JPH0770457B2 - Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 - Google Patents
Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源Info
- Publication number
- JPH0770457B2 JPH0770457B2 JP61245267A JP24526786A JPH0770457B2 JP H0770457 B2 JPH0770457 B2 JP H0770457B2 JP 61245267 A JP61245267 A JP 61245267A JP 24526786 A JP24526786 A JP 24526786A JP H0770457 B2 JPH0770457 B2 JP H0770457B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- pair
- electrodes
- rays
- generation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＸ線露光方法、及びそれに用いられるＸ線発生
源に係り、特に、LSI製造用Ｘ線リソグラフィ装置のよ
うに、Ｘ線を利用して半導体基板上に微細パターンを形
成するものに好適なＸ線露光方法、及びそれに用いられ
るＸ線発生源に関する。
源に係り、特に、LSI製造用Ｘ線リソグラフィ装置のよ
うに、Ｘ線を利用して半導体基板上に微細パターンを形
成するものに好適なＸ線露光方法、及びそれに用いられ
るＸ線発生源に関する。
近年、より高性能な半導体集積回路を製造するために、
0.5μｍ以下の寸法を有する微細パターンを、半導体基
板上に形成する要求が高まつている。Ｘ線（主に４〜13
Åの軟Ｘ線）を使用したパターン転写技術であるＸ線露
光法は、転写されたパターンの精度が極めて高く、特に
サブミクロンパターン形成において有力な技術とされて
いる。
0.5μｍ以下の寸法を有する微細パターンを、半導体基
板上に形成する要求が高まつている。Ｘ線（主に４〜13
Åの軟Ｘ線）を使用したパターン転写技術であるＸ線露
光法は、転写されたパターンの精度が極めて高く、特に
サブミクロンパターン形成において有力な技術とされて
いる。
ところで、Ｘ線露光法を実施するには高出力で安定なＸ
線発生装置を必要とする。そこで最近、放電プラズマを
Ｘ線源とするＸ線発生装置が研究されている。この装置
は第４図に示す如く高電圧電源１により充電されたコン
デンサ２の電荷を一対の電極３・４間で放電させ、電極
３・４間に放電プラズマを生成し、プラズマ中で起こる
エネルギ遷移によつて放射されるＸ線を利用するもので
ある。なお、第４図中５はトリガー電極を示す。
線発生装置を必要とする。そこで最近、放電プラズマを
Ｘ線源とするＸ線発生装置が研究されている。この装置
は第４図に示す如く高電圧電源１により充電されたコン
デンサ２の電荷を一対の電極３・４間で放電させ、電極
３・４間に放電プラズマを生成し、プラズマ中で起こる
エネルギ遷移によつて放射されるＸ線を利用するもので
ある。なお、第４図中５はトリガー電極を示す。
このような従来技術としては、例えば、特開昭58−1880
40号公報に示される。
40号公報に示される。
上記従来技術は、プラズマ中のエネルギー遷移の制御の
点について配慮がなされておらず、弱いＸ線出力しか得
られないことに問題があつた。すなわちＸ線発生メカニ
ズムを説明すると、原子は、原子核とその回りを一定の
エネルギーレベルを持つた軌導を回る電子とから成る。
入射電子の運動エネルギーが電子の結合エネルギーより
大きくなれば、その殻から電子をたたき出す（光電効
果）。その空席に外殻軌道の電子が入りこむ特、電子の
保有するエネルギー差分をＸ線として放出する。第５図
にその様子を示す。高エネルギーの電子は自然放出さ
れ、遷移が偶発的に起こるもので、Ｘ線は不規則に放出
される。以上の様に、自然放出のエネルギー遷移を利用
しているため、制御が困難であつた。
点について配慮がなされておらず、弱いＸ線出力しか得
られないことに問題があつた。すなわちＸ線発生メカニ
ズムを説明すると、原子は、原子核とその回りを一定の
エネルギーレベルを持つた軌導を回る電子とから成る。
入射電子の運動エネルギーが電子の結合エネルギーより
大きくなれば、その殻から電子をたたき出す（光電効
果）。その空席に外殻軌道の電子が入りこむ特、電子の
保有するエネルギー差分をＸ線として放出する。第５図
にその様子を示す。高エネルギーの電子は自然放出さ
れ、遷移が偶発的に起こるもので、Ｘ線は不規則に放出
される。以上の様に、自然放出のエネルギー遷移を利用
しているため、制御が困難であつた。
本発明は上述の点に鑑みなされたもので、その目的とす
るところは、高輝度のＸ線出力が得られ、Ｘ線露光での
スループットが向上するＸ線露光方法、及びそれに用い
られるXS線発生源を提供するにある。
