ、そのような水溶液中に
Mn−Znフェライトの単結晶面を浸漬することによって、
目的とする処理が行なこととなるわれるが、その際の、
アミン化合物の濃度や処理温度、処理時間等の処理条件
は、用いられるアミン化合物の種類等によって適宜に決
定されることとなる。尤も、アミン化合物の濃度に関し
て、それは、サイドエッチング量に或る程度の関連性を
有することが認められており、そのため、かかるアミン
化合物による顕著な処理効果を得る上において、一般に
50％以下、好ましくは５〜25％の濃度において用いられ
ることとなるのである。
水溶液の形態において用いられ、そのような水溶液中に
Mn−Znフェライトの単結晶面を浸漬することによって、
目的とする処理が行なこととなるわれるが、その際の、
アミン化合物の濃度や処理温度、処理時間等の処理条件
は、用いられるアミン化合物の種類等によって適宜に決
定されることとなる。尤も、アミン化合物の濃度に関し
て、それは、サイドエッチング量に或る程度の関連性を
有することが認められており、そのため、かかるアミン
化合物による顕著な処理効果を得る上において、一般に
50％以下、好ましくは５〜25％の濃度において用いられ
ることとなるのである。
また、本発明にあっては、上記の如きアミン化合物を含
む溶液による処理に代えて、前記Mn−Znフェライトの単
結晶面に対して所定のマスクパターンを付与するに先立
って、その前処理として、リン酸水溶液による予備エッ
チング処理を施す手法も、有利に採用される。そのよう
な予備エッチング処理によって、Mn−Znフェライトにお
けるマスクパターンの付与されるべき表面が、少なくと
も10Å以上の厚さでエッチングせしめられるのである。
そして、これによって、Mn−Znフェライトの単結晶面に
形成される凹凸パターンのサイドエッチング量が効果的
に減少せしめられ、加えて直線性が大幅に改善されると
共に、パターン精度の向上に大きく寄与せしめられ得る
のである。なお、この予備エッチング処理は、一般に、
リン酸水溶液中に浸漬することによって実施されること
となるが、その際、後述する凹凸パターン形成のための
エッチング処理と同様な条件が採用され、目的とするエ
ッチング深さに従って、リン酸濃度、温度、時間等が選
定されるのである。
む溶液による処理に代えて、前記Mn−Znフェライトの単
結晶面に対して所定のマスクパターンを付与するに先立
って、その前処理として、リン酸水溶液による予備エッ
チング処理を施す手法も、有利に採用される。そのよう
な予備エッチング処理によって、Mn−Znフェライトにお
けるマスクパターンの付与されるべき表面が、少なくと
も10Å以上の厚さでエッチングせしめられるのである。
そして、これによって、Mn−Znフェライトの単結晶面に
形成される凹凸パターンのサイドエッチング量が効果的
に減少せしめられ、加えて直線性が大幅に改善されると
共に、パターン精度の向上に大きく寄与せしめられ得る
のである。なお、この予備エッチング処理は、一般に、
リン酸水溶液中に浸漬することによって実施されること
となるが、その際、後述する凹凸パターン形成のための
エッチング処理と同様な条件が採用され、目的とするエ
ッチング深さに従って、リン酸濃度、温度、時間等が選
定されるのである。
そして、本発明にあっては、上記のように、アミン化合
物を含む溶液で前処理された或いはリン酸水溶液にて予
備エッチング処理された被エッチング面（単結晶面）を
有するMn−Znフェライトを用いて、この被エッチング面
に対して所定パターンのマスクが形成されるが、それに
は、スクリーン印刷等の公知の手法が必要精度と経済性
の点から適宜に選択され、中でも、好適には、パターン
精度と工程の簡便さから、フォトレジストを用いた露光
による方法が採用されることとなる。なお、マスクに
は、ポジ型或いはネガ型のフォトレジストや、真空蒸
着、スパッタリング若しくはCVD法等によって形成され
た、Cr等の金属やSiO若しくはSiO2等の各種のマスクを
使用することが可能であり、操作性、経済性と併わせ
て、マスクのフェライト表面への密着性等の点から適宜
に選択されることとなる。
物を含む溶液で前処理された或いはリン酸水溶液にて予
備エッチング処理された被エッチング面（単結晶面）を
有するMn−Znフェライトを用いて、この被エッチング面
に対して所定パターンのマスクが形成されるが、それに
は、スクリーン印刷等の公知の手法が必要精度と経済性
の点から適宜に選択され、中でも、好適には、パターン
精度と工程の簡便さから、フォトレジストを用いた露光
による方法が採用されることとなる。なお、マスクに
は、ポジ型或いはネガ型のフォトレジストや、真空蒸
着、スパッタリング若しくはCVD法等によって形成され
た、Cr等の金属やSiO若しくはSiO2等の各種のマスクを
使用することが可能であり、操作性、経済性と併わせ
て、マスクのフェライト表面への密着性等の点から適宜
に選択されることとなる。
次いで、このような所定のマスクパターンが付与された
Mn−Znフェライトの単結晶面には、化学エッチング処理
が施され、それによって、該マスクパターンに対応した
凹凸パターンが、かかるMn−Znフェライトの被エッチン
グ単結晶面に形成されるのである。なお、この化学エッ
チングには、本願出願人が先に特願昭60−222388号にお
いて明らかにした手法が、同様に採用され、少なくとも
20重量％の水分を含むリン酸主体水溶液中に、前述のマ
スクが形成されたMn−Znフェライトの単結晶面を浸漬す
ることによって、行なわれることとなる。また、エッチ
ング深さは、用いたリン酸主体水溶液中の水分量、処理
温度、処理時間によって決定されるものである。
Mn−Znフェライトの単結晶面には、化学エッチング処理
が施され、それによって、該マスクパターンに対応した
凹凸パターンが、かかるMn−Znフェライトの被エッチン
グ単結晶面に形成されるのである。なお、この化学エッ
チングには、本願出願人が先に特願昭60−222388号にお
いて明らかにした手法が、同様に採用され、少なくとも
20重量％の水分を含むリン酸主体水溶液中に、前述のマ
スクが形成されたMn−Znフェライトの単結晶面を浸漬す
ることによって、行なわれることとなる。また、エッチ
ング深さは、用いたリン酸主体水溶液中の水分量、処理
温度、処理時間によって決定されるものである。
なお、かかるエッチングにおける処理温度は、エッチン
グ量と処理時間との関係から適宜に決定されることとな
るが、比較的エッチング量の少ない、９μｍのエッチン
グを行なう場合において、処理温度が50℃以下では約９
時間以上を要し、工業的に実施するには不適切である。
また、マスクにフォトレジストを使用した場合にあって
は、長時間に亘って化学エッチングを行なうと、マスク
が膨潤し、フェライト表面との密着性が低下して、寸法
精度の低下を招くため、処理時間は、短ければ短い程、
望ましい。
グ量と処理時間との関係から適宜に決定されることとな
るが、比較的エッチング量の少ない、９μｍのエッチン
グを行なう場合において、処理温度が50℃以下では約９
時間以上を要し、工業的に実施するには不適切である。
また、マスクにフォトレジストを使用した場合にあって
は、長時間に亘って化学エッチングを行なうと、マスク
が膨潤し、フェライト表面との密着性が低下して、寸法
精度の低下を招くため、処理時間は、短ければ短い程、
望ましい。
しかしながら、処理温度を90℃以上にすると、リン酸主
体水溶液の水分量の変化が著しくなると共に、溶液内で
の温度分布が不均一になり、エッチング量のばらつきが
大きくなる。従って、処理温度は90℃以下とすることが
望ましく、より好適には50〜90℃の範囲とすることが望
ましい。但し、温度の下限に関しては、エッチング量が
少ない場合や密着性の良いマスクを使用した場合等、他
の条件との関係から最適な条件が定められるべきもので
あり、この範囲に限定されるべきものではない。
体水溶液の水分量の変化が著しくなると共に、溶液内で
の温度分布が不均一になり、エッチング量のばらつきが
大きくなる。従って、処理温度は90℃以下とすることが
望ましく、より好適には50〜90℃の範囲とすることが望
ましい。但し、温度の下限に関しては、エッチング量が
少ない場合や密着性の良いマスクを使用した場合等、他
の条件との関係から最適な条件が定められるべきもので
あり、この範囲に限定されるべきものではない。
また、本発明では、上記の如きエッチングに際して、Mn
−Znフェライトの被エッチング単結晶面としては、先の
特願昭62−171666号に明らかにした如く、（100），（1
10），（311），（332），（611），（331）の各結晶方
位が有利に利用されることとなる。そして、エッチング
により形成される傾斜面の表面の平坦度を維持しつつ、
エッチング稜部の直線性を±５μｍ以内に維持し、且つ
断面形状を線対称にするためには、被エッチング面の結
晶方位が上記の中から選択され、且つパターンの境界線
が単結晶の（100）或いは（110）面内に含まれるように
設定されるのである。従って、例えば、被エッチング面
として（100）面を選択した場合において、パターン
は、〈100〉若しくは〈110〉軸方向に延びるように形成
されることとなり、また、（311）面を選択した場合に
は、パターンは〈332〉軸方向に延びるように形成され
るのである。
−Znフェライトの被エッチング単結晶面としては、先の
特願昭62−171666号に明らかにした如く、（100），（1
10），（311），（332），（611），（331）の各結晶方
位が有利に利用されることとなる。そして、エッチング
により形成される傾斜面の表面の平坦度を維持しつつ、
エッチング稜部の直線性を±５μｍ以内に維持し、且つ
断面形状を線対称にするためには、被エッチング面の結
晶方位が上記の中から選択され、且つパターンの境界線
が単結晶の（100）或いは（110）面内に含まれるように
設定されるのである。従って、例えば、被エッチング面
として（100）面を選択した場合において、パターン
は、〈100〉若しくは〈110〉軸方向に延びるように形成
されることとなり、また、（311）面を選択した場合に
は、パターンは〈332〉軸方向に延びるように形成され
るのである。
その他、同様の理由により、適当な結晶方位とパターン
の境界線の延びる方向との組合せは、それぞれ、（11
0）と〈100〉，（110）と〈110〉，（332）と〈311〉，
（611）と〈331〉，（331）と〈611〉の何れかの組合せ
が好適に選択されることとなる。
の境界線の延びる方向との組合せは、それぞれ、（11
0）と〈100〉，（110）と〈110〉，（332）と〈311〉，
（611）と〈331〉，（331）と〈611〉の何れかの組合せ
が好適に選択されることとなる。
そして、上記の如くして凹凸エッチング処理されたMn−
Znフェライトの単結晶面からマスクが除去されることに
よって、そこに、目的とする凹凸パターンが、精度よ
く、またサイドエッチング量少なく、更には直線性のよ
いエッチングエッジ部をもって、形成されることとなる
のである。
Znフェライトの単結晶面からマスクが除去されることに
よって、そこに、目的とする凹凸パターンが、精度よ
く、またサイドエッチング量少なく、更には直線性のよ
いエッチングエッジ部をもって、形成されることとなる
のである。
なお、本発明は、以上の具体的説明並びに好ましい実施
形態のみに限定されるものでは決してなく、本発明の趣
旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて
種々なる変更、修正、改良等を加えた形態において実施
されるものであり、本発明が、またそのような実施形態
のものをも含むものであることが、理解されるべきであ
る。
形態のみに限定されるものでは決してなく、本発明の趣
旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて
種々なる変更、修正、改良等を加えた形態において実施
されるものであり、本発明が、またそのような実施形態
のものをも含むものであることが、理解されるべきであ
る。
例えば、上記の具体的説明では、主としてRDD磁気ヘッ
ド用コアに基づいて、話が進められているが、本発明
は、それに限定されるものでは決してなく、フロッピー
ディスクドライブ用磁気ヘッド用コアやVTR用磁気ヘッ
ド用コアのトラック加工、磁気ギャップ加工、フェライ
ト単結晶面の表面に凹凸形状のパターンを形成する工程
の全てに適用することが可能であり、従来の機械加工で
は為し得なかった微細孔加工等も可能とするものであ
る。
ド用コアに基づいて、話が進められているが、本発明
は、それに限定されるものでは決してなく、フロッピー