るところは、高輝度のＸ線出力が得られ、Ｘ線露光での
スループットが向上するＸ線露光方法、及びそれに用い
られるXS線発生源を提供するにある。
本発明では上記目的を達成するために、Ｘ線発生源より
のＸ線を利用して、微細パターンを半導体基板上に形成
する際に、 相対向する一対の電極間で発生する放電プラズマ中から
発生したＸ線を励起状態にある隣接する一対の電極間に
発生するプラズマに入射し、これにより誘発されるＸ線
を順次隣接する一対の電極間のプラズマに導いて誘導放
出させて形成されるＸ線レーザーを前記半導体基板上に
導いて露光するＸ線露光方法、 又、微細パターンを半導体基板上に形成するＸ線を発生
するＸ線発生源であって、 前記Ｘ線発生源は、真空容器と、該真空容器内に複数対
一直線上に設けられ、一方が絶縁物を介して該真空容器
に支持されている相対向する一対の電極と、該一対の電
極を覆うと共に、一対の電極の他方の電極と電気的に接
続され、かつ、一対の電極間で発生するＸ線を隣接する
一対の電極間に導く開孔部を有し、電気真空容器に絶縁
物を介して支持されている導電路と、前記一対の電極間
に放電を発生させるための高電圧印加手段を備えている
Ｘ線露光のためのＸ線発生源としたことを特徴とする。
のＸ線を利用して、微細パターンを半導体基板上に形成
する際に、 相対向する一対の電極間で発生する放電プラズマ中から
発生したＸ線を励起状態にある隣接する一対の電極間に
発生するプラズマに入射し、これにより誘発されるＸ線
を順次隣接する一対の電極間のプラズマに導いて誘導放
出させて形成されるＸ線レーザーを前記半導体基板上に
導いて露光するＸ線露光方法、 又、微細パターンを半導体基板上に形成するＸ線を発生
するＸ線発生源であって、 前記Ｘ線発生源は、真空容器と、該真空容器内に複数対
一直線上に設けられ、一方が絶縁物を介して該真空容器
に支持されている相対向する一対の電極と、該一対の電
極を覆うと共に、一対の電極の他方の電極と電気的に接
続され、かつ、一対の電極間で発生するＸ線を隣接する
一対の電極間に導く開孔部を有し、電気真空容器に絶縁
物を介して支持されている導電路と、前記一対の電極間
に放電を発生させるための高電圧印加手段を備えている
Ｘ線露光のためのＸ線発生源としたことを特徴とする。
第６図に原理を示す。励起状態にある原子に入射Ｘ線が
作用すると、入射Ｘ線と同じ方向に、同じ周波数位相、
さらに同じ偏光持性のＸ線が誘導放出され、入射Ｘ線の
強さに比例して放出される現象を利用するものである。
この現象を作り出すＸ線レーザは、複数のＸ線発生部を
一直線上の配設し、高速大電流放電により上記励起状態
を形成する。この時、Ｘ線が入射されると誘導放出によ
り高輝度のＸ線出力を得ることができる。
作用すると、入射Ｘ線と同じ方向に、同じ周波数位相、
さらに同じ偏光持性のＸ線が誘導放出され、入射Ｘ線の
強さに比例して放出される現象を利用するものである。
この現象を作り出すＸ線レーザは、複数のＸ線発生部を
一直線上の配設し、高速大電流放電により上記励起状態
を形成する。この時、Ｘ線が入射されると誘導放出によ
り高輝度のＸ線出力を得ることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。ここ
で第４図の従来例と同一構成要素には同一番号を付けて
ある。真空容器６内に絶縁物15を介して、対向する電極
対31・41,32・42,…36・46を設け、電極41,42…46は各
々円筒状の導電路81,82…,86に接合されている。（第２
図にひとつの電極対の構成外観を示す。16はＸ線の通る
開孔部）電極31,32,…36の一方とトリガー電極５を介し
てコンデンサ２に、また導電路81,82,…86の一方もコン
デンサ２に接合されている。トリガー電極５の放電時間
制御はトリガー時間制御器７によつて調整する。真空容
器６の図面下部にはＸ線取出し窓10を設置してある。
で第４図の従来例と同一構成要素には同一番号を付けて
ある。真空容器６内に絶縁物15を介して、対向する電極
対31・41,32・42,…36・46を設け、電極41,42…46は各
々円筒状の導電路81,82…,86に接合されている。（第２
図にひとつの電極対の構成外観を示す。16はＸ線の通る
開孔部）電極31,32,…36の一方とトリガー電極５を介し
てコンデンサ２に、また導電路81,82,…86の一方もコン
デンサ２に接合されている。トリガー電極５の放電時間
制御はトリガー時間制御器７によつて調整する。真空容
器６の図面下部にはＸ線取出し窓10を設置してある。
Ｘ線発生にあたつては、高電圧電源１によつて充電され
たコンデンサ２の電荷をトリガー電極５を作動させるこ
とによつて、電極対31・41間、32・42間，…36・46間で
放電させる。これにより各電極間で放電プラズマを形成
し、プラズマ中の原子は励起状態となる。電極31・41間
でのスポツトプラズマ中から発生したＸ線の一部は電極
32・42間への入射Ｘ線となり、誘導放出現象を誘発し、
入射Ｘ線と同一方向にＸ線を発生する。順次電極対33・