ディスクドライブ用磁気ヘッド用コアやVTR用磁気ヘッ
ド用コアのトラック加工、磁気ギャップ加工、フェライ
ト単結晶面の表面に凹凸形状のパターンを形成する工程
の全てに適用することが可能であり、従来の機械加工で
は為し得なかった微細孔加工等も可能とするものであ
る。
（実施例） 以下、本発明を更に具体的に明らかにするために、本発
明の幾つかの実施例を比較例と共に示すが、本発明が、
また、かかる実施例の記載によって、何等制限的に解釈
されるものでないことは、言うまでもないところであ
る。なお、実施例中の百分率は、特に断わりのない限
り、重量基準によるものである。
明の幾つかの実施例を比較例と共に示すが、本発明が、
また、かかる実施例の記載によって、何等制限的に解釈
されるものでないことは、言うまでもないところであ
る。なお、実施例中の百分率は、特に断わりのない限
り、重量基準によるものである。
実施例１ Mn−Znフェライト単結晶体からなる基板の（110）面
を、常法に従って、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒に
て鏡面研磨した後、このMn−Znフェライト単結晶基板
を、液温:25℃において、エタノールアミン濃度が０〜1
00％の各種の水溶液に30分間浸漬することにより、前処
理した。次いで、この前処理されたMn−Znフェライト単
結晶基板の鏡面研磨面（被エッチング面）に、下記第１
表のフォトリソグラフィー条件で所定のレジストパター
ンを形成した後、H3PO4濃度:77.8％、液温:80℃のリン
酸水溶液にて化学エッチングを行ない、かかる鏡面研磨
面にエッチング量:20μｍの凹凸パターンを形成した。
を、常法に従って、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒に
て鏡面研磨した後、このMn−Znフェライト単結晶基板
を、液温:25℃において、エタノールアミン濃度が０〜1
00％の各種の水溶液に30分間浸漬することにより、前処
理した。次いで、この前処理されたMn−Znフェライト単
結晶基板の鏡面研磨面（被エッチング面）に、下記第１
表のフォトリソグラフィー条件で所定のレジストパター
ンを形成した後、H3PO4濃度:77.8％、液温:80℃のリン
酸水溶液にて化学エッチングを行ない、かかる鏡面研磨
面にエッチング量:20μｍの凹凸パターンを形成した。
上記エッチング処理された各種のMn−Znフェライト単結
晶基板における凹凸パターンのサイドエッチング量をそ
れぞれ計測し、前処理におけるエタノールアミンの濃度
とサイドエッチング量（その最大値及び最小値）との関
係を、第３図に示した。即ち、この第３図は、Mn−Znフ
ェライト単結晶基板に凹凸パターンを形成した時のサイ
ドエッチング量のエタノールアミン濃度に対する依存性
を示したものである。
晶基板における凹凸パターンのサイドエッチング量をそ
れぞれ計測し、前処理におけるエタノールアミンの濃度
とサイドエッチング量（その最大値及び最小値）との関
係を、第３図に示した。即ち、この第３図は、Mn−Znフ
ェライト単結晶基板に凹凸パターンを形成した時のサイ
ドエッチング量のエタノールアミン濃度に対する依存性
を示したものである。
そして、かかる第３図から明らかなように、サイドエッ
チング量には、エタノールアミンの濃度に対する依存性
が認められ、エタノールアミン濃度が50％以下、望まし
くは５〜25％の範囲において浸漬効果が著しいことが認
められるのである。
チング量には、エタノールアミンの濃度に対する依存性
が認められ、エタノールアミン濃度が50％以下、望まし
くは５〜25％の範囲において浸漬効果が著しいことが認
められるのである。
比較例１ Mn−Znフェライト単結晶体の（110）面を、常法に従っ
て、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒で鏡面研磨した
後、エタノールアミン前処理を行なうことなく、かかる
鏡面研磨面に、前記第１表に示されるフォトリソグラフ
ィー条件でレジストパターンを付与せしめ、更にその
後、H3PO4濃度:77.8％、液温:80℃のリン酸水溶液中に
おいて、該鏡面研磨面の化学エッチングを行ない、エッ
チング量:20μｍの凹凸パターンを形成した。
て、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒で鏡面研磨した
後、エタノールアミン前処理を行なうことなく、かかる
鏡面研磨面に、前記第１表に示されるフォトリソグラフ
ィー条件でレジストパターンを付与せしめ、更にその
後、H3PO4濃度:77.8％、液温:80℃のリン酸水溶液中に
おいて、該鏡面研磨面の化学エッチングを行ない、エッ
チング量:20μｍの凹凸パターンを形成した。
かかるエッチング操作によって形成された凹凸パターン
のサイドエッチング量と直線性について評価した結果、
サイドエッチング量は90〜135μｍであり、直線性も不
良であった。従って、この結果から、レジスト塗布前に
前処理を行なわない場合においては、サイドエッチング
量も大きく、直線性も悪い凹凸パターンしか得ることが
出来ないのである。
のサイドエッチング量と直線性について評価した結果、
サイドエッチング量は90〜135μｍであり、直線性も不
良であった。従って、この結果から、レジスト塗布前に
前処理を行なわない場合においては、サイドエッチング
量も大きく、直線性も悪い凹凸パターンしか得ることが
出来ないのである。
実施例２ Mn−Znフェライト単結晶体（基板）の（110）面を、常
法に従って、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒にて鏡面
研磨した後、かかるMn−Znフェライト単結晶体を、液温
が25℃若しくは80℃の20％エタノールアミン水溶液に５
〜100分間浸漬して前処理し、次いで、かかるMn−Znフ
ェライト単結晶体の鏡面研磨面に、前記第１表と同様な
フォトリソグラフィー条件にてレジストパターンを形成
し、更にその後、H3PO4濃度:77.8％、液温:80℃のリン
酸水溶液を用いて、かかる鏡面研磨面の化学エッチング
を行ない、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを形成
した。
法に従って、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒にて鏡面
研磨した後、かかるMn−Znフェライト単結晶体を、液温
が25℃若しくは80℃の20％エタノールアミン水溶液に５
〜100分間浸漬して前処理し、次いで、かかるMn−Znフ
ェライト単結晶体の鏡面研磨面に、前記第１表と同様な
フォトリソグラフィー条件にてレジストパターンを形成
し、更にその後、H3PO4濃度:77.8％、液温:80℃のリン
酸水溶液を用いて、かかる鏡面研磨面の化学エッチング
を行ない、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを形成
した。
そして、それぞれの条件下におけるMn−Znフェライト単
結晶基板に対する凹凸パターンの形成操作において、Mn
−Znフェライト単結晶体のエタノールアミン水溶液への
浸漬時間に対するサイドエッチング量の関係、即ち依存
性の結果が、それぞれ、第４図及び第５図に示されてい
る。なお、第４図は、エタノールアミン水溶液の温度が
25℃の時のものであり、第５図は、エタノールアミン水
溶液の温度が80℃の時のものである。また、形成された
フェライトエッチングパターンは、パターンエッジ部の
直線性が悪いことを表すために、サイドエッチング量
は、最小サイドエッチング量を実線で、最大サイドエッ
チング量を破線で示した。
結晶基板に対する凹凸パターンの形成操作において、Mn
−Znフェライト単結晶体のエタノールアミン水溶液への
浸漬時間に対するサイドエッチング量の関係、即ち依存
性の結果が、それぞれ、第４図及び第５図に示されてい
る。なお、第４図は、エタノールアミン水溶液の温度が
25℃の時のものであり、第５図は、エタノールアミン水
溶液の温度が80℃の時のものである。また、形成された
フェライトエッチングパターンは、パターンエッジ部の
直線性が悪いことを表すために、サイドエッチング量
は、最小サイドエッチング量を実線で、最大サイドエッ
チング量を破線で示した。
かかる第４図及び第５図から明らかなように、Mn−Znフ
ェライトの単結晶面の凹凸パターンのサイドエッチング
量は、エタノールアミン水溶液への浸漬時間が長くなる
に従って小さくなり、80℃のエタノールアミン水溶液へ
の浸漬時間が100分である場合において、サイドエッチ
ング量が21μｍとなり、直線性も極めて良好なMn−Znフ
ェライト単結晶の凹凸パターンを形成し得ることが認め
られた。
ェライトの単結晶面の凹凸パターンのサイドエッチング
量は、エタノールアミン水溶液への浸漬時間が長くなる
に従って小さくなり、80℃のエタノールアミン水溶液へ
の浸漬時間が100分である場合において、サイドエッチ
ング量が21μｍとなり、直線性も極めて良好なMn−Znフ
ェライト単結晶の凹凸パターンを形成し得ることが認め
られた。
なお、代表的なエタノールアミン処理条件と形成された
凹凸パターンの直線性及びサイドエッチング量との関係
を、下記第２表に示す。
凹凸パターンの直線性及びサイドエッチング量との関係
を、下記第２表に示す。
比較例２ Mn−Znフェライトの（110）単結晶面を、常法に従っ
て、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒にて鏡面研磨した
後、N2雰囲気中において、500℃で２時間アニール（焼
鈍）し、次いで、かかる鏡面研磨面に対して、前記第１
表に示される如きフォトリソグラフィー条件にて所定の
レジストパターンを形成した後、H3PO4濃度:77.8％、液
温:80℃のリン酸水溶液で、該鏡面研磨面の化学エッチ
ングを行ない、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを
形成した。その結果、凹凸パターンの直線性は優れてい
ることが認められたが、サイドエッチング量は105μｍ
となった。従って、この結果から理解されるように、レ
ジスト塗布前にアニール処理を行なっても、Mn−Znフェ
ライトの単結晶面に形成される凹凸パターンのサイドエ
ッチング量を少なくすることは困難であるのである。
て、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒にて鏡面研磨した
後、N2雰囲気中において、500℃で２時間アニール（焼
鈍）し、次いで、かかる鏡面研磨面に対して、前記第１
表に示される如きフォトリソグラフィー条件にて所定の
レジストパターンを形成した後、H3PO4濃度:77.8％、液
温:80℃のリン酸水溶液で、該鏡面研磨面の化学エッチ
ングを行ない、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを
形成した。その結果、凹凸パターンの直線性は優れてい
ることが認められたが、サイドエッチング量は105μｍ
となった。従って、この結果から理解されるように、レ
ジスト塗布前にアニール処理を行なっても、Mn−Znフェ
ライトの単結晶面に形成される凹凸パターンのサイドエ
ッチング量を少なくすることは困難であるのである。
実施例３ Mn−Znフェライトの（110）単結晶面を、常法に従っ
て、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒にて鏡面研磨した
後、かかるMn−Znフェライトを、N2雰囲気中において、
500℃で２時間のアニール処理を行ない、次いで液温:25
℃、1.5％のエタノールアミン水溶液に30分の間浸漬し
て前処理を施し、更にその後、かかるMn−Znフェライト
の鏡面研磨面に対して、前記第１表に示されるフォトリ
ソグラフィー条件の下に所定のレジストパターンを形成
した後、H3PO4濃度:77.8％、液温:80℃のリン酸水溶液
にて、該鏡面研磨面の化学エッチングを行なうことによ
り、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを形成した。
て、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒にて鏡面研磨した
後、かかるMn−Znフェライトを、N2雰囲気中において、
500℃で２時間のアニール処理を行ない、次いで液温:25
℃、1.5％のエタノールアミン水溶液に30分の間浸漬し
て前処理を施し、更にその後、かかるMn−Znフェライト