43間,34・44間，…36・46間で誘導放出し、Ｘ線９を発
生する。微細パターンを転写するため、上記発生Ｘ線９
をＸ線取出し窓10を通して露光部に取り出す。支持体11
に支持されたマスク12のパターンを、アライナ14上のシ
リコンウエハ13上に転写する。以上説明した様にＸ線露
光用の光源に誘導放出現象を利用したＸ線レーザーを使
用しているため、高輝度のＸ線出力を得ることができ
る。誘導放出のための入射Ｘ線発生部は第１図のどの電
極対から発生しても、同様に高輝度のＸ線出力が得られ
る。
たコンデンサ２の電荷をトリガー電極５を作動させるこ
とによつて、電極対31・41間、32・42間，…36・46間で
放電させる。これにより各電極間で放電プラズマを形成
し、プラズマ中の原子は励起状態となる。電極31・41間
でのスポツトプラズマ中から発生したＸ線の一部は電極
32・42間への入射Ｘ線となり、誘導放出現象を誘発し、
入射Ｘ線と同一方向にＸ線を発生する。順次電極対33・
43間,34・44間，…36・46間で誘導放出し、Ｘ線９を発
生する。微細パターンを転写するため、上記発生Ｘ線９
をＸ線取出し窓10を通して露光部に取り出す。支持体11
に支持されたマスク12のパターンを、アライナ14上のシ
リコンウエハ13上に転写する。以上説明した様にＸ線露
光用の光源に誘導放出現象を利用したＸ線レーザーを使
用しているため、高輝度のＸ線出力を得ることができ
る。誘導放出のための入射Ｘ線発生部は第１図のどの電
極対から発生しても、同様に高輝度のＸ線出力が得られ
る。
第３図は別の発明であり、電極対にガスパフ式を適用し
た場合である。各電極対31・41,32・42,33・43,34・44
を一直線上に配置し、各電極の中心部にはＸ線の通路で
ある開孔部が設けてある。各電極31,32,33,34の内部に
はガス吹き出し孔18を設けている。Ｘ線発生にあたって
は、最初にガス導入パイプ17より、ガス19を電極間に吹
き出す。一定の遅延時間後にトリガー電極５を作動させ
放電を開始する。電極間のガスは電流の磁気ピンチ効果
により、高温・高密度のプラズマとなり、励起状態を形
成する。この時、各プラズマ中にＸ線が入射すると、誘
導放出したＸ線は増幅され、Ｘ線９を発生する。本発明
も第１図と同様に、高輝度Ｘ線を発生させる効果があ
る。
た場合である。各電極対31・41,32・42,33・43,34・44
を一直線上に配置し、各電極の中心部にはＸ線の通路で
ある開孔部が設けてある。各電極31,32,33,34の内部に
はガス吹き出し孔18を設けている。Ｘ線発生にあたって
は、最初にガス導入パイプ17より、ガス19を電極間に吹
き出す。一定の遅延時間後にトリガー電極５を作動させ
放電を開始する。電極間のガスは電流の磁気ピンチ効果
により、高温・高密度のプラズマとなり、励起状態を形
成する。この時、各プラズマ中にＸ線が入射すると、誘
導放出したＸ線は増幅され、Ｘ線９を発生する。本発明
も第１図と同様に、高輝度Ｘ線を発生させる効果があ
る。
以上説明した本発明のＸ線露光方法、及びそれに用いら
れるＸ線発生源によれば、Ｘ線発生源よりのＸ線を利用
して、微細パターンを半導体基板上に形成する際に、 相対向する一対の電極間で発生する放電プラズマ中から
発生したＸ線を励起状態にある隣接する一対の電極間に
発生するプラズマに入射し、これにより誘発されるＸ線
を順次隣接する一対の電極間のプラズマに導いて誘導放
出させて形成されるＸ線レーザーを前記半導体基板上に
導いて露光するＸ線露光方法、及び、微細パターンを半
導体基板上に形成するＸ線を発生するＸ線発生源であっ
て、 前記Ｘ線発生源は、真空容器と、該真空容器内に複数対
一直線上に設けられ、一方が絶縁物を介して該真空容器
に支持されている相対向する一対の電極と、該一対の電
極を覆うと共に、一対の電極の他方の電極と電気的に接
続され、かつ、一対の電極間で発生するＸ線を隣接する
一対の電極間に導く開孔部を有し、前記真空容器に絶縁
物を介して支持されている導電路と、前記一対の電極間
に放電を発生させるための高電圧印加手段を備えている
Ｘ線露光のためのＸ線発生源としたものであるから、高
輝度のＸ線出力が得られ、Ｘ線露光でのスループットが
向上する効果がある。
れるＸ線発生源によれば、Ｘ線発生源よりのＸ線を利用
して、微細パターンを半導体基板上に形成する際に、 相対向する一対の電極間で発生する放電プラズマ中から
発生したＸ線を励起状態にある隣接する一対の電極間に
発生するプラズマに入射し、これにより誘発されるＸ線
を順次隣接する一対の電極間のプラズマに導いて誘導放
出させて形成されるＸ線レーザーを前記半導体基板上に
導いて露光するＸ線露光方法、及び、微細パターンを半
導体基板上に形成するＸ線を発生するＸ線発生源であっ
て、 前記Ｘ線発生源は、真空容器と、該真空容器内に複数対
一直線上に設けられ、一方が絶縁物を介して該真空容器
に支持されている相対向する一対の電極と、該一対の電
極を覆うと共に、一対の電極の他方の電極と電気的に接