の鏡面研磨面に対して、前記第１表に示されるフォトリ
ソグラフィー条件の下に所定のレジストパターンを形成
した後、H3PO4濃度:77.8％、液温:80℃のリン酸水溶液
にて、該鏡面研磨面の化学エッチングを行なうことによ
り、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを形成した。
そして、かかるエッチング処理の施されたMn−Znフェラ
イトについて、その鏡面研磨面に形成された凹凸パター
ンのサイドエッチング量と直線性を評価した。その結
果、直線性において優れていることが認められると共
に、サイドエッチング量は18μｍとなり、優れた結果を
得た。即ち、エタノールアミン溶液に浸漬する前にアニ
ール処理を行なうことによって、低濃度、低温のエタノ
ールアミン溶液を用い、しかも短時間の浸漬処理にてサ
イドエッチング量の少ない、直線性も極めて良好なMn−
Znフェライト単結晶の凹凸パターンを形成することが出
来たのである。
イトについて、その鏡面研磨面に形成された凹凸パター
ンのサイドエッチング量と直線性を評価した。その結
果、直線性において優れていることが認められると共
に、サイドエッチング量は18μｍとなり、優れた結果を
得た。即ち、エタノールアミン溶液に浸漬する前にアニ
ール処理を行なうことによって、低濃度、低温のエタノ
ールアミン溶液を用い、しかも短時間の浸漬処理にてサ
イドエッチング量の少ない、直線性も極めて良好なMn−
Znフェライト単結晶の凹凸パターンを形成することが出
来たのである。
実施例４ Mn−Znフェライト単結晶体からなる基板の（110）面
を、常法に従って、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒に
て鏡面研磨した後、このMn−Znフェライト単結晶基板
を、液温:50℃、H3PO4濃度:77.8重量％のリン酸水溶液
中に、所定時間浸漬することにより、該研磨面を各種の
深さに予備エッチング処理した。なお、このエッチング
時間に対するエッチング量としては、例えば浸漬時間30
秒で150Åであった。
を、常法に従って、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒に
て鏡面研磨した後、このMn−Znフェライト単結晶基板
を、液温:50℃、H3PO4濃度:77.8重量％のリン酸水溶液
中に、所定時間浸漬することにより、該研磨面を各種の
深さに予備エッチング処理した。なお、このエッチング
時間に対するエッチング量としては、例えば浸漬時間30
秒で150Åであった。
次いで、かくして得られた各種の深さにエッチング処理
されたMn−Znフェライト単結晶基板の鏡面研磨面に、そ
れぞれ、前記第１表に示されるフォトリソグラフィー条
件で所定のレジストパターンを形成した後、液温:80
℃、H3PO4濃度:77.8重量％のリン酸水溶液にて化学エッ
チングを行ない、かかる鏡面研磨面に、エッチング量:2
0μｍの凹凸パターンを形成した。
されたMn−Znフェライト単結晶基板の鏡面研磨面に、そ
れぞれ、前記第１表に示されるフォトリソグラフィー条
件で所定のレジストパターンを形成した後、液温:80
℃、H3PO4濃度:77.8重量％のリン酸水溶液にて化学エッ
チングを行ない、かかる鏡面研磨面に、エッチング量:2
0μｍの凹凸パターンを形成した。
上記エッチング処理された各種のMn−Znフェライト単結
晶基板における凹凸パターンのサイドエッチング量をそ
れぞれ計測し、そのサイドエッチング量と前処理として
の予備エッチング量との関係を、第６図に示した。
晶基板における凹凸パターンのサイドエッチング量をそ
れぞれ計測し、そのサイドエッチング量と前処理として
の予備エッチング量との関係を、第６図に示した。
かかる第６図に示されているように、レジストを塗布す
る前に16Åエッチングすることにより、サイドエッチン
グ量は95μｍから35μｍに減少し、またサイドエッチン
グ量の最大−最小値の幅（サイドエッチング量のばらつ
き）も37μｍから７μｍに減少することが認められ、こ
れによってパターン寸法精度が大きく向上していること
が判った。
る前に16Åエッチングすることにより、サイドエッチン
グ量は95μｍから35μｍに減少し、またサイドエッチン
グ量の最大−最小値の幅（サイドエッチング量のばらつ
き）も37μｍから７μｍに減少することが認められ、こ
れによってパターン寸法精度が大きく向上していること
が判った。
なお、レジスト塗布前の予備エッチング量としては、第
６図及び下記第３表からも明らかなように、1000Å以上
が望ましいことが認められる。即ち、かかるエッチング
量が1000Å以上の場合にあっては、サイドエッチング量
が20μｍ程度に安定して、サイドエッチング量のばらつ
きがなくなり、パターン寸法精度を更に向上させ得るの
である。
６図及び下記第３表からも明らかなように、1000Å以上
が望ましいことが認められる。即ち、かかるエッチング
量が1000Å以上の場合にあっては、サイドエッチング量
が20μｍ程度に安定して、サイドエッチング量のばらつ
きがなくなり、パターン寸法精度を更に向上させ得るの
である。
比較例３ Mn−Znフェライト単結晶体の（110）面を、常法に従っ
て、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒で鏡面研磨した
後、リン酸水溶液による予備エッチングを行なうことな
く、かかる鏡面研磨面に、前記第１表に示されるフォト
リソグラフィー条件でレジストパターンを付与せしめ、
更にその後、H3PO4濃度:77.8重量％、液温:80℃のリン
酸水溶液中において、該鏡面研磨面の化学エッチングを
行ない、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを形成し
た。
て、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒で鏡面研磨した
後、リン酸水溶液による予備エッチングを行なうことな
く、かかる鏡面研磨面に、前記第１表に示されるフォト
リソグラフィー条件でレジストパターンを付与せしめ、
更にその後、H3PO4濃度:77.8重量％、液温:80℃のリン
酸水溶液中において、該鏡面研磨面の化学エッチングを
行ない、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを形成し
た。
かかるエッチング操作によって形成された凹凸パターン
のサイドエッチング量と直線性について評価した結果、
サイドエッチング量は90〜135μｍであり、直線性も不
良であった。従って、この結果から、レジスト塗布前に
前処理を行なわない場合においては、サイドエッチング
量も大きく、直線性も悪い凹凸パターンしか得ることが
出来ないのである。
のサイドエッチング量と直線性について評価した結果、
サイドエッチング量は90〜135μｍであり、直線性も不
良であった。従って、この結果から、レジスト塗布前に
前処理を行なわない場合においては、サイドエッチング
量も大きく、直線性も悪い凹凸パターンしか得ることが
出来ないのである。
実施例５ Mn−Znフェライト単結晶体（基板）の（110）面を、常
法に従って、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒にて鏡面
研磨した後、500℃において、N2雰囲気中に２時間アニ
ールし、その後、実施例１と同様に、温度:50℃、H3PO4
濃度:77.8重量％のリン酸水溶液中に所定時間浸漬し
て、該研磨面を各種の深さに予備エッチング処理した。
法に従って、粒度:1/4μｍのダイヤモンド砥粒にて鏡面
研磨した後、500℃において、N2雰囲気中に２時間アニ
ールし、その後、実施例１と同様に、温度:50℃、H3PO4
濃度:77.8重量％のリン酸水溶液中に所定時間浸漬し
て、該研磨面を各種の深さに予備エッチング処理した。
次いで、かかる予備エッチング処理の施されたMn−Znフ
ェライト単結晶面に、それぞれ、前記第１表と同様なフ
ォトリソグラフィー条件にてレジストパターンを形成
し、更にその後、H3PO4濃度:77.8重量％、液温:80℃の
リン酸水溶液を用いて、かかる単結晶面の化学エッチン
グを行ない、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを形
成した。
ェライト単結晶面に、それぞれ、前記第１表と同様なフ
ォトリソグラフィー条件にてレジストパターンを形成
し、更にその後、H3PO4濃度:77.8重量％、液温:80℃の
リン酸水溶液を用いて、かかる単結晶面の化学エッチン
グを行ない、エッチング量:20μｍの凹凸パターンを形
成した。
そして、それぞれの条件下におけるMn−Znフェライト単
結晶基板に対する凹凸パターンの形成操作において、Mn
−Znフェライト単結晶体のレジスト塗布前のエッチング
量とサイドエッチング量の関係、即ち、依存性を調べ、
その結果を、第７図に示した。
結晶基板に対する凹凸パターンの形成操作において、Mn
−Znフェライト単結晶体のレジスト塗布前のエッチング
量とサイドエッチング量の関係、即ち、依存性を調べ、
その結果を、第７図に示した。
かかる第７図の結果を、前記実施例４の第６図の結果と
比較すると、レジスト塗布前の予備エッチング処理を行
なう前に、上記アニールを施すことによって、予備エッ
チング量が13Åでも20μｍのサイドエッチング量が安定
して得られることが認められるのである。なお、アニー
ルのみを行なって、予備エッチングを施さない場合に
は、サイドエッチング量が22〜105μｍとなり、製品間
でのばらつきが大きいため、再現性に欠けることが判っ
た。
比較すると、レジスト塗布前の予備エッチング処理を行
なう前に、上記アニールを施すことによって、予備エッ
チング量が13Åでも20μｍのサイドエッチング量が安定
して得られることが認められるのである。なお、アニー
ルのみを行なって、予備エッチングを施さない場合に
は、サイドエッチング量が22〜105μｍとなり、製品間
でのばらつきが大きいため、再現性に欠けることが判っ
た。
（発明の効果） 以上の説明から明らかなように、本発明に従うMn−Znフ
ェライトの単結晶面の化学エッチングによる加工手法に
おいては、所定パターンのマスクの形成に先立って、ア
ミン化合物を含む溶液にて、かかるMn−Znフェライトの
被エッチング単結晶面を処理することによって、或いは
リン酸水溶液中で、かかるMn−Znフェライトの単結晶面
を少なくとも10Åの厚さで予備エッチング処理すること
によって、付与された所定のマスクパターンに基づい
て、化学エッチングにて形成されるMn−Znフェライト単
結晶における凹凸パターンのサイドエッチング量を著し
く減少せしめ得ると共に、その直線性の向上とパターン
精度の向上に対して著しい効果を奏するのである。
ェライトの単結晶面の化学エッチングによる加工手法に
おいては、所定パターンのマスクの形成に先立って、ア
ミン化合物を含む溶液にて、かかるMn−Znフェライトの
被エッチング単結晶面を処理することによって、或いは
リン酸水溶液中で、かかるMn−Znフェライトの単結晶面
を少なくとも10Åの厚さで予備エッチング処理すること
によって、付与された所定のマスクパターンに基づい
て、化学エッチングにて形成されるMn−Znフェライト単
結晶における凹凸パターンのサイドエッチング量を著し
く減少せしめ得ると共に、その直線性の向上とパターン
精度の向上に対して著しい効果を奏するのである。
また、Mn−Znフェライト単結晶の他に、ガラスを含む固
定磁気ディスクヘッド用コアの空気浮上面やトラックを
形成する場合にも、本発明による加工手法を採用すれ
ば、少なくとも熱処理温度を500℃以上に高くする必要
がないこと、或いはまたアミン化合物はMn−Znフェライ
トを殆どエッチングしないこと等から、ギャップガラス
による制約を受けることなく、化学エッチングによる加
工方法のもつ機械加工に対する本質的な優位性、即ちチ
ッピング、クラックの発生がないこと、大量に一括形成
が出来ること、加工精度が高いこと等の優位性を充分に
発揮することが出来るのである。
定磁気ディスクヘッド用コアの空気浮上面やトラックを
形成する場合にも、本発明による加工手法を採用すれ
ば、少なくとも熱処理温度を500℃以上に高くする必要
がないこと、或いはまたアミン化合物はMn−Znフェライ
トを殆どエッチングしないこと等から、ギャップガラス
による制約を受けることなく、化学エッチングによる加
工方法のもつ機械加工に対する本質的な優位性、即ちチ
ッピング、クラックの発生がないこと、大量に一括形成
が出来ること、加工精度が高いこと等の優位性を充分に
発揮することが出来るのである。