続され、かつ、一対の電極間で発生するＸ線を隣接する
一対の電極間に導く開孔部を有し、前記真空容器に絶縁
物を介して支持されている導電路と、前記一対の電極間
に放電を発生させるための高電圧印加手段を備えている
Ｘ線露光のためのＸ線発生源としたものであるから、高
輝度のＸ線出力が得られ、Ｘ線露光でのスループットが
向上する効果がある。
第１図は本発明のＸ線露光のためのＸ線発生源の一実施
例を示す断面図、第２図は第１図の実施例に採用される
電極部分の斜視図、第３図は本発明の他の実施例を示す
断面図、第４図は従来のＸ線発生源を示す概略構成図、
第５図は従来の構成における原理を説明するための図、
第６図は本発明の構成における原理を説明するための図
である。 １……高電圧電源、２……コンデンサ、３、４、31、3
2、33、34、35、36、41、42、43、44、45、46……電
極、５……トリガー電極、６……真空容器、７……トリ
ガー時間制御器、９……Ｘ線、10……Ｘ線取出し窓、11
……支持体、12……マスク、13……ウエハ、14……アラ
イナ、15……絶縁物、16……開孔部、17……ガス導入パ
イプ、18……ガス吹き出し孔、19……ガス、81、82、8
3、84、85、86……導電路。
例を示す断面図、第２図は第１図の実施例に採用される
電極部分の斜視図、第３図は本発明の他の実施例を示す
断面図、第４図は従来のＸ線発生源を示す概略構成図、
第５図は従来の構成における原理を説明するための図、
第６図は本発明の構成における原理を説明するための図
である。 １……高電圧電源、２……コンデンサ、３、４、31、3
2、33、34、35、36、41、42、43、44、45、46……電
極、５……トリガー電極、６……真空容器、７……トリ
ガー時間制御器、９……Ｘ線、10……Ｘ線取出し窓、11
……支持体、12……マスク、13……ウエハ、14……アラ
イナ、15……絶縁物、16……開孔部、17……ガス導入パ
イプ、18……ガス吹き出し孔、19……ガス、81、82、8
3、84、85、86……導電路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒沢 幸夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭56−111223（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−7130（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−273728（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−273727（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】Ｘ線発生源よりのＸ線を利用して、微細パ
ターンを半導体基板上に形成するＸ線露光方法におい
て、 相対向する一対の電極間で発生する放電プラズマ中から
発生したＸ線を励起状態にある隣接する一対の電極間に
発生するプラズマに入射し、これにより誘発されるＸ線
を順次隣接する一対の電極間のプラズマに導いて誘導放
出させて形成されるＸ線レーザーを前記半導体基板上に
導いて露光することを特徴とするＸ線露光方法。 - 【請求項２】微細パターンを半導体基板上に形成するＸ
線を発生するＸ線発生源であって、 前記Ｘ線発生源は、真空容器と、該真空容器内に複数対
一直線上に設けられ、一方が絶縁物を介して該真空容器
に支持されている相対向する一対の電極と、該一対の電
極とを覆うと共に、一対の電極の他方の電極と電気的に
接続され、かつ、一対の電極間で発生するＸ線を隣接す
る一対の電極間に導く開孔部を有し、前記真空容器に絶
縁物を介して支持されている導電路と、前記一対の電極
間に放電を発生させるための高電圧印加手段を備えてい
ることを特徴とするＸ線露光のためのＸ線発生源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245267A JPH0770457B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245267A JPH0770457B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100728A JPS63100728A (ja) | 1988-05-02 |
| JPH0770457B2 true JPH0770457B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17131138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61245267A Expired - Lifetime JPH0770457B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770457B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5177784B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2013-04-10 | 孝晏 望月 | 半導体結晶膜の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111223A (en) * | 1980-02-01 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | X-ray exposuring device |
| CA1224839A (en) * | 1983-06-06 | 1987-07-28 | Barukh Yaakobi | X-ray lithography |
| KR940000696B1 (ko) * | 1986-04-15 | 1994-01-27 | 햄프셔 인스트루 먼트스 인코포레이티드 | 엑스레이 석판인쇄 장치 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61245267A patent/JPH0770457B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63100728A (ja) | 1988-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW584879B (en) | Star pinch X-ray and extreme ultraviolet photon source | |
| US7115887B1 (en) | Method for generating extreme ultraviolet with mather-type plasma accelerators for use in Extreme Ultraviolet Lithography | |
| US4851668A (en) | Ion source application device | |
| US5352899A (en) | Method and apparatus for fabricating a device/circuit pattern by a converging atomic beam | |
| JP2564390B2 (ja) | 真空スイツチ | |
| JPH0642462B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0770457B2 (ja) | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 | |
| JP3401801B2 (ja) | イオンビーム装置 | |
| JP2000077005A (ja) | プラズマ発生装置及びそのためのフィラメント | |
| JPH0211974B2 (ja) | ||
| JPH06101315B2 (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JPH05243160A (ja) | 半導体デバイス製造用プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH05174752A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JPH06101316B2 (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| US4601971A (en) | Tunnel cathode mask for electron lithography and method for manufacturing and operating it | |
| JPH0471332B2 (ja) | ||
| Kobayashi et al. | Studies of the hollow discharge duoplasmatron as a source of H− ions | |
| JP3460239B2 (ja) | イオン処理装置 | |
| JP3265987B2 (ja) | イオン照射装置 | |
| JPH01102838A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JP3265988B2 (ja) | イオン照射装置 | |
| JPH0665200B2 (ja) | 高速原子線源装置 | |
| JPH0638391B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPS59108249A (ja) | Ｘ線発生方法及びｘ線発生装置 | |
| JPH0636343B2 (ja) | Ｘ線発生装置 |