また、ドライエッチング法と比較しても、例えばArイオ
ンによるイオンビームエッチングでは60分で３μｍしか
エッチング出来なかったのに対し、本法では20μｍと６
倍以上速く加工出来、生産性を著しく向上することが出
来るものである。
ンによるイオンビームエッチングでは60分で３μｍしか
エッチング出来なかったのに対し、本法では20μｍと６
倍以上速く加工出来、生産性を著しく向上することが出
来るものである。
第１図は、固定磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッ
ド用コアの一例を示す斜視図であり、第２図（ａ）は、
そのような固定磁気ディスク装置の磁気ヘッド用コアを
製造する方法の一例を示す工程説明図であり、第２図
（ｂ）は、第２図（ａ）の工程における化学エッチング
の状態を示す模式図であり、第３図は、実施例１におい
て得られたサイドエッチング量とエタノールアミン濃度
との関係を示すグラフであり、第４図及び第５図は、そ
れぞれ、実施例２において得られたエタノールアミン溶
液の液温が25℃と80℃の場合における、サイドエッチン
グ量と浸漬時間の関係を示すグラフである。第６図は、
実施例４において得られたレジスト塗布前のエッチング
量とサイドエッチング量との関係を示すグラフであり、
第７図は、実施例５において得られたレジスト塗布前の
エッチング量とサイドエッチング量との関係を示すグラ
フである。 1:磁気ヘッド用コア、2:溝 3:空気浮上面、4:トラック ５〜10:傾斜加工面 11:磁気ギャップ、12:ギャップバー 13:摺動面、14:マスク 15:エッチングエッジ部
ド用コアの一例を示す斜視図であり、第２図（ａ）は、
そのような固定磁気ディスク装置の磁気ヘッド用コアを
製造する方法の一例を示す工程説明図であり、第２図
（ｂ）は、第２図（ａ）の工程における化学エッチング
の状態を示す模式図であり、第３図は、実施例１におい
て得られたサイドエッチング量とエタノールアミン濃度
との関係を示すグラフであり、第４図及び第５図は、そ
れぞれ、実施例２において得られたエタノールアミン溶
液の液温が25℃と80℃の場合における、サイドエッチン
グ量と浸漬時間の関係を示すグラフである。第６図は、
実施例４において得られたレジスト塗布前のエッチング
量とサイドエッチング量との関係を示すグラフであり、
第７図は、実施例５において得られたレジスト塗布前の
エッチング量とサイドエッチング量との関係を示すグラ
フである。 1:磁気ヘッド用コア、2:溝 3:空気浮上面、4:トラック ５〜10:傾斜加工面 11:磁気ギャップ、12:ギャップバー 13:摺動面、14:マスク 15:エッチングエッジ部
Claims (2)
- 【請求項１】Mn−Znフェライトの単結晶面に所定のマス
クパターンを付与し、次いで化学エッチングによって、
該マスクパターンに対応した凹凸パターンを前記Mn−Zn
フェライトの単結晶面に形成するに際して、該マスクパ
ターンを付与するに先立ち、前記Mn−Znフェライトの被
エッチング単結晶面を、アミン化合物を含む溶液で処理
することを特徴とするMn−Znフェライト単結晶の加工方
法。 - 【請求項２】Mn−Znフェライトの単結晶面に所定のマス
クパターンを付与し、次いで化学エッチングによって、
該マスクパターンに対応した凹凸パターンを前記Mn−Zn
フェライトの単結晶面に形成するに際して、該マスクパ
ターンを付与するに先立ち、前記Mn−Znフェライトの被
エッチング単結晶面を、リン酸水溶液中において、少な
くとも10Åエッチング処理することを特徴とするMn−Zn
フェライトの加工方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63075744A JPH0770384B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Ｍｎ−Ｚｎフェライトの加工方法 |
| US07/291,648 US4875970A (en) | 1988-03-29 | 1988-12-29 | Method of forming recessed profile on ferrite single crystal by chemical etching |
| DE89300126T DE68908589T2 (de) | 1988-03-29 | 1989-01-06 | Verfahren zur Bildung eines ausgesparten Profils in einem Ferrit-Einkristall durch chemische Ätzung. |
| EP89300126A EP0336525B1 (en) | 1988-03-29 | 1989-01-06 | Method of forming recessed profile on ferrite single crystal by chemical etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63075744A JPH0770384B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Ｍｎ−Ｚｎフェライトの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248505A JPH01248505A (ja) | 1989-10-04 |
| JPH0770384B2 true JPH0770384B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13585094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63075744A Expired - Lifetime JPH0770384B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Ｍｎ−Ｚｎフェライトの加工方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4875970A (ja) |
| EP (1) | EP0336525B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0770384B2 (ja) |
| DE (1) | DE68908589T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260611A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Ngk Insulators Ltd | 磁気ヘッド用コアの製造法及びそれによって得られた磁気ヘッド用コア |
| US5138508A (en) * | 1988-04-12 | 1992-08-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Magnetic head core |
| JPH0730465B2 (ja) * | 1989-01-09 | 1995-04-05 | 日本碍子株式会社 | 負圧形磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
| US5645774A (en) * | 1989-09-19 | 1997-07-08 | Ferronics Incorporated | Method for establishing a target magnetic permeability in a ferrite |
| FR2664729B1 (fr) * | 1990-07-11 | 1992-09-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de tete magnetique possedant un entrefer presentant un azimut controlable. |
| US5225033A (en) * | 1990-11-19 | 1993-07-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process for producing magnetic head of the floating type |
| US5114532A (en) * | 1991-03-21 | 1992-05-19 | Seagate Technology, Inc. | Process of etching iron-silicon-aluminum trialloys and etchant solutions used therefor |
| KR100460131B1 (ko) * | 2002-05-08 | 2004-12-03 | 한국과학기술연구원 | 초 고밀도 자기기록용 플래너형 기록헤드의 특성 최적화방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114111A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of manufacturing magnetic heads |
| US4169026A (en) * | 1976-07-23 | 1979-09-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Etchant for electrolytic etching of a ferrite for a magnetic head and method of producing a magnetic head |
| JPS56163518A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-16 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPH0740335B2 (ja) * | 1983-12-27 | 1995-05-01 | 日本碍子株式会社 | 磁気ヘッド用コアの製造方法 |
| US4751779A (en) * | 1986-04-02 | 1988-06-21 | Ds Scanner Co., Ltd. | Method of producing a core for magnetic head |
| JPS62234214A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-14 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH05236016A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Fujitsu Ltd | 転送データ長変換方式 |
| JPH06283483A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | エッチング方法 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63075744A patent/JPH0770384B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-29 US US07/291,648 patent/US4875970A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-06 DE DE89300126T patent/DE68908589T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-06 EP EP89300126A patent/EP0336525B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0336525A1 (en) | 1989-10-11 |
| EP0336525B1 (en) | 1993-08-25 |
| US4875970A (en) | 1989-10-24 |
| DE68908589T2 (de) | 1994-03-03 |
| DE68908589D1 (de) | 1993-09-30 |
| JPH01248505A (ja) | 1989-10-04 |
